SU1137336A1 - Устройство дл измерени температуры - Google Patents

Устройство дл измерени температуры Download PDF

Info

Publication number
SU1137336A1
SU1137336A1 SU833679455A SU3679455A SU1137336A1 SU 1137336 A1 SU1137336 A1 SU 1137336A1 SU 833679455 A SU833679455 A SU 833679455A SU 3679455 A SU3679455 A SU 3679455A SU 1137336 A1 SU1137336 A1 SU 1137336A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
field
gate
temperature
effect transistor
source
Prior art date
Application number
SU833679455A
Other languages
English (en)
Inventor
Марк Наумович Бурбан
Лев Павлович Грабой
Геннадий Степанович Ранченко
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4371
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4371 filed Critical Предприятие П/Я Г-4371
Priority to SU833679455A priority Critical patent/SU1137336A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1137336A1 publication Critical patent/SU1137336A1/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащее в качестве термочувствительного элемента полевой транзистор, включенный в плечо измерительного моста, одна диагональ которого соединена с источником питани , а друга  подключена к входу усилител  с регистратором, отличающеес  тем, что, с целью уменьшени  инерционности и повышени  надежности устройства, в него введены два дополнительных полевых транзистора, включенных соответственно между истоком и затвором, а также затвором и стоком полевого транзистора, при этом, затвор каждого дополнительного полевого транзистора соединен с его ис- . током. .j D . 00 со 00 Од

Description

Изобретение относитс  к температурным измерени м, а точнее к устройствам дл  измерени  температуры с полупроводниковыми датчиками темпераTyjJbi - транзисторами. Известно устройство дл  измерени  температуры, содержащее термочувствительный «полевой транзистор, подкли}ченный к входу измерительного усилител  . Недостатком этого устройства  вл етс  требование посто нства измерительного тока с высокой степенью ; точности. Известно также устройство дл  измерени  температуры, содержащее измерительный мост с полевыми транзисторами , включенными в плечи моста, причем затворы транзисторов соединены с их истоками через переменные резисторы 23. Недостатком такого устройства  вл етс  его сложность. Наиболее близким по технической сущности к, предлагаемому  вл етс  устройство дл  измерени  температуры содержащее в качестве термочувствительного элемента полевой транзистор вк.гаоченный в плечо измерительного моста, одна диагональ которого соедийена Q источником питани , а друга  подключена к входу усилител  с регистратором . Б этом устройстве между источником и затвором транзистора а также затвором и стоком транзистора включены резисторы с идентичными параметрами, причем ихсопротивление должно быть в 10-50 раз больше сопро тивлени  канала транзистора L3 3« Дл  уменьшени  инерционности устройства необходимо Уменьшать размеры термочувствительного элемента, который дл  обеспечени  высокой точности измерени  должен изготовл тьс  совместно с резисторами. Однако наличие резисторов с идентичньми параметрами и большими сопротивлени ми не позвол ет при существукш их технологи х изготовлени  уменьшить термочувствительный элемент до требуемых размеров . Кроме того, при изготовлении такого термочувствительного элеменia необходимо использовать различные технологические процессы, что снижает его надежность и, соответственно, надежность всего-устройства. Цель изобретени  - уменьшение икерционнос.ти н повышение надежности устройства, а также упрощение технологии его изготовлени . Поставленна  цель достигаетс  тем, что в устройство дл  измерени  температуры , содержащее в качестве термочувствительного элемента полевой транзистор, включенный в плечо измерительного моста, одна диагональ которого соединена с источником питани , а друга  подключена к входу усилител  с регистратором, введены два дополнительных полевых транзистора, включенных соответственно между истоком и затвором, а также затйором и стоком полевого транзистора, при этом затвор каждого дополнительного полевого транзистора соединен с его истоком. На чертеже приведена схема устройства . Устройство содержит полевой транзистор 1, между истоком и затвором которого, а также затвором и стоком включены два дополнительных полевых транзистора 2 и 3. Транзисторы 1-3 образуют термочувствительный элемент (датчик температуры) А, который включен в плечо измерительного моста на резисторах 5-7. Одна диагональ моста подключена к источнику питани  (не показан), а друга  - к усилителю 8, соединенному с регистратором 9. Устройство работает следук цим образом . При выполнении термочувствитель- ного элемента по полупроводниковой технологии в едином технологическом процессе параметры транзисторов 2 и 3 получаютс  идентичными. Изменение напр жени  питани  термочувствительного элемента 4 приводит к тому, что транзисторы 2 и в, включенные по схеме генератора тока, измен ют свои сопротивлени  так, что сохран етс  их равенство. Вследствие равенства сопротивлений каналов транзисторов 2 и 3 выполн етс  условие , где Uj - напр жение затвор - исток транзистора 1, Uj. - напр жение сток исток транзистора 1. Таким образом, вольтамперна  характеристика транзистора 1 на крутом участке характеристики V/3(UrUnl c- cW. где IP - ток стока, U. - пороговое .напр жение, р - посто нный коэффициент , приобретает вид
c AUnU
Cl
a сопротивление канала транзистора R, U,/J, 7//ьи„.
Таким образом сопротивление канала транзистора 1 не зависит от Uj. и требовани  к стабильности U значительно уменьшаютс . Изменение температуры среды приводит к изменению U/),, в результате чего температурна  чувс вительность термочувствительного элемента составл ет 0,4-0,6%/град..
При выполнении термочувствительного элемента А по полупроводниковой технологии на одной пластине кремни  размером 1«1 мм можно изготовить несколько (5-10) термочувствительньрс элементов, соединенных последовательно , что позвол ет в 5-tO раз повысить температурную чувствительность устройства по напр жению. Отсутствие па ных или сварных соединений между транзисторами 1-3 повышает надежность устройства. Учитыва  что при
планарной технологии канал транзис- тора размещаетс  внутри объема полупроводника и защищен от воздействи  окружающей среды, то стабильность устройства высока.
С цепью уменьшени  шунтирующего действи  транзисторов 2 и 3 на тран- зистор 1 и повышени  чувствительности термочувствительного элемента 4
вместо транзисторов 2 и 3 можно включать Цепочки, состо щие из нескольких полевых транзисторов, соединенных последовательно. При этом затвор каждого полевого транзистора должен i
быть соединен с его истоком.
Таким образом, введение в устройство двз дополнительных полевых транзисторов, позвол ет значительно: снизить размеры чувствительного элемента и тем cavsJM уменьшить инерционность устройства, а также повысить его надежность, т.е. улучшить метро- логические и эксплуатационные параметры устройства.

