SU1647856A1 - Scmitt trigger - Google Patents

Scmitt trigger Download PDF

Info

Publication number
SU1647856A1
SU1647856A1 SU884488758A SU4488758A SU1647856A1 SU 1647856 A1 SU1647856 A1 SU 1647856A1 SU 884488758 A SU884488758 A SU 884488758A SU 4488758 A SU4488758 A SU 4488758A SU 1647856 A1 SU1647856 A1 SU 1647856A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
channel
drain
output
bipolar
Prior art date
Application number
SU884488758A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Альберт Рашидович Галяутдинов
Александр Георгиевич Гарицын
Игорь Николаевич Клопов
Владимир Николаевич Назаренко
Татьяна Васильевна Свинцицкая
Original Assignee
Организация П/Я А-3106
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я А-3106 filed Critical Организация П/Я А-3106
Priority to SU884488758A priority Critical patent/SU1647856A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1647856A1 publication Critical patent/SU1647856A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к микроэлектронике и может быть использовано во входных каскадах больших и сверхбольших интегральных схем. Цель изобретени  - уменьшение потребл емой мощности - достигаетс  путем уменьшени  энергии переключени  триггера Шмитта. Введение выключающего транзистора 3, усилительного транзистора 11, рассасывающих транзисторов 4 и 7, входного транзистора 2, транзистора б обратной св зи, транзисторов 5,10 и 13, источника 14 тока обеспечивает форсированное включение и выключение выходных транзисторов 9 и 15. 1 ил.The invention relates to microelectronics and can be used in the input stages of large and extra large integrated circuits. The purpose of the invention, the reduction of power consumption, is achieved by reducing the switching energy of a Schmitt trigger. The introduction of the switching-off transistor 3, the amplifying transistor 11, resorption transistors 4 and 7, the input transistor 2, the feedback transistor b, the transistors 5,10 and 13, the current source 14 provides for the forced on and off of the output transistors 9 and 15. 1 Il.

Description

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ,,.,SU„„ 1647856 А1 «1)5 Н 03 К 3/295UNION OF THE SOVIET SOCIALIST REPUBLICS ,,., SU „„ 1647856 A1 «1) 5 Н 03 К 3/295

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТSTATE COMMITTEE

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМBY INVENTIONS AND DISCOVERIES

ПРИ ГКНТ СССР ,AT SCST USSR,

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯDESCRIPTION OF THE INVENTION

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4488758/21 (22) 03.10.88 (46)07.05.91. Бюл. № 17 (72) А. Р. Галяутдинов, А.Г.Гарицын, И.Н.Клопов, В.Н.Назаренко и Т.В.Свинцицкая (53)621.374(088.8) (56) Зельдин Е.А. Цифровые интегральные микросхемы в информационно-измерительной аппаратуре, - Л.: Энергоатомиздат, 1986, с. 196, рис. 10-29.TO AUTHOR CERTIFICATE (21) 4488758/21 (22) 03.10.88 (46) 07.05.91. Bull. No. 17 (72) A.R. Galyautdinov, A.G. Garitsyn, I.N. Klopov, V.N. Nazarenko and T.V. Svintsitskaya (53) 621.374 (088.8) (56) Zeldin E.A. Digital integrated circuits in information-measuring equipment, - L .: Energoatomizdat, 1986, p. 196, fig. 10-29.

(54) ТРИГГЕР ШМИТТА (57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано во входных . каскадах больших и сверхбольших интегральных схем. Цель изобретения - уменьшение потребляемой мощности - достигается путем уменьшения энергии переключения триггера Шмитта. Введение выключающего транзистора 3, усилительного транзистора 11, рассасывающих транзисторов 4 и 7, входного транзистора 2, транзистора 6 обратной связи, транзисторов 5,10 и 13, источника 14 тока обеспечивает форсированное включение и выключение выходных транзисторов 9 и 15. 1 ил.(54) Schmitt Trigger (57) The invention relates to microelectronics and can be used in input. cascades of large and super-large integrated circuits. The purpose of the invention is the reduction of power consumption is achieved by reducing the switching energy of the Schmitt trigger. The introduction of the turning-off transistor 3, the amplifying transistor 11, the resolving transistors 4 and 7, the input transistor 2, the feedback transistor 6, the transistors 5,10 and 13, the current source 14 provides for the forced switching on and off of the output transistors 9 and 15. 1 ill.

(L

1647856 А11647856 A1

Триггер Шмитта работает следующим образом.Schmitt trigger works as follows.

