SU1107707A1 - Способ получени отрицательных ионов и устройство дл его осуществлени - Google Patents
Способ получени отрицательных ионов и устройство дл его осуществлени Download PDFInfo
- Publication number
- SU1107707A1 SU1107707A1 SU823516010A SU3516010A SU1107707A1 SU 1107707 A1 SU1107707 A1 SU 1107707A1 SU 823516010 A SU823516010 A SU 823516010A SU 3516010 A SU3516010 A SU 3516010A SU 1107707 A1 SU1107707 A1 SU 1107707A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- electrode
- ions
- negative
- negative ions
- electrons
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
1. Способ получени отрицательных ионов, преимущественно изотоrioB водорода и их соединений, включаю1зц1й воздействие на ионизуемый газ отличающийс электронами, тем, что, с целью повышени выхода двукратно зар женных ионов, осуществл ют пол ризацию ионизуемого газа электрическим полем в области воздействи на него электронами. 2. Устройство дл получени отри- цательных ионов, содержащее ионизационную камеру, систему получени электронов , систему извлечени пучка ионов и эмиссионным электродом и систему электропитани , отличающеес тем, что, с целью повьппени выхода двукратно зар женных ионов, в ионизационной камере установлен дополнительный электрод соосно эмисси-i: онному электроду, а в систему электропитани введен дополнительный источник электропитани , положительный полюс которого соединен с эмиссионным электродом, а отрицательньй полюс с дополнительгам электродом. г
Description
Изобретение относитс к технике получени зар лсенных частиц и может быть использовано при конструировании источников отрицательных ионов,а также в экспериментальной физике и / химии.
Известны способы получени отрицательных ионов водорода и его изотопов , включающие воздействие на газ электронами в контрагированном разр де и извлечение из него отрицательных ионов.
Известные способы реализуютс в . газоразр дных источниках отрицатель-,
О
VJ
ных ионов различного типа, например
О в дугоплазмотронах, содержащих разр дную камеру, образованную катодом, анодом и промежуточным электродом, а
VI также магнитную и ионно-оптическую
системы.
Известные способы и устройства гфедназначены дл получени одйократно зар женных отрицательных ионов.
Ближайшим техническим решением вл етс способ получени отрицательных ионов, включающий воздействие на ионизуемый газ электронами.
В лзпестиом способе удаетс получить диуь:рат1 О зарллдаиные отрицательИ1 .;е rio;;bi MHODIX элементов:- О, F, С1, Вг, J, Те, BL. Слособ заключаетс в
;оиизац11и в гaзoвo ; разр де Пенниига с холодным катодом,
Пзвес Iiibiii способ реализуетс в исTOMiiiiKC отг1;1, 1ел ;1и:1х ионов, содержаи ем иоиизациоикуп камеру, систему из; .,|гечепи ку-п.са попои с эмиссио И ым IleKTpo.iati и скгстему электропитани . Образог5ап е дпукратпо зар женных огрицато.мь ых ионов в укагзанном cvioси .бе и ycTpofiCrue происходит в ллазf-se газо;юго разр да маглитно - ноле п результате присоединени двух свобод .ных злектгонов атома -п элементов 1сходного ве ;сства (О, F, С1 , Вг, J, Те, 151) .
од сделие спобод ых электронов к ta iicxojfHoro вещества осу1дествл : . за счет Uin ;e:ni r электронов, обуюгихс л газовом разр хге при газа.
Одна1:о т;1кол снособ и устроГк.тво лл его осуи;.ествлени малоэффективui-i , особенно при получении ионов 1 зотопов Бод,(зрода, поскольку в плазме газового разр да тктр ду с нрол,ессоь образовагн1 двукратно зар .кенных- отрицатель;;1лх ионов проггсход т и Д)угие Г1обочнь;е элементарные г;родессы (ионизал ,и 3 возбуждение с лоследующим излучением Лотона и др.), которые преп тствуют образованию отридательпых ионов или способствуют ра.зруше1 ию уже образоБаннь х., На указанные сопутствуюгцие эле 1с итарные продессы затрачиваетс большое количество энергии и исходного вещества. При таком способе и устройстве нельз н.епосредственио управл ть лpoцecco образоваии двукратно зар ;ке И ЫХ отридательных ионов, HeoбxoдI- ым условием дл получени д,вукрагио зар женных отрицательных в указанном способе и устройстве вл етс ионизади рабочего газа в ь агнитн.ом поле.