Claims (1)

  1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащее в качестве термочувствительного элемента полевой транзистор, включенный в плечо измерительного моста, одна диагональ которого соединена с источником питания, а другая подключена к входу усилителя с регистратором, отличающееся тем, что, с целью уменьшения инерционности и повышения надежности устройства, в него введены два дополнительных полевых транзистора, включенных соответственно между истоком и затвором, а также затвором и стоком полевого транзистора, при этом, затвор каждого дополнительного полевого транзистора соединен с его ис- . током. S <1137336
SU833679455A 1983-12-26 1983-12-26 Устройство дл измерени температуры SU1137336A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833679455A SU1137336A1 (ru) 1983-12-26 1983-12-26 Устройство дл измерени температуры

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833679455A SU1137336A1 (ru) 1983-12-26 1983-12-26 Устройство дл измерени температуры

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1137336A1 true SU1137336A1 (ru) 1985-01-30

Family

ID=21095467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833679455A SU1137336A1 (ru) 1983-12-26 1983-12-26 Устройство дл измерени температуры

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1137336A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент DE № 2519335, кл. G 01 К 7/24, опублик. 1976. 2.Авторское свидетельство СССР К 993042, кл. G 01 К 7/00, 1981. 3.Авторское свидетельство СССР № 821953, кл. G 01 К 7/16, 1978 (прототип). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB2071946A (en) Temperature detecting device
KR970002339A (ko) 소오스 측에 부하를 가진 파워 반도체 소자의 부하 전류 검출 회로
KR970003901B1 (ko) 전류 검출기능을 갖는 트랜지스터
US6948847B2 (en) Temperature sensor for a MOS circuit configuration
CN113411074B (zh) 霍尔传感器开关及电子设备
SU1137336A1 (ru) Устройство дл измерени температуры
GB1179337A (en) Improvements in Measuring Bridge Circuits
US7009184B2 (en) Amplifier device for sensors
JP3982090B2 (ja) 半導体イオンセンサ
Aw et al. A pH-ISFET sensor with on-chip temperature sensing
US7260988B2 (en) Fuel level sender circuit with alternating current direction
US2924759A (en) Hall-voltage generating device
US1375872A (en) Electric pyrometer
JP2553622Y2 (ja) 湿度検知装置
SU369557A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл СТАБИЛИЗАЦИИ ТЕМПЕРАТУРЫ
SU1719925A1 (ru) Устройство дл измерени температуры
SU993042A1 (ru) Датчик температуры
SU1018050A1 (ru) Устройство дл измерени плотности потока энергии электромагнитного пол
SU868632A1 (ru) Устройство дл измерени сопротивлени изол ции конденсаторов
KR870002536A (ko) 교정 경보장치
SU1483288A1 (ru) Устройство дл измерени температуры
JPS6143650B2 (ru)
SU672515A1 (ru) Термометр сопротивлени
SU861976A2 (ru) Устройство дл измерени быстромен ющихс температур
SU519602A1 (ru) Устройство дл измерени температуры воздуха