SU1220394A1 - Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet - Google Patents

Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet Download PDF

Info

Publication number
SU1220394A1
SU1220394A1 SU843743036A SU3743036A SU1220394A1 SU 1220394 A1 SU1220394 A1 SU 1220394A1 SU 843743036 A SU843743036 A SU 843743036A SU 3743036 A SU3743036 A SU 3743036A SU 1220394 A1 SU1220394 A1 SU 1220394A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
rpm
crystal
seed
shape
rotational speed
Prior art date
Application number
SU843743036A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
И.А. Иванов
Ю.Л. Бабокин
А.М. Бульканов
Original Assignee
Предприятие П/Я К-5476
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я К-5476 filed Critical Предприятие П/Я К-5476
Priority to SU843743036A priority Critical patent/SU1220394A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1220394A1 publication Critical patent/SU1220394A1/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

. 1 . one

Изобретение относитс  к технологии получени  изолирующих подложечных материалов и может быть использовано в электронной, цветной и химической промьшШенност х.The invention relates to the technology of producing insulating base materials and can be used in electronic, color and chemical industries.

Целью изобретени   вл етс  увеличение выхода годных монокристаллов путем уменьшени  длины конической части кристалла.The aim of the invention is to increase the yield of single crystals by reducing the length of the conical part of the crystal.

Пример 1,В тигель загружают шихту - смесь окислов галли  и гадолини  в соотношении 53,92 мас.% CdjOj + 46,08 мае. % , . Шхту плав т.высокочастотным нагревом иридиевого тигл . Азот подают к тепловому уэлу перед началом нагрева тнг л , кислород (2 об.%) добавл ют в момент по влени  расплава. Начина  с момента затравливани , содержание кислорода в процессе роста уменьшают , до 0,9 об. %..Example 1 A mixture is loaded into the crucible - a mixture of gallium and gadolinium oxides in a ratio of 53.92 wt.% CdjOj + 46.08 May. % The graft is melted by high frequency heating of the iridium crucible. Nitrogen is fed to the thermal uel before the start of heating, TNGL, oxygen (2 vol.%) Is added at the time of the appearance of the melt. Beginning from the moment of seeding, the oxygen content in the growth process is reduced to 0.9% by volume. % ..

Затравку вращают со скоростью 25,5 об/мин, и когда она касаетс  расплава, происходит затравливание. После чего начинают перемещать затравку вверх со скоростью 8,0 мм/ При nofTBJiemut из-под кристалла вынужденных конвекционных потоков на диаметре 74 мм, свидетельствующих о переходе формы фронта кристаллизации от островыпуклого к плавно20394 The seed is rotated at a speed of 25.5 rpm, and when it touches the melt, seeding occurs. After that, they begin to move the seed upwards at a speed of 8.0 mm / At nofTBJiemut from under the crystal forced convection currents on a diameter of 74 mm, indicating a transition of the shape of the crystallization front from an island to a smoothly 20394

выпуклому,, скорость вращени  начинают уменьшать в соответствии с формулой W 25, 5-0, от ,.. 25,5 об/мин до 23,5 об/мин. Конус,when convex, the rotational speed begins to decrease in accordance with the formula W 25, 5-0, from 25.5 rpm to 23.5 rpm. Cone,

5 выращиваетс  длиной 35 мм. Далее рост кристалла ведут при посто нной скорости вращени  23,5 об/мин. Кристалл вырапшвают до веса И кг. Таким образом, коэффициент извлечени 5 grown 35 mm long. Next, the crystal growth is carried out at a constant rotational speed of 23.5 rpm. Crystal vyrashshivayut to weight And kg. Thus, the recovery rate

10 шихты составл т 85%. Поскапьку длина конусной части уменьшаетс  при таких режимах роста с 60 до 35 , увеличиваетс  вес цилиндрической части и, соответственно, увеличи- 15. ваетс  процент выхода годных крис таллов до 36%.10 batch amounts to 85%. The length of the tapered part decreases with such growth modes from 60 to 35, the weight of the cylindrical part increases and, accordingly, the percentage of yield of crystals increases to 36%.

Было проведенй 8 процессов, полученные данные приведены в .таЬлице. Примеры подтверждают эффектив20 ность предлагаемого способа. В примерах 4-6 начальна  скорость вращени  менее указанной в формуле - уменьшаетс  процент выхода годных, в примере 7-8 скорость вра25 щени  отличаетс  от указанной в формуле - годную часть кристалла не получают.Eight processes were carried out, the data obtained are given in the article. Examples confirm the effectiveness of the proposed method. In examples 4-6, the initial rotation speed is less than that specified in the formula — the percentage of yield decreases; in Example 7-8, the rotational speed differs from that indicated in the formula — a good part of the crystal is not obtained.

Как видно из данных таблицы, использование предлагаемого способаAs can be seen from the data table, the use of the proposed method

30 поз врл ет увеличить выход годных монокристаллов до 36%.30 poses to increase the yield of single crystals up to 36%.