Целью изобрете1л-1 вл етс повьпиеиие выхода двукрат 1О зар женных ионов
Эта дель достигаетс тем, что в известном способе получени отридательных ионов, преимущественно изотопов водорода и их соединений, вклю-. чаюсдем воздействие на ионизуемый газ электронами, осуг ествл ют пол ризацию ионизуемого газа электрическим полем в области воздействи на него электронами . Способ реализуют с помощью устройства дл получени отрицательных ионов, содержащего ионизационную камеру, систеьгу получени электронов cиcтe iy извлечели пучка ионов с э иcсиоиным электродом и систему электропитапи , в ионизап,ио1И1ой камере устаиовлеи дополнительный электрод cooctio эмиссионному электроду, а в систему электропитани введен дополнительный источник электроиитали , полойлтельный долюс которого соединен с эмиссионным элегггродом, а отрицательный полюс - с допол 1ительньа-1 электродом.
Па Лиг. 1 изобрал ено устройство с формированием электронного пучка под углом к направлению извлечени ионов на оиг. 2 - вариант выполнени устройства , электроны получаютс непосред ственно в той обла.сти газового разр да, где осуществл етс иол ризаГИ aiiOMOB, на фиг. 3 - вариант выпсхчнени устюйства с соосными вводом электронов и в,водом ионов J на фиг. 4 крива разб;юс;а отрИ1 ательнь х ионов водорода Ю энергии,
Tipел.лагаемое устройство содержит ноллр1затор, образойанньм зазоро э:1ектричес;ки изс:п рован; ыми д,руг от э ;iIccиoнии 1 и доподнительньи- 2 э:Ieктpoдa ;и, В электроде 1 пол ризатора имеетс отверстие 3. дл отбора отргш.ательггых ионов. Одновремсн ю электрод, 1 выполн ет роль ст-енки, раздел ю1цей камеру i с 1- сход ;ijM веществом от камеры, в которой i:o:-ieui;eH экстрагиру-опдй электрод 5,. Электрод 2 лол рз-гзатора по -:еп;ен в камере с исходным веществом так, что V его поверхность расположена напротив отверсти 3 и перекрывает его просвет . Б камере 4 помещен источник : электронов, состо щий из катода б, анода 7 и промелуточного электрода 8. Отверсти дд выхода электронов в аноде 7 и промел-уточном электроде 8 соосны, а их ось с осью отверсти 3 образует угол 90°. Дл извлечени отридательных ионов через отверстие 3 источник содери1т экстрагируюи;ий электрод 5 с отверстием 9 дл формировани пучка отридательных ионов. Отверсти 3 и 9 раслоложены соосно. В камере 4 предусмотрен патрубок 10 дл введетиш исход}юго вещества, откачки газа и измерени .давлени газа в камере.
