SU119253A1

SU119253A1 - Method for determining surface conductivity of semiconductor crystals

Info

Publication number: SU119253A1
Application number: SU603414A
Authority: SU
Inventors: Р.Н. Рубинштейн; В.И. Фистуль
Original assignee: Р.Н. Рубинштейн; В.И. Фистуль
Priority date: 1958-07-04
Filing date: 1958-07-04
Publication date: 1958-11-30

Description

Предлагаетс слс.соб определени поверхностной проводимости полупроводниковых кристаллов, обладающих объемной проводимостью, основанный на использовании зависимости полного сопротивлени проводника электрического тока от его геометрической формы.It is proposed to determine the surface conductivity of semiconductor crystals with bulk conductivity, based on the dependence of the electrical conductor impedance on its geometric shape.

Известные способы подобного рода не позвол ют О|Существл ть непосредственное измерение поверхностной проводимости полупроводников. При этих способах величина ее косвенно определ етс по результатам измерений эффективного сопротивлени кристалла, по спаду тока фотопроводимости , либо по измерению контактных потенциалов.Known methods of this kind do not allow O | There is a direct measurement of the surface conductivity of semiconductors. In these methods, its value is indirectly determined from the measurement results of the effective resistance of the crystal, by the decrease in the photoconductivity current, or by the measurement of the contact potentials.

Предлагаемый способ отличаетс от известных тем, что в процессе измерений непосредственно определ ют градиент потенциала вдоль образца , выполненного в виде клина с углом наклона не больгпе 7°, к которому ток подводитс через контакты, имеющие посто нное переходное сопротивление.The proposed method differs from the known ones in the course of measurements that directly determine the potential gradient along the sample, made in the form of a wedge with a slope of not more than 7 °, to which the current is supplied through contacts having constant transient resistance.

На чертеже изображена принципиальна схема определени поверхностной проводимости полупроводников по предлагаемому способу.The drawing shows a schematic diagram for determining the surface conductivity of semiconductors according to the proposed method.

Образец, с помощью котО ого производ тс измерени , выполн етс Б виде клина 1 с углом наклона не более 7 К этому образцу через контакты с посто нным переходпым сопротивлением подводитс электрический ток / и с помощью электродов 2 измер етс градиент потенциала вдоль образца.The sample, which is used to measure, is made in the form of a wedge 1 with an inclination angle not exceeding 7 K. An electric current is applied to the sample through contacts with a constant transition resistance and a potential gradient along the sample is measured by electrodes 2.

В дальнейшем по известным значени м тока /, градиента потенциала -тг- и поперечного сечени S образца в месте замера градиентаIn the future, by the known values of the current /, the potential gradient -tr- and cross-section S of the sample at the point of measurement of the gradient

потенциала по соответствующим формулам определ етс величина поверхностной и объемной проводимостей.the potential according to the corresponding formulas determines the magnitude of the surface and bulk conductivities.

Предмет изо б р е т е и и Subject from b ete and and

Споеоб определени поверхностной проводимости полупроводниковых кристаллов, обладаюи;их объемной проводимостью, основанный на использовании зависимости полного сопротивлени проводника электрического тока от его геометрической формы, отличающийс тем, что измер ют градиент потенциала вдоль образца, выполненного в виде клина с углом наклона не больше 7°, к которому ток подводитс через контакты, имеющие посто нное переходное сопротивление.Solving the surface conductivity of semiconductor crystals, their volumetric conductivity, based on the dependence of the electrical conductor impedance on its geometric shape, characterized in that the potential gradient along the sample, made in the form of a wedge with an angle of less than 7 °, is measured, to which current is applied through contacts having a constant contact resistance.