SU1137336A1 - Устройство дл измерени температуры - Google Patents
Устройство дл измерени температуры Download PDFInfo
- Publication number
- SU1137336A1 SU1137336A1 SU833679455A SU3679455A SU1137336A1 SU 1137336 A1 SU1137336 A1 SU 1137336A1 SU 833679455 A SU833679455 A SU 833679455A SU 3679455 A SU3679455 A SU 3679455A SU 1137336 A1 SU1137336 A1 SU 1137336A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- field
- gate
- temperature
- effect transistor
- source
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащее в качестве термочувствительного элемента полевой транзистор, включенный в плечо измерительного моста, одна диагональ которого соединена с источником питани , а друга подключена к входу усилител с регистратором, отличающеес тем, что, с целью уменьшени инерционности и повышени надежности устройства, в него введены два дополнительных полевых транзистора, включенных соответственно между истоком и затвором, а также затвором и стоком полевого транзистора, при этом, затвор каждого дополнительного полевого транзистора соединен с его ис- . током. .j D . 00 со 00 Од
Description
Изобретение относитс к температурным измерени м, а точнее к устройствам дл измерени температуры с полупроводниковыми датчиками темпераTyjJbi - транзисторами. Известно устройство дл измерени температуры, содержащее термочувствительный «полевой транзистор, подкли}ченный к входу измерительного усилител . Недостатком этого устройства вл етс требование посто нства измерительного тока с высокой степенью ; точности. Известно также устройство дл измерени температуры, содержащее измерительный мост с полевыми транзисторами , включенными в плечи моста, причем затворы транзисторов соединены с их истоками через переменные резисторы 23. Недостатком такого устройства вл етс его сложность. Наиболее близким по технической сущности к, предлагаемому вл етс устройство дл измерени температуры содержащее в качестве термочувствительного элемента полевой транзистор вк.гаоченный в плечо измерительного моста, одна диагональ которого соедийена Q источником питани , а друга подключена к входу усилител с регистратором . Б этом устройстве между источником и затвором транзистора а также затвором и стоком транзистора включены резисторы с идентичными параметрами, причем ихсопротивление должно быть в 10-50 раз больше сопро тивлени канала транзистора L3 3« Дл уменьшени инерционности устройства необходимо Уменьшать размеры термочувствительного элемента, который дл обеспечени высокой точности измерени должен изготовл тьс совместно с резисторами. Однако наличие резисторов с идентичньми параметрами и большими сопротивлени ми не позвол ет при существукш их технологи х изготовлени уменьшить термочувствительный элемент до требуемых размеров . Кроме того, при изготовлении такого термочувствительного элеменia необходимо использовать различные технологические процессы, что снижает его надежность и, соответственно, надежность всего-устройства. Цель изобретени - уменьшение икерционнос.ти н повышение надежности устройства, а также упрощение технологии его изготовлени . Поставленна цель достигаетс тем, что в устройство дл измерени температуры , содержащее в качестве термочувствительного элемента полевой транзистор, включенный в плечо измерительного моста, одна диагональ которого соединена с источником питани , а друга подключена к входу усилител с регистратором, введены два дополнительных полевых транзистора, включенных соответственно между истоком и затвором, а также затйором и стоком полевого транзистора, при этом затвор каждого дополнительного полевого транзистора соединен с его истоком. На чертеже приведена схема устройства . Устройство содержит полевой транзистор 1, между истоком и затвором которого, а также затвором и стоком включены два дополнительных полевых транзистора 2 и 3. Транзисторы 1-3 образуют термочувствительный элемент (датчик температуры) А, который включен в плечо измерительного моста на резисторах 5-7. Одна диагональ моста подключена к источнику питани (не показан), а друга - к усилителю 8, соединенному с регистратором 9. Устройство работает следук цим образом . При выполнении термочувствитель- ного элемента по полупроводниковой технологии в едином технологическом процессе параметры транзисторов 2 и 3 получаютс идентичными. Изменение напр жени питани термочувствительного элемента 4 приводит к тому, что транзисторы 2 и в, включенные по схеме генератора тока, измен ют свои сопротивлени так, что сохран етс их равенство. Вследствие равенства сопротивлений каналов транзисторов 2 и 3 выполн етс условие , где Uj - напр жение затвор - исток транзистора 1, Uj. - напр жение сток исток транзистора 1. Таким образом, вольтамперна характеристика транзистора 1 на крутом участке характеристики V/3(UrUnl c- cW. где IP - ток стока, U. - пороговое .напр жение, р - посто нный коэффициент , приобретает вид
c AUnU
Cl
a сопротивление канала транзистора R, U,/J, 7//ьи„.
