Изобретение относитс к оптическому приборостроению и может быть использовано в производстве линзовых растров. Известен способ изготовлени рас ровых клише способом травлени , согласно которому на поверхность под ложки, подлежащей травлению, нанос т пленку маскирующего покрыти , затем фотолитографическим путем получают в ней элементы растровой структуры в виде сквозных отверстий трав т материал подложки через эти отверсти и удал ют маскирующее покрытие . Отрицательные растровые эле менты вьшолн ют с круглыми, квадрат ными и другими основани ми, а между основани ми сохран ют пробельные участки. Если выполнить такие элементы с отражающей поверхностью и, например, гексагональным расположением центров,, то клише может рабо тать как отражательный растр 1 J. Однако качество воспроизводимого изображени - невысокое, так как пр филь элементов не имеет линзовой фо мы (сферической или асферической) и между растровыми элементами имеют с пробельные участки. Цель изобретени - исключение пробельных участков между элементам растра и полз ение этих элементов в виде линз с шестиугольным основание Указанна цепь достигаетс тем, что согласно способу изготовлени линзовых растров, включающему нанесение на подложку пленки маскирующего покрыти , формирование в названной пленке сквозных отверстий, травление материала подложки через сквозные отверсти и последукнцее удаление маскирующего покрыти , тра ление подложки производит на глубину 1,1-2 высоты профил линз при ди аметре сквозных отверстий, равном 1/3 - 2/3 периода линзового растра, а после удалени маскирующего покрыти дополнительно провод т травление полученного рельефа подложки до образовани профил линз. На фиг. 1 изображен исходньй рисунок на фотощаблоне; на фиг. 2 получаемьй рельеф по подложке; на фиг. 3 - сечение линзы фиг.2 Йериод tjj, расположени исходных элементов 1 на основании фотошаблона (фиг. 1) равен периоду tf размещени линз 1 на подложке 2 линзовог растра (фиг. 2). Готовые линзы получены со сферическим и асферическим профилем вращени и шестиугольным основанием. При травлении с маскирующим покрытием наибольша скорость удалени материала подложки происходит в цент .ральной части отверсти , а по мере удалени от центра скорость уменьшаетс . В результате протравленные на глубину отверсти имеют сферическое или асферическое дно с несколько уменьшенными по сравнению с профилем линз радиусами. После удалени маскирующего покрыти наибольша скорость травлени имеет место уже у кра отверстий и самих пробельных участков, в результате происходит образование профил линз высотой h (фиг, 3). Глубина травлени через маскирзпоща пленку устанавливаетс экспериментально в зависимости от радиуса сферы элементарной линзы. Однако во всех случа х при уменьшении радиуса сферы и при одном и том же периоде требуема глубина возрастает. Основани ми линз данного растра вл ютс правильные шестиугольники с исключительно пр мыми сторонами, если смотреть на них сверху, причем повтор емость профил от линзы к линзе по всему полю растра - высока . По данному способу получают растровые матрицы, глубина рельефа которых превьшаает высоту линз. Тиражирование растров на этих матрицах производ т тиснением пластических , полимерных и других материалов с использованием эффекта поверхностного нат жени , причем основани линз получают гексагональной формы с отсутствием пробельных участков между ними, а сам профиль линз представл ет сферическую или асферическую поверхность. Во всех случа х полученные растры имеют высокую стабильность параметров профил линз по полю. Пример 1.На отполированную и очищенную от загр знени поверхность подложки из оптического стекла К8 в вакуумной установке при нагреве подложки до температуры 250°С и авлени 210 мм рт.ст. нанос т пленку металлического хрома толщиной 0,1-0,5 мкм. Затем на центрифугирующей установке на пленку хрома нанос т позитивньй фоторезист ФП-383 толщиной о,6-0,-8 мкм и сушат его. Далее.