SU1071456A1 - Способ создани термопечатающей головки - Google Patents

Способ создани термопечатающей головки Download PDF

Info

Publication number
SU1071456A1
SU1071456A1 SU813311032A SU3311032A SU1071456A1 SU 1071456 A1 SU1071456 A1 SU 1071456A1 SU 813311032 A SU813311032 A SU 813311032A SU 3311032 A SU3311032 A SU 3311032A SU 1071456 A1 SU1071456 A1 SU 1071456A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
electrically conductive
formation
conductive layer
resistive
Prior art date
Application number
SU813311032A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Архипович Лабунов
Виталий Александрович Сокол
Владимир Михайлович Паркун
Original Assignee
Минский радиотехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Минский радиотехнический институт filed Critical Минский радиотехнический институт
Priority to SU813311032A priority Critical patent/SU1071456A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1071456A1 publication Critical patent/SU1071456A1/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТЕРМОПЕЧАТАЮЩЕЙ ГОЛОВКИ, включающий последовательное нанесение на диэлектрическую, подложку резистивного -сло , электропровод щего сло , получение требуемого рисунка этих слоев, формирона-. ние маскирующего сло  на электропровод щем слое с образованием на последнем открытых участков, формирование реэистивных элементов, удаление маскирующего сло , формирование защитного сло  MS оксида алюмини , о т личающийс  тем, что, с целью улучшени  эксплуатационных характеристик и повышени  качества печати , формирование защитного сло  осуществл ют сквознь электролитическим окислением открь тых участков электропровод щего сло  в электролитах , раствор ющих оксид материала электропровод щего сло , и частичным электролитическим окислением ре- о зистивного сло  до достижени  требуе СЛ мого номинала резисторов.

