SU1251318A1 - ЭСЛ-элемент - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано при создании полупроводниковых интегральных схем (ИС).

Целью изобретени   вл етс  увеличение надежности за счет упрощени 

На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема предложенного ЗСЛ-элемента

ЭСЛ-злемент содержит первый 1 и второй 2 транзисторы, коллекторы которых соответственно соединены с первым 3 и вторым 4 выходами устройства и соответственно через первый 5 и второй 6 резисторы соединены с шиной питани , а эмиттеры подключены к коллектору третьего транзистора 7 эмиттер которого через третий резистор 8 соединен с общей шиной, база первого транзистора 1 через четвертый резистор 9 соединена с шиной питани  и подключена к аноду первого диода 10, катод которого соединен с входом 1 устройства, а база второго транзистора 2 подключена к тине опорного напр жени  и катоду второго диода I2, анод которого соединен с базой перво1;,о транзистора , дополнительные эмиттеры первого 1 и второго 2 транзисторов соединены с базой третьего транзистора 7 о

ЭСЛ-элемент работает следующим образом

При подаче на вход 11 логического О диод 10 включаетс  в пр мом направлении, пропуска  через себ  весь ток резистора 9, поэтому ток в базу транзистора 1 не поступает и он находитс  в выключенном состо нии , выключа  тем самым ток через резистор 5о Поэтому напр жение на выходе 3 равно напр жению источника питани  о Диод 12 включен в обратном направлении.

В этом случае источник тока в цепи эмиттеров транзисторов 1 и 2 образован по цепи U , дополнительный эмиттер транзистора 2 и транзистор 7 с резистором 8 Ток резистора 8, создаваемый напр жением на нем источника U,, за вычетом падений напр жений на базо-эмит- терных переходах транзисторов 2 и 7, через коллектор транзистора 7 попадает в эмиттер включенного транзисто РЭ 2, понижа  тем самым потенциал

на выход 4 за счет протекани  тока через резистор 6„

При подаче на вход 11 логической диод 10 включаетс  в обратном направлении, поэтому ток резистора 9 течет в базу транзистора 1 и в диод 12, фиксиру  уровень базы на уровне

Ш

ои + ,

Транзистор 2 выключаетс , а транзистор 1 включаетс , формиру  на резисторе 5 и на выходе 3 низкий

уровень током, протек.аюЩим через включенный транзистор 1 „

В этом случае источник тока в цепи первых эмиттеров транзисторов 1 и 2 образован по цепи U, , диод

12, переход база - дополнительный эмиттер транзистора 1 и транзистор 7 с резистором Во Тов, в случае логической единицы на входе II ток, задаваемый источником опорного напр .чжени , будет больше, чем в случае подачи на вход напр жени , соответствующего логическому нулю, на величину пр мого падени  напр жени  на диоде 12, из-за увелИчени  падени  напр жени  на резисторе 8,

Таким образом, ток задаваемый источником тока на резисторе 8 и

транзисторе 7, зависит от уровн 

логического сигнала на входе, поэтому логические уровни, создаваемые этим током на нагрузочных резисторах 5 и 6, с которых снимаютс  выходные сигналы, формируютс  разными даже в случае одинаковых номиналов этих резисторов 5 и 6.

Это приводит к увеличению быстродействи  переключени  плеча с низ кого уровн  на высокое, с большим логическим перепадом, приближа  к быстродействию плеча с меньшим логическим перепадом за счет увеличени  номинала резисто ра 5,

Увеличение быстродействи  при переключении с высокого уровн  на низ- кйй плеча с болыпим логическим перепадом происходит за счет увеличени  в этом случае тока, задаваемого источником тока

Получение разных логических перепадов на выходах с помощью повьшени 

рабочего тока при включении плеча с большим логическим перепадом позвол ет получить разные логические перепады на выходах устройства, повысив быстродействие выхода с большим логическим перепадом, сделав его равным быстродействию второго

Редактор Н.Слобод ник

Составитель А.Янов Техред Л.Сердюкова

Заказ 4426/58Тираж 816Подписное

ВНИИШ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д.4/5

.Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна ,4

выхода, что существенно упрощает построение на основе этой схемы быстродействующих ИС с малой потребл емой мощностью, устранив в них  влени  гонок фронтов, вызывающие ложные срабатьшани  с ем и повьша  их быстродействие.

Корректор М.Самборска 

Claims (1)

1. ЭСЛ-ЭЛЕМЕНТ, содержащий первый и второй транзисторы, коллекторы которых соответственно соединены с первым и вторым выходами устройства и соответственно через первый и второй резисторы с шиной питания, а эмиттеры подключены к коллектору третьего транзистора, эмиттер которого через третий резистор соединен с общей шиной, база первого транзистора через четвертый резистор соединена с шиной питания и подключена к аноду первого диода, катод которого соединен с входом устройства, а база второго транзистора подключена к шине опорного напряжения и катоду второго диода, анод которого соединен с базой первого транзистора, отличающийся Тем, что, с целью увеличения надежности, дополнительные с эмиттеры первого и второго транзисто· “ ров соединены с базой третьего транзистора.

   SU ,.,1251318