SU1135728A1 - Способ обработки подложки из ситалла - Google Patents

Способ обработки подложки из ситалла Download PDF

Info

Publication number
SU1135728A1
SU1135728A1 SU833639298A SU3639298A SU1135728A1 SU 1135728 A1 SU1135728 A1 SU 1135728A1 SU 833639298 A SU833639298 A SU 833639298A SU 3639298 A SU3639298 A SU 3639298A SU 1135728 A1 SU1135728 A1 SU 1135728A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
substrate
films
sital
treating
support
Prior art date
Application number
SU833639298A
Other languages
English (en)
Inventor
Михаил Степанович Мецик
Михаил Петрович Ларионов
Леонид Михайлович Голубь
Александр Самуилович Векслер
Георгий Тимофеевич Тимощенко
Original Assignee
Иркутский государственный университет им.А.А.Жданова
Иркутский Завод Радиоприемников Им.50-Летия Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Иркутский государственный университет им.А.А.Жданова, Иркутский Завод Радиоприемников Им.50-Летия Ссср filed Critical Иркутский государственный университет им.А.А.Жданова
Priority to SU833639298A priority Critical patent/SU1135728A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1135728A1 publication Critical patent/SU1135728A1/ru

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ ИЗ СИТАЛЛА; перед вакуумньм напылением тонких пленок путем термообработки , отличающийс  тем, что, с целью увеличени  сил адгезионной св зи пленок с поверхностью ситалла, одну сторону подложки нагревздот до 220-250 С в течение 1015 мин, охлажда  одновременно другую дл  создани  градиента температур 4-5-10 град/м, затем подложку ох- , лаждают на воздухе до комнатной температуры . § (Л с

Description

00
ел
ч Ю
СХ)
1
Изобретение относитс  к микроэлектронике- и может найти применение при подготовке ситалла, используемого в качестве диэлектрических подложек при нанесении тонких пленок (не более нескольких тыс ч ангстрем) материалов в процессе изготовлени  микросхем.
Известен способ очистки подложек перед напылением, включающий химическую обработку с неоднократным кип чением в дистиллированной воде, Дл  окончательного удалени  молекул воды адсорбционных газов примен ют вакуумный прогрев при 200-ЗОО С в течение 2-3 мин. Одновременно с прогревом осуществл ют очистку подложки в тлеющем разр де Cl3.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату  вл етс  способ обработки подложек из стекол и стеклокристаллических материалов путем термообработки при 200-300 С 23.
Недостатком известных способов  вл етс  довольно низка  адгезионна  св зь канесенной пленки с по-, верхностью.йодложки (}-3 н/м). Кроме того, поверхность материалов, o6pa6oTaitrab x таким образом, может . загр знитьс  и содержать своеобраз- 5ше налеты, что крайне нежелательно при нанесении тонкий пленок методом вакуумного распыпени . Указанный способ в основном может быть использован дл  увеличени  адгезии при склеивании силикатных материалов или дл  пайки металлизированных диэлектриков пленок пор дка нескольких микрон, полученных методом осаждени . Дл  пленок пор дка нескольких тыс ч ангстрем известный способ не пригоден.
Целью изобретени   вл етс  увеличение , сил адгезионной св зи пленок с поверхноствю ситалла.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что согласно способу обработки подложки из ситалла перед вакуумным напылением тонких пленок путем термообработки , одну сторону подложки нагревают.до 220-250 С в течение iO-I5 мин, охладца  одновременно другую дл  создани  градиента температур 4-5-10 град/м, затем подлож ку охлаждают на воздухе до комнатной температуры-,
35728а
Предлагаемую обработку производ т на воздухе в специальном устройстве, отделенном от напыл емой камеры. Обработка увеличивает электрическую 5 активность подложек, а такое активиг рованное состо ние подложек сохран етс  .скопь угодно долго.
Предлагаемый,способ обработки не исключает, а дополн ет соответствующие термические способы обработки подложек во врем  нанесени  тонких пленок. Существутэщие технологические режимы нанесени  тонких пленок дл  обработанных подложек
5 могут в принципе оставатьс  без изменени . В этом случае дополнительно увеличиваютс  силы адгезионной св зи пленки с поверхностью. Осо- j6eHHo это важно дл  вторичных слоев,
0 т.е. когда на напыленную тонкую пленку, наход щуюс  на подложке, нанос т второй слой пленки, обычно другого материала( например, в технологии интегральньж микросхем:
5 на резистивиый слой: - провод щие слои).
; Пример. Перед нагреванием образца на контрольном образце устанавливают термический режим
0 нагрева: температура поверхности . подложки и qrad град/м. Сила адгезионной св зи дл  пленок хрома, нанесенных на предварительно термообработанные подложки ситалла,
увеличилась с 1-3 до 6,540 н/м в
сравнении с HSBecTHbw способом.
. J.
Ниже укдэднных режимов уменьшаетс 
электрическа  активность ситаллов. Пример 2, Перед нагрева-.
0 кием образца устанавливают термин ческий режим: температура поверх ности и qrad Т 5-105 град/м. Сила адгезионной св зи провод щего сплава .,, , нанесенного на
5 резистивные слои из сплава РС-3710, возрастает дл  термообработанных подложек ситалла в 1,5-2 раза (от 3-510 до 8,5-10 н/м). При более высоких термических режимах и вре-
меии нагрева на нагреваемой поверхности ситапла по вл ютс  микрообразовани  в виде своеобразиых иаростов. Высота их может достигать нескольких дес тков (а иногда и сотен) ианомет2 ров, а их размеры нескольких сотен ианометров. Это приводит к увеличению шероховатости поверхности подложки . При вьй}раиных режимах тер )М357284
мообработки размеры микрообраэований чить силу адгезионной св зи тонких не превышают размеры микронеров остей пленок, нанесенных на ситалловую полированной поверхности ситаллов. подложку, что увеличивает выход
По сравнению с известным спосо годной продукции и повыш ет их дол бон, предлагаемый позвол ет увели- . говечность.

