SU1027550A1 - Интегральный преобразователь давлени - Google Patents

Abstract

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ, содержащий пр моугольную полупроводниковую мембрану и тензорезисторы одного типа проводимости, раэмеценЕПле на мембране и включенные по мостовой схеме,отличающ и и с   тем, что, с целью повышени  чувствительности и уменьшени  Габаритов преобразовател , в нем тензорезисторы ориентированы вдоль длинной стороны мембраны, причем два тензорезистора, включенные в противоположные плечи моста, размещены на периферии мембраны в середине ее длинных сторон, а два других - в ,цёнтре мембраны.

Description

ю

а 2

Г тТ f

-ч|

г П ч

О1 СП

иг. f Изобретение относитс  к игмерител ной технике, в частности к интеграль ным измерительным тензопреобразовател м . Известны интегральные преобразователи давлени , изготовленные из монркристаллического кремни . Упругим элементом преобразователей  вл етс  пр моугольна  кремниева  мемб рана, на которой расположены чувстви тельные элементы- тензорезисторы Основным недостатком преобразова телей  вл етс  низкое значение чувствительности ; из-за неоптимального размещени  тензорезисторов на упругом элементе. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому  вл етс  интегральный преобразователь давлени , содержащий пр моугольную мембр ну с нанесенньши на нее тензорезистррами , включенными по мостовой схе ме, плоскость мембраны совпадает с кристаллографической плоскостью (100), а стороны ориентированы вдоль взаимно-перпендикул рных направлени семейства 11СЙ Мостова  схема теизо резисторов р-типа размси ена в цент ральной части мембраны так, что тен зорезисторы образуют квадрат со сторонами , параллельными сторонам мембраны 2 }. Недостатками известного преобразовател   вл ютс  низкое,значение чувствительности, которое объ сн ет с  неоптимальным с точки зрени  пол чени  максимально- возможной дл  данного упругого элемента.чувствительности расположением тензорезисг торов на мембране,и относительно большие геометрические- размеры преобразовател , т.е. невозможность уменьшени  этих размеров при сохранении чувствительности. Цель изобретени  - увеличение чувствительности и уменьшение геометрических размеров интегрального преобразовател  давлени . Поставленна  цель достигаетс  тем, что в преобразователе давлени  содержащем пр моугольную полупровод никовую мембрану и тензорезисторы одного типа проводимости размещённые на мембране и включенные по мостовой схеме, тензорезисторы ориентированы вдоль длинной стороны мембраны , причем два тензорезистора, включенные в противоположные плечи моста, размещены на периферии мембраны в середине ее длинных сторон, а два других - в центре мембраны. На фиг.1-3 изображены три возможных варианта размещени  тензорезисторов на пр моугольной кремниевой мембране интегрального преобразовател  давлени . Преобразователь давлени  содержит мембрану 1 пр моугольной формы, на которой расположены тензорезисторы 2. Плоскость мембраны совпадает с кристаллографической плоскостью (100), а стороны мембраны ориентированы вдоль взаимно перпендикул рных направлений семейства 110. Тензорези.сторы 2 р -типа проводимости размещены на поверхности мембраны . Два тензорезистора, включенные в противоположные плечи моста (тензорезисторы R ) f расположены в середине длинных сторон мембраны, два других (тензорезисторы р2) - в ее центре, а ориентированы все тензорезисторы 2 вдоль длинной стороны мембраны 1. . Преобразователь работает следукицим образом. Измер емое давление действует на мембрану 1, измен етс  сопротивление тензорезисторов 2 и на выходе моста измен етс  выходное напр п жение. . Таким образом, использование предлага емого преобразовател  по- . вышает его чувствительность и позвол ет нар ду с ослаблением требований к.вторичной аппаратуре снизить величину питающего преобразователь напр жени . . .Крс  е того, использование преобразовател  дает возможность уменьшить габаритные размеры преобразовател  .при сохранении чувствительности . .

Яг

I I I

ff2

Фа г. I

Фаг.З

Claims (1)

1. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ, содержащий прямоугольную полупроводниковую мембрану и тензорезисторы одного типа проводимости, размещенные на мембране и включенные по мостовой схеме ^отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и уменьшения Габаритов преобразователя, в нем тензорезисторы ориентированы вдоль длинной стороны мембраны, причем два тензорезистора, включенные в противоположные плечи моста, размещены на периферии мембраны в середине •ее длинных сторон, а два других - в ,центре мембраны.

   Фиг 1 м

   СП

   СП