SU1035801A1 - Versions of inverter - Google Patents
Versions of inverter Download PDFInfo
- Publication number
- SU1035801A1 SU1035801A1 SU813290335A SU3290335A SU1035801A1 SU 1035801 A1 SU1035801 A1 SU 1035801A1 SU 813290335 A SU813290335 A SU 813290335A SU 3290335 A SU3290335 A SU 3290335A SU 1035801 A1 SU1035801 A1 SU 1035801A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- bus
- input
- capacitor
- control
- diode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
I. Инвертор, содержащий входную и выходную щины, шину питани , общую шину, управл ющий и нагрузочный МДП- . транзисторы, конденсатор и динг , включенный между общей щиной и первой обкладкой ковденсатора, отличающийс тем, что, с цепью повьпиени быстродействи , в него дополнительно введен бипол рный транзистор, эмиттер которого подключен к общей шине, коллектор - к входной шине, а база - к аноду диода и первой обкла,аке ковденсатора, втора обкладка которого соединена с входной шиной. 2. Инвертор, содернсащи входнз/то и выходную шины, шину питани , общую щ нуг управл ющий и нагрузочный МДПтранзисторы , ковденсатор и диод, включенный менаду ойцей шиной и первой обкладкой конденсатора, от-личающ и и с тем, что, с целью повыщени быстродействи , в нем подложка, управл (О ющего транзистора подключена к аноду С диода и к первой обкла,цке ковденсатора, втора обкладка которого соединена с входной шиной.I. Inverter, containing input and output wedges, power supply bus, common bus, control and load MOS-. transistors, a capacitor, and a ding, connected between the common length and the first cover of the co-capacitor, characterized in that, with a speed chain, a bipolar transistor is added to it, the emitter of which is connected to the common bus, the collector is connected to the input bus, and the base is connected to the anode of the diode and the first shell, as well as the condenser, the second lining of which is connected to the input bus. 2. The inverter, the input and output busbar, the power bus, the common control and load MDP transistors, the capacitor and the diode switched on by the bus and the first capacitor plate, and in order to increase speed, there is a substrate, a control (O of the transistor is connected to the anode C of the diode and to the first frame, the sensor, the second lining of which is connected to the input bus.
Description
оо СПoo sp
00 Изобретение относ тс k импульсной технике может быть использовано при соэдании быстродействующих цифровых устройств различного назначени . Известш инвертор на МДП-траиакстоpax , содержащий два МДП-транзистора с итздушфованными каналами р-типа про водимость при этом один МДП-транзистор вл етс управл юпдам, а другой включает в цепь стока управл сющего МДП-транэистора и выполн ет роль; нагрузочного рези тора. Подложка нагрузочного МДП-трав-г зистора соединена с общей шиной ft Д. Наиболее близким к предлагаемому вл етс инвертор, содержащий упрйвл ющий и нагрузочный МДП-транзисторы, а TaitKe цепь смешени подложки на конденсаторе и двух диодах С2 J. Недостатком известных устройств вл етс низкое быстродействие.. Деоть изобретени - повышение быстро действи инвертора. Поставленна цель достигаетс тем, что в инвертор, содержащий входную и выходную шины, шину питани , ойдую ofiiy, управл ющий и нагрузочный МДПтранзисторы , конденсатор и диод, включен ный между общей шиной и первой обкладкой конденсатора, .дополнительно введен бипол рный транзистор, эмиттер которого подключен к общей шине, коллектор - к входной шине, .а база к аноду диода и .первой обкладке конденсатора, втора обкладка которого соединена с входной шмной.. . Согласно второму варианту подложка управл ющего транзистора подключена к аноду диода и к первой обкладке конденса тора, втора обкла цка которого соединена с, входной шиной. На фиг. I представлена электрическа предлагаемого устройства, вьтолненного согласно первому варианту; на фиг. 2 электрическа схема устройства выполненного согласно второму варианту (фиг. 1). Инвертор (фиг. I) содержит . нагрузочный I и управл ющий 2 МАП-транзисторы , конденсатор 3, диод 4, входную 5 и выходную 6 шины, шину 7 питани , общую шину 8 и бипол рный транзистор 9 Устройство (фиг. 2).