SU1035015A1 - Шихта дл изготовлени керамического материала - Google Patents

Шихта дл изготовлени керамического материала Download PDF

Info

Publication number
SU1035015A1
SU1035015A1 SU823390587A SU3390587A SU1035015A1 SU 1035015 A1 SU1035015 A1 SU 1035015A1 SU 823390587 A SU823390587 A SU 823390587A SU 3390587 A SU3390587 A SU 3390587A SU 1035015 A1 SU1035015 A1 SU 1035015A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
reduce
size
barium titanate
ceramic material
manganese
Prior art date
Application number
SU823390587A
Other languages
English (en)
Inventor
Маргарита Петровна Дорохова
Вячеслав Иллиодорович Жуковский
Людмила Евгеньевна Ревина
Алла Мордковна Сорокина
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4816
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4816 filed Critical Предприятие П/Я Г-4816
Priority to SU823390587A priority Critical patent/SU1035015A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1035015A1 publication Critical patent/SU1035015A1/ru

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА преимущественно дл  многослойных конденсаторов, со- держаща  титанат бари , -станнат кальци , марганец углекислый и глину огнеупорную, о тли чающа с  тем, что, с целью повышени  диэлектрической проницаемости, уменьшени  размера кристаллов и расишрени  интервала температур обжига, она дополнительно содержит оксиды самари  и цинка при следующем соотношении . компонентов, мас.%: Титанат бари  87,5-89,9 Станнат кальци  9,0-11,0 Марганец углекисльй 0,05-0,15 Глина огнеупорна  Q,45-0,55 Оксид самари  0,45-0,55 Оксид цинка0,15-0,25

Description

О
с ел Изобретение относитс  к электрон ной технике и может быть использова но в производстве керамических конденсаторов . Основным направлением развити  конденсаторостроени   вл етс  повышение- удельной емкости, что обеспеч ваетс  уменьшением толщины диэлектрик и повышением диэлектрической проницаемости используемых материалов. Ввиду того, что достигнутый уровень технологии позвол ет получать пленк лишь толщиной менее 20 мкм, к испол зуемым материалам предъ вл ютс  бол жесткие требовани  в отношении их структуры, котора  должна быть мелк кристаллической . Дл .материалов, используемых в конденсаторах группы Н-90 нар ду с указанными требовани ми, весьма существенное значение имеют температу на  и временна  стабильность диэлек рической проницаемости б/бо В СССР дл  монолитных керамическ низкочастотных конденсаторов по гр.Н-90 преимущественно используют сегнетокерамический материал Т-8000 на основе титаната бари  fl. Этот материал имеет величину до -12000, однако в конденсаторах ве личина g/fg снижаетс  до 6000-9000. Кроме того, наблюдаетс  уменьшение емкости со временем, имеет местч сильна  зависимость положени  точки Кюри от температуры обжига. К недостаткам материала Т-8000 следует также отнести и то, что в его состав входит оксид висмута, который требует использовать в составе электрода дорогой металл-платину Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  шихта дл  изготовлени  кера мического материала, содержаща  следующие компоненты, мае.%: 87,75-88,9 Титанат бари  10,15-11,3 Станнат кальци  0,05-0,15 Углекислый марганец 0,2-0,4 Глина 0,4-0,6 Оксид ниоби  Этот материал имеет высокую /(, (до 13500), низкие диэлектрические потери ( О, 004) и находит применение в пластинчатых и секционных конденсаторах К10-7В, КЛС 2. Однако крупнокристаллическа  структура керамики (основной размер кристаллов 8-16 мкм) весьма затрудн ет возможность использовани  его в качестве диэлектрика в тонкопленочных монолитных конденсаторах с высокой удельной емкостью. У материала-прототипа также наблюдаетс  резка  зависимость диэлектрической, проницаемости от температур обжига изделий, причем высока  (пор дка 13000) достигаетс  только при температурах обжига . Целью изобретени   вл етс  повышение диэлектрической проницаемости, уменьшение размера кристаллов и расширение интервала температур обжига. Указанна  цель достигаетс  тем, что шихта дл  изготовлени  керамического материала, преимущественно дл  многослойных конденсаторов, содержаща  титанат бари , станнат кальци , марганец углекислый и глину огнеупорную, дополнительно содержит оксиды самари  и цинка при следующем соотношении компонентов , мае.%: Титанат бари 87,5-89,9 Станнат кальци  9,0-11,0 Марганец углекислЕлй 0,05-0,15 Глина огнеупорна  . 0,45-0,55 Оксид самари 0,45-0,55 Оксид цинка0,15-0,25 Керамические образцы получают следующим образом. Приготовл ют шихту, согласно указанному соотношению компонентов, и измельчают до удельной поверхности 8000 . В получен-ные массы ввод т св зку и формуют образцы либо прессованием дисков, либо отливкой через фильеру пленки, на которую нанос т электроды. Затем образцы обжигают при 12801380 С в течение двух часов и получают- дисковые или монолитные заготовки конденсаторов из предлагаемого сегнетокерамического материала. Реальность и оптимальность предлагаемого соотношени  ингредиентов подтверждаетс  следующими примерами по их минимальна«1у, максимальному и среднему значени м, мас.%: Пример 1. BaTiO,,5 11,0 CaSnOo, 0,15 0,55 0 ,55 ZnO 0,25 Характеристики материала в этом случае следующие: (20С) 11000-14000; точки Кюри 0к-0± 5С; удельное объемное сопротивление ру-20 С 10 -10 Ом/см. 2. Пример BaTi О-. CaShOj9,0 Мп Глина0,45 ,45 ZnO0,15 Характеристики материаласледующие : /ёо(20°С) 13000 15000; f V 20С 10 -10 Ом/см. Пример 3. ВаТтОз2 CaSnOi,iO/0 МиСОз0,1 ГлинаО,5
2nO0,2
Sm,O,0,5
Характеристики материала следующие Sfeo() 10500-12500;в. 10+5С; pv20°C Ч0,-102ом/см.
Во всех приведенньзх примерах даны характеристики, получаемые дл  интервала температур обжига 12801380 С и частоте f I кГц.
Размер кристаллов предлагаемого материала 4-8 мкм, что позвол ет . получать из него пленки мкм.
Как видно из приведенных данных, предлагаемый материал имеет равнс 1ерную мелкокристаллическую структуру, позвол ющую использовать его в тон копленочной технолог 1и дл  конденсаторов прогрессивной монолитной конструкции , стабильное в широком интевале обжига положение точки Кюри, обеспечивающее стабильное высокое значение диэлектрической проницаемости , которое на 10-11% выше, чем у материала-прототипа, и высокое удельное сопротивление.
Более высокие электрические характеристики позвол ют получать конденсаторы с большей удельной емкостью и стабильными свойствами.

