Изобретение относитс к электрони ке и микроэлектронике, а именно к технологии литографии субмикронного разрешени . Извес-тен способ литографии, включакддий напыление на подложку сло реэиста (октавинилсилсесквиоксана), его экспонирование электронным лучом про вление изображени путем термического нагрева подложки в вакууме 1 . Однако в указанном способе нет данных о режимах напылени чувствительного сло и термического про вле ни , которыми определ етс качество получаемого изображени . Наиболее близким по технической Сущности к изобретению вл етс спо Соб электронолитографии, включамций йанесение на металлическую подложку чувствителького сло кремнийорганического соединени методом вакуумного испарени , его экспонирование, про вление при 150-400С в вакууме, ионн.ое травление кислородом с послеДукЯ15ей обработкой серной и сол ной кислотами 2, Недостатком данного способа вл . етс низкое качество получаемого изображени , так как процесс осуществл ют при низкой температуре: ис |Парени (180°С)j а конденсацию чувс вительного сло провод т на холодно подложке. Кроме того, высока темпе ратура про влени (150-400°С} приводит к растрескиванию заполимеризо ванных участков сло , ухудшаютс маскирующие свойства чувствительных слоев при травлении (переносе пОЛучённого изображени на подложку) из -За образовавшихс микродефектов при растрескивании, а прогрев подложки до 150-400°С приводит к образованию рваных краев получаемого при про вл нии изображени , что обусловлено сокращением времени миграциипо поверхности подложки. Цель изобретени повышениеКачества получаемого изображени , Доставленна цель достигаетс : те что согласно способу литографии, эключаккцему нанесение на подложку чувствительного слэ кремнийорганического соединени методом вакуумно го испарени , его экспонирование и вакуумное термическое про вление, н несение чувствительного сло провод т при температуре испарени 190200 С и при температуре подложки 35-45 С, а термическое про вление осуществл ют путем нагрева подложки с чувствительным слоем до 125-135 С с ЛИ1-ШЙНОЙ скоростью подъема температуры 10-15°С/мин, причем вдоль по верхности подложки от ее краев к центру создают градиент температуры 0,5 - 1,0 С/мм. Времп полного про влений изображени определ етс исходной толщиной ло и при толщине 1 мкм составл ет 30 мин. Увеличение температуры испарени о 210°С приводит к образованию рыхлых слоев, а уменьщение до ких неравномерности и йесплошности. Уменьшение температуры подложки до 30-35 С приводит к увеличению шероховатости поверхностного рельефа, а повышение до 45-50 0 - к резкому снижению скорости конденсации (роста сло ) за счет упругого реиспарени . Уменьшение температуры про влени ДО и менее приводит к значительному увеличению времени про влени и неполномуиспарению отдельных частиц с заполимериэованных участков сло . Процесс термического вакуумного про влени иэображ-ени .осуществл етс в.таких услови х, при которых соблюдаютс физические принципы вакуумного испарени , т.е. в услови х преимудестБвнной поверхностной миграции . Достичь такой ситуации равномерным нагревом невозможно, так как все точки поверхно гти будут иметь одинаковое значение эьгергии. Поэтому наличие направленного градиента температуры улучшает услови миграции испар ющихс молекул, Вопрос о направленности преимущественного градиента температуры решаетс .исход из условий качества про вл емого изображени . Если градиент температуры будет направлен от Центра к периферии подложки, то миграци модекул будет напра.члена к центру, следовательно, будет проис ходить дополнительное загр знение про вленного изображени за счет эф .фектов термической полимеризации либо кластерообразовани в газовой фазе . В случае градиента температуры, направленного от периферии к центру, испарение оказываетс свободным от указанных недостатков, так как испарение молекул, не участвующих в полимеризации , в первую очередь начинаетс с периферии подложки, при этом площадь исларени постепенно сужаетс , т.е. происходит как бы ст гивание сло в результате наиболее интенсивного испарени с монотонно уменьшающейс узкой периферийной образующей . При этом, указанный градиент температуры вдоль поверхности подложки 0,5 - i,0 C/MM вл етс наилучшим дл обеспечени высококачественного про влени изображени и. он определен экспериментально дл всех типов и видов подложек. П р и м е р 1. На кремниевую под лохкку с тем.пературой 4 С диаметром 60 мм в вакууме 51СГ мм рх. ст. при температуре испарени 195i5 C напыл ют чувствительный слой октави нилсилсесквиоксана толщиной 0,5 мкм Подложку со слоем помещают в электронно-лучевую установку ZRM-12, экс понируют при дозе 3«10 Кл/см Затем подложку устанавливают на плоский стол-нагреватель, который обеспечив ет градиент температуры от перифери к центру О,5°С/мм. Прижимным устрой ством подложку плотно поджимают к поверхности стола-нагревател и помещают в вакуумную камеру с остаточным давлением 510 -мм рт.ст. В течение 10 мин стол-нагреватель выво д т на температуру 125°С {скорость подъема температуры 12°С/мм) и вьадер живают при этой температура 15 мин, затем охлаждают до комнатной температуры . Подложку извлекают из вакуумной камеры и полученное изображение визуально контролируют под микроскопом NU-2 при увеличении К 1000. Полученное изображение про вл етс полностью, без вуали, с высокой четкостью кра изображени , Заполимеризованные участки сло сплошные, гладкие, без трещин, Пример2, На подложку из хромированного стекла К-8 размерами 70X70 мм в услови х примера 1 напыл ют слой, октаметил-октавинилсилсесквиоксана 0,35 мкм. Экспонирование сло про вл етс на синхротроне ВЭП-3 при длине волны характеристического излучени 15-20 А и дозе 30 мДж/см . Так же, как ив примере 1, подлож ку устанавливают на стол-нагреватель обеспечивающий градиент температуры 1,0°С/мм, и помещают в вакуумную камеру дл термического -про влени , В течение 15 мин. стол-нагреватель выводитс , на температуру 135С (скорость подъема температуры 1 О С/минJ, выдерживают при зтой температуре 10 мин и охлаждают до комнатной температуры . Так же, как и в примере 1, контроль , качества про вленного изображени определ ют визуально на микроскопе NU-2 при увеличении ЮОО, Полученное изображение про вл етс полностью и высококачественно. Использование предлагаемого способа литографии обеспечивает по сравнению с существующими способами высокое качество получаемого изображени , что необходимо дл возможности реализации сухого процесса литографии субмикронного разрешени . Это достигаетс за счет того, что исключаетс растрескивание заполимеризованных участков сло путем создани более благопри тных процессов диффузии газовой составл ющей через полимер , а также образование вуали и ор еолов вокруг про вл емого изображени , обеспечиваетс высококачественное про вление. Кроме того, данный процесс полностью сухой, т,е, исключаютс жидкостные стадии, все операции провод тс в высоком вакууме, т,е, автоматически обеспечиваютс сверхчисть:-услови проведени литографии, процесс про влени протекает на принципе молекул рного удалени незаполимеризованных участков пленки, а не жидкостном их растворении, что повышает качестзо получаемого изображени за счет более полного удалени вещества, воспроизводимо реализуетс получение субмикронных линейных размеров элементов микросхем, значительно повышаетс производительность про цесса за счет уменьшени количества операций, а также решаетс проблема утилизации канцерогенных органических растворителей.