SU1076947A1 - Semiconductor storage - Google Patents
Semiconductor storage Download PDFInfo
- Publication number
- SU1076947A1 SU1076947A1 SU823396564A SU3396564A SU1076947A1 SU 1076947 A1 SU1076947 A1 SU 1076947A1 SU 823396564 A SU823396564 A SU 823396564A SU 3396564 A SU3396564 A SU 3396564A SU 1076947 A1 SU1076947 A1 SU 1076947A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- inputs
- decoder
- group
- groups
- drives
- Prior art date
Links
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее первый и второй накопители, входы первых групп которых вл ютс соответственно входаSiH первой и второй групп устройства, .входы вторых групп первого и второго накопителей соединены соответственно с выходами первого и второго дешифраторов,, входы первого дешифратора вл ютс входами третьей группы устройства, а входы первой группы второго дешифратора вл ютс - входами четвертой группы устройства , отличающеес тем, что, с целью упрощени устройства, выходы первого дешифратора соединены с входами второй группы второго дешифратора.A semiconductor memory device containing the first and second drives, the inputs of the first groups of which are the SiH inputs of the first and second groups of the device, the inputs of the second groups of the first and second drives, respectively, the inputs of the first decoder are the inputs of the third group devices, and the inputs of the first group of the second decoder are the inputs of the fourth group of the device, characterized in that, in order to simplify the device, the outputs of the first decoder connected to the inputs of the second group of the second decoder.
Description
1Г7 ТГ 1Г1G7 TG 1G
1one
vlvl
О5O5
соwith
4 к Изобретение относитс к вычислительной технике и может найти применение при конструировании интегральных полупроводниковых запоминающих устройств микропроцессоров, Микро-ЭВМ, микрокалькул торов и др. Известно полупроводниковое запоминаю щее устройство, содержащее один накопитель , дешифраторы строк и столбцов, позвол ющее хранить неизмен емую информацию I. , Недостатком указанного устройства вл етс невозможность изменени информации в устройстве. Наиболее близким к предлагаемому вл етс полупроводниковое интегральHoie запоминающее устройство, содержащее ОЗУ емкостью 128 8-разр дных чисел и ПЗУ емкостью 2048 8-разр дных чисел. Каждое из этих ЗУ имеет наконитель ин-; формации, дешифраторы строк,, дешифраторы столб юв, адресные шины. ОЗУ и ПЗУ вход т в общее поле пам ти микроЭВМ, и одновременное обращение к ним невозможно . Входы дешифратора строк соединены с соответствующими адресными шинами , а выходы - с шинами строк накопител ОЗУ и ПЗУ. Входы дешифраторов столбцов накопителей ОЗУ и ПЗУ также соединены с соответствующими адресными шинами, их управл ющие входы - с управл ющей ;ииной, выходы -. с соответствующими шинами столбцов на опителей ОЗУ и ПЗУ ссютветственно f2. Однако известное техническое решение вл етс избыточным и приводит к больщим аппаратурным затратам из-за наличи двух полных дешифраторов строк. Цель изобретени - упрощение устройства . Поставленна цель достигаетс тем, что в полупроводниковом запоминаюш.ем устройстве, содержащем первый и второй накопители, входы первых групп которых вл ютс соответственно входами первой и второй групп устройства, входы вторых групп первого и второго накопителей соединены соответственно с выходами первого и второго дешифраторов, входы первого дешифратора вл ютс входамк третьей группы устройства, входы первой группы второго ден1ифратора вл ютс входами четвертой группы устройства, выходы первого дешифратрра соединены с входами второй группы второго дешифратора. На чертеже представлена блок-схема полупроводникового запоминающего устройства . Полупроводниковое запо.минающее устройство содержит первый 1 и второй 2 накопители, вводы первых групп которых вл ютс соответственно входами первой 3 и второй 4 группы устройства. Входы вторых групп первого I и второго 2 накопителей соединены соответстуе1Г 1о с выходами первого 5 и второго 6 дешифраторов, входы первого 5 дешифратора вл ютс входами третьей7 группы устройства, входы первой руппы второго б дешифратора вл ютс входами четвертой 8 группы устройства выходы первого 5. де пифратора соединены с входами второй группьГ втоР о 6 дешифратора, Один ИЗ накопителей может быть опе ративным накопителем, а другой - накопителе .м посто нного типа. .При этом накопитель с большой информационной емкостью должен быть вторым. На входы 7 и В поступает двоичный код номера строки (столбца ), на входы 3 н 4 поступает номер (код) столбца (строки), а также управл ющие сигналы дл выборки соответствуюш.его накопител . Если накопители имеют Одинаковое количество адресных шин, поступающих по входам 3 и 4, то они .могут быть объединены. Полупроводниковое запоминающее устройство работает следующим образом. При необходимости обращени к одному из накопителей I или 2 на соответствуюише входы 3 и 7 или 4, 7 и 8 подаютс адресные и управл ющие сигналы. При этом при обращении к накопителю 2 с помощью первого дешифратора 5 осуществл етс первый этап дешифрации, а затем. учитыва , что накопитель 2 больше накопител }, выбор нужной строки (столбца) уже производитс в дешифраторе 6. Тех нико-экономическое преимущество заключаетс в уменьшении аппаратурных затрат на дешифрацию ыборки информацин из накопител 2. Дл эти целей используетс дешифратор 5.4 to The invention relates to computing and can be used in the design of integrated semiconductor memory devices, microprocessors, microcomputers, microcalculators, etc. The semiconductor memory device is known that contains one drive, row and column decoders that allow you to store unchanged information I . The disadvantage of this device is the inability to change information