SU1035801A1 - Versions of inverter - Google Patents

Versions of inverter Download PDF

Info

Publication number
SU1035801A1
SU1035801A1 SU813290335A SU3290335A SU1035801A1 SU 1035801 A1 SU1035801 A1 SU 1035801A1 SU 813290335 A SU813290335 A SU 813290335A SU 3290335 A SU3290335 A SU 3290335A SU 1035801 A1 SU1035801 A1 SU 1035801A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
bus
input
capacitor
control
diode
Prior art date
Application number
SU813290335A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Дмитрий Васильевич Игумнов
Галина Петровна Костюнина
Игорь Степанович Громов
Борис Иванович Лапшин
Original Assignee
Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский институт радиотехники, электроники и автоматики filed Critical Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Priority to SU813290335A priority Critical patent/SU1035801A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1035801A1 publication Critical patent/SU1035801A1/en

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

I. Инвертор, содержащий входную и выходную щины, шину питани , общую шину, управл ющий и нагрузочный МДП- . транзисторы, конденсатор и динг , включенный между общей щиной и первой обкладкой ковденсатора, отличающийс   тем, что, с цепью повьпиени  быстродействи , в него дополнительно введен бипол рный транзистор, эмиттер которого подключен к общей шине, коллектор - к входной шине, а база - к аноду диода и первой обкла,аке ковденсатора, втора  обкладка которого соединена с входной шиной. 2. Инвертор, содернсащи входнз/то и выходную шины, шину питани , общую щ нуг управл ющий и нагрузочный МДПтранзисторы , ковденсатор и диод, включенный менаду ойцей шиной и первой обкладкой конденсатора, от-личающ и и с   тем, что, с целью повыщени  быстродействи , в нем подложка, управл (О ющего транзистора подключена к аноду С диода и к первой обкла,цке ковденсатора, втора  обкладка которого соединена с входной шиной.I. Inverter, containing input and output wedges, power supply bus, common bus, control and load MOS-. transistors, a capacitor, and a ding, connected between the common length and the first cover of the co-capacitor, characterized in that, with a speed chain, a bipolar transistor is added to it, the emitter of which is connected to the common bus, the collector is connected to the input bus, and the base is connected to the anode of the diode and the first shell, as well as the condenser, the second lining of which is connected to the input bus. 2. The inverter, the input and output busbar, the power bus, the common control and load MDP transistors, the capacitor and the diode switched on by the bus and the first capacitor plate, and in order to increase speed, there is a substrate, a control (O of the transistor is connected to the anode C of the diode and to the first frame, the sensor, the second lining of which is connected to the input bus.