Таким образом сопротивление канала транзистора 1 не зависит от Uj. и требовани к стабильности U значительно уменьшаютс . Изменение температуры среды приводит к изменению U/),, в результате чего температурна чувс вительность термочувствительного элемента составл ет 0,4-0,6%/град..
При выполнении термочувствительного элемента А по полупроводниковой технологии на одной пластине кремни размером 1«1 мм можно изготовить несколько (5-10) термочувствительньрс элементов, соединенных последовательно , что позвол ет в 5-tO раз повысить температурную чувствительность устройства по напр жению. Отсутствие па ных или сварных соединений между транзисторами 1-3 повышает надежность устройства. Учитыва что при
планарной технологии канал транзис- тора размещаетс внутри объема полупроводника и защищен от воздействи окружающей среды, то стабильность устройства высока.
С цепью уменьшени шунтирующего действи транзисторов 2 и 3 на тран- зистор 1 и повышени чувствительности термочувствительного элемента 4
вместо транзисторов 2 и 3 можно включать Цепочки, состо щие из нескольких полевых транзисторов, соединенных последовательно. При этом затвор каждого полевого транзистора должен i
быть соединен с его истоком.
Таким образом, введение в устройство двз дополнительных полевых транзисторов, позвол ет значительно: снизить размеры чувствительного элемента и тем cavsJM уменьшить инерционность устройства, а также повысить его надежность, т.е. улучшить метро- логические и эксплуатационные параметры устройства.
Claims (1)
- УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащее в качестве термочувствительного элемента полевой транзистор, включенный в плечо измерительного моста, одна диагональ которого соединена с источником питания, а другая подключена к входу усилителя с регистратором, отличающееся тем, что, с целью уменьшения инерционности и повышения надежности устройства, в него введены два дополнительных полевых транзистора, включенных соответственно между истоком и затвором, а также затвором и стоком полевого транзистора, при этом, затвор каждого дополнительного полевого транзистора соединен с его ис- . током. S <1137336
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833679455A SU1137336A1 (ru) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | Устройство дл измерени температуры |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833679455A SU1137336A1 (ru) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | Устройство дл измерени температуры |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1137336A1 true SU1137336A1 (ru) | 1985-01-30 |
Family
ID=21095467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU833679455A SU1137336A1 (ru) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | Устройство дл измерени температуры |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1137336A1 (ru) |
-
1983
- 1983-12-26 SU SU833679455A patent/SU1137336A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Патент DE № 2519335, кл. G 01 К 7/24, опублик. 1976. 2.Авторское свидетельство СССР К 993042, кл. G 01 К 7/00, 1981. 3.Авторское свидетельство СССР № 821953, кл. G 01 К 7/16, 1978 (прототип). * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB2071946A (en) | Temperature detecting device | |
KR970002339A (ko) | 소오스 측에 부하를 가진 파워 반도체 소자의 부하 전류 검출 회로 | |
KR970003901B1 (ko) | 전류 검출기능을 갖는 트랜지스터 | |
CN113411074B (zh) | 霍尔传感器开关及电子设备 | |
SU1137336A1 (ru) | Устройство дл измерени температуры | |
GB1179337A (en) | Improvements in Measuring Bridge Circuits | |
US7009184B2 (en) | Amplifier device for sensors | |
JP3982090B2 (ja) | 半導体イオンセンサ | |
Aw et al. | A pH-ISFET sensor with on-chip temperature sensing | |
US7260988B2 (en) | Fuel level sender circuit with alternating current direction | |
US2924759A (en) | Hall-voltage generating device | |
US1375872A (en) | Electric pyrometer | |
JPS57207834A (en) | Temperature sensor | |
JP2553622Y2 (ja) | 湿度検知装置 | |
SU369557A1 (ru) | УСТРОЙСТВО дл СТАБИЛИЗАЦИИ ТЕМПЕРАТУРЫ | |
SU1719925A1 (ru) | Устройство дл измерени температуры | |
SU421076A1 (ru) | Устройство для измерения напряжения аккумуляторной батареи | |
SU993042A1 (ru) | Датчик температуры | |
SU1018050A1 (ru) | Устройство дл измерени плотности потока энергии электромагнитного пол | |
SU868632A1 (ru) | Устройство дл измерени сопротивлени изол ции конденсаторов | |
SU444114A1 (ru) | Автокомпенсатор | |
KR870002536A (ko) | 교정 경보장치 | |
SU1483288A1 (ru) | Устройство дл измерени температуры | |
JPS6143650B2 (ru) | ||
SU672515A1 (ru) | Термометр сопротивлени |