Claims (2)
(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ки . Места соединени элементов 3 и 4, 5 и 6 подклю чены к выходному прибору 7. В отдельном варианте выполнени устройства вьшоды 8 и 9 источника посто гаюго тока могут быть соединены с полупроводниковыми погюкочувствительнымй элементами 10 и 11, каждый из ко торых имеет по две противоположно ориентированные области с повьишнными скорост ми поверхностной рекомбинации носителей тока, между которыми установлены контакты, подключенные к выходному прибору 12. Области с повышенными скорост ми поверхностной рекомбинации носителей тока на фигурах обозначены условно утолщенными лини ми. Устройство работает следующим образом. При воздействии магнитного пол на зпементы 3, 4, 5 и 6 происходит изменение их сопротивлени . Ввиду противоположной ориентации областей с повы шенными скорост ми поверхностной рекомбинации носителей тока измене1т 1, сопротивлений в них противоположны по знаку. Напр жение, измер емое прибором 7, линейно зависит от измер емой напр женности магнитного пол благодар компенсации квадратичных составл ющих изменений сопротивлени элемеотов 3,4, 5 и 6. Элементы 10, 11 в устройстве могут быть вьшо нены содержащими по две противоположно ориенти рованные области с новьпценными скорост ми повер |Ностной рекомбинации носителей тока, за счет чего в каждом из элементов 10 и 11 будут образованы части, изменени сопротивлений которых противоположны по знаку, и при этом взаимна ориентаци областей с повьпиенными скорост ми поверхностной рекомбинации носителей тока сразу устанавливаетс правильна , что дополнительно приводит и к повышению точности измерени . Высока чувствительность устройства позвол ет его использовать дл измерени напр женности слабых магнитных Полей без применени магнитных концентраторов. .Формула изобретени Устройство дл измерени напр женносга магlaiTHoro пол , содержащее полупроводниковые потокочувствительные элементы с противоположно ориентированными и последовательно чередующимис в них област ми с повышенными скорост ми поверхностной рекомбинации ноштелей тока, источник посто нного тока, подключенный к полупроводниковым потокочувствительным элементам,и индикатор, отличающеес тем, что, с целью расширетм линейного диапазона градукровочной характеристики, полупроводниковые потокочувствительные элементы включены в плечи моста, каждое из которых состоит из элементов с четным числом областей с повьщхешп ми скорост ми поверхностной рекомбинации носителей тока, а элементы первого и четвертого плеча включены противоположно элементам второго и третьего плеча, при этом в одну из диагоналей моста включен источник посто нного тока, а в другую индикатор . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1.Патент Великобритании N 1320857, кл. G 01 R 33/02, 1972. (54) DEVICE FOR MEASURING THE TENSION OF A MAGNETIC FIELD. The junctions of elements 3 and 4, 5 and 6 are connected to the output device 7. In a separate embodiment of the device, the outputs 8 and 9 of the direct current source can be connected to semiconductor elements 10 and 11, each of which has two oppositely oriented areas with the same rates of surface recombination of carriers, between which contacts are made, connected to the output device 12. Areas with increased rates of surface recombination of carriers in the figures signified conventionally thickened lines. The device works as follows. When a magnetic field is applied to the entanglements 3, 4, 5, and 6, their resistance changes. Due to the opposite orientation of the regions with increased rates of surface recombination of charge carriers, the change is 1t, the resistances in them are opposite in sign. The voltage measured by the device 7 linearly depends on the measured magnetic field strength due to the compensation of the quadratic components of the resistance changes of the elements 3,4, 5 and 6. Elements 10, 11 in the device can be made containing two oppositely oriented areas with newturned rotational speeds | Nostatic recombination of current carriers, due to which parts are formed in each of elements 10 and 11, the resistance changes of which are opposite in sign, and the relative orientation of the areas with the surface carrier recombination rates are immediately established correctly, which additionally leads to an increase in the measurement accuracy. The high sensitivity of the device allows it to be used to measure the strength of weak magnetic fields without the use of magnetic concentrators. A formula for measuring the voltage of a magnetic field containing semiconductor flow-sensitive elements with oppositely oriented and successively alternating regions in them with increased surface recombination rates of current currents, a DC source connected to semiconductor flow-sensitive elements, and an indicator different that, in order to extend the linear range of the grading characteristic, semiconductor flow-sensitive elements in The shoulders of the bridge, each of which consists of elements with an even number of areas with higher surface surface recombination rates of current carriers, and the elements of the first and fourth shoulders are included opposite to the elements of the second and third shoulders, with a constant source current, and in another indicator. Sources of information taken into account in the examination: 1. UK patent N 1320857, cl. G 01 R 33/02, 1972.
2.За вка Японии № 43-91807, кл. ПО L 1, 1972.2. For Japan No. 43-91807, cl. PO L 1, 1972.