SU1163354A1 - Generator of address signals for memory blocks - Google Patents

Generator of address signals for memory blocks Download PDF

Info

Publication number
SU1163354A1
SU1163354A1 SU833583437A SU3583437A SU1163354A1 SU 1163354 A1 SU1163354 A1 SU 1163354A1 SU 833583437 A SU833583437 A SU 833583437A SU 3583437 A SU3583437 A SU 3583437A SU 1163354 A1 SU1163354 A1 SU 1163354A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
inverter
input
gate
transistors
Prior art date
Application number
SU833583437A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр Григорьевич Солод
Александр Максимович Копытов
Светлана Васильевна Высочина
Original Assignee
Предприятие П/Я Х-5737
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Х-5737 filed Critical Предприятие П/Я Х-5737
Priority to SU833583437A priority Critical patent/SU1163354A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1163354A1 publication Critical patent/SU1163354A1/en

Links

Abstract

1. ФОРМИРОВАТЕЛЬ,АДРЕСНЫ СИГНАЛОВ ДЛЯ БЛОКОВ ПАМЯТИ, содер жащий три инвертора, вход первого из которых  вл етс  входом формировател , отличающийс   тем, что, с целью повышени  помехоустойчивости формировател  он содержит парафазный усилитель на транзисторах, нагрузочный элемент на транзисторе с обеднением зар да и ключевой элемент на тран А8%I зисторе, причем выход первого инвертора соединен с затвором первого транзистора парафазного усилител , затвор второго транзистора которого подключен к входу формировател , стоки первого и второго транзисторов подключены соответственно к шине питани  и общей шине, истоки объединены и подключены к входу третьего инвертора и истоку транзистора ключевого элемента, затвор которого подключен к выходу третьего инвертора, а сток - к второго инвертора и истоку н затвору транзистора с обеднением зар да нагрузочного элемента. 2. Формирователь по п. о тличающийс  тем, что на грузочный транзистор второго инвертора выполнен с обеднением зар да .1. FORMER, ADDRESS SIGNALS FOR MEMORY BLOCKS, containing three inverters, the input of the first of which is the input of the driver, characterized in that, in order to improve the noise immunity of the driver, it contains a paraphase amplifier with transistors, a load element on the transistor depleted and the key element on the trans A8% I transistor, and the output of the first inverter is connected to the gate of the first transistor of a paraphase amplifier, the gate of the second transistor of which is connected to the input of the driver, the drain of the first and The transistors are connected respectively to the power bus and the common bus, the sources are connected and connected to the input of the third inverter and the source of the transistor of the key element, the gate of which is connected to the output of the third inverter, and the drain to the second inverter and source of the load element . 2. A shaper according to a step different from the fact that the load transistor of the second inverter is depleted.

