SU1118429A1 - Способ нанесени твердых частиц - Google Patents

Способ нанесени твердых частиц Download PDF

Info

Publication number
SU1118429A1
SU1118429A1 SU833559232A SU3559232A SU1118429A1 SU 1118429 A1 SU1118429 A1 SU 1118429A1 SU 833559232 A SU833559232 A SU 833559232A SU 3559232 A SU3559232 A SU 3559232A SU 1118429 A1 SU1118429 A1 SU 1118429A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
particles
substrate
product
particle
selected area
Prior art date
Application number
SU833559232A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич Белов
Original Assignee
Предприятие П/Я А-7629
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-7629 filed Critical Предприятие П/Я А-7629
Priority to SU833559232A priority Critical patent/SU1118429A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1118429A1 publication Critical patent/SU1118429A1/ru

Links

Landscapes

  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

1. СПОСОБ НАНЕСЁННЯ ТВЕРДЫХ ЧАСТЩ на выбраннь й участок издели , включающий осаждение твердых частиц на подложку, установку ее против выбранного участка издели  и воздействие на частицы дл  нанесени  их с подложки на изделие, отличающийс  тем, что, с .целью повьшени  точности нанесени  частиц .на выбранный участок издели , частицы осаждают на прозрачную подложку. локально устанавливают подложку до совмещени  частицы, подлежгицей нанесению , с нормалью опущенной на по- : верхность подложки из центра выбранного участка издели , и на каждую частицу воздействуют лазерным излучением с длительностыо 1 не-10 мкс и интенсивностью J выбранной в соответствии с соотношением 3,, где О, 3, порогова  интенсивность взлета частиц; порогова  интенсивность оптического пробо  под % действием лазерного излучени . 2. Способ по п. 1, о т л и ч а ющ и и с   тем, что нанесение твердых частиц производ т в вакууме.

