SU1118429A1 - Способ нанесени твердых частиц - Google Patents
Способ нанесени твердых частиц Download PDFInfo
- Publication number
- SU1118429A1 SU1118429A1 SU833559232A SU3559232A SU1118429A1 SU 1118429 A1 SU1118429 A1 SU 1118429A1 SU 833559232 A SU833559232 A SU 833559232A SU 3559232 A SU3559232 A SU 3559232A SU 1118429 A1 SU1118429 A1 SU 1118429A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- particles
- substrate
- product
- particle
- selected area
- Prior art date
Links
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
1. СПОСОБ НАНЕСЁННЯ ТВЕРДЫХ ЧАСТЩ на выбраннь й участок издели , включающий осаждение твердых частиц на подложку, установку ее против выбранного участка издели и воздействие на частицы дл нанесени их с подложки на изделие, отличающийс тем, что, с .целью повьшени точности нанесени частиц .на выбранный участок издели , частицы осаждают на прозрачную подложку. локально устанавливают подложку до совмещени частицы, подлежгицей нанесению , с нормалью опущенной на по- : верхность подложки из центра выбранного участка издели , и на каждую частицу воздействуют лазерным излучением с длительностыо 1 не-10 мкс и интенсивностью J выбранной в соответствии с соотношением 3,, где О, 3, порогова интенсивность взлета частиц; порогова интенсивность оптического пробо под % действием лазерного излучени . 2. Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и и с тем, что нанесение твердых частиц производ т в вакууме.
Description
Изобретение относитс к аэрозольной технике, преимущественно к способам нанесени сыпучих веществ на поверхности изделий, и может быть использовано дл нанесени отдельных частиц на выбранные участки поверхности изделий. В современной технике нанесени , твердых частиц на поверхность издели используют импакторный способ, согласно которому устанавливают заданный участок поверхности издели напротив области инжекции частиц. Дл инжекции частиц используют высокоскоростной поток аэрозол , истекающий из сопла. Частицы аэрозол в результате инерции осаждаютс на поверхности изделий lj . Недостатком способа вл етс низка точность нанесени частиц (максимальна точность нанесени частиц составл ет около 1 мм). , Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемо му результату. вл етс способ осажде ни частиц на йыбранный участок издели , содержащий операции осаждени частиц на промежуточную подложку, выполненную в виде транспортера, и перенос частиц с подложки на изделие под действием электрического пол , 51рш1оженного, между подложкой и изделием 2 . Недостатком известного способа вл етс низка точность нанесени частиц (максимальна точность нанесени частиц составл ет около 0,5 мм Цель изобретени - повьшение точности нанесени частиц на выбранный участок издели . Поставленна цель достигаетс тем, что согласно способу нанесени твердых частиц на выбранный участок издели , включающему осаждение тверд частиц на подложку, установку ее против выбранного участка издели и воз действие на частицы дл нанесени их с подложки на изделие, «астицы осаждают на прозрачную подложку, локальн устанавливают подложку до совмещени частицы, подлежащей нанесению, с нормалью, опущенной на поверхность подложки из центра выбранного участк издели , и на каждую частицу воздейс вуюг лазерным излучением с длительностью 1 НС - 10 МКС с интенсивность р, выбранной в соответствии с соотно шением 3,П 3 где 3| - порогова интенсивность выпета частиц; 2. порогова интенсивность оптического пробо под воздействием лазерного излучени . Кроме того, нанесение твердых частиц производ т в вакууме. На чертеже дана схема, по сн юща способ. На- прозрачную подложку 1 осаждают частицы. Осаждение частиц 2 провод т например, в аэрозольной камере. Концентрацию частиц .