Процент выхода годных, %Percentage of yield,%

Составитель Н.Пономарева .Редактор Н.Салтыкова Техред Л.Кравчук Корректор Л.ПилипенкоCompiled by N. Ponomareva. Editor N. Saltykova Tehred L. Kravchuk Proofreader L. Pilipenko

Заказ 790 . ТиражПодписноеOrder 790. Circulation Subscription

ВНИИПИ Государственного комитета СССРVNIIPI USSR State Committee

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д, 4/5for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., d, 4/5

Филиал ППП Патент г. Ужгород, ул, Проект а , 4Branch PPP Patent, Uzhgorod, ul, Project a, 4

Продолжение таблицыTable continuation

Claims (1)

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГАДОЛИНИЙ-ГАЛЛИЕВОГО ГРАНАТА, включающий расплавление шихты, зат- ,равнение на вращающуюся затравку, вытягивание из расплава конической части кристалла со скоростью вращения затравки 25-35 об/мин до изменения формы фронта кристалла с островыпуклого на плавновыпуклый, вытягивание цилиндрической части крис талла с постоянной 'СХоростью ватмосфере инертного газа, содержащего кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных монокристаллов диаметром 80 мм путем уменьшения длины конической части кристалла, после изменения формы фронта кристаллиза ции, скорость вращения затравки уменьшают по закону ~ W - tth до выхода кристалла на цилиндр, где W скорость вращения затравки при затравливании, t - время роста конической части кристалла от изменения формы фронта кристаллизации до выхода на цилиндр:METHOD FOR PRODUCING GADOLINI-GALLIUM GARANET SINGLE CRYSTALS, including melting the mixture, zat-, alignment with a rotating seed, drawing the conical part of the crystal from the melt with a seed rotation speed of 25-35 rpm to change the shape of the crystal front from island-to-convex to smooth convex Talla with a constant 'Velocity of the atmosphere inert gas containing oxygen, characterized in that, in order to increase the yield of single crystals with a diameter of 80 mm by reducing the length of the conical hour and the crystal, after the change of shape crystallization front of, the rotational speed of seed reduced by law ~ W - tt h before the crystal on the cylinder where W rotational speed of the seed with seeding, t - the growth of the conical portion of the crystal by changing the shape of the solidification front to enter the cylinder: L = 0,058 об/мин°и, π » 0,75 при W = 25,5 об/мин,L = 0.058 rpm ° and , π "0.75 at W = 25.5 rpm, L = 0,080 об/мин0* π β 0,80 при W = 30 об/мин,L = 0.080 rpm 0 * π β 0.80 at W = 30 rpm L = 0,110 об/мин01) п « 0,89 при W = 35 об/мин.L = 0.110 rpm 01 ) n "0.89 at W = 35 rpm.
SU843743036A 1984-05-18 1984-05-18 Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet SU1220394A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843743036A SU1220394A1 (en) 1984-05-18 1984-05-18 Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843743036A SU1220394A1 (en) 1984-05-18 1984-05-18 Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1220394A1 true SU1220394A1 (en) 1992-01-15

Family

ID=21119896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843743036A SU1220394A1 (en) 1984-05-18 1984-05-18 Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1220394A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998040544A1 (en) * 1997-03-12 1998-09-17 Rafida Developments Incorporated Lanthanum gallium silicate disc and its preparation method

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент JP fr 54-150377, кл. 13/7, 19,79. Патент DE 3013045, кл. С 30 В 29/28, 1980. Авторское свидетельство СССР И 1039256, кл. С 30 В 15/00, 1981. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998040544A1 (en) * 1997-03-12 1998-09-17 Rafida Developments Incorporated Lanthanum gallium silicate disc and its preparation method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4040895A (en) Control of oxygen in silicon crystals
US4436577A (en) Method of regulating concentration and distribution of oxygen in Czochralski grown silicon
JP2705867B2 (en) Silicon rod manufacturing method
US4534821A (en) Single crystal growing of rare earth-gallium garnet
US4239585A (en) Process for the production of high purity silicon monocrystals having a low oxygen content
US4303465A (en) Method of growing monocrystals of corundum from a melt
SU1220394A1 (en) Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet
US3224840A (en) Methods and apparatus for producing crystalline materials
US3261722A (en) Process for preparing semiconductor ingots within a depression
US4302280A (en) Growing gadolinium gallium garnet with calcium ions
SU1354791A1 (en) Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet
Otani et al. Preparation of LaB6 single crystals by the floating zone method
SU1319641A2 (en) Method of obtaining monocrystalls of gadolinium-gallium sarnet
JPH01122998A (en) Production of cd zn te mixed crystal semiconductor
EP0148946B1 (en) Method of producing a chrysoberyl single crystal
US4613495A (en) Growth of single crystal Cadmium-Indium-Telluride
SU1347513A1 (en) Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet
RU2038433C1 (en) Method for growing of single crystals of chrysoberyl activated with ions of trivalent titanium
SU1274357A1 (en) Method of obtaining monocrystals of gaoolinium-gallic garnet
EP0018111B1 (en) Method of producing ferrite single crystals
KR100194363B1 (en) Method and apparatus for manufacturing single crystal silicon
RU1816813C (en) Process for preparing potassium and lead orthosilicate monocrystals
JP2002029881A (en) Method of producing compound semiconductor single crystal
JPS5938192B2 (en) Manufacturing method of corundum single crystal that emits starry colors
JP3654314B2 (en) Manufacturing method of AlGaAs single crystal by flux method and manufacturing apparatus used therefor