Claims (1)

  1. ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА преимущественно для многослойных конденсаторов, содержащая титанат бария, -станнат кальция, марганец углекислый и глину огнеупорную, о тли чающаяся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, уменьшения размера кристаллов и расширения интервала температур обжига, она дополнительно содержит оксиды самария и цинка при следующем соотношении . компонентов, мас.%:
    Титанат бария 87,5-89,9 Станнат кальция 9,0-11,0 Марганец углекислый 0,05-0,15 Глина огнеупорная 9,45-0,55 Оксид самария 0,45-0,55 а Оксид цинка 0,15-0,25 С
SU823390587A 1982-02-11 1982-02-11 Шихта дл изготовлени керамического материала SU1035015A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823390587A SU1035015A1 (ru) 1982-02-11 1982-02-11 Шихта дл изготовлени керамического материала

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823390587A SU1035015A1 (ru) 1982-02-11 1982-02-11 Шихта дл изготовлени керамического материала

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1035015A1 true SU1035015A1 (ru) 1983-08-15

Family

ID=20995431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823390587A SU1035015A1 (ru) 1982-02-11 1982-02-11 Шихта дл изготовлени керамического материала

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1035015A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Андреева Н.А., Дорохова М.П. и др. Новые сегнетокерамические материалы дл кбнденсаторов. - Вопросы радиоэлектроники , сер.З, вып.5, 1962, с. 21-26, 2. Авторское свидетельство СССР 654580, кл. С 04 В 35/00, 1977 (прототип). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4898844A (en) Process for manufacturing a ceramic body having multiple barium-titanate phases
SU1035015A1 (ru) Шихта дл изготовлени керамического материала
US4308571A (en) Low temperature-sinterable dielectric composition and thick film capacitor using the same
JPS6128619B2 (ru)
JPS6128621B2 (ru)
SU948973A1 (ru) Шихта дл сегнетоэлектрического керамического материала
JPS6128620B2 (ru)
JP2676778B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPH0571538B2 (ru)
JP3120191B2 (ja) 高周波用誘電体磁器組成物
JPS6217805B2 (ru)
JP3243890B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPS6134206B2 (ru)
SU1546449A1 (ru) Сегнетоэлектрический керамический материал
JPH027166B2 (ru)
JPS6216482B2 (ru)
JPS5849661A (ja) 高誘電率磁器組成物
JPH05213666A (ja) 誘電体磁器組成物およびその製造方法
JPS6211443B2 (ru)
JPH06139820A (ja) 誘電体磁器組成物
JPS6019606B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPH063683B2 (ja) 誘電体磁器組成物
KR19990081475A (ko) 유전체 세라믹 조성물
JPS629961B2 (ru)
JPH0757536A (ja) セラミックコンデンサ用誘電体材料