Description

Изобретение относитс  к аэрозольной технике, преимущественно к способам нанесени  сыпучих веществ на поверхности изделий, и может быть использовано дл  нанесени  отдельных частиц на выбранные участки поверхности изделий. В современной технике нанесени , твердых частиц на поверхность издели используют импакторный способ, согласно которому устанавливают заданный участок поверхности издели  напротив области инжекции частиц. Дл  инжекции частиц используют высокоскоростной поток аэрозол , истекающий из сопла. Частицы аэрозол  в результате инерции осаждаютс  на поверхности изделий lj . Недостатком способа  вл етс  низка  точность нанесени  частиц (максимальна  точность нанесени  частиц составл ет около 1 мм). , Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемо му результату. вл етс  способ осажде ни  частиц на йыбранный участок издели , содержащий операции осаждени  частиц на промежуточную подложку, выполненную в виде транспортера, и перенос частиц с подложки на изделие под действием электрического пол , 51рш1оженного, между подложкой и изделием 2 . Недостатком известного способа  вл етс  низка  точность нанесени  частиц (максимальна  точность нанесени  частиц составл ет около 0,5 мм Цель изобретени  - повьшение точности нанесени  частиц на выбранный участок издели . Поставленна  цель достигаетс  тем, что согласно способу нанесени  твердых частиц на выбранный участок издели , включающему осаждение тверд частиц на подложку, установку ее против выбранного участка издели  и воз действие на частицы дл  нанесени  их с подложки на изделие, «астицы осаждают на прозрачную подложку, локальн устанавливают подложку до совмещени  частицы, подлежащей нанесению, с нормалью, опущенной на поверхность подложки из центра выбранного участк издели , и на каждую частицу воздейс вуюг лазерным излучением с длительностью 1 НС - 10 МКС с интенсивность р, выбранной в соответствии с соотно шением 3,П 3 где 3| - порогова  интенсивность выпета частиц; 2. порогова  интенсивность оптического пробо  под воздействием лазерного излучени . Кроме того, нанесение твердых частиц производ т в вакууме. На чертеже дана схема, по сн юща  способ. На- прозрачную подложку 1 осаждают частицы. Осаждение частиц 2 провод т например, в аэрозольной камере. Концентрацию частиц .и врем  вьвдержки подложки в аэрозольной камере выбирают такими, чтобы слой частиц 2 на поверхности подложки 1 не был сплошным. Подложку располагают напротив издели  3. Перемещение подложки осуществл ют до совмещени  частицы, подлежащей нанесению, с нормалью, опущенной на поверхность подложки из дентра выбранного участка издели . Облучают частицы лазерным излучением 4 с длительностью 1 не - 10 мкс. Интенсивность 1 лазерного излучени  выбирают в соответствии с указанным соотношением. Г С целью дальнейшего увеличени  точности нанесени  отдельных частиц облучение лазерным излз чением про- . вод т после вакуумировани  пространства между прозрачной подложкой и изделием.. Пример- 1. Дл  нанесени  частиц корунда размером 3-5 мкм на поверхность издели  производ т следующие операции. Осаждают частицы на прозрачную подложку из стекла К-8. Дл  этого помещают подложку из К-8 в аэрозольную камеру, заполненную аэрозолем, полученным распылением порошка корунда с размерами частиц 3-5 мкм. Концентрацию частиц на поверхности прозрачной стекл нной пластины устанавливают в диапазоне Tl-5)i1Q см. В этом случае после оседани  частиц слой частиц на поверхности подложки  вл етс  несплошным. Параплельно поверхности подложки устанавливают изделие. Поверхность подложки, покрытую частицами, обращают к изделию . Перемещение подложки осуществл ют до совмещени  частицы, подлежащей нанесению, с нормалью, опущенной на поверхность подложки из центра 3 выбранного участка. Облучают частиц излучениемнеодимового лазера с модулированной Добротностью и интенсивностью в диапазоне (1-6)-10 Вт/ /см«. П li и м е р 2. Дл  нанесени  частиц алюмини  используют операции описанные в примере 1, но в качеств прозрачной подложки используют плас тину из хлористого натри . Частицу облучают излучением углекислого лазера с длительностью импульса 10 мкм и интенсивностью излучени  (1-10) ШО Вт/см. П р и м ер -3. Дл  нанесени  частиц кварца на выбранный участок издели  осуществл ют следук цие операции . Частицы кварца осаждают на поверхность подложки из хлористого натри  инерционным способом (осаждение из струи). Устанавливают подложку напротив издели . Перемещают подложку до совмещени  частицы, подлежащей нанесению, с нормалью, опущенной на поверхность подложки из центра выбранного участка издели 294 Закуумируют объем, в котором помещена прозрачна  подложка и изделие до торр. Облучают частицу лазерным излучением с длительностью импульса 1 НС и интенсивностью 2«10 Вт/см. Пример 4. Дл  нанесени  частиц углерода используют операции , описанные в примере 1, но в качестве прозрачной подложки используют пластину из кварца. Технико-экономические преимущества предлагаемого способа перед известными состо т в возможности точного ( до± 10 мкм) нанесени  частиц на выбранный участок издели . Предлагаемый способ позвол ет измен ть сцепление частиц с подложкой от вплавлени  частИц в материал подпожки до слабой адгезии частиц. Широкое при- меиение способ может найти в микроэлектронике , где необходимо точное нанесение миниатюрных образований, обладающих свойствами проводника ( золотые контакты), изол тора (слой корунда) и полупроводника.

Claims (2)

1. СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТВЕРДЫХ ЧАСТИЦ на выбранный участок изделия, включающий осаждение твердых частиц на подложку, установку ее против выбранного участка изделия и воздействие на частицы для нанесения их с подложки на изделие, отличающийся тем, что, с .целью повышения точности нанесения частиц на выбранный участок изделия, частицы осаждают на прозрачную подложку, локально устанавливают подложку до совмещения частицы, подлежащей нанесению, с нормалью„ опущенной на по- ; верхность подложки из центра выбранного участка изделия, и на каждую частицу воздействуют лазерным излучением с длительностью 1 нс-10 мкс и интенсивностью J выбранной в соот ветствии с соотношением где Oj - пороговая интенсивность взлета частиц;
- пороговая интенсивность оптического пробоя под действием лазерного излучения.
2. Способ поп. 1, о т л и чающий ся тем, что нанесение твердых частиц производят в вакууме.
6ШПГ
1 1118429
SU833559232A 1983-01-14 1983-01-14 Способ нанесени твердых частиц SU1118429A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833559232A SU1118429A1 (ru) 1983-01-14 1983-01-14 Способ нанесени твердых частиц