Description

оо СПoo sp

00 Изобретение относ тс  k импульсной технике   может быть использовано при соэдании быстродействующих цифровых устройств различного назначени . Известш инвертор на МДП-траиакстоpax , содержащий два МДП-транзистора с итздушфованными каналами р-типа про водимость при этом один МДП-транзистор  вл етс  управл юпдам, а другой включает в цепь стока управл сющего МДП-транэистора и выполн ет роль; нагрузочного рези тора. Подложка нагрузочного МДП-трав-г зистора соединена с общей шиной ft Д. Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  инвертор, содержащий упрйвл ющий и нагрузочный МДП-транзисторы, а TaitKe цепь смешени  подложки на конденсаторе и двух диодах С2 J. Недостатком известных устройств  вл етс  низкое быстродействие.. Деоть изобретени  - повышение быстро действи  инвертора. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в инвертор, содержащий входную и выходную шины, шину питани , ойдую ofiiy, управл ющий и нагрузочный МДПтранзисторы , конденсатор и диод, включен ный между общей шиной и первой обкладкой конденсатора, .дополнительно введен бипол рный транзистор, эмиттер которого подключен к общей шине, коллектор - к входной шине, .а база к аноду диода и .первой обкладке конденсатора, втора  обкладка которого соединена с входной шмной.. . Согласно второму варианту подложка управл ющего транзистора подключена к аноду диода и к первой обкладке конденса тора, втора  обкла цка которого соединена с, входной шиной. На фиг. I представлена электрическа  предлагаемого устройства, вьтолненного согласно первому варианту; на фиг. 2 электрическа  схема устройства выполненного согласно второму варианту (фиг. 1). Инвертор (фиг. I) содержит . нагрузочный I и управл ющий 2 МАП-транзисторы , конденсатор 3, диод 4, входную 5 и выходную 6 шины, шину 7 питани , общую шину 8 и бипол рный транзистор 9 Устройство (фиг. 2).содержит нагрузо ный 1 и управл ющий 2 МДП-транзисторы , конденсатор 3, диод 4, входную 5 и выходную 6 шины, шину 7 питани  и общую шину 8. Инвертор по первому варианту работает следующим образом. Входной сигнал отрицательной пол ркости поступает одновременно на затвор транзистора 2 и через конденсатор 3 на б(азу транзистора 9. Поскольку бипол рный транзистор 9 характеризуетс  более высоким быстродействием, чем МДП- транзистор 2, то первым открьгоаетс  транзистор 9 и находитс  в.открытом состо шш только во врем  действи  переднего фронта управл ющего .сигнала. Затем открьгваетс  транзистор 2, а транзистор 9 закрываетс . Таким образом, одновременна  подача входного сигнала на затвор МДП-транзистора 2 и на базу бипол рного транзистора 9 приводит к уменьшению времен включени  инвертора и, следовательно, к повышению его быстродействи , Устройство по Второму варианту работает следующим образом. Входной сигнал отрицательной пол рности поступает одновременно на затвор управл ющего транзистора 2 и на его подложку, при этом на подложку подаетс  сигнал, дифференцированный цепью, образованной конденсатором 3 и сопротивлением р - и -перехода исток-подложка транзистора 2. При подаче управл ющего сигнала на подложку транзистора 2 р -п -переход, исток-подложка смешаетс  в пр мом направлении и инжектирует дьфки в подложку, затем экстрагируютс  р - п -переходом и стокподло иска, т. е. имеет место механизм усилени , аналогичный механизму бипол рного транзистора. Поскольку входной сигнал на подложку подаетс  через конденсатор 3, то указанный механизм усилени  с МДП-транзистора 2 имеет место только во врем  действи  отрицательного фронта управл ющего сигнала и приводит к уменьшению входного сопротивлени  транзистора 2. Управление в статическом режиме осуществл етс  лишь по затвору транзистора 2, который характеризуетс  большим входным сопротивлением и имеет малое потребление мощности источника сигнала. Таким образом, обдновременное управлвше МДП-транзистором как по затвору , так и по подложке приводит к умень-j шению посто нной времени цепи управлени  в момент переключени  и, следовательно , к повыщению быстродействи  инвертора . Диод в первом и втором вариантах вьшолнени  1швертора служит дл  уменьшени  посто нной времени цепи разр да конденсатора.00 The invention relates to the k-pulse technique can be used when creating high-speed digital devices for various purposes. A limescale inverter on MIS-tracts, containing two MIS transistors with p-type fluxed channels, while one MOS transistor is a controller and the other includes a control MOS transistor in the drain circuit and performs the role; load resistor. The substrate of the load MDP-grass resistor is connected to a common bus ft D. The closest to the present invention is an inverter containing control and load MOS transistors, and a TaitKe circuit that mixes the substrate on a capacitor and two C2 diodes. A disadvantage of the known devices is Poor performance. Invention - increased fast action of the inverter. The goal is achieved by the fact that an inverter, a capacitor and a diode connected between the common bus and the first capacitor plate, is additionally inserted into the inverter containing the input and output buses, the power bus, a capacitor, and a diode connected to the common capacitor plate. connected to a common bus, collector - to the input bus. And the base to the diode anode and the first capacitor plate, the second plate of which is connected to the input shmnoy ... According to the second variant, the substrate of the control transistor is connected to the diode anode and to the first capacitor plate, the second cover of which is connected to the input busbar. FIG. I presents the electrical of the proposed device, made in accordance with the first embodiment; in fig. 2 shows the electrical circuit of the device according to the second embodiment (FIG. 1). The inverter (Fig. I) contains. load I and control 2 MAP transistors, capacitor 3, diode 4, input 5 and output 6 bus, power supply bus 7, common bus 8 and bipolar transistor 9 The device (Fig. 2) contains a load 1 and a control 2 MIS transistors, a capacitor 3, a diode 4, an input 5 and an output 6 bus, a power bus 7 and a common bus 8. In the first embodiment, the inverter works as follows. The input signal of negative polarity is simultaneously supplied to the gate of transistor 2 and through capacitor 3 to b (to the transistor 9 of the circuit. Since bipolar transistor 9 is characterized by a higher response speed than MOS transistor 2, the first transistor 9 is open and is in the open state only during the action of the leading edge of the control signal. Then transistor 2 is turned off, and transistor 9 is closed. Thus, the simultaneous supply of the input signal to the gate of the MOS transistor 2 and to the base of the bipolar transistor Ora 9 leads to a decrease in the inverter switching times and, consequently, to an increase in its speed, the device according to the second embodiment operates as follows: The input signal of negative polarity is applied simultaneously to the gate of the control transistor 2 and to its substrate, while the signal is supplied to the substrate, a differentiated circuit formed by a capacitor 3 and a p-and-junction resistance of the source-substrate of the transistor 2. When the control signal is applied to the substrate of the 2-p-transistor, the source-substrate is mixed in downstream dfki and injects into the substrate, then extracted p -.. n junction and stokpodlo claim ie occurs amplifying mechanism similar to the mechanism of the bipolar transistor. Since the input signal to the substrate is supplied through the capacitor 3, the specified amplification mechanism from the MIS transistor 2 takes place only during the action of the negative edge of the control signal and leads to a decrease in the input resistance of the transistor 2. The control in the static mode is carried out only by the gate of transistor 2 which is characterized by a large input impedance and has a low power consumption of the signal source. Thus, the simultaneous control of the MOS transistor both on the gate and on the substrate leads to a decrease in the constant time of the control circuit at the moment of switching and, consequently, to an increase in the speed of the inverter. The diode in the first and second versions of the implementation of the 1-cverter serves to reduce the time constant of the capacitor discharge circuit.