обычно ислользуемых источников электропитани 11 и 12 введен до1 полпительный источник 13, положитель Hbtft полюс которого соединен с эмиссионным 1, а отрицательный - с допол нительным 2 электродами. Устройство в качестве источника отрицательных ионов работает следующим образом. Через патрубок 10 в камеру 4 напускают исходное вещество в газообразной фазе, прикладывают электрический потенциал между электродами 1 и 2, причем на электрод 1. подают (+), а на электрод 2 (-), включают источник электронов зажиганием газового разр да межцу предвари тельно накаленным катодом 6 и анодом 7.За счет ускорени электронов в двойном электрическом слое, возникаю щем у отверсти электрода-диафрагмы 8,а так же у отверсти анода 7, электроны пролетают в пол ризатор частиц исходного веще,ства, т.е. в пространство между электродами 1 и 2 где они присоедин ютс к электрическим пол ризационньм атомам и молекулам исходного вещества. Образованные отрицательные ионы в пол ризаторе пе ремещаютс по направлению к отверстию 3, через которое они выт гиваютс электрическим полем, заключенным между электродом 1 и экстрагйрую1чим электродом 5, и через отверстие 9 от рицательные ионы выход т в виде пучка дл их использовани . Дл проверки способа получени от рицательных ионов с кратностью электрического зар да больше единицы,были опробованы и другие варианты источииков отрицательных ионов, отличающихс друг от друга способом подведени свободных электронов к пол ризованным частицам исходного вещества . Например, на фиг. 2 изображен вариант источника отрицательных : ионов, где свободные электроны получают с помощью газового разр да, за сигаемого ме у катодом 6 и анодом 7 (остальные элементы выполнены также, как и на фиг. 1). На фиг. 3 представ лен вариант источника отрицательных ионов, отличающийс от предыдущих ва;риантов направлением вводимых в пол ризатор электронов. Если в первых .двух вариантах направление движени электронов пересекает ось отверстий Э и 9, то в варианте фиг. 3 это направление совпадает или параллельно указанной оси. При этом пучок электронов инжектируетс в пол ризатор частиц через отверстие в электроде 2, 7 В устройстве по фиг. 1 в св зи с отклонением вводимых электронов между электродами пол ризатора в сторону электрода 1 целесообразно вводить их с направлением под углом к оси отверсти 3. Причем, если выбрать направление оси от электрода 1 к электроду 2, величина угла между этими направлени ми должна находитьс в пределах от 0° до 90. В качестве источника электронов можно использовать электронные пушки с регулировкой величины энергии инжектируемых электронов . Источник электропитани 11 представл ет собой источник посто нного тока с регулируемьп-i напр жением от О до 1000 В и предназначен дл за гани и поддержани разр да в источниках электронов (фиг. 1 и фиг. 3), а в варианте (фиг. 2) - в области пол ризатора мехсду катодом 6 и анодом 7. Мбщнрсть источника 11 составл ет 1 кВт. Источник электропитани 13 представл ет собой источник посто нного тока с регулируе№1м напр жением от О до 500 В и предназна:чен дд поддержани электрического поЛ в пол ризаторе частиц между электродами 1 и 2. Мощность источника 13 составл ет 0,5 кВт. Источник 12 представл ет собой источник йосто нного тока с регулируемым напр жением от О до 30 кВ и предназначен дл выт гивани отрицательных ионов через отверстие 3 и их ускорени в промежутке -между элек.