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833559232A SU1118429A1 (ru) 1983-01-14 1983-01-14 Способ нанесени твердых частиц

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1118429A1 true SU1118429A1 (ru) 1984-10-15

Family

ID=21051990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833559232A SU1118429A1 (ru) 1983-01-14 1983-01-14 Способ нанесени твердых частиц

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1118429A1 (ru)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4631197A (en) * 1985-07-17 1986-12-23 Motorola, Inc. Apparatus and method for adjusting the frequency of a resonator by laser
US4714628A (en) * 1986-02-25 1987-12-22 Commissariat A L'energie Atomique Process and apparatus for treating a material by a thermoionic effect with a view to modifying its physicochemical properties
US4752455A (en) * 1986-05-27 1988-06-21 Kms Fusion, Inc. Pulsed laser microfabrication
US5492861A (en) * 1992-09-03 1996-02-20 Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft-Und Raumfahrt E.V. Process for applying structured layers using laser transfer
RU2452792C2 (ru) * 2010-05-31 2012-06-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА") Лазерное формообразование механических микроструктур на поверхности подложки

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Фукс Н.А. Механика аэрозолей. Изд-во АН СССР, 1955, с. 146-152. 5. Патент FR № 1337865, юг. В 05 В 5/00, 1963 (прототип). *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4631197A (en) * 1985-07-17 1986-12-23 Motorola, Inc. Apparatus and method for adjusting the frequency of a resonator by laser
US4714628A (en) * 1986-02-25 1987-12-22 Commissariat A L'energie Atomique Process and apparatus for treating a material by a thermoionic effect with a view to modifying its physicochemical properties
US4752455A (en) * 1986-05-27 1988-06-21 Kms Fusion, Inc. Pulsed laser microfabrication
US5492861A (en) * 1992-09-03 1996-02-20 Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft-Und Raumfahrt E.V. Process for applying structured layers using laser transfer
RU2452792C2 (ru) * 2010-05-31 2012-06-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА") Лазерное формообразование механических микроструктур на поверхности подложки

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4107350A (en) Method for depositing film on a substrate
US4281030A (en) Implantation of vaporized material on melted substrates
SU1118429A1 (ru) Способ нанесени твердых частиц
GB1133936A (en) Method and apparatus for forming tenacious deposits on a surface
GB2204991A (en) Vacuum electronic device
Meyerhofer New technique of aligning liquid crystals on surfaces
JPH0356671A (ja) スパッタリング装置
PL275999A1 (en) Method and device for depositing a thin layer on a transparent substrate
EP0381278B1 (en) Method of removing particles from substrate surfaces
US4210701A (en) Method and apparatus for depositing film on a substrate, and products produced thereby
Athwal et al. Techniques for depositing DLC films by pulsed laser ablation of organic solids
CA2102781A1 (en) Method and apparatus for plasma deposition
JPS6194000A (ja) 素材の特性を改善する方法及び装置
DE60207437D1 (de) Verbessertes verfahren zum beschichten eines trägers mit einem material
US3480459A (en) Decorating articles utilizing high energy radiation
JPH0151814B2 (ru)
WO2004097064A3 (de) Verfahren und vorrichtungen zur spannungsreduzierung in dünnen schichten
DE2724348A1 (de) Glaspassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung
WO1996012389A1 (en) Apparatus for depositing a layer of material on a substrate
US4384911A (en) Method for depositing hard film on a substrate
JPH0617243A (ja) 金属薄膜の堆積方法及び半導体装置の製造方法
CA2212473A1 (en) Method for preparing layered structure including oxide superconductor thin film
RU2083025C1 (ru) Способ получения опорного слоя полупроводниковой структуры кремний-на-диэлектрике
JPS57108850A (en) Formation of metallic pattern
CA1042245A (en) Method and apparatus for depositing film on a substrate, and products produced thereby