содержит нагрузо ный 1 и управл ющий 2 МДП-транзисторы , конденсатор 3, диод 4, входную 5 и выходную 6 шины, шину 7 питани и общую шину 8. Инвертор по первому варианту работает следующим образом. Входной сигнал отрицательной пол ркости поступает одновременно на затвор транзистора 2 и через конденсатор 3 на б(азу транзистора 9. Поскольку бипол рный транзистор 9 характеризуетс более высоким быстродействием, чем МДП- транзистор 2, то первым открьгоаетс транзистор 9 и находитс в.открытом состо шш только во врем действи переднего фронта управл ющего .сигнала. Затем открьгваетс транзистор 2, а транзистор 9 закрываетс . Таким образом, одновременна подача входного сигнала на затвор МДП-транзистора 2 и на базу бипол рного транзистора 9 приводит к уменьшению времен включени инвертора и, следовательно, к повышению его быстродействи , Устройство по Второму варианту работает следующим образом. Входной сигнал отрицательной пол рности поступает одновременно на затвор управл ющего транзистора 2 и на его подложку, при этом на подложку подаетс сигнал, дифференцированный цепью, образованной конденсатором 3 и сопротивлением р - и -перехода исток-подложка транзистора 2. При подаче управл ющего сигнала на подложку транзистора 2 р -п -переход, исток-подложка смешаетс в пр мом направлении и инжектирует дьфки в подложку, затем экстрагируютс р - п -переходом и стокподло иска, т. е. имеет место механизм усилени , аналогичный механизму бипол рного транзистора. Поскольку входной сигнал на подложку подаетс через конденсатор 3, то указанный механизм усилени с МДП-транзистора 2 имеет место только во врем действи отрицательного фронта управл ющего сигнала и приводит к уменьшению входного сопротивлени транзистора 2. Управление в статическом режиме осуществл етс лишь по затвору транзистора 2, который характеризуетс большим входным сопротивлением и имеет малое потребление мощности источника сигнала. Таким образом, обдновременное управлвше МДП-транзистором как по затвору , так и по подложке приводит к умень-j шению посто нной времени цепи управлени в момент переключени и, следовательно , к повыщению быстродействи инвертора . Диод в первом и втором вариантах вьшолнени 1швертора служит дл уменьшени посто нной времени цепи разр да конденсатора.00 The invention relates to the k-pulse technique can be used when creating high-speed digital devices for various purposes. A limescale inverter on MIS-tracts, containing two MIS transistors with p-type fluxed channels, while one MOS transistor is a controller and the other includes a control MOS transistor in the drain circuit and performs the role; load resistor. The substrate of the load MDP-grass resistor is connected to a common bus ft D. The closest to the present invention is an inverter containing control and load MOS transistors, and a TaitKe circuit that mixes the substrate on a capacitor and two C2 diodes. A disadvantage of the known devices is Poor performance. Invention - increased fast action of the inverter. The goal is achieved by the fact that an inverter, a capacitor and a diode connected between the common bus and the first capacitor plate, is additionally inserted into the inverter containing the input and output buses, the power bus, a capacitor, and a diode connected to the common capacitor plate. connected to a common bus, collector - to the input bus. And the base to the diode anode and the first capacitor plate, the second plate of which is connected to the input shmnoy ... According to the second variant, the substrate of the control transistor is connected to the diode anode and to the first capacitor plate, the second cover of which is connected to the input busbar. FIG. I presents the electrical of the proposed device, made in accordance with the first embodiment; in fig. 2 shows the electrical circuit of the device according to the second embodiment (FIG. 1). The inverter (Fig. I) contains. load I and control 2 MAP transistors, capacitor 3, diode 4, input 5 and output 6 bus, power supply bus 7, common bus 8 and bipolar transistor 9 The device (Fig. 2) contains a load 1 and a control 2 MIS transistors, a capacitor 3, a diode 4, an input 5 and an output 6 bus, a power bus 7 and a common bus 8. In the first embodiment, the inverter works as follows. The input signal of negative polarity is simultaneously supplied to the gate of transistor 2 and through capacitor 3 to b (to the transistor 9 of the circuit. Since bipolar transistor 9 is characterized by a higher response speed than MOS transistor 2, the first transistor 9 is open and is in the open state only during the action of