и врем вьвдержки подложки в аэрозольной камере выбирают такими, чтобы слой частиц 2 на поверхности подложки 1 не был сплошным. Подложку располагают напротив издели 3. Перемещение подложки осуществл ют до совмещени частицы, подлежащей нанесению, с нормалью, опущенной на поверхность подложки из дентра выбранного участка издели . Облучают частицы лазерным излучением 4 с длительностью 1 не - 10 мкс. Интенсивность 1 лазерного излучени выбирают в соответствии с указанным соотношением. Г С целью дальнейшего увеличени точности нанесени отдельных частиц облучение лазерным излз чением про- . вод т после вакуумировани пространства между прозрачной подложкой и изделием.. Пример- 1. Дл нанесени частиц корунда размером 3-5 мкм на поверхность издели производ т следующие операции. Осаждают частицы на прозрачную подложку из стекла К-8. Дл этого помещают подложку из К-8 в аэрозольную камеру, заполненную аэрозолем, полученным распылением порошка корунда с размерами частиц 3-5 мкм. Концентрацию частиц на поверхности прозрачной стекл нной пластины устанавливают в диапазоне Tl-5)i1Q см. В этом случае после оседани частиц слой частиц на поверхности подложки вл етс несплошным. Параплельно поверхности подложки устанавливают изделие. Поверхность подложки, покрытую частицами, обращают к изделию . Перемещение подложки осуществл ют до совмещени частицы, подлежащей нанесению, с нормалью, опущенной на поверхность подложки из центра 3 выбранного участка. Облучают частиц излучениемнеодимового лазера с модулированной Добротностью и интенсивностью в диапазоне (1-6)-10 Вт/ /см«. П li и м е р 2. Дл нанесени частиц алюмини используют операции описанные в примере 1, но в качеств прозрачной подложки используют плас тину из хлористого натри . Частицу облучают излучением углекислого лазера с длительностью импульса 10 мкм и интенсивностью излучени (1-10) ШО Вт/см. П р и м ер -3. Дл нанесени частиц кварца на выбранный участок издели осуществл ют следук цие операции . Частицы кварца осаждают на поверхность подложки из хлористого натри инерционным способом (осаждение из струи). Устанавливают подложку напротив издели . Перемещают подложку до совмещени частицы, подлежащей нанесению, с нормалью, опущенной на поверхность подложки из центра выбранного участка издели 294 Закуумируют объем, в котором помещена прозрачна подложка и изделие до торр. Облучают частицу лазерным излучением с длительностью импульса 1 НС и интенсивностью 2«10 Вт/см. Пример 4. Дл нанесени частиц углерода используют операции , описанные в примере 1, но в качестве прозрачной подложки используют пластину из кварца. Технико-экономические преимущества предлагаемого способа перед известными состо т в возможности точного ( до± 10 мкм) нанесени частиц на выбранный участок издели . Предлагаемый способ позвол ет измен ть сцепление частиц с подложкой от вплавлени частИц в материал подпожки до слабой адгезии частиц. Широкое при- меиение способ может найти в микроэлектронике , где необходимо точное нанесение миниатюрных образований, обладающих свойствами проводника ( золотые контакты), изол тора (слой корунда) и полупроводника.
Claims (2)
1. СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТВЕРДЫХ ЧАСТИЦ на выбранный участок изделия, включающий осаждение твердых частиц на подложку, установку ее против выбранного участка изделия и воздействие на частицы для нанесения их с подложки на изделие, отличающийся тем, что, с .целью повышения точности нанесения частиц на выбранный участок изделия, частицы осаждают на прозрачную подложку, локально устанавливают подложку до совмещения частицы, подлежащей нанесению, с нормалью„ опущенной на по- ; верхность подложки из центра выбранного участка изделия, и на каждую частицу воздействуют лазерным излучением с длительностью 1 нс-10 мкс и интенсивностью J выбранной в соот ветствии с соотношением где Oj - пороговая интенсивность взлета частиц;
- пороговая интенсивность оптического пробоя под действием лазерного излучения.
2. Способ поп. 1, о т л и чающий ся тем, что нанесение твердых частиц производят в вакууме.