тродами 1 и 5 во всех 3-х вариантах. Общим существенным признаком всех указанных вариантов источников отрицательных ионов. вл етс наличие электрического пол ризатора частиц, которьш состоит из двух электроизолированных друг от друга электродов, в одном из которых (эмиссионньй) имеетс отверстие дл выхода отрицательных ионов и который подсоединен к выводу источника электропитани , имеющему положительную пол рность. Электрический пол ризатор частиц как элемент устройства содержит пространство, образованное зазором между электродами 1 и 2, причем объем и форма указанного пространства, определ емого формой электродов 1 и 2, а так же рассто нием между ними, обусловлены электрической прочностью исходного вещества и его состо нием. Во всех вариантах выполнени устройства электрод 1 пол ризатора едуь арной фокусировкой. По оси абсцисс отложена эиергш Е (в эВ), .одно деление на оси соответствует 23 эВ, а по оси ординат отлолсена оптическа плотность почернени , пропорциональна плотности отрицательных иопов Н. . Указанный масс-энергетический спектр 11- бьш получен при следуюпугх параметрах работы источника отрицательных ионов: сила тока разр да между катодом б и анодом 7 0,3 А, напр жение на разр де - 87 В, сила тока в цепи пол ризатора - 25 тЛ, папр жение., приложенное медду электродами 1 и 2 пол ризатора частиц, - 88 Б, напр женность Е электрического нол в ра6o4ei i части пол ризатора - 293 В/см, плотность разр дного тока между катодом 6 и анодом 7 - 2,-1 Л/см , давле П1е водорода в камере - 6,71-0 2 мм рт.ст, Паг1р ;кение, приложенное к уско1 )Л 1:ацему промежутку между электродами 1 и 5, составл ет 12 кВ,
Па фoтo eтpичecкoй крЛвой массэнергстического спектра отрицательных ионов I (фиг. 4) н,ифрами 14, ; 15, 16 и 17 обозначеьъ пики в энерге- тическо разбросе отрицательных ионов, соответствуюглие группам отрииате :ьных ионов II , образованных в ,
Пик 14 на крино11 соответствует группе отрицательных иоьов с мзип мально энергией, котора образуетс у поверхности электрод.а 1 вблизи -отверсти 3 (фиг. 1, фиг. 2, фиг. 3), 15 соответствует группе отрицательных ионов И, котора образуетс у поверхности электрода 2 (фиг, 1, фиг. 2, фиг. 3), энергетический разброс отрицательных ионов Н включающий пики 14 и 15, -соответствует напр жению , приложенному между электродами пол ризатора 1 и 2 (фиг, 1, фиг, 2, фиг, 3) и составл ет 88 В, Таким образом, однократно зар лшнные
отрицательные ионы Н
соответствую1
50 щие пикам 14 и 15 приобретают энергию в пол ризаторе, не превышающую по величине пршюжепное напр жение к электродам пол ризатора.
Группы отрицательных ионов, соотJ5 ветствующие пикам 16 и 17, имеют
энергшо, превышающую напр жение, приложенное к электродам пол ризатора. Например, энерги группы отрйцатачь . ных ионов I , соответствующа пику
17, превьппает приложенное напр жение к электродам пол ризатора в 2 раза, а энерги группы отрицательных ионов н7, соответствующа пику 16, занимает промежуточное значение между энерги ми, соответствующими полному напр жению, прикладьшаемому к электродам пол ризатора и увеличенному в 2 раза. При изменении напр жени , прршоженного к электродам пол ризатора , указанные соотношени ме вду энерги ми перечисленных групп отрицательных ионов Н7 соответственно сохран ютс .
На основании вьшёизложенного очевидно , что группа отрицательных ионов 117, соответствующа пику 17, образуетс в результате распада атомарного двукратнозар жеиного отрицательного иона Н на электрон и однократно зар женный отрицательньп ион Н, Причем ион Н образуетс у поверхности стенки электрода 2 пол ризатора путем присоединени вторичных электронов, полученных в результате бомбардировки положительными ионами электрода 2, к нейтральным атомам водорода imn к однократно зар женным отрицательным ионам водорода. Поток положительных ионов по направлению к электроду 2 образуетс в результате несамосто тельного разр да между электродами 1 и 2 при больших значени х напр женности электрического пол в пол ризаторе. Группа отрицательных ионов Н, соответств оща пику 16, образуетс в объеме между электродами пол ризатора 1 и 2, а значение ее энергии определ етс рассто нием до границы, к которой могут долетать свободные электроны по направлению к отрицательно зар женному электроду 2.