ss

liПliP

Фт.2Ft.2

Claims (2)

I. Инвертор, содержащий входную и выходную шины, шину питания, общую шину, управляющий и нагрузочный МДП- . ный между общей шиной и первой обкладкой конденсатора, отличающийс я тем, что, с целью повышения быстродействия, в него дополнительно введен биполярный транзистор, эмиттер которого подключен к общей шине, коллектор - к входной шине, а база - к аноду диода и первой обкладке конденсатора, вторая обкладка которого соединена с входной шиной.I. An inverter containing an input and output bus, a power bus, a common bus, a control and load TIR -. between the common bus and the first capacitor plate, characterized in that, in order to improve performance, a bipolar transistor is added to it, the emitter of which is connected to the common bus, the collector to the input bus, and the base to the diode anode and the first capacitor plate , the second lining of which is connected to the input bus. 2. Инвертор, содержащий входную и выходную шины, шину питания, общую шину, управляющий и нагрузочный МДПтранзисторы, конденсатор и диод, включенный между общей шиной и первой обкладкой конденсатора, от-личающ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия, в нем подложка управляющего транзистора подключена к аноду диода и к первой обкладке конденсатора, вторая обкладка которого соединена с2. An inverter containing an input and output bus, a power bus, a common bus, a control and load MIS transistors, a capacitor and a diode connected between the common bus and the first capacitor plate, which differs in that, in order to improve performance, in it, the substrate of the control transistor is connected to the anode of the diode and to the first lining of the capacitor, the second lining of which is connected to
SU813290335A 1981-05-13 1981-05-13 Versions of inverter SU1035801A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813290335A SU1035801A1 (en) 1981-05-13 1981-05-13 Versions of inverter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813290335A SU1035801A1 (en) 1981-05-13 1981-05-13 Versions of inverter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1035801A1 true SU1035801A1 (en) 1983-08-15

Family

ID=20958838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813290335A SU1035801A1 (en) 1981-05-13 1981-05-13 Versions of inverter

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1035801A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Кроуфорд Р. Схемные применени МОП ранзисторов. Мир , 197О, с. 138, рис. 5.8. 2. Пашли, Оуэн, Кокконен, Ибеп. Быстродействующие ЗУПВ с малым потреблением мощности. - Электроника, 1977, N 16,с. 36, рис. Л. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4492883A (en) Unpowered fast gate turn-off FET
US4500801A (en) Self-powered nonregenerative fast gate turn-off FET
KR850006783A (en) Switching circuit
JPS55149871A (en) Line voltage detector
GB2195506A (en) Cascode bimos driving circuit
SE8301128L (en) CONTROL CIRCUIT FOR MONOLITIC INTEGRATABLE LOADS
KR840002176A (en) Semiconductor integrated circuit device
KR890013890A (en) Gate control circuit for switching power MOS transistors
KR870009542A (en) Circuit arrangement for operating a MOSFET whose source is connected to the load
KR860007753A (en) Semiconductor current collector circuit
US3991326A (en) MISFET switching circuit for a high withstand voltage
KR890009004A (en) Bipolar-CMOS Circuit
JPS5384578A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS54148469A (en) Complementary mos inverter circuit device and its manufacture
ES8303790A1 (en) Input circuit for an integrated monolithic semiconductor memory using field effect transistors.
SU1035801A1 (en) Versions of inverter
US4103186A (en) Low power jfet switch
KR910019340A (en) Semiconductor integrated circuit
SU1193796A2 (en) Inverter
KR870002539A (en) Signal processing circuit
EP0312088A3 (en) Sensitive thyristor having improved noise-capability
SU1633486A1 (en) Field-effect-transistor switch
SU1497740A1 (en) Inverter
SU1647856A1 (en) Scmitt trigger
SU438109A1 (en) Key