На вход ) схемы подан уровень логического О, транзистор 5 открыт и ток источ5 ника 14 тока по шине 18 втекает в базу транзистора 9, на выходе 16 присутствует уровень логической ”1.Logic level O is applied to the input of the circuit, transistor 5 is open, and the current of current source 14 flows through bus 18 to the base of transistor 9, and logic 16 is present at output 16 ”1.

При повышении входного уровня через открытый транзистор 2 поступает ток, кото10 рый усиливается транзистором 11 и втекает в базу транзистора 15. одновременно открываетсятранзистор 4 и ток в базу транзистора 9 убывает. В результате напряжение на базе транзистора 9 и на выходе 16 схемы 15 уменьшается, транзистор 6 открывается и ток источника 14 тока поступает в базу транзистора 11, при дальнейшем снижении выходного сигнала транзистор 2 закрывается. По достижении напряжением на выходе 16 20 уровня логического 0 включается диод 12 и лишний ток источника 14 тока поступает в коллектор транзистора 15. Диод 8 поддер-, живает на базе транзистора 9 напряжение, необходимое для его закрытия. Ток потреб25 ления в этом случае близок току источника 14. Включение транзистора 15 происходит током из внешней цепи через транзистор 2, следовательно, ток источника 14 необходим лишь для поддержания высокого или низко30 го выходного уровня и поэтому может быть достаточно мал.As the input level rises, a current flows through an open transistor 2, which is amplified by transistor 11 and flows into the base of transistor 15. At the same time, transistor 4 opens and the current decreases to the base of transistor 9. As a result, the voltage at the base of the transistor 9 and at the output 16 of the circuit 15 decreases, the transistor 6 opens and the current of the current source 14 enters the base of the transistor 11, with a further decrease in the output signal, the transistor 2 closes. When the voltage at the output 16 20 reaches the logical 0 level, the diode 12 is turned on and the excess current of the current source 14 enters the collector of the transistor 15. The diode 8 supports the voltage required to close it based on the transistor 9. The consumption current in this case is close to the current of the source 14. The transistor 15 is turned on by the current from the external circuit through the transistor 2, therefore, the current of the source 14 is necessary only to maintain a high or low 30 output level and therefore can be quite small.

При снижении напряжения на входе 1 до уровня Цбэ закрывается транзистор 11 и открывается транзистор 3 и ток транзистора 35 10 поступает в базу транзистора 9, напряжение на нем возрастает и транзистор 7 открывается, шунтируя базу транзистора 15 на общую шину 17. Напряжение на выходе 16 повышается до уровня логической ”1 и 40 транзистор 6 закрывается, а транзистор 2 открывается, шунтируя базу транзистора 3. При этом транзистор 13, заряжая емкость, выключает транзистор 10. Потребление тока в состоянии логической ”1 на выходе 45 определяется токами утечек транзисторных структур, а следовательно, близко к нулю.When the voltage at input 1 decreases to the level of CBe, transistor 11 closes and transistor 3 opens and the current of transistor 35 10 enters the base of transistor 9, the voltage across it increases and transistor 7 opens, bypassing the base of transistor 15 to a common bus 17. The voltage at output 16 rises to the logic level “1 and 40, transistor 6 closes, and transistor 2 opens, shunting the base of transistor 3. In this case, transistor 13, charging the capacitance, turns off transistor 10. Current consumption in the logical state” 1 at output 45 is determined by leakage currents tr nzistornyh structures, and therefore close to zero.

Claims (1)