Крива на фиг. 4 позвол ет сделать сравнение интенсивностей процессов образовани отрицательных ионов в объеме пол ризатора на различных .рассто ни х от электродов вдоль силовых линий электрического пол . Например, пику 14 соответствует группа отрицательных ионов Н, процесс образовани которой наиболее интенсивно происходит у поверхности электрода 1 (фиг.1, фиг. 2, Лиг. 3), а пику 15 соотв.етствует группа отрицательных ионов Н j, процесс образовани которой наиболее интенсивно происходит у поверхности электрода 2 (фиг. 1, фиг. 2, фиг. 3). Процесс образовани двухзар дных отрицательных ионов , характеризуемьй накривой пиками 16 и 17, наиболее интенсивно происходит в объеме пол ризатора (пик 16) и менее интенсивно - у поверхности электрода 2 (фиг. 1, фиг. 2, фиг. 3) - пик 17. Дп сравнени интенсивностей различных процессов образовани отрицательных ионов .в энергетическом спектре
o отрицательных ионов наиболее подход 1ЦИМ вл етс группа отрицательных ионов Н,.соответствующа на кривой пику 14, поскольку эта группа образуетс у поверхности электрода с эмис5 сионным .отверстием и меньше всех подвергаетс изменени м, вызываемым изменени ми состо ни ппазмы газового разр да. Сравнение 14 с величиной пиков 16 и 17 показывает, что уже
0 при Е 293 В/см в плазме, помещенной в пол ризатор, количество двухзар дных отр1щательных ионов Н составл ет более половины количества одноза , р дных отрицательных ионов Hj, характеризуемых пиком 14. При Е 500 Б/см количество Ионов Н
, превышает к оличество ионов Н . соответствующих пи- ку 14.
В известных устройствах таких, как
в источнике дугоплазмотронного типа и пеннинговского типа, спектр отрицательных ионов содержит однократно и двукратно зар женные отрицательные ионыу однако двукратно зар женных от5 рицательных ионов в них образуетс значительно меньше, чем однократно зар женных отрицательных ионов, что указьшает на очень малую эффективность их образовани , обусловленную
0 отсутствием достаточной электрической пол ризации частиц исходного вещества .
Поскольку врем жизни двукратно
зар женных отрицательных ионов водо5 рода не превьшзаетЗ-Ю с, а врем пролёта ионов водорода в масс-спектрографе составл ет от 0, до нескольких микросекунд, то зафиксировать двухзар дные отрицательные ионы водорода на фотопластине масс-спект0 рографа не представл етс возможным в св зи с его ограниченными возможност ми . Однако дл р да технических задач требуетс получение двукратно зар женных отрицательных ионов в не5 больиом объеме газа с последующим ус-. корением их па небольшом участке ус- кор ющего промежутка, что практически легко реализуетс .
В св зи с тем, что образующиес отрицательные ионы в пол ризаторе ускор ютс в электрическом поле пол ризатора в направлении к отверстию отбора , то дл р да технических задач энерги отрицательньк ионов, приобретенна в пол ризаторе, достаточна дл их практического применени и пoэтo fy выт гивающего электрода в этом случае не требуетс , )
В результате экспериментального опробовани способа и устройства было обнаружено, что количество двукратно зар женных отрицательных ионов водорода Н , а также кислорода О и увеличиваетс с ростом напр женности электрического пол в пол ризаторе , начина с 200 Б/см, при которой они по вл ютс в заметных количествах . Не исключено, что некоторые электрически пол ризованные частицы могут присоедин ть более двух электронов , т.е. образовывать отрицательные ионы с кратностью зар да более двух.
Явление зависимости образовани отрицательных ионов различных веществ с кратностью зар да больше единицы от электрической пол ризации атомов, молекул и ионов исходного вещества, от лгх дипольньк моментов может найти применение так же в химии дл управлени различными реакци ми, в которых участвуют отрицательные ионы с кратHocTbfo зар да больше единицы.