Claims (1)

  1. СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ ИЗ СИТАЛЛА. перед вакуумные напылением тонких пленок путем термообработки, отличающийся тем, что, с целью увеличения сил адгезионной связи пленок с поверхностью ситалла, одну сторону подложки нагревают до 220-250dC в течение ΙΟΙ 5 мин, охлаждая одновременно другую для создания градиента температур 4-5-10f'град/м, затем подложку охлаждают на воздухе до комнатной тем-’ пературы, § сл с сл м
    ьэ
SU833639298A 1983-07-06 1983-07-06 Способ обработки подложки из ситалла SU1135728A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833639298A SU1135728A1 (ru) 1983-07-06 1983-07-06 Способ обработки подложки из ситалла

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833639298A SU1135728A1 (ru) 1983-07-06 1983-07-06 Способ обработки подложки из ситалла

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1135728A1 true SU1135728A1 (ru) 1985-01-23

Family

ID=21080715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833639298A SU1135728A1 (ru) 1983-07-06 1983-07-06 Способ обработки подложки из ситалла

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1135728A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2463267C2 (ru) * 2011-01-11 2012-10-10 Учреждение Российской академии наук Институт прикладной механики Уральского отделения РАН Способ и установка для лазерной обработки поверхности ситалла
RU2541436C1 (ru) * 2013-11-11 2015-02-10 Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") Способ плазмохимической обработки подложек из поликора и ситалла

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1,Авторское свидетельство СССР 626060, кл. С 03 С 17/06, 1977. 2.Суйковска Н.В. X l «чecкиe меi тодаа получени тонких прозрачных пленок. Л,, Хими , 1971, с.34. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2463267C2 (ru) * 2011-01-11 2012-10-10 Учреждение Российской академии наук Институт прикладной механики Уральского отделения РАН Способ и установка для лазерной обработки поверхности ситалла
RU2541436C1 (ru) * 2013-11-11 2015-02-10 Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") Способ плазмохимической обработки подложек из поликора и ситалла

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100743277B1 (ko) 기판 테이블, 그 제조 방법 및 플라즈마 처리 장치
CN105453227B (zh) 半导体薄膜制造中的变频微波(vfm)工艺及应用
EP0299300B1 (en) Article strengthened by a compressive layer and method
JP2690260B2 (ja) 磁気−サーメット誘電体複合粒子をプラズマスプレーすることにより被覆層を形成する方法
US3720541A (en) Transparent articles
US5554567A (en) Method for improving adhesion to a spin-on-glass
US4862318A (en) Method of forming thin film terminations of low inductance ceramic capacitors and resultant article
AU577953B2 (en) Ion beam construction of i/c memory device
SU1135728A1 (ru) Способ обработки подложки из ситалла
US4277522A (en) Coating glass-ceramic surfaces
EP0286216B1 (en) Substrates for supporting electrical tracks and/or components
JP2006503976A (ja) 金属表面を被覆する方法および被覆された金属表面を有する基板
JP3426660B2 (ja) インライン型スパッタ装置
EP0032047B1 (en) Method of drying semiconductor substrates and apparatus for drying semiconductor substrates
JPS61182215A (ja) 半導体基板の製造方法
JPH0774233A (ja) 静電チャック
KR102155512B1 (ko) 반도체 제조용 정전척의 아킹 현상 개선방법
JPS6046036A (ja) 半導体装置の製造方法
KR200367932Y1 (ko) 반도체 및 액정패널 제조설비용 정전척
JPH10310452A (ja) 傾斜構造素子とその製造方法
US4588379A (en) Configuration for temperature treatment of substrates, in particular semi-conductor crystal wafers
JPH07111968B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH1164629A (ja) 光素子およびその製造方法
JPH09208330A (ja) セラミック製品の加熱用トレーの製造方法
US6432564B1 (en) Surface preparation of a substrate for thin film metallization