на пленку фоторезиста помещают фотошаблон, имеющий прозрачные дл лучей света участки в виде дисков диаметром 1/3 периода растра, что составл ет 0,10 мм, расположенные на прозрачном основании, и фотолитографическим путем вскрывают в фоторезис те круглые окна. Потом через эти окна производ т травление хрома на глубину в сол ной кислоте, удал ют фоторезист и через окна в пленке хрома трав т поверхность стекла в плавиковой кислоте на глубину 2 высоты профил линз, что составл ет 5 мкм. После этого удал ют пленку хрома в сол ной кислоте и производ т повторное травление .уже всей поверхности подложки до получени профил линз. Достигнутое разрешение по оптичес кой оси.линз из стекла составл ет 270 (разрешение определ етс без диафрагмировани линз) на всем рабочем поле линзового растра 80x80 мм. Пример 2. На отполированную и очищенную от загр знени поверхность подложки из латунного сплава ЛС59 нанос т пленку негативного фоторезиста ПВС. Затем на пленку помещают фотошаблон, имеющий непрозра ные дл лучей света участки в виде дисков диаметром 2/3 периода растра что составл ет 0,1 мм, расположенны на прозрачном основании, и фотолито графическим путем вскрывают в фоторезисте круглые окна. Затем через эти окна производ т травление на гл бину 1,1 высоты профил линз, что составл ет 20 мкм, латунного сплава подложки вхлорном железе при 30 , удал ют фоторезист и вновь тр в т ту же поверхность подложки в том же травителе до образовани про фил линз. Далее в вакуумной устано ке при давлении 2-10 мм рт.ст. и н греве подложки до температуры 300°С нанос т на поверхность линз отражаю 1щую пленку алюмини толщиной 0,1 ,5 мкм. Получают рабочее поле линзовых растров 120x120 мм. В процессе травлени периодически производ т визуальньй осмотр рельефа с помощью микроскопа при увеличении пор дка 200. Качество поверхности линз - высокое. По предлагаемому способу изготов лены линзовые растры непосредственно на плоской поверхности линз из оптического стекла, т.е. исходными подложками в данном случае были линзы . Качество линзовых растров здесь также высокое. Размеры круглых окон в маскирующей пленке и глубину предварительного травлени устанавливают экспериментально . При этом замечено, что наилучшее качество профил линз получаетс тогда, когда диаметр окон в пленке маскирующего покрыти равен 1/3 - 2/3 периода растра, а глубина травлени через эти окна находитс в пределах 1,1-2 высоты профил линз Если числовые параметры выход тза эти пределы, то получить сферический или асферический профиль линз не удаетс . По данному способу получают растры с периодом 0,1-0,5 мм (другие периоды не исследовались). Однако минимальный период, который может быть достигнут по данному способу, определ етс разрешающей способностью примен емых фотоматериалов 1ШИ других маскирующих покрытий. Изготовлено несколько линзовых растров из полупроводникового материала - кремни . Размер пластий: диаметр - ВО мм, толщина -0,5 мм. На рельефнуюповерхность пластин нанос т отражающее покрытие в виде пленки алюмини . Эти растры имеют также высокие оптические параметры. В полученных по данному способу растрах при 200-кратном увеличении наблюдаетс правильна шестиугольна форма оснований линз, если смотреть на них сверху. Пробельные участки между линзами составл ют не более 5 мкм (в основном на стыке трех линз). Процесс получени растров по данному способу может быть механизирован и даже автоматизирован не только на плоских подложках, но и на оптических компонентах из стекла (линзах, призмах и т.п.). Это дает возможность значительно повысить производительность труда, так как исключаютс в р де случаев плоские подложки с нанесенным на них линзорастровым рельефом . Приборами, полученными по указанному способу, намечаетс оснастить, в первую очередь, технологические процессы, примен емые в производстве
микросхем частного применени , изделий в микроминиатюрном исполнении, плат печатного монтажа,что даст возможность увеличить производительность труда на данных операци х и снизить зрительное и общее утомление операторов.
9из.г
.3