SU1071456A1 - Способ создани термопечатающей головки - Google Patents
Способ создани термопечатающей головки Download PDFInfo
- Publication number
- SU1071456A1 SU1071456A1 SU813311032A SU3311032A SU1071456A1 SU 1071456 A1 SU1071456 A1 SU 1071456A1 SU 813311032 A SU813311032 A SU 813311032A SU 3311032 A SU3311032 A SU 3311032A SU 1071456 A1 SU1071456 A1 SU 1071456A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- electrically conductive
- formation
- conductive layer
- resistive
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТЕРМОПЕЧАТАЮЩЕЙ ГОЛОВКИ, включающий последовательное нанесение на диэлектрическую, подложку резистивного -сло , электропровод щего сло , получение требуемого рисунка этих слоев, формирона-. ние маскирующего сло на электропровод щем слое с образованием на последнем открытых участков, формирование реэистивных элементов, удаление маскирующего сло , формирование защитного сло MS оксида алюмини , о т личающийс тем, что, с целью улучшени эксплуатационных характеристик и повышени качества печати , формирование защитного сло осуществл ют сквознь электролитическим окислением открь тых участков электропровод щего сло в электролитах , раствор ющих оксид материала электропровод щего сло , и частичным электролитическим окислением ре- о зистивного сло до достижени требуе СЛ мого номинала резисторов.
Description
Изобретение относитс к микроэлектронике и может быть использова но в тонкопленочной технологии гиб ридных микросхем, в частности при иэготовле.1ии термопечатающих голово дл печатного вывода данных и построени графиков. Известен способ создани теплово печатающей головки, включающий нанесение на диэлектрическую подложку толстопленочных резистивных элементов и электропровод щих электродов способом трафаретной печати L11 . Недостатками данного способа вл ютс низкое быстродействие обусловленное большой массой и тепловой инерционностью, а также неравномер: ное качество печати, обусловленное трудностью получени единообразных резисторов. Известен также способ создани тонкопленочной печатающей головки, включающий нанесение на диэлектриче скую подложку резистивного сло затем электропровод щего сло , получе ние требуемого рисунка этих слоев, нанесение маскирующего сло , травле ние незащищенных участков электропровод щего сло и удаление маскирующего сло С 21. Недостатками известного способа вл ютс низка надежность и износо стойкость, обусловленна отсутствие защитного покрыти на резистивном слое, что приводит к его окислению, коррозии и разрушению в процессе эксплуатации, а также низкое качество печати, обусловленное отсутствием однородного и плотного конта та резисторхэв с бумагой при печатании . Известен способ создани термопечатающей головки, включающий последовательное нанесение на диэлектрическую подложку резистивного сло электропровод щег о сло , получение требуемого рисунка этих слоев, формирование маскирующего сло на элек тропровод щем слое с образованием на последнем открытых участков, фор мирование резистивных элементов, уд ление маскирующего сло , формирование защитного сло из оксида алюмини СЗЗ . Недостатком данного способа вл етс то, что защитные слои лежат не только над резистивными элементами , но и над электропровод щими, что приводит к увеличению тепловой массы и инерционности термопечатаюией головки, а также взаимному, тепловому вли нию соседних резисторов Кроме того, не обеспечиваетс однородный и плотный контакт нагреваемых участков с бумагой при термопе чатании. Все это вместе приводит к снижению качества печати и быстродействи головки. В случае создани локального защитного сло только над резисторами необходимо дл формировани каждого защитного сло проводить операцию фотолитографии и избирательного химического травлени с использованием агрессивных селективных травителей. Применение таких химических травителей не позвол ет получить воспроизводимые по площади защитные слои и номиналы резисторов из-за клина травлени и воздействи травителей на нижележащие слои, что снижает качество печати термопечатающей головки . Недостатком способа вл етс также различ,;е температурных коэффициентов раст жени как материалов защитных слоев, так и резистивного сло , что приводит к возникновению механических напр жений в этих сло х и их растрескиванию при термоциклировании в процессе эксплуатации, ч-ро снижает надежность термопечат ающей голов к и. Пель изобретени - улучшение эксплуатационных характеристик головки и повышение качества печати. Поставленна цель достигаетс тем, что согласно способу создани термопечатающей головки, включающему последовательное нанесение на диэлектрическую подложку резистивного сло , электропровод щего сло , получение требуемого рисунка этих , формирование маскирующего сло на электропровод щем слое с образованием на последнем открытых участков, формирование резистивных элементов, удаление маскирующего сло , формирование защитного сло из оксида алюмини ,, формирование защитного сло осуществл ют сквозным электролитическим окислением открытых участков электропровод щего сло в электролитах, раствор ющих оксид материала электропровод щего сло , и частичным электролитическим окислением резистивного сло до достижени требуемого номинала резисторов. На фиг. 1-5 изображены отдельные этапы создани тонкопленочной печатающей головки. На диэлектрическую подложку 1 Гфиг. 1) нанос т слой резистивного материала 2, затем слой электропровод щего материала 3, получают требуемый рисунок этих слоев (фиг.2), нанос т маскирующий слой 4 фиг.З), после чего анодным электролитиче- , ским окислением перевод т открытые участки электропровод щего сло йолностью в окисел 5 (фиг. 4), а резистивного сло частично в окисел б (фиг. 4У V удал ют маскирующий, слой (фиг..5).