Использование данных способа и устройства дл получени отрицательных ионов обеспечивает по сравнению с существующими способами и устройствами следующие преимущества:
возможность получени отрицательных ионов различного рода веществ с кратностью зар да больше единицы с минимальным количеством примесей продуктов сопутствующих элементарных процессов;
возможность управлени процессом образовани отрицательных ионов путем изменени дипольного момента частиц исходного вещества, например изменением напр женности электрического пол пол ризации;
возможность использовани диссоциации молекул рных отрицательных ионов с кратностью зар да больше единицы на два ипи более однократно зар жениых отрицательных ионов дл увеличени эффективности получени однократно зар женных отрицательных ионов;
возможность управлени химической реакцией, протекающей с образованием или участием отрицательных ионов, путем изменени дипольного момента частиц при электрической пол ризации
возможность получени отрицательных ионов с кратностью зар да более единицы без использовани магнитного пол ;
возможность получени отрицательных ионов в отсутствии процесса ионизации частиц исходного вещества.
ФигЛ
t6
,В
Claims (2)
1. Способ получения отрицательных ионов, преимущественно изотопов водорода и их соединений, включающий воздействие на ионизуемый газ
2
электронами, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода двукратно заряженных ионов, осуществляют поляризацию ионизуемого газа электрическим полем в области воздействия на него электронами.
2. Устройство для получения отри- дательных ионов, содержащее ионизационную камеру, систему получения электронов , систему извлечения пучка ионов и эмиссионным электродом и систему электропитания, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода двукратно заряженных ионов, в ионизационной камере установлен дополнительный электрод соосно эмисси-г онному электроду, а в систему электропитания введен дополнительный источник электропитания, положительный полюс которого соединен с эмиссионным электродом, а отрицательный полюс е дополнительным электродом.
I ’
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823516010A SU1107707A1 (ru) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | Способ получени отрицательных ионов и устройство дл его осуществлени |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823516010A SU1107707A1 (ru) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | Способ получени отрицательных ионов и устройство дл его осуществлени |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1107707A1 true SU1107707A1 (ru) | 1992-05-07 |
Family
ID=21037228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823516010A SU1107707A1 (ru) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | Способ получени отрицательных ионов и устройство дл его осуществлени |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1107707A1 (ru) |
-
1982
- 1982-11-25 SU SU823516010A patent/SU1107707A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Гуревич Г.М., Данилнж Ю.Л., Коварский Л.П. Плазменный источник дл бомбардировки твердых тел полржнтельныии и отрицательными ионами. Приборы и техцика эксперимента, К 4, 1978, с. 181.. Baumann Н., Heinike Е., Kaiser H.D. Nucleonic Instruments and,Methods, 1971, т.95, с. 389.. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5517084A (en) | Selective ion source | |
JP4511039B2 (ja) | 準安定原子衝撃源 | |
JP2648235B2 (ja) | イオン銃 | |
RU2344577C2 (ru) | Плазменный ускоритель с закрытым дрейфом электронов | |
EP3905300A2 (en) | Ecr particle beam source apparatus | |
US4800281A (en) | Compact penning-discharge plasma source | |
Hill et al. | A sputtering ion source | |
US2892114A (en) | Continuous plasma generator | |
Dudnikov | Methods of negative ion production | |
US2920234A (en) | Device and method for producing a high intensity arc discharge | |
Dudnikov | 20 years of cesium catalysis for negative ion production in gas discharges | |
US3030543A (en) | Method and apparatus for trapping ions in a magnetic field | |
US3890535A (en) | Ion sources | |
SU1107707A1 (ru) | Способ получени отрицательных ионов и устройство дл его осуществлени | |
US2956195A (en) | Hollow carbon arc discharge | |
RU1762732C (ru) | Способ получения потока заряженных частиц и устройство для его осуществления | |
US12009197B2 (en) | Method and apparatus | |
JPS5740845A (en) | Ion beam generator | |
RU2725615C1 (ru) | Источник пучков ионов с высоким током на основе плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке | |
Leung et al. | A high charge state multicusp ion source | |
Lee et al. | Axial energy spread measurements of an accelerated positive ion beam | |
Jacquot et al. | Negative ion production in large volume source with small deposition of cesium | |
Becker et al. | The EBIS option for hadron therapy | |
JPS5741375A (en) | Ion treating device | |
SU669982A1 (ru) | Способ получени отрицательных ионов |