the leading edge of the control signal. Then transistor 2 is turned off, and transistor 9 is closed. Thus, the simultaneous supply of the input signal to the gate of the MOS transistor 2 and to the base of the bipolar transistor Ora 9 leads to a decrease in the inverter switching times and, consequently, to an increase in its speed, the device according to the second embodiment operates as follows: The input signal of negative polarity is applied simultaneously to the gate of the control transistor 2 and to its substrate, while the signal is supplied to the substrate, a differentiated circuit formed by a capacitor 3 and a p-and-junction resistance of the source-substrate of the transistor 2. When the control signal is applied to the substrate of the 2-p-transistor, the source-substrate is mixed in downstream dfki and injects into the substrate, then extracted p -.. n junction and stokpodlo claim ie occurs amplifying mechanism similar to the mechanism of the bipolar transistor. Since the input signal to the substrate is supplied through the capacitor 3, the specified amplification mechanism from the MIS transistor 2 takes place only during the action of the negative edge of the control signal and leads to a decrease in the input resistance of the transistor 2. The control in the static mode is carried out only by the gate of transistor 2 which is characterized by a large input impedance and has a low power consumption of the signal source. Thus, the simultaneous control of the MOS transistor both on the gate and on the substrate leads to a decrease in the constant time of the control circuit at the moment of switching and, consequently, to an increase in the speed of the inverter. The diode in the first and second versions of the implementation of the 1-cverter serves to reduce the time constant of the capacitor discharge circuit.
ss
liПliP
Фт.2Ft.2
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813290335A SU1035801A1 (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Versions of inverter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813290335A SU1035801A1 (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Versions of inverter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1035801A1 true SU1035801A1 (en) | 1983-08-15 |
Family
ID=20958838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU813290335A SU1035801A1 (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Versions of inverter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1035801A1 (en) |
-
1981
- 1981-05-13 SU SU813290335A patent/SU1035801A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Кроуфорд Р. Схемные применени МОП ранзисторов. Мир , 197О, с. 138, рис. 5.8. 2. Пашли, Оуэн, Кокконен, Ибеп. Быстродействующие ЗУПВ с малым потреблением мощности. - Электроника, 1977, N 16,с. 36, рис. Л. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4492883A (en) | Unpowered fast gate turn-off FET | |
US4500801A (en) | Self-powered nonregenerative fast gate turn-off FET | |
KR850006783A (en) | Switching circuit | |
JPS55149871A (en) | Line voltage detector | |
GB2195506A (en) | Cascode bimos driving circuit | |
SE8301128L (en) | CONTROL CIRCUIT FOR MONOLITIC INTEGRATABLE LOADS | |
KR840002176A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
KR890013890A (en) | Gate control circuit for switching power MOS transistors | |
KR870009542A (en) | Circuit arrangement for operating a MOSFET whose source is connected to the load | |
KR860007753A (en) | Semiconductor current collector circuit | |
US3991326A (en) | MISFET switching circuit for a high withstand voltage | |
KR890009004A (en) | Bipolar-CMOS Circuit | |
JPS5384578A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPS54148469A (en) | Complementary mos inverter circuit device and its manufacture | |
ES8303790A1 (en) | Input circuit for an integrated monolithic semiconductor memory using field effect transistors. | |
SU1035801A1 (en) | Versions of inverter | |
US4103186A (en) | Low power jfet switch | |
KR910019340A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
SU1193796A2 (en) | Inverter | |
KR870002539A (en) | Signal processing circuit | |
EP0312088A3 (en) | Sensitive thyristor having improved noise-capability | |
SU1633486A1 (en) | Field-effect-transistor switch | |
SU1497740A1 (en) | Inverter | |
SU1647856A1 (en) | Scmitt trigger | |
SU438109A1 (en) | Key |