Толщина наносимого резистивного сло выбираетс такой, чтобы после электролитического окислени толадк- на, оставшегос резистивного сло , соответствовала требуемому номиналу резистивного элемента.5
Пример 1. На ситалловые подложки СТ50-1 методом электроннолучевого испарени нанос т слой Та толщиной S затем слой А толщиной 1,5 мкм. Затем с помощью Ю стандартных методов фотолитографии формируют тр.ебуемый рисунок этих слоев, после 4er.j формируют фоторезистную маску и в электролитической чейке с помощью потенциостата . j П-5827.М провод т сквозное анодное окисление открытых участков алюмини и частичное окисление сло Та в электролите, содержащем смесь водных растворов 3%-ной щавелевой (,) и 0,6%-ной серной () кислот. 20
Процесс анодировани провод т при температуре электролита ЗОС, конечном -напр жении формовки В и плотности остаточного тока формовки 10 А/см . Толщина образую- 25 щегос при этом окисла 1,8 мкм, толщина Та2О5 1700 ;, тольшна резистивного сло после анодировани 400 Л.
Пример 2. На ситалловые 30 подложки СТ-50-1 методом ионноплазменного распылени в атмосфере аргона на установке УРМЗ.279.014 с комбинированной мишени нанос т слой сплава TaAl с процентным со- 35 держанием Л1 до 45 ат.% толш.иной 1300 г затем нанос т слой А1 толщи . ной 1,5 мкм. После этого с помощью стандартных методов фотолитографии формируют требуемый рисунок этих дл слоев затем создают фоторезистную маску и в электролитической чейке с помощью потенциостата П-5827М провод т сквозное анодирование, окисление открытых участков алюмини И частичное окисление сло TaAl в электролите, содержащем смесь водных растворов 3%-ной щавелевой (HjCjO) и 0,6%-ной серной (HjSOi,) кислот. .Процесс анодного окислени провод т при температуре электролита , 50 конечном напр жении формовки-100 В и плотности остаточного типа формовки Ю А/см . Толщина образующегос сло пористого окисла AlzOj ,8 мкм, толщина окисленного TaAl 55 1600 л, толщина резистивного сло TaAl после анодного окислени 500 А.
Пример 3. На ситалловые подложки-СТ-50-1 методом реактивного катодного распылени на посто нном 60 токе в атмосфере азотана установке УРМЗ.279.013 нанос т слой ТаМ толщиной 1100 f, после чего нанос т слой Al толщиной 1,5 мкм. После этого с .помощью стандартных методов фотоли- 45
тографии формируют требуемый рису- нок этих слоев, затем создают фоторезистную маску и в электролитической чейке с помощью потенциостата П-2827М провод т сквозное окисление открытых участков алюмини и частичное окисление резистивного сло TaN в электролите, содержащем смесь водных растворов 3%-ной щавелевой (,) и 0,%-ной серной (, кислот. Процесс анодного оксилени провод т при температуре электролита 20°С, конечном напр жении формовки 130 В и плотности остаточного тока формовки А/см . Толщина образующегос сло пористого окисла 1,8 мкм толщина окисленного TaN - 1800 rf, толщина резистивного сло TaN пос-ле анодного окислени 500.
Применение операции сквозного анодного окислени электропровод щего сло и частичного окислени резистивного сло приводит к формировнию резистивных элементов, поверхность которых защищена двойным диг электрическим слоем, состо щим из плотного окисла материала резистивного сло и оксила пористого типа материала электропровод щего сло .
Окислы Та, TaAl и TaN , полученные электролитическим анодированием при своей незначительной толщине (1500-2000 А) вл ютс однородными, беспористыми, обладают высокими диэлектрическими и защитными свойствами и исключают возможность окислени и коррозии резистивного материала , повышают стабильность резисторов и следовательно, повышают надежность термопечатающей головки.
