SU1021246A1 - Способ определени коэффициентов отражени материалов - Google Patents
Способ определени коэффициентов отражени материалов Download PDFInfo
- Publication number
- SU1021246A1 SU1021246A1 SU792745912A SU2745912A SU1021246A1 SU 1021246 A1 SU1021246 A1 SU 1021246A1 SU 792745912 A SU792745912 A SU 792745912A SU 2745912 A SU2745912 A SU 2745912A SU 1021246 A1 SU1021246 A1 SU 1021246A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- reflection
- materials
- silicon carbide
- radiation
- polycrystalline silicon
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТОВ ОТРАЖЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ, включакщий сравнение с эталоном, отличающийс тем, что, с целью упрощени испытаний в ультрафиолетовой области спектра, измен ют отражательную способность эталона в процессе испытаний путем изменени толщины пленки из поликристаллич ского карбида кремни , нанесенной на поглощающую подложку, и угла падени излучени .
Description
t3V ISO 170
70 90
ItO
50
ю
и
о
о гзо zso т
л, им
190
Изобретение относитс к области технической физики, в частности к способам определени коэффициентов тражени различных материалов, и ожет быть использовано при контроле и аттестации оптических приборов комплектованных спектрофотометриескими камерами, в диапазоне спектра от 70 до 450 нм.
Известен способ измерени отраательной способности образцов с использованием эталона на основе окиси магни Г13.
Этот эталон применим только дл измерени диффузного отражени в спектральной области 200-2500 нм и не пригоден дл аттестации и калибовки фотометрической шкалы вакуумных спектрофотометров при измерении коэффициентов зеркального отражени .
Ближайшим к изобретению техническим решением вл етс способ опреелени коэффициентов отражени материалов , включающий сравнение с эталоном 2 J. В качестве образцов сравнени дл измерени зеркального отражени материалов в области спектра от 200 до 4000 нм обычно использовалс набор оптических матеиалов - кристаллы Са, KPC-5,Ge, бескислородные стекла и др.
Проведение измерений в вакуумной ультрафиолетовойОбласти спектра затруднено из-за отсутстви эталонов , обладающих стабильностью основных физико-химических и спектральных характеристик, небольшим рассе нным светом, высокой термической устойчивостью, химической и радиационной стойкостью, а также неселективностью коэффициента отражени при изменении длины волны излучени в широком спектральном интервале .
Цель изобретени - упрощение испытаний в ультрафиолетовой области спектра.
Поставленна цель достигаетс тем, что в способе определени коэффициентов отражени материалов, включающем сравнение с эталоном, измен ют отражательную способность эталона в процессе испытаний путем изменени толщины пленки из поликристаллического карбида кремни , нанесенной на поглощающую подложку, и угла падени излучени ,
Образец сравнени изготавливаетс из поглощающей подложки (в качестве которой может быть использован кварц, стекло К-8, ЛК-5, фтористый ; магний и др;. , на поверхность ко- , торой методом ионно-плазменного высокочастотного распылени в вакууме приразрежении не менее .ст наноситс пленка.
Пример.-Пластина из поликристаллического карбида кремни i
диаметром 60 мм и толщиной $мм приклеