SU1220394A1 - Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet - Google Patents
Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet Download PDFInfo
- Publication number
- SU1220394A1 SU1220394A1 SU843743036A SU3743036A SU1220394A1 SU 1220394 A1 SU1220394 A1 SU 1220394A1 SU 843743036 A SU843743036 A SU 843743036A SU 3743036 A SU3743036 A SU 3743036A SU 1220394 A1 SU1220394 A1 SU 1220394A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- rpm
- crystal
- seed
- shape
- rotational speed
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
. 1 . one
Изобретение относитс к технологии получени изолирующих подложечных материалов и может быть использовано в электронной, цветной и химической промьшШенност х.The invention relates to the technology of producing insulating base materials and can be used in electronic, color and chemical industries.
Целью изобретени вл етс увеличение выхода годных монокристаллов путем уменьшени длины конической части кристалла.The aim of the invention is to increase the yield of single crystals by reducing the length of the conical part of the crystal.
Пример 1,В тигель загружают шихту - смесь окислов галли и гадолини в соотношении 53,92 мас.% CdjOj + 46,08 мае. % , . Шхту плав т.высокочастотным нагревом иридиевого тигл . Азот подают к тепловому уэлу перед началом нагрева тнг л , кислород (2 об.%) добавл ют в момент по влени расплава. Начина с момента затравливани , содержание кислорода в процессе роста уменьшают , до 0,9 об. %..Example 1 A mixture is loaded into the crucible - a mixture of gallium and gadolinium oxides in a ratio of 53.92 wt.% CdjOj + 46.08 May. % The graft is melted by high frequency heating of the iridium crucible. Nitrogen is fed to the thermal uel before the start of heating, TNGL, oxygen (2 vol.%) Is added at the time of the appearance of the melt. Beginning from the moment of seeding, the oxygen content in the growth process is reduced to 0.9% by volume. % ..
Затравку вращают со скоростью 25,5 об/мин, и когда она касаетс расплава, происходит затравливание. После чего начинают перемещать затравку вверх со скоростью 8,0 мм/ При nofTBJiemut из-под кристалла вынужденных конвекционных потоков на диаметре 74 мм, свидетельствующих о переходе формы фронта кристаллизации от островыпуклого к плавно20394 The seed is rotated at a speed of 25.5 rpm, and when it touches the melt, seeding occurs. After that, they begin to move the seed upwards at a speed of 8.0 mm / At nofTBJiemut from under the crystal forced convection currents on a diameter of 74 mm, indicating a transition of the shape of the crystallization front from an island to a smoothly 20394
выпуклому,, скорость вращени начинают уменьшать в соответствии с формулой W 25, 5-0, от ,.. 25,5 об/мин до 23,5 об/мин. Конус,when convex, the rotational speed begins to decrease in accordance with the formula W 25, 5-0, from 25.5 rpm to 23.5 rpm. Cone,
5 выращиваетс длиной 35 мм. Далее рост кристалла ведут при посто нной скорости вращени 23,5 об/мин. Кристалл вырапшвают до веса И кг. Таким образом, коэффициент извлечени 5 grown 35 mm long. Next, the crystal growth is carried out at a constant rotational speed of 23.5 rpm. Crystal vyrashshivayut to weight And kg. Thus, the recovery rate
10 шихты составл т 85%. Поскапьку длина конусной части уменьшаетс при таких режимах роста с 60 до 35 , увеличиваетс вес цилиндрической части и, соответственно, увеличи- 15. ваетс процент выхода годных крис таллов до 36%.10 batch amounts to 85%. The length of the tapered part decreases with such growth modes from 60 to 35, the weight of the cylindrical part increases and, accordingly, the percentage of yield of crystals increases to 36%.
Было проведенй 8 процессов, полученные данные приведены в .таЬлице. Примеры подтверждают эффектив20 ность предлагаемого способа. В примерах 4-6 начальна скорость вращени менее указанной в формуле - уменьшаетс процент выхода годных, в примере 7-8 скорость вра25 щени отличаетс от указанной в формуле - годную часть кристалла не получают.Eight processes were carried out, the data obtained are given in the article. Examples confirm the effectiveness of the proposed method. In examples 4-6, the initial rotation speed is less than that specified in the formula — the percentage of yield decreases; in Example 7-8, the rotational speed differs from that indicated in the formula — a good part of the crystal is not obtained.
