SU1148832A1 - Способ получени порошка селенида цинка - Google Patents

Abstract

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКА СЕЛЕНИДА ЦИНКА взаимодействием газообразного селеноводорода с парами элементарного цинка при высокой температуре , о тлич ающий с   тем, что, с целью получени  тонкодисперсного продукта, взаимодействию с селеноводородом подвергают пары элементарного цинка, полученные путем барботировани  инертного газа через расплав цинка с последующей фильтрацией их,а процесс взаимодействи  осуществл ют при 550-700 С и давлении 760-1140 мм рт.ст.

Description

4

00 00

ро I ; Изобретение относитс  к способам синтеза порошка селенида цинка, используемого в качестве исходного материала дл  производства оптической и люминофорной керамики, примен емой в оптике и оптоэлектронике. Известен способ получени  селенида цинка путем синтеза в паровой фазе из элементов в вертикальном реакторе, заключающийс  в том, что исходную загрузку помещают в нижнюю часть сообщающегос  с атмосферой реактора и нагревают выше температуры кипени  труднолетучего элемента, а в верхней части реактора поддерживают температуру ниже температуры кипени , но вьше температуры затвердевани  легколетучего компонента т Недостатком данного способа  вл етс  то, что все примеси и OKHCjii из исходного продукта переход т в це левой продукт, что существенно снижает его качество и не позвол ет использовать керамические материалы из него в р же приборов. , Наиболее близким к нзобретеншо по технической сущности и достигаемо му результату  вл етс  способ получе ни  селенида цинка путем контактировани  газообразного селеноводорода с парами металла при температуре до 1 2 . ,Недостатком известного способа  вл етс  образование порошка различной дисперсности ( - 50 мкм) в зависимости от условий проведени  проце са, в то врем  как дл;  производства оптической керамики необходим особо чистый порошок селенида цинка определенной дисперсности. Цель изобретени  - получение тонкодисперсного порошка селенида цинк 322 Поставленна  цель достигаетс  тем, что взаимодействию с селеноводородом подвергают пары элементарного цинка, полученные путем барботировани  инертного газа через расплав цинка с последующей фильтрацией их, а процесс взаимодействи  осуществл ют при 550-700°С и давлении 7601140 мм рт.ст. Проведение процесса без барботировани  и фильтрации способствует образованию грубодисперсных продуктов размером 5010,5 мкм. При температурах Вьш1е 700°С образуетс  грубодисперсный продукт (20 мкм и более). Снижение температуры менее 550 С нецелесообразно, так как дисперсность продукта не снижаетс . Увелич ние давлени  вьппе 1140 мм рт.ст. приводит к резкому увеличение дисперсности продукта (более 50 мкм). Снижение давлени  менее 760мм рт.ст. нецелесообразно, так как дисперсность продукта не снижаетс . Пример. Вертикальный кварцевый реактор помещают в двухзонную печь, размещают барботер с цинком в одну из температурных зон, втора  зона (после барботера) - реакционна  зона. Через барботер пропускашзт очищенньй аргонi на выходе из барботера устанавливают специальный фильтр дл  отделени  окиси цинка от газовой смеси (пары Zn и Аг). В реакционную зону подают селеновоДород . Полученные резулБтаты представлены в таблице. Как следует из таблицы, предлагаемый способ позвол ет получить селенид цинка дисперсностью 5-10 мкм.

640

5,OiO,5

640

5,5±0,5 640 7,010,5 640 9,0+0,5 640

Содержание кислорода в целевом продукте 1-10

.-5

1 .10

-S

1 -10

fS

1- 10

.S 50

1 -10

4,,5

540

5,010.5

550 6,040,-5 640 8,OtO,5 700 2010,5 710 50±0,5 6АО

Содер(жание цинка нестехиометрического в целевом продукте счет его конденсации в реакционной зоне

Без барботировани  и фильтрации

Claims (1)

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКА СЕЛЕНИДА ЦИНКА взаимодействием газообразного селеноводорода с парами элементарного цинка при высокой температуре, отличающийся тем, что, с целью получения тонкодисперсного продукта, взаимодействию с селеноводородом подвергают пары элементарного цинка, полученные путем барботирования инертного газа через расплав цинка с последующей фильтрацией их,а процесс взаимодействия осуществляют при 550-700 С и давлении 760-1140 мм рт.ст.

   4* Об 00

   00 ко