6ШПГ
1 1118429
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833559232A SU1118429A1 (ru) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | Способ нанесени твердых частиц |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833559232A SU1118429A1 (ru) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | Способ нанесени твердых частиц |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1118429A1 true SU1118429A1 (ru) | 1984-10-15 |
Family
ID=21051990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU833559232A SU1118429A1 (ru) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | Способ нанесени твердых частиц |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1118429A1 (ru) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4631197A (en) * | 1985-07-17 | 1986-12-23 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for adjusting the frequency of a resonator by laser |
US4714628A (en) * | 1986-02-25 | 1987-12-22 | Commissariat A L'energie Atomique | Process and apparatus for treating a material by a thermoionic effect with a view to modifying its physicochemical properties |
US4752455A (en) * | 1986-05-27 | 1988-06-21 | Kms Fusion, Inc. | Pulsed laser microfabrication |
US5492861A (en) * | 1992-09-03 | 1996-02-20 | Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft-Und Raumfahrt E.V. | Process for applying structured layers using laser transfer |
RU2452792C2 (ru) * | 2010-05-31 | 2012-06-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА") | Лазерное формообразование механических микроструктур на поверхности подложки |
-
1983
- 1983-01-14 SU SU833559232A patent/SU1118429A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Фукс Н.А. Механика аэрозолей. Изд-во АН СССР, 1955, с. 146-152. 5. Патент FR № 1337865, юг. В 05 В 5/00, 1963 (прототип). * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4631197A (en) * | 1985-07-17 | 1986-12-23 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for adjusting the frequency of a resonator by laser |
US4714628A (en) * | 1986-02-25 | 1987-12-22 | Commissariat A L'energie Atomique | Process and apparatus for treating a material by a thermoionic effect with a view to modifying its physicochemical properties |
US4752455A (en) * | 1986-05-27 | 1988-06-21 | Kms Fusion, Inc. | Pulsed laser microfabrication |
US5492861A (en) * | 1992-09-03 | 1996-02-20 | Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft-Und Raumfahrt E.V. | Process for applying structured layers using laser transfer |
RU2452792C2 (ru) * | 2010-05-31 | 2012-06-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА") | Лазерное формообразование механических микроструктур на поверхности подложки |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4107350A (en) | Method for depositing film on a substrate | |
US4281030A (en) | Implantation of vaporized material on melted substrates | |
SU1118429A1 (ru) | Способ нанесени твердых частиц | |
GB1133936A (en) | Method and apparatus for forming tenacious deposits on a surface | |
GB2204991A (en) | Vacuum electronic device | |
Meyerhofer | New technique of aligning liquid crystals on surfaces | |
JPH0356671A (ja) | スパッタリング装置 | |
PL275999A1 (en) | Method and device for depositing a thin layer on a transparent substrate | |
EP0381278B1 (en) | Method of removing particles from substrate surfaces | |
US4210701A (en) | Method and apparatus for depositing film on a substrate, and products produced thereby | |
Athwal et al. | Techniques for depositing DLC films by pulsed laser ablation of organic solids | |
CA2102781A1 (en) | Method and apparatus for plasma deposition | |
JPS6194000A (ja) | 素材の特性を改善する方法及び装置 | |
DE60207437D1 (de) | Verbessertes verfahren zum beschichten eines trägers mit einem material | |
US3480459A (en) | Decorating articles utilizing high energy radiation | |
JPH0151814B2 (ru) | ||
WO2004097064A3 (de) | Verfahren und vorrichtungen zur spannungsreduzierung in dünnen schichten | |
DE2724348A1 (de) | Glaspassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung | |
WO1996012389A1 (en) | Apparatus for depositing a layer of material on a substrate | |
US4384911A (en) | Method for depositing hard film on a substrate | |
JPH0617243A (ja) | 金属薄膜の堆積方法及び半導体装置の製造方法 | |
CA2212473A1 (en) | Method for preparing layered structure including oxide superconductor thin film | |
RU2083025C1 (ru) | Способ получения опорного слоя полупроводниковой структуры кремний-на-диэлектрике | |
JPS57108850A (en) | Formation of metallic pattern | |
CA1042245A (en) | Method and apparatus for depositing film on a substrate, and products produced thereby |