Как видно из данных таблицы, использование предлагаемого способаAs can be seen from the data table, the use of the proposed method
30 поз врл ет увеличить выход годных монокристаллов до 36%.30 poses to increase the yield of single crystals up to 36%.
Процент выхода годных, %Percentage of yield,%
Составитель Н.Пономарева .Редактор Н.Салтыкова Техред Л.Кравчук Корректор Л.ПилипенкоCompiled by N. Ponomareva. Editor N. Saltykova Tehred L. Kravchuk Proofreader L. Pilipenko
Заказ 790 . ТиражПодписноеOrder 790. Circulation Subscription
ВНИИПИ Государственного комитета СССРVNIIPI USSR State Committee
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., д, 4/5for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., d, 4/5
Филиал ППП Патент г. Ужгород, ул, Проект а , 4Branch PPP Patent, Uzhgorod, ul, Project a, 4
Продолжение таблицыTable continuation
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843743036A SU1220394A1 (en) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843743036A SU1220394A1 (en) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1220394A1 true SU1220394A1 (en) | 1992-01-15 |
Family
ID=21119896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843743036A SU1220394A1 (en) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1220394A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998040544A1 (en) * | 1997-03-12 | 1998-09-17 | Rafida Developments Incorporated | Lanthanum gallium silicate disc and its preparation method |
-
1984
- 1984-05-18 SU SU843743036A patent/SU1220394A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент JP fr 54-150377, кл. 13/7, 19,79. Патент DE 3013045, кл. С 30 В 29/28, 1980. Авторское свидетельство СССР И 1039256, кл. С 30 В 15/00, 1981. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998040544A1 (en) * | 1997-03-12 | 1998-09-17 | Rafida Developments Incorporated | Lanthanum gallium silicate disc and its preparation method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4040895A (en) | Control of oxygen in silicon crystals | |
US4436577A (en) | Method of regulating concentration and distribution of oxygen in Czochralski grown silicon | |
JP2705867B2 (en) | Silicon rod manufacturing method | |
US4534821A (en) | Single crystal growing of rare earth-gallium garnet | |
US4239585A (en) | Process for the production of high purity silicon monocrystals having a low oxygen content | |
US4303465A (en) | Method of growing monocrystals of corundum from a melt | |
SU1220394A1 (en) | Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet | |
US3224840A (en) | Methods and apparatus for producing crystalline materials | |
US3261722A (en) | Process for preparing semiconductor ingots within a depression | |
US4302280A (en) | Growing gadolinium gallium garnet with calcium ions | |
SU1354791A1 (en) | Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet | |
Otani et al. | Preparation of LaB6 single crystals by the floating zone method | |
SU1319641A2 (en) | Method of obtaining monocrystalls of gadolinium-gallium sarnet | |
JPH01122998A (en) | Production of cd zn te mixed crystal semiconductor | |
EP0148946B1 (en) | Method of producing a chrysoberyl single crystal | |
US4613495A (en) | Growth of single crystal Cadmium-Indium-Telluride | |
SU1347513A1 (en) | Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet | |
RU2038433C1 (en) | Method for growing of single crystals of chrysoberyl activated with ions of trivalent titanium | |
SU1274357A1 (en) | Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet | |
EP0018111B1 (en) | Method of producing ferrite single crystals | |
KR100194363B1 (en) | Method and apparatus for manufacturing single crystal silicon | |
RU1816813C (en) | Process for preparing potassium and lead orthosilicate monocrystals | |
JP2002029881A (en) | Method of producing compound semiconductor single crystal | |
JPS5938192B2 (en) | Manufacturing method of corundum single crystal that emits starry colors | |
JP3654314B2 (en) | Manufacturing method of AlGaAs single crystal by flux method and manufacturing apparatus used therefor |