Формула изобретенияClaim Триггер Шмитта, содержащий первый 50 выходной биполярный транзистор, коллектор которого подключен к шине питания, эмиттер - к выходу схемы и коллектору второго биполярного выходного транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине, 55 отличающийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности путем уменьшения его энергии переключения, в него введен усилительный биполярный транзистор, коллектор которого подключен к шине питания, база соединена с базойSchmitt trigger, containing the first 50 output bipolar transistor, the collector of which is connected to the power bus, the emitter to the output of the circuit and the collector of the second bipolar output transistor, the emitter of which is connected to the common bus, 55 characterized in that, in order to reduce power consumption by reducing it switching energy, an amplifying bipolar transistor is introduced into it, the collector of which is connected to the power bus, the base is connected to the base Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано во входных каскадах больших и сверхбольших интегральных схемах.The invention relates to microelectronics and can be used in input stages of large and ultra-large integrated circuits. Целью изобретения является уменьше- 5 ние потребляемой мощности путем уменьшения энергии переключения триггера Шмитта.The aim of the invention is to reduce power consumption by reducing the switching energy of a Schmitt trigger. На чертеже представлена принципиальная электрическая схема триггера Шмитта. 10 Вход 1 триггера Шмитта соединен со стоком входного η-канального транзистора 2, эмиттером выключающего биполярного транзистора 3, затворами второго п-канального рассасывающего 4 и первого р-каналь- 15 ного 5 транзисторов. Затвор входного η-канального транзистора 2 соединен с затвором р-канального транзистора 6 обратной связи, затвором первого п-канального рассасывающего транзистора 7, стоком 20 первого р-канального транзистора 5, анодом первого диода 8, базой первого выходного биполярного транзистора 9, стоком второго р-канального транзистора 10. Исток и подложка входного η-канального транзи- 25 стора 2 соединены со стоком р-канального транзистора 6 обратной связи, базой выключающего биполярного транзистора 3, базой усилительного биполярного транзистора 11, анодом Диода 12 обратной связи. 30 Коллектор выключающего биполярного транзистора 3 соединен с затвором и стоком третьего р-канального транзистора 13 и затвором второго р-канального транзистора 10. Исток и подложка р-канального тран- 35 зистора 6 обратной связи соединены с истоком первого р-канального транзистора 5 и отрицательным выводом источника 14 тока. Эмиттер усилительного биполярного транзистора 11 подключен к стоку первого 40 рассасывающего η-канального транзистора 7 и базе второго выходного биполярного транзистора 15. Катод первого диода 8 соединен со стоком второго рассасывающего транзистора 4, катод диод 12 обратной свя- 45 зи соединен с эмиттером первого выходного биполярного транзистора 9, коллектором второго выходного биполярного транзистора 15 и выходом 16 триггера. Истоки и подложки первого 7 и второго 4 рассасывающих 50 η-канальных транзисторов соединены с эмиттером второго выходного биполярного транзистора 15 и общей шиной 17. Положительный вывод источника 14 тока соединен с истоками и подложками третьего 13 и 55 второго 10 р-канальных транзисторов, подложкой первого р-канального транзистора 5, коллекторами первого выходного 9 и усилительного 11 биполярных транзисторов и шиной 18 питания. __The drawing shows a circuit diagram of a Schmitt trigger. 10 The input 1 of the Schmitt trigger is connected to the drain of the input η-channel transistor 2, the emitter of the turn-off bipolar transistor 3, the gates of the second p-channel absorbable 4 and the first p-channel 15 transistors. The gate of the input η-channel transistor 2 is connected to the gate of the p-channel feedback transistor 6, the gate of the first p-channel absorbing transistor 7, the drain 20 of the first p-channel transistor 5, the anode of the first diode 8, the base of the first output bipolar transistor 9, and the drain of the second p-channel transistor 10. The source and substrate of the input η-channel transistor 25 of stor 2 are connected to the drain of the p-channel transistor 6 feedback, the base of the turning off bipolar transistor 3, the base of the amplifying bipolar transistor 11, the anode Diode 12 m feedback. 30 The collector of the turn-off bipolar transistor 3 is connected to the gate and drain of the third p-channel transistor 13 and the gate of the second p-channel transistor 10. The source and substrate of the p-channel transistor 6 feedback 6 are connected to the source of the first p-channel transistor 5 and negative the output of the current source 14. The emitter of the amplifying bipolar transistor 11 is connected to the drain of the first 40 resolving η-channel transistor 7 and the base of the second output bipolar transistor 15. The cathode of the first diode 8 is connected to the drain of the second absorbing transistor 4, the cathode of the feedback diode 12 is connected to the emitter of the first output bipolar transistor 9, the collector of the second output bipolar transistor 15 and the output 16 of the trigger. The sources and substrates of the first 7 and second 4 absorbable 50 η-channel transistors are connected to the emitter of the second output bipolar transistor 15 and the common bus 17. The positive output of the current source 14 is connected to the sources and substrates of the third 13 and 55 of the second 10 p-channel transistors, the substrate of the first p-channel transistor 5, the collectors of the first output 9 and amplifying 11 bipolar transistors and bus 18 power. __ 1647856 6 выключающего биполярного транзистора, истоком входного п-канального транзистора, стоком р-канального транзистора обратной связи и анодом диода обратной связи, а эммитер подключен к базе второго биполярного выходноготранзистора и стоку первого п-канального рассасывающего транзистора, катод диода обратной связи соединен с выходом схемы, затвор первого рассасывающего п-канального транзистора - с базой первого выходного биполярного транзистора, анодом первого диода, стоком переого р-канального транзистора, стоком второго р-канального транзистора, затворами р-канального транзистора обратной баязи и входного η-канального транзистора, подложка и сток первого рассасывающего п-канального транзистора соединена с общей шиной, катод первого диода подключен к стоку второго η-канального рассасываю щего транзистора, исток и подложка которого соединены с общей шиной, а затвор - с затвором первого р-канального транзистора, эмиттером выключающего биполярного транзистора, стоком входного п-канального транзистора и входом триггера Шмитта, исток первого р-канального транзистора подключен к истоку и подложке р-канального . транзистора обратной связи и отрицательному выводу источника тока, положительный вывод которого соединен с шиной питания, коллектор. выключающего биполярного транзистора соединен с затвором второго р-канального транзистора и затвором и стоком третьего р-канального транзистора, истоки и подложки второго и третьего р-канальных транзисторов соединены с шиной питания, подложка входного п-канального транзистора соединена с базой выключающего транзистора.1647856 6 switching bipolar transistor, the source of the input p-channel transistor, the drain of the p-channel feedback transistor and the anode of the feedback diode, and the emitter is connected to the base of the second bipolar output transistor and the drain of the first p-channel absorbing transistor, the cathode of the feedback diode is connected to the output circuit, the gate of the first absorbable p-channel transistor - with the base of the first output bipolar transistor, the anode of the first diode, the drain of the second p-channel transistor, the drain of the second p-channel of the first transistor, the gates of the p-channel transistor of the inverse bayazi and the input η-channel transistor, the substrate and drain of the first absorbing p-channel transistor is connected to a common bus, the cathode of the first diode is connected to the drain of the second η-channel absorbing transistor, the source and substrate of which are connected with a common bus, and the gate with the gate of the first p-channel transistor, the emitter of the turning-off bipolar transistor, the drain of the input p-channel transistor and the input of the Schmitt trigger, the source of the first p-channel transistor connected to the source and the substrate p-channel. a feedback transistor and a negative terminal of a current source, the positive terminal of which is connected to the power bus, a collector. The turn-off bipolar transistor is connected to the gate of the second p-channel transistor and the gate and drain of the third p-channel transistor, the sources and substrates of the second and third p-channel transistors are connected to the power bus, the substrate of the input p-channel transistor is connected to the base of the turn-off transistor.
SU884488758A 1988-10-03 1988-10-03 Scmitt trigger SU1647856A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884488758A SU1647856A1 (en) 1988-10-03 1988-10-03 Scmitt trigger