Description

Изобретение относитс  к микроэлектронике и может быть использова но в тонкопленочной технологии гиб ридных микросхем, в частности при иэготовле.1ии термопечатающих голово дл  печатного вывода данных и построени  графиков. Известен способ создани  теплово печатающей головки, включающий нанесение на диэлектрическую подложку толстопленочных резистивных элементов и электропровод щих электродов способом трафаретной печати L11 . Недостатками данного способа  вл ютс  низкое быстродействие обусловленное большой массой и тепловой инерционностью, а также неравномер: ное качество печати, обусловленное трудностью получени  единообразных резисторов. Известен также способ создани  тонкопленочной печатающей головки, включающий нанесение на диэлектриче скую подложку резистивного сло  затем электропровод щего сло , получе ние требуемого рисунка этих слоев, нанесение маскирующего сло , травле ние незащищенных участков электропровод щего сло  и удаление маскирующего сло  С 21. Недостатками известного способа  вл ютс  низка  надежность и износо стойкость, обусловленна  отсутствие защитного покрыти  на резистивном слое, что приводит к его окислению, коррозии и разрушению в процессе эксплуатации, а также низкое качество печати, обусловленное отсутствием однородного и плотного конта та резисторхэв с бумагой при печатании . Известен способ создани  термопечатающей головки, включающий последовательное нанесение на диэлектрическую подложку резистивного сло электропровод щег о сло , получение требуемого рисунка этих слоев, формирование маскирующего сло  на элек тропровод щем слое с образованием на последнем открытых участков, фор мирование резистивных элементов, уд ление маскирующего сло , формирование защитного сло  из оксида алюмини  СЗЗ . Недостатком данного способа  вл етс  то, что защитные слои лежат не только над резистивными элементами , но и над электропровод щими, что приводит к увеличению тепловой массы и инерционности термопечатаюией головки, а также взаимному, тепловому вли нию соседних резисторов Кроме того, не обеспечиваетс  однородный и плотный контакт нагреваемых участков с бумагой при термопе чатании. Все это вместе приводит к снижению качества печати и быстродействи  головки. В случае создани  локального защитного сло  только над резисторами необходимо дл  формировани  каждого защитного сло  проводить операцию фотолитографии и избирательного химического травлени  с использованием агрессивных селективных травителей. Применение таких химических травителей не позвол ет получить воспроизводимые по площади защитные слои и номиналы резисторов из-за клина травлени  и воздействи  травителей на нижележащие слои, что снижает качество печати термопечатающей головки . Недостатком способа  вл етс  также различ,;е температурных коэффициентов раст жени  как материалов защитных слоев, так и резистивного сло , что приводит к возникновению механических напр жений в этих сло х и их растрескиванию при термоциклировании в процессе эксплуатации, ч-ро снижает надежность термопечат ающей голов к и. Пель изобретени  - улучшение эксплуатационных характеристик головки и повышение качества печати. Поставленна  цель достигаетс  тем, что согласно способу создани  термопечатающей головки, включающему последовательное нанесение на диэлектрическую подложку резистивного сло , электропровод щего сло , получение требуемого рисунка этих , формирование маскирующего сло  на электропровод щем слое с образованием на последнем открытых участков, формирование резистивных элементов, удаление маскирующего сло , формирование защитного сло  из оксида алюмини ,, формирование защитного сло  осуществл ют сквозным электролитическим окислением открытых участков электропровод щего сло  в электролитах, раствор ющих оксид материала электропровод щего сло , и частичным электролитическим окислением резистивного сло  до достижени  требуемого номинала резисторов. На фиг. 1-5 изображены отдельные этапы создани  тонкопленочной печатающей головки. На диэлектрическую подложку 1 Гфиг. 1) нанос т слой резистивного материала 2, затем слой электропровод щего материала 3, получают требуемый рисунок этих слоев (фиг.2), нанос т маскирующий слой 4 фиг.З), после чего анодным электролитиче- , ским окислением перевод т открытые участки электропровод щего сло  йолностью в окисел 5 (фиг. 4), а резистивного сло  частично в окисел б (фиг. 4У V удал ют маскирующий, слой (фиг..5).
Толщина наносимого резистивного сло  выбираетс  такой, чтобы после электролитического окислени  толадк- на, оставшегос  резистивного сло , соответствовала требуемому номиналу резистивного элемента.5
Пример 1. На ситалловые подложки СТ50-1 методом электроннолучевого испарени  нанос т слой Та толщиной S затем слой А толщиной 1,5 мкм. Затем с помощью Ю стандартных методов фотолитографии формируют тр.ебуемый рисунок этих слоев, после 4er.j формируют фоторезистную маску и в электролитической  чейке с помощью потенциостата . j П-5827.М провод т сквозное анодное окисление открытых участков алюмини  и частичное окисление сло  Та в электролите, содержащем смесь водных растворов 3%-ной щавелевой (,) и 0,6%-ной серной () кислот. 20
Процесс анодировани  провод т при температуре электролита ЗОС, конечном -напр жении формовки В и плотности остаточного тока формовки 10 А/см . Толщина образую- 25 щегос  при этом окисла 1,8 мкм, толщина Та2О5 1700 ;, тольшна резистивного сло  после анодировани  400 Л.
Пример 2. На ситалловые 30 подложки СТ-50-1 методом ионноплазменного распылени  в атмосфере аргона на установке УРМЗ.279.014 с комбинированной мишени нанос т слой сплава TaAl с процентным со- 35 держанием Л1 до 45 ат.% толш.иной 1300 г затем нанос т слой А1 толщи . ной 1,5 мкм. После этого с помощью стандартных методов фотолитографии формируют требуемый рисунок этих дл слоев затем создают фоторезистную маску и в электролитической  чейке с помощью потенциостата П-5827М провод т сквозное анодирование, окисление открытых участков алюмини  И частичное окисление сло  TaAl в электролите, содержащем смесь водных растворов 3%-ной щавелевой (HjCjO) и 0,6%-ной серной (HjSOi,) кислот. .Процесс анодного окислени  провод т при температуре электролита , 50 конечном напр жении формовки-100 В и плотности остаточного типа формовки Ю А/см . Толщина образующегос  сло  пористого окисла AlzOj ,8 мкм, толщина окисленного TaAl 55 1600 л, толщина резистивного сло  TaAl после анодного окислени  500 А.
Пример 3. На ситалловые подложки-СТ-50-1 методом реактивного катодного распылени  на посто нном 60 токе в атмосфере азотана установке УРМЗ.279.013 нанос т слой ТаМ толщиной 1100 f, после чего нанос т слой Al толщиной 1,5 мкм. После этого с .помощью стандартных методов фотоли- 45
тографии формируют требуемый рису- нок этих слоев, затем создают фоторезистную маску и в электролитической  чейке с помощью потенциостата П-2827М провод т сквозное окисление открытых участков алюмини  и частичное окисление резистивного сло  TaN в электролите, содержащем смесь водных растворов 3%-ной щавелевой (,) и 0,%-ной серной (, кислот. Процесс анодного оксилени  провод т при температуре электролита 20°С, конечном напр жении формовки 130 В и плотности остаточного тока формовки А/см . Толщина образующегос  сло  пористого окисла 1,8 мкм толщина окисленного TaN - 1800 rf, толщина резистивного сло  TaN пос-ле анодного окислени  500.
Применение операции сквозного анодного окислени  электропровод щего сло  и частичного окислени  резистивного сло  приводит к формировнию резистивных элементов, поверхность которых защищена двойным диг электрическим слоем, состо щим из плотного окисла материала резистивного сло  и оксила пористого типа материала электропровод щего сло .
Окислы Та, TaAl и TaN , полученные электролитическим анодированием при своей незначительной толщине (1500-2000 А)  вл ютс  однородными, беспористыми, обладают высокими диэлектрическими и защитными свойствами и исключают возможность окислени  и коррозии резистивного материала , повышают стабильность резисторов и следовательно, повышают надежность термопечатающей головки.
Окисный слой пористого тип имеет регул рную  чеистую структуру расположен только над нагреваемыми резисторами, т.е. имеет небольшую тепловую массу, что обеспечивает кратковременный разогрев и быстрое остывание разогреваемых областей и, следовательно, повышаетс  быстродействие термопечатающей головки и снижаетс  потребл ема  мощность.
При анодном окислении алюмини  .sa счет того, что алюминий имеет ко|эффициент объемного сюста окисла . происходит увеличение объема растущего окисла, поверхность которого образует выступы, что обеспечивает однородный и плотный контакт с термобумагой при печатании. Причем применение операции электролитического анодировани  позвол ет получат выступающие области защитного покрыти  А12Оэ воспроизводимой площади, все это вместе повышает как качество печати, так и быстродействие термопечатак дей головки.
Близкие коэффициенты температурного расширени  резистивного и защитных слоев, а также эластичность, сло  , обусловленна  его пористостью , исключает возможность растрескивани  и разрушени  этих слоев в процессе эксплуатации, что повышает.надежность термопечатающей головки.
Кроме того, применение операции анодного окислени  позвол ет проводить подгонку номиналов сопротивлени  резисторов, что также повииает качество печати.
Таким образом, предложенный способ повышает быстродействие и надежность термопечатагацей головки , а также качество печати .

