111 Изобретение относитс к методам исследовани реальной структуры кри таллов. Известен способ получени рентгеновских дифракционных топограмм мон кристаллов на отражение, согласно которому используетс характеристическое излучение рентгеновской трубки с линейным фокусом. Фотоматериал должен обладать весьма высокой разрешающей способностью. Метод используетс в схеме на отражение и нар ду с фрагментами позвол ет вы вл ть дислокации СОНедостатками этого метода вл юд- с неоднородность топограммы, обусловленна неравномерностью ркости источника по его длине, наложение рефлексов при больших ((более 5 мм размерах кристалла. . Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому вл етс Способ получени рентгеновских дифракционных топограмм монокристаллов , включающий .облучение исследуе- мого кристалла расход щимс пучком немонохроматизированного рентгеновского излучени микрофокусного источника , сканирование кристалла, регистрацию дифрагированного излуче ни и ориентацию кристалла так, что отражающие плоскости при сканировании остаютс параллельными плоскости регистрации. Кристалл вращаетс в расход щемс пучке рентгеновских лучей вокруг оси, котора лежит в плоскости поверхности кристалла и совпадает с исследуемой кристаллографической плоскостью С2. При этом фотопластинка совершает сложное движение. Она вращаетс вокруг оси вращени кристалла в том ж направлении с удвоенной скоростью (2 U)) и вокруг параллельной оси, леж щей в плоскости фотопластинки, в противоположную сторону со скорость равной скорости вращени кристалла ( - UJ) . Тйедостатком известного способа вл етс необходимость создани сло ной рентгеновской камеры, Цель способа - упрощение кинемат ческой схемы без потери разрешающей способности. Указанна цель достигаетс тем, что согласно способу получени рент геновских дифракционньпс топограмм монокристаллов на отражение, включа щему облучение исследуемого кристалла расдсод щимс пучком немонохроматизированного рентгеновского излучени микрофокусного источника, сканирование кристалла, регистрацию дифрагированного излучени и ориентацию кристалла, так, что отражакодие, плоскости при сканировании остаютс па- раллельными плоскости регистрации, кристалл облучают микрофокусным источником рентгеновского излучени , фокус которого располагают в одной плоскости с плоскостью регистрации, а сканирование кристалла осуществл ют в направлении, перпендикул рном отражающим плоскост м, при неподвижном регистрирующем устройстве. На чертеже изображена рентгенооптическа схема съемки топограмм дл случа симметричной геометрии дифракции . Микрофокусный источник 1 рентгеновских лучей располагаетс в одной плоскости с фотопластинкой -2 или другим регистрирующим устройством. При этом отражающие плоскости кристалла 3 дрлжнь быть параллельны nJTOCKQCr ти .гистрации.. Во врем съемки . кристалл облучают расход щимс пучпседа рентгеновских лзгчей через щель 4 так, чтобы имело место одновременное отражение обеих составл ющих К -дуплета ( и Л) и линейно сканируют в направлении, перпендикул рном к отражающим плоскост м. ПриЭТОМ -сак и согласно известному способу, имеет место фокусировка по длинам волн (см. чертеж, штриховые линии А ( и В (В) - точки на кристалле; Л и в - соответствующие им точки в плоскости регистрирующего устройства}. В симметричном случае дифракции изображение всегда получаетс увеличенным в 2 раза, что снижает требовани к разрешающей способности регистрирующего устройства. При асимметричной дифракции, когда поверхность кристалла образует угол Ч с отражающими плоскост ми, коэффициент увеличени в горизонтальной плоскости уменьшаетс до величины 2 Cos f , а в вертикальной плоскости остаетс равным двум. В прототипе аналогичное увеличение достигаетс при равенстве рассто ний источник-кристалл и кристалл-фотопластинка. Разрешающа способность предлагаемого способа сЛ определ етс разрешением регистрирующего устройства и J113 размером фокуса трубки. В симметричном случае (Ч О) разрешение в плос кости объекта равно cf ( f + d)/2, (1) где - размер фокуса в плоскости ре гистрации-, Д: - разрешение регистрирующего устройства. В асимметричном случае ( ) получаем (f+4)/(2.CosV) (2) в горизонтальной плоскости, а в вертикальной - по выражению (1). Дл предлагаемого способа характерной особенностью вл етс отсутствие зависимости разрешающей способности от гейметрических размеров установки (частный случай в прототи ре ). . . Поэтому можно максимально приблч|Ять источник излз 1ени и регистрирующее устройство к исследуемому кристаллу, и за счёт этого увеличить коэффициент использовани рентгеновской мощности источника. Расходимость пучка рентгеновских лучей согласно предлагаемому способу , может быть меньше, чем в прот6т1г:пе , так как нет необходимости облу:чать сразу весь кристалл. Достаточно обеспечить только одновременное отражение характеристических линий спектра , и К д , При этом уменьраетс фон на фотопластинке. Предложенный способ может быть реализован следующим образом. В качестве мшсрофокусного источника используетс рентгеновский излучатель Светлана (РЕИС-И;) с трубкой БС-1. .Л Диаметр фокусного п тна трубки БС-1 (Си) при электростатической и магнитной фокусировках составл ет по паспорту 35-70 мкм. Близкое к вертикальному положение излучател позвол ет уменьшить вертикальную проекцию фокуса до 12-23 мкм. В качестве объекта исследовани вз т монокристалл карбида кремни политипа 6Н в виде пластинки, вырезанной по плоскости (ЮТоК Использовалось от1}ажение 3030, которое на излучен 1е СиК дает отражение на брэгговском угле . Модернизированный гониометр Вайссенберга (РГНС и компактна конструкци излучател позвол ют расположить образец на рассто нии 50 мм от фокуса трубки. Ширина щели, расположенной на рассто нии 10 мм от фокуса, составл ет 0,1 мм. При этом кристалл одновременно отражает обе составл ющие дублета СиК . При съемке топограммы на фотопластинку дл дерных исследований типа МР с толщиной эмульсии 10 мкм экспозици составл ет 30 мин/мм. По своему качеству полученна топограмма несколько уступает топограммам, получаемым другими методами, в частности методом углового сканировани . Качество топограмм существенно возрастаетi если вместо трубки ВС-1 использовать трубку БС-5 с размером фокуса 3-6 мкм, так как разрешение улучшаетс в 2. 8 раз. Использование фотопластинок с толщиной эмульсии 50 мкм позволит вдвое сократить экспозицию (до 15 мин/мм/. Техническа эффективность предлагаемого способа заключаетс в более . простой кинематической схеме.