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884488758A SU1647856A1 (en) 1988-10-03 1988-10-03 Scmitt trigger

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1647856A1 true SU1647856A1 (en) 1991-05-07

Family

ID=21401915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884488758A SU1647856A1 (en) 1988-10-03 1988-10-03 Scmitt trigger

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1647856A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Зельдин Е.А. Цифровые интегральные микросхемы в информационно-измерительной аппаратуре, - Л.: Энергоатомиздат, 1986, с. 196, рис. 10-29. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9917587B2 (en) Fast voltage level shifter circuit
US20140293664A1 (en) High-voltage heavy-current drive circuit applied in power factor corrector
US4500801A (en) Self-powered nonregenerative fast gate turn-off FET
KR930007794B1 (en) Circuit arrangement operable for mos fet connected to source
KR860009515A (en) Overcurrent Protection Circuit of Conductive Modulation MOSFET
GB2195506A (en) Cascode bimos driving circuit
KR890013890A (en) Gate control circuit for switching power MOS transistors
US4806798A (en) Output circuit having a broad dynamic range
ES8303790A1 (en) Input circuit for an integrated monolithic semiconductor memory using field effect transistors.
SU1647856A1 (en) Scmitt trigger
US6169431B1 (en) Drive circuit for a controllable semiconductor component
CN111030662B (en) IGBT grid driving circuit
SU1633486A1 (en) Field-effect-transistor switch
CN219779991U (en) Charging and discharging circuit of sky curtain glass and electric equipment
SU1497740A1 (en) Inverter
JP2002217653A5 (en)
JPS5545259A (en) Transistor output circuit
KR960001792B1 (en) Output circuit capable of outing level shifted output signal
SU1035801A1 (en) Versions of inverter
JPH0326667Y2 (en)
RU1815626C (en) Pulsed voltage regulator
SU1370732A1 (en) Rs-flip-flop
SU1522360A1 (en) Device for controlling thyristor power gate
SU1458970A1 (en) Transistor gate
SU1552156A1 (en) Stable voltage source