Claims (1)

  1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТЕРМОПЕЧАТАЮЩЕЙ ГОЛОВКИ , включающий последовательное нанесение на диэлектрическую, подложку резистивного слоя, электропроводящего слоя, получение требу емого рисунка этих слоев, формирова-. ние маскирующего слоя на электропроводящем слое с образованием на последнем открытых участков, формирование резистивных элементов, удаление маскирующего слоя, формирование защитного слоя иЭ оксида алюминия, о т личающий'ся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик и повышения качества печати, формирование защитного слоя осуществляют сквозным электролитическим окислением открытых участков электропроводящего слоя в электроли тах, растворяющих оксид материала электропроводящего слоя, и частичным электролитическим окислением ре- о зистивного слоя до достижения требуе-) мого номинала резисторов.
    Фиг.1
    SU „„1071456
SU813311032A 1981-06-25 1981-06-25 Способ создани термопечатающей головки SU1071456A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813311032A SU1071456A1 (ru) 1981-06-25 1981-06-25 Способ создани термопечатающей головки

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813311032A SU1071456A1 (ru) 1981-06-25 1981-06-25 Способ создани термопечатающей головки

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1071456A1 true SU1071456A1 (ru) 1984-02-07

Family

ID=20966751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813311032A SU1071456A1 (ru) 1981-06-25 1981-06-25 Способ создани термопечатающей головки

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1071456A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент FR №2397941, кл. В 41 Э 3/20, 1979 2.Патент JP 55-7155, кл. В 41 j 3/20, 1980 3.Патент JP № 55-7154, кл. В 41 J 3/30, 1980 (прототип) *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5380341A (en) Solid state electrochemical capacitors and their preparation
US4433319A (en) Moisture sensor and method of manufacturing the same
JPH062416B2 (ja) 液体噴射記録ヘッドの製造方法
US5091061A (en) Silicon substrate having porous oxidized silicon layers and its production method
US4358748A (en) Thin film circuit
JPS58165313A (ja) 湿度センサおよびその製法
SU1071456A1 (ru) Способ создани термопечатающей головки
US4710263A (en) Method of fabricating print head for thermal printer
US3809627A (en) Anodized cermet film components and their manufacture
US6594875B2 (en) Method for producing a piezoelectric/electrostrictive actuator
US3644188A (en) Anodizable cermet film components and their manufacture
JPS5840849B2 (ja) 弾性表面波変換器の周波数調整法
JPS63257652A (ja) サ−マルヘツド用基板
JPS61130061A (ja) サ−マルヘツドの製造方法
JPH02224311A (ja) 積層型セラミックス電子部品の製造方法
JP2615633B2 (ja) サーマルヘッドの製造方法
JP2004351799A (ja) サーマルヘッド用グレーズド基板の製造方法
JP2002011899A (ja) サーマルヘッドの製造方法
JPH11283810A (ja) チップ型サーミスタ及びその製造方法
JPS6360768A (ja) サ−マルヘツド
JPH07152273A (ja) 加熱ローラの製造方法
JPS63257654A (ja) サ−マルヘツド用基板の製造方法
JPS5818954A (ja) 混成集積回路の製造方法
PL136092B2 (en) Method of manufacture of integrated resistive network with surface hardening layer
JPS6280061A (ja) サ−マルヘツド