Description

.Изобретение относитс  к вычисли тельной технике и может быть при .менено в качестве формирователей ад ресных и других типов импульсных сигналов. Цель изобретени  - повышение помехоустойчивости. . На фиг. 1 представлена принципиальна  электрическа  схема устройства; на фиг. 2 - временные диаграммы работы. Формирователь адресных сигналов содержит первый инвертор (транзисторы и 2), второй.инвертор (тран зисторы 3 и 4), третий инвертор (транзисторы 5 и 6), парафазный усилитель (транзисторы 7 и 8), нагрузочный элемент на транзисторе 9 с обеднением в ключевой элемент на транзисторе 10. ВхОд первого инвертора на транзисторах I и 2  вл етс  входом формировател , а выход подключен к затвору верхнего транзистора 7 п ра-разного усилител , здтвор транзи тора 8 котораго соединен с входом мировател . Выход парафазного усил тел  соединен с входом третьего ;IH вертора (затвор транзистора 6) и с истоком транзистора ключевого элемента Ю, затвор которого подключе к выходу третьего инвертора на тра зисторах 5 и 6, а сток - к входу второго инвертора на транзисторах 21 и 4 и к истоку и затвору нагру зочного элемента на транзисторе 9 с обеднением зар да. Форми;рователь работает следующим образом. При поступлении на вход схемы сигнала с уровнем логического нул  ;транзисторы 2 и 8 -закрываютс  и на затворе транзистора 6 устанавливае с  положительный потенциал. Транзистор 6 открываетс р и на затворе транзистора 10 устанавливаетс  нулевой потенциал, транзистор 10 закрываетс  и на выход А поступает поло жительчый потенциал, райный напр жению источника питани . Транзистор 4 открываетс  и на выходе А устанавливаетс  нулевой потенциал. При поступлении на вход схемы сигнала с уровнем логической единицы транзисторы 2 и 8 открываютс  и на затворе транзистора 6 устанавливаетс  нулевой потенциал. Транзистор 6 закрьшаетс , на затворе транзистора 10 устанавливаетс  положительный потенциал , который открьшает транзистор 10, и на входе А устанавливаетс  ну-, левой, потенциал. Транзистор 4 закрываетс  и .на выходе А устанавливаетс  положительный потенциал, равный напр жению источника питани . Работа формирователей адресных сигналов в случае,-если уровень .нул  входного адресного сигнала равен пороговому напр жению МОП транзисторов (фиг . 2),  вл етс  худшим случаем и на вход схемы поступает помеха положительной пол рности. По вление помехи положительной пол рности на входе устройства вызывает понижение потенциала в точ7 ке Ь. Однако понижение потенциала в точке Ь приводит к повышению потенциала в точке С ,. что вызывает открывание транзистора 10 и увеличение тока через транзистор 8, что, в свою очередь, . вызывает повьш ение потенци-: ала в узле о и, соответственно, понижение потенцилла в узле С . Транзистор 10 имеет.двойное управление по истоку и затвору, что приводит к его бы- . строму запиранию и восстановлению потенциала .на выходе А.The invention relates to computing technology and can be replaced as address shapers and other types of pulse signals. The purpose of the invention is to improve noise immunity. . FIG. 1 shows a circuit diagram of the device; in fig. 2 - time diagrams of work. The shaper of the address signals contains the first inverter (transistors and 2), the second. Inverter (transistors 3 and 4), the third inverter (transistors 5 and 6), a paraphase amplifier (transistors 7 and 8), the load element on the transistor 9 with depletion in the key element on the transistor 10. The input of the first inverter on the transistors I and 2 is the input of the shaper, and the output is connected to the gate of the upper transistor 7 of a pa-different amplifier, the transistor 8 which is connected to the input of the sweeper. The output of the paraphase amplifier is connected to the input of the third; IH inverter (gate of transistor 6) and the source of the transistor of the key element Yu, the gate of which is connected to the output of the third inverter on the transistors 5 and 6, and the drain to the input of the second inverter on transistors 21 and 4 and to the source and the gate of the loading element on the transistor 9 with charge depletion. Form; the rover works as follows. When a signal with a logic zero level arrives at the input, transistors 2 and 8 are closed and at the gate of transistor 6 is set to a positive potential. Transistor 6 opens p and the zero potential is set at the gate of transistor 10, transistor 10 closes and the positive potential of the power source is applied to output A. Transistor 4 opens and a zero potential is established at output A. When a signal arrives at the input of a circuit with a logic level, transistors 2 and 8 are opened and a zero potential is set at the gate of transistor 6. The transistor 6 is closed, a positive potential is set at the gate of the transistor 10, which is opened by the transistor 10, and the potential is set at the input A, zero, left. Transistor 4 is closed and a positive potential is established at output A, equal to the voltage of the power source. The operation of address signal conditioners in the case of, if the level of the input address signal is equal to the threshold voltage of the MOS transistors (Fig. 2), is the worst case and the input of the circuit receives interference of positive polarity. The appearance of interference with a positive polarity at the input of the device causes a decrease in the potential at point b. However, a decrease in the potential at point b leads to an increase in the potential at point c,. which causes the opening of the transistor 10 and the increase in current through the transistor 8, which, in turn,. causes an increase in the potential-: ala in the node o and, accordingly, a decrease in the potential in the node С. The transistor 10 has a dual control of the source and the gate, which leads to its by-. Stroma locking and restoration of potential. On exit A.

