SU1117710A1 - Канал дл продвижени цилиндрических магнитных доменов - Google Patents

Abstract

КАНАЛ ДЛЯ ПГОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ MATWiTHbDC ДОМЕНОВ, содержащий мзгнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопровод щие слои с выполненными в них группами периодически расположшных отверстий , каждое из которых ограничено двум  выми и двум  торцовь(ми стенками, отличающийс  тем, что, с целыо повышени  надежности канала, в нем по крайней мере одна бокова  сторона отверстий выполнена вогнутой формы.

Description

1111 Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на циливдрических магнитных доменах (ЦМД). Известен канал дл  продвижени  ЦМД, содержащий магнитоодноосную шенку с ионно-имплан тированными участками, на которой расположены изолированные токопровод щие слои с периодически расположенными отверсти ми, смещенными относительно соответствующих ионно-имплантированных участков 1J. Однако такой канал требует дл  продвижени  ЦМД больших токов, что приводит к нагреву пленки и снижению надежности канала дл  продвижени  ЦМД Наиболее близким к изобретению  вл етс  канал дл  продвижени  ЦМД, содержащий магни тоодноосную пленку, на которой наход тс  изолированные слои проводника, пр чем в этих сло х выполнены группы периодически расположенных отверстий, каждое из которых ограничено двум  боковыми стенками и двум  торцовыми стенками, причем указанные отверсти  имеют выпуклую форму. Боковыми стенками отверсти   вл ютс , стенки, поперечные направлению управл ющего тока, а торцовыми -, стенки линейные, ломаные либо криволиней- . ные. Возможно два варианта канала дл  продвиисени  ЦМД - с продвижением ЦМД none-iречно направлению управл ющего тока и с продвиже1шем ЦМД продольно току. В первом случае боковыми стенками отверстий  вл ютс  стенки, продольные оси канала дл  продвижени  ЦМД, а.во втором случае боковыми стенк ми - стенки, поперечные оси канала. Дл  эффективной работы канала необходима макси мальна  локальна  плотность Од управл ющего тока именно на торцовых сторонах отверстий, поскольку/ именно под ними генерируютс  магнитостатические ловущки (МСЛ) и фиксируютс  ЦМД 2. Однако топологи  известнвгх каналов дл  продвижени  ЦМД не обеспечивает максимальной локальной плотности на торцовых стенках отверстий, что обусловливает необходимость подачи больщих управл ющих токов (до 2-ЗА) с большим рассе нием мощности в канале . Это, в свою очередь, вызывает его перегрев и уменьшение области устойчивой работы, привод щее к снижению надежности устройства. Целью изобрете ш   вл етс  повышение надеж1юсти канала дл  продвижени  ЦМД. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в канале дл  продвижени  ЦМД, содержащем магнитоодноосную пленку, на которой располо жены изолированные один от другого токопровод щие слои с выполненными в них , Группами периодически расположенных отверстий , каждое из которых ограничено двум  боковыми и двум  торцовыми стенками, по крайней мере одна бокова  сторона отверс : тий выполнена вогнутой формы. На фиг. 1 изображены дл  варианта выполнени  предложенного канала дл  продвижени  ЦМД; на фиг. 2 - распределение управл ющего тока вблизи отверстий. Канал дл  продвижени  ЦМД (фиг. Iq) содержит магнитоодноосную пленку .1, на которой расположены токопровод щие слои 2 и 3, изолированные друг от друга и от пленки 1 сло ми дизлектрика 4 и 4 . В сло х 2 и 3 соответственно выполнены группы периодически расположенных отверсТ 1Й 5 и 6. Отличительной особенностью канала  вл етс  форма отверстий групп 5 и 6. Боковые стороны этих отверстий имеют вогнутую форму. В первом варианте (фиг. 1 Si ) канада боковые стенки отверстий - это стенки, ориентированные продольно оси 7 канала, а ВТО втором варианте (фиг. Ig,) - это стенки , ориентированные поперечно оси 8 канала Канал работает следующим образом. При пропускании через токопровод щие слои 2 и 3 поочередно импульсов управл ющего тока О (j- через слой 2, Jg - через слой 3), на торцовых (рабочих) сторонах отверстий в результате обтекани  их током образуютс  поочередно МСЛ,- которые и обеспечивают последовательное продвижение ЦМД, аналогично тому как это происходит в известном устройстве. Однако в предложенном канале дл  продвижени  ЦМД за счет- того, что боковые стенки отверстий имеют вогнутую форму, обеспечиваетс  более высока  локальна  плотность 3 ц тока на торцовых сторонах отверстий сравнительно с известным каналом. Дл  того, чтобы максимально повысить плотность тока Ид на торцовых стенках, необходимо повысить локальную плотность тока вдоль, боковых .стенок, т. е. максимально прижать ток к ним. Дл  этого необходимо увеличить проводимость малой области токопровод щего сло  вблизи боковых . стенок. В предложенном канале это достигаетс  расширением указанной области 9 (фиг. 2) за счет площади отверстий 5, т. е. за счет вогнутости боковых стенок. Благодар  этому повышаетс  дол  управл ющего тока 10, текущего вдоль боковых стенок, а. следователшо , и плотность 7д тока на торцах отверсти , сравнительно со случаем известных каналов с выпуклыми отверсти ми. Таким

3

образом, распределение ток Ю в предаюженном канале приближает работу отверсти  к работе петлевой аппликации, к&тора  как известно, при прочих равных услови х дает наибольшую МСЛ.

Преимуществом предложенного канала дл  продвижени  ЦМД  вл етс  его надежность. Действительно, увеличенна  локальна  плотность тока позвол ет снизить Ъбщий управл ющий ток в канале, а следовательно, существенно снизить рассеиваемую мощность. Это увеличивает область устойчивой работы устройства и повышает тем самым его надежность . Кроме того, образование острых

104

углов на стыке торцовых и боковых стенок дополнительно увеличивает плотность тока Зц Экспериментальные исследовани  показали, что предложенный канал дл  продвижени  ЦМД обеспечивает МСЛ примерно на 15% большую, чем у известных каналов подобного типа, что позвол ет соответственно снизить ток управлени  и снизить рассеиваемую мощюсть на 30%.

Снижение управл ющих токов и св занное с этим уменьшение рассеиваемой мощности и перегрева устройства позвол ет увеличить врем  н абатки на отказ и расширить область устойчивой работы, что значительно

увеличивает надежность устройства.

Фиг, г

Claims (1)

1. КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены изолированные один от другого токопроводящие слои с выполненными в них группами периодически расположенных отверстий, каждое из которых ограничено двумя бокоъ выми и двумя торцовыми стенками, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности канала, в нем по крайней мере одна боковая сторона отверстий выполнена вогнутой формы.

   Фиг. 1