in the device. Closest to the present invention is a semiconductor integral memory device containing a RAM with a capacity of 128 8-bit numbers and a ROM with a capacity of 2048 8-bit numbers. Each of these memories has an in- tip; formations, row decoders ,, post decoders, address buses. The RAM and ROM are included in the general memory field of the microcomputer, and simultaneous access to them is impossible. The inputs of the row decoder are connected to the corresponding address buses, and the outputs are connected to the buses of the RAM drive and ROM. The inputs of the decoder columns of the RAM drives and the ROM are also connected to the corresponding address buses, their control inputs are from the control one, the outputs, the outputs. with the corresponding tire columns on the RAM and ROM devices with a correspondingly f2. However, the known technical solution is redundant and leads to high hardware costs due to the presence of two complete line decoders. The purpose of the invention is to simplify the device. The goal is achieved by the fact that in a semiconductor memory device containing first and second drives, the inputs of the first groups of which are respectively the inputs of the first and second groups of the device, the inputs of the second groups of the first and second drives, respectively, the inputs of the first and second decoders. the first decoder are inputs to the third group of the device, the inputs of the first group of the second decoder are the inputs of the fourth group of the device, the outputs of the first decoder are connected to the input and a second group of the second decoder. The drawing shows a block diagram of a semiconductor storage device. The semiconductor coupler contains the first 1 and second 2 drives, the inputs of the first groups of which are, respectively, the inputs of the first 3 and second 4 groups of the device. The inputs of the second groups of the first I and second 2 accumulators are connected to the outputs of the first 5 and second 6 decoders, the inputs of the first 5 decoder are the inputs of the third device group 7, the inputs of the first group of the second decoder are the outputs of the first 5. The pyrethra is connected to the inputs of the second group of the second decoder, One of the drives can be an operative drive, and the other can be a drive of the same type. In this case, the drive with a large information capacity should be the second. The binary code of the row (column) number is input to inputs 7 and B, the column number (s) is input to inputs 3 and 4, as well as the control signals for selecting the corresponding storage device. If drives have the same number of address buses arriving at inputs 3 and 4, then they can be combined. Semiconductor memory device operates as follows. If it is necessary to access one of the accumulators I or 2, the corresponding inputs 3 and 7 or 4, 7 and 8 are given address and control signals. In this case, when accessing the accumulator 2 using the first decoder 5, the first decryption stage is performed, and then. Considering that drive 2 is larger than drive}, the selection of the desired row (column) is already performed in decoder 6. A technical and economic advantage is to reduce the hardware costs of decrypting information collection from drive 2. For these purposes, a decoder is used.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823396564A SU1076947A1 (en) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | Semiconductor storage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823396564A SU1076947A1 (en) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | Semiconductor storage |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1076947A1 true SU1076947A1 (en) | 1984-02-29 |
Family
ID=20997404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823396564A SU1076947A1 (en) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | Semiconductor storage |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1076947A1 (en) |
-
1982
- 1982-02-04 SU SU823396564A patent/SU1076947A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. «Электронна промышленность, 1981, № 2, с. 46-58. 2. «Электроника, 1977, т. 50, № 13, с, 41-50 (прототип). * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4773048A (en) | Semiconductor memory device having even and odd numbered bank memories | |
EP0174845B1 (en) | Semiconductor memory device | |
US4663742A (en) | Directory memory system having simultaneous write, compare and bypass capabilites | |
US4800535A (en) | Interleaved memory addressing system and method using a parity signal | |
GB1411290A (en) | Memory arrangement control systems | |
JPH01146190A (en) | Solid memory system | |
SU1076947A1 (en) | Semiconductor storage | |
US5588133A (en) | Register block circuit for central processing unit of microcomputer | |
GB1428468A (en) | Information storage system | |
US4077029A (en) | Associative memory | |
SU581508A1 (en) | Permanent storage | |
SU957273A1 (en) | Storage device with data correction | |
SU409291A1 (en) | BUFFER STORAGE DEVICE | |
SU847377A1 (en) | Self-checking storage | |
SU1124303A1 (en) | Multichannel device for priority control in information exchange system | |
SU758257A1 (en) | Self-checking device | |
SU579656A1 (en) | Accumulator for permanent memory | |
SU849304A1 (en) | Fixed storage with information correction | |
SU907587A1 (en) | Information-correcting storage device | |
SU898502A1 (en) | Storage device | |
JPS61184781A (en) | Address decoder | |
RU1829046C (en) | Device for search of free memory locations | |
SU1741175A1 (en) | Associative memory | |
SU922866A1 (en) | Storage device | |
SU1361623A1 (en) | Memory |