Изобретение относитс к рентгеноструктному анализу кристаллов и може быть использовано дл неразрушающего контрол реальной структуры кристалл ческих пластин {съёмка на прохождение ) при производртве полупроводниковых приборов и материалов, а также массивных кристаллов (съемка на отражение ). . Дл пр мого наблюдени дефектов в монокристаллах разработаны и широко примен ютс различные устройства дл рентгеновской топографии, основанные на регистрации дифракчионного изображени ГО Обычно дифракционное изображение регистрируетс на дерную фотопластинку , разрешение пор дка 10-50 мкм, с последующей ее обработкой стандарт ными химическими реактивами и увеличением изображени (20-50 раз )на фотобумагу. При этом существенными ограничени ми сдерживающими применение рентгеновских топографических устройств дл целей промышленного не разрушающего контрол кристалличес .ких структур, вл ютс отсутствие экспрессности контрол ,, низка точность количественной обработки результатов с помощью, ЭВМ и невозможность применени методов рентгенбвской топографии дл пооперационного нераэрушающего контрол кристаллических структур в процессе их технологического изготовлени , особенно дл контрол кристаллических пластин диаметром 0-60 мм. Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности вл етс уст ройство дл рентгеновской топографии содержащее микрофокусный источник рентгеновского излучени со средствами линейного перемещени фокусного .п тна, гониометр с механизмом перемещени образца и детектор 2 . Однако при использовании в качест ве детектора рентгеновского счетчика нужен специальный коллиматор с пространственным разрешением пор дка 10 50 мкм и площадью - 100x100 мм изготовление которого представл ет определенные трудности, непреодолимые в насто щее врем . Пространствен ное разрешение таких систем в силу принципиальных технических Трудносте не превышает 70-150 мкм. Снижение контрастной чувствительности и пространственного разрешени в известных устройствах происходит в дпределеннои мере из-за того, что электронные системы детектирован + нар ду с полезной информацией воспринимают значительную часть рассе нного и флюоресцентного рентгеновского иапучени . Таким образом, практическое использование известных устройств дл целей неразрушающего пооперационного контрол качества больших кристаллических пластин в услови х массового производства не представл етс возможным или сопр жено со значительными техническими трудност ми. Цель изобретени - повышение пространственного разрешени топографического изображени и контрастной чуйЬтиительности устройства. Поставленна цель Достигаетс тем, что в устройстве дл рентгеновской, топографии, содержащем микрофокусный источник рентгеновского излучени со средствами линейного перемещени фокусного п тна, гониометр с механиз эм линейного перемещени образца и детектор, перед детектором введен кристалл-анализатор, размещенный так, что отражающие его плоскости перпендикул рны направлению перемещени фокусного п тна. Введение кристалл-анализатора перед детектором позвол ет практически исключить рассе нное и флюоресцентное излучение на детекторе, что повышает контраст изображени дефектов. Кроме того,-- кристалл-анализатор формирует дифрагированный пучок привод его размеры в горизонтальном направлении к размерам фокусного п тна источника излучени (10-20 мкм X На фиг.1 и 2 представлены варианты предлагаемого устройства (съемка на прохождение и otpaжeниel соответственно ). В основу метода измерени положен принцип растрового формировани изображени на топограммах. С этой целью использован микрофокусный источник 1 рентгеновского излучени со средства ми линейного сканировани 3 фокусного п тна 2. Диаметр Г1 тна микрофокусного источника составл ет 20 мкм, а линии сканировани мм. За источником рентгеновского излучени расположена щель коллиматора , параллельна линии сканировани источника излучени . Коллиматор ограничивает только вертикальную расходимость рентгеновских лучей. При этом параллельна расхо