ТАTA

ff

LALA

Claims (2)

1. ФОРМИРОВАТЕЛЬ.АДРЕСНЫХ СИГНАЛОВ ДЛЯ БЛОКОВ ПАМЯТИ, содер жащий три инвертора, вход первого из которых является входом формирователя, отличающийс я тем, что, с целью повышения помехоустойчивости формирователя , он содержит парафазный усилитель на транзисторах, нагрузочный элемент на транзисторе с обеднением зисторе, причем выход первого инвертора соединен с затвором первого транзистора парафазного усилителя, затвор второго транзистора которого подключен к входу формирователя, стоки первого и второго транзисторов подключены соответственно к шине питания и общей шине, истоки объединены и подключены к входу третьего инвертора и истоку транзистора ключевого элемента, затвор которого подключен к выходу третьего инвертора, а сток - к вхо!ду второго инвертора и истоку и затвору транзистора с обеднением заряда нагрузочного элемента.1. FORMER OF ADDRESS SIGNALS FOR MEMORY BLOCKS, containing three inverters, the input of the first of which is the input of the shaper, characterized in that, in order to increase the noise immunity of the shaper, it contains a paraphase amplifier on transistors, a load element on a transistor with a depletion of the resistor, moreover, the output of the first inverter is connected to the gate of the first transistor of the paraphase amplifier, the gate of the second transistor of which is connected to the input of the driver, the drains of the first and second transistors are connected respectively tween a power bus and common bus, the sources are combined and connected to the input of the third inverter and the source of the transistor key element whose gate is connected to the output of the third inverter, and the drain - for WMOs row of the second inverter and the source and gate of the transistor with the depletion of the charge of the load element. 2. Формирователь по π. I, о тличающий’ся тем, что на^груэочный транзистор второго инвертора выполнен с обеднением за-2. Shaper by π. I, which is characterized by the fact that the load transistor of the second inverter is made with depletion II Фиг.1 „ SU „„1163354Fig. 1 „SU„ „1163354 1 1163354 2.1 1163354 2.
SU833583437A 1983-04-27 1983-04-27 Generator of address signals for memory blocks SU1163354A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833583437A SU1163354A1 (en) 1983-04-27 1983-04-27 Generator of address signals for memory blocks

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833583437A SU1163354A1 (en) 1983-04-27 1983-04-27 Generator of address signals for memory blocks

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1163354A1 true SU1163354A1 (en) 1985-06-23

Family

ID=21060575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833583437A SU1163354A1 (en) 1983-04-27 1983-04-27 Generator of address signals for memory blocks

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1163354A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Па.тент US № 3927334, кл. G 11 С 7/00, опублик. 1976. Патент US № 4124900, кл. G II с 7/00, опублик. 1978. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930008859A (en) DC-Current Data Output Buffer
JPH0738410A (en) Output buffer circuit
ES396464A1 (en) Nonvolatile memory cell
US3708688A (en) Circuit for eliminating spurious outputs due to interelectrode capacitance in driver igfet circuits
SU1163354A1 (en) Generator of address signals for memory blocks
US4016430A (en) MIS logical circuit
US4518872A (en) MOS Transition detector for plural signal lines using non-overlapping complementary interrogation pulses
JP2548700B2 (en) Semiconductor integrated circuit
SU646441A1 (en) Mds-transistor-based inverter
JP2822401B2 (en) Bus drive circuit
SU1478321A1 (en) Dynamic decoder using metal-dielectric-semiconductor transistors
SU1562967A1 (en) Logic element with states on complementary mds-transisistors
SU903970A1 (en) Input amplifier-shaper with information storage
SU1145467A1 (en) Pulse shaper
SU1564690A1 (en) Amplifier of paraphase signal
JPH03179814A (en) Level shift circuit
SU1112409A1 (en) Versions of buffer amplifier
JP2878032B2 (en) Semiconductor device
SU1615877A1 (en) Logic cell with bipolar and mos-transistors
SU395904A1 (en) DISPLAY REGISTER
SU790127A1 (en) Mds-transistor based flip-flop
SU1182665A1 (en) Element having three states
SU741470A1 (en) Address decoder
SU1436126A1 (en) Pulse shaper
SU1015436A1 (en) Output amplifier