Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано в производстве магнитных интегральных схем на цилиндрических магнитных доменах () . Известен способ изготовлени магнитных интегральных схем, основан ный на формировании элементов управлени ЩЦ и коммутационной разводки методом фотолитографии с химическим Хкислотным) травлением металлического немагнитного сло .1. Недостатком этого способа вл етс трудность получени рисунка интегральной схемы по металлическому немагнитному слою (например из А1, Al-Cu) с размерами элементов-зазоров между ними меньше 3 мкм, заключающа с в TOMj что при х1-1мическом травлении фронт растворени металлического сло имеет как нормальную так и горизонтальную составл ющие не зависимо от профил кра защитной маски. В результате, получаютс элементы со значительным уменьшение геометрического размера металлического сло относительно размеров защитной маски С другой стороны узкие зазоры меж,п;у элементами ( ,2 мкм) рообще не протравливаютс в резульгате плохого цосгупа к ним трав теПЯ . Наиболее близким к предлагаемому вл етс способ изготовлени магНитньк интегральных схем, основан ный на наиесгник ка диэлектрическую гранатовую подложку пленки доменосодержащего материала, нанесении пер вого защитного диэлектрического сло первого металлического немагнитного сло и защитной маски, формировании элементов управлени ЦМД и коммута1щонной разводки плазмо-химическим травлением металлического немагнитного сло , причем в качестве металлического сло используют А1, удалении защитной маски, нанесении второго разделительного диэлектрического сло J нанесении магнитного метал .лйческого сло ,, формировании элеменуов п|:)одвижени и детектировани ЩД ионно-лу тевым травлением магни ного металлического сло , нанесении третьего защитного диэлектрш-теского сло , формировании плазмо-химическШ тразлением третьего защитного и вто рого разделительного диэлектрических слоев и вскрытии окон токовых контактов , нанесении второго металли252 ческого немагнитного сло , (Ьормировании контактных площадок методом фотолитографии с плазмо-химическим травлением в.торого металлического немагнитного сло .2, Недостатком данного способа вл етс узка область работоспособности схемы из-за ухудшени свойств элементов продвижени и детектировани ЩЦ за счет отвесного кра боковой стенки элементов токовой разводки и частичного подтравлени нижележащего диэлектрического сло в силу слабой селективности плазмо-химического и ионно-лучевого травлени , Цель изобретени - повьш1ение надежности изготовлени магнитных интегральных схем. Поставленна цель достигаетс тем, что согласно способу изготовлени магнитных интегральных схем, основанному на нанесении на диэлектр)-гческую гранатовую подложку пленки доменосодержащего материала , первого защитного диэлектрического и металлического немагнитного слоев и защитной маски5формировании элементов управлени ЩД и коммутационной разводки, нанесении второго диэлектрического и магнитного металлического слоев, форьшровании элементов продвижени и детектировани НМД ионно-лучевым травлением магнитного металлического сло , нанесении третьего защитного диэлектрического сло и вскрытии окон токовых контактов магнитных интегральных схем химичес;кнм или плазмохнмическим тразлением, нанесении второго металлического в:емагнитного сло и формировании контактных площадок химическим или плаа МО-химическим травлением, формирование элементов управлени ЩЩ и коммутационной разводки осутцествл гст комбинированньм травлением металлического немагнитного сло путем нонно-лучевого травлени к последующего хшчического травлени . При этом ионно-лучевое травление металлического, немагнитного сло осуществл ют на глубину 1/2-2/3 его толщины и. устанавливают угол падени ионного пучка, при котором наклон боковых стенок элементов управлени ЦМД после химического травлени составл ет 45 -60 , На фигЛ-4 показана последовательность технологических операи ий гЕриThe invention relates to computing and can be used in the manufacture of magnetic integrated circuits on cylindrical magnetic domains (). A known method of manufacturing magnetic integrated circuits, based on the formation of control elements of the CSC and switching wiring by photolithography with chemical acid-acid etching of a metal non-magnetic layer .1. The disadvantage of this method is the difficulty of obtaining an integrated circuit pattern on a metal non-magnetic layer (for example, from A1, Al-Cu) with dimensions of gaps between them less than 3 microns, which in TOMj means that when x1-1mic etching, the dissolution front of the metal layer has the normal and horizontal components are not dependent on the edge profile of the face shield. As a result, there are elements with a significant reduction in the geometric size of the metal layer relative to the size of the protective mask. On the other hand, the narrow gaps between, n, and elements (, 2 µm) are generally not etched as a result of a poor texture of the temperature of the foil. The closest to the present invention is a method for manufacturing magnetic integrated circuits based on a dielectric garnet substrate of a film of domain-containing material, applying a first protective dielectric layer of the first metal nonmagnetic layer and a protective mask, forming control elements of a CMD and switching wiring of a plasma-chemical metal. non-magnetic layer, with A1 being used as the metal layer, removing the protective mask, applying the second section dielectric layer J deposition of a magnetic metal layer, forming elements n |:) moving and detecting ECH by ion-light etching of a magnetic metal layer, applying a third dielectric protective layer, forming a plasma-chemical damage of the third protective and second separation of dielectric layers and opening of current contact windows, deposition of a second metal 252 non-magnetic layer, (shaping of contact pads by photolithography using plasma-chemical etching in The second metal non-magnetic layer. 2, The disadvantage of this method is the narrow area of circuit operability due to the deterioration of the properties of the advancement and detection of the CSC due to the sheer edge of the side wall of the current wiring elements and partial undercutting of the underlying dielectric layer due to the low selectivity of the plasma-chemical and ion beam etching, the purpose of the invention is to increase the reliability of manufacturing magnetic integrated circuits. This goal is achieved by the fact that according to the method of manufacturing magnetic integrated circuits, based on deposition of a domain-containing material film on a dielectric-garnet substrate, the first protective dielectric and metallic non-magnetic layers and protective mask for forming control elements of the BD and switching wiring, applying the second dielectric and magnetic metallic layers, the advancement of elements of the advancement and the detection of NMD by ion-beam etching of magnetic metal layer, applying the third protective dielectric layer and opening the window contacts of magnetic integrated circuits, chemical, plasma or plasma repair, applying a second metal in: the electromagnetic layer and forming contact pads with chemical or PL – MO chemical etching, forming control elements of SchCH and switching distribution of cores combined etching of the metal non-magnetic layer by non-beam etching to subsequent etching. In this case, ion-beam etching of the metal, non-magnetic layer is carried out to a depth of 1 / 2-2 / 3 of its thickness and. establish the angle of incidence of the ion beam at which the slope of the side walls of the control elements of the CMD after chemical etching is 45-60. FIG. 4 shows the sequence of technological operations