Окисный слой пористого тип имеет регул рную чеистую структуру расположен только над нагреваемыми резисторами, т.е. имеет небольшую тепловую массу, что обеспечивает кратковременный разогрев и быстрое остывание разогреваемых областей и, следовательно, повышаетс быстродействие термопечатающей головки и снижаетс потребл ема мощность.
При анодном окислении алюмини .sa счет того, что алюминий имеет ко|эффициент объемного сюста окисла . происходит увеличение объема растущего окисла, поверхность которого образует выступы, что обеспечивает однородный и плотный контакт с термобумагой при печатании. Причем применение операции электролитического анодировани позвол ет получат выступающие области защитного покрыти А12Оэ воспроизводимой площади, все это вместе повышает как качество печати, так и быстродействие термопечатак дей головки.
Близкие коэффициенты температурного расширени резистивного и защитных слоев, а также эластичность, сло , обусловленна его пористостью , исключает возможность растрескивани и разрушени этих слоев в процессе эксплуатации, что повышает.надежность термопечатающей головки.
Кроме того, применение операции анодного окислени позвол ет проводить подгонку номиналов сопротивлени резисторов, что также повииает качество печати.
Таким образом, предложенный способ повышает быстродействие и надежность термопечатагацей головки , а также качество печати .
Claims (1)
- СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТЕРМОПЕЧАТАЮЩЕЙ ГОЛОВКИ , включающий последовательное нанесение на диэлектрическую, подложку резистивного слоя, электропроводящего слоя, получение требу емого рисунка этих слоев, формирова-. ние маскирующего слоя на электропроводящем слое с образованием на последнем открытых участков, формирование резистивных элементов, удаление маскирующего слоя, формирование защитного слоя иЭ оксида алюминия, о т личающий'ся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик и повышения качества печати, формирование защитного слоя осуществляют сквозным электролитическим окислением открытых участков электропроводящего слоя в электроли тах, растворяющих оксид материала электропроводящего слоя, и частичным электролитическим окислением ре- о зистивного слоя до достижения требуе-) мого номинала резисторов.Фиг.1SU „„1071456
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813311032A SU1071456A1 (ru) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | Способ создани термопечатающей головки |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813311032A SU1071456A1 (ru) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | Способ создани термопечатающей головки |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1071456A1 true SU1071456A1 (ru) | 1984-02-07 |
Family
ID=20966751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU813311032A SU1071456A1 (ru) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | Способ создани термопечатающей головки |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1071456A1 (ru) |
-
1981
- 1981-06-25 SU SU813311032A patent/SU1071456A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Патент FR №2397941, кл. В 41 Э 3/20, 1979 2.Патент JP 55-7155, кл. В 41 j 3/20, 1980 3.Патент JP № 55-7154, кл. В 41 J 3/30, 1980 (прототип) * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5380341A (en) | Solid state electrochemical capacitors and their preparation | |
US4433319A (en) | Moisture sensor and method of manufacturing the same | |
JPH062416B2 (ja) | 液体噴射記録ヘッドの製造方法 | |
US5091061A (en) | Silicon substrate having porous oxidized silicon layers and its production method | |
US4358748A (en) | Thin film circuit | |
JPS58165313A (ja) | 湿度センサおよびその製法 | |
SU1071456A1 (ru) | Способ создани термопечатающей головки | |
US4710263A (en) | Method of fabricating print head for thermal printer | |
US3809627A (en) | Anodized cermet film components and their manufacture | |
US6594875B2 (en) | Method for producing a piezoelectric/electrostrictive actuator | |
US3644188A (en) | Anodizable cermet film components and their manufacture | |
JPS5840849B2 (ja) | 弾性表面波変換器の周波数調整法 | |
JPS63257652A (ja) | サ−マルヘツド用基板 | |
JPS61130061A (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
JPH02224311A (ja) | 積層型セラミックス電子部品の製造方法 | |
JP2615633B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
JP2004351799A (ja) | サーマルヘッド用グレーズド基板の製造方法 | |
JP2002011899A (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
JPH11283810A (ja) | チップ型サーミスタ及びその製造方法 | |
JPS6360768A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPH07152273A (ja) | 加熱ローラの製造方法 | |
JPS63257654A (ja) | サ−マルヘツド用基板の製造方法 | |
JPS5818954A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
PL136092B2 (en) | Method of manufacture of integrated resistive network with surface hardening layer | |
JPS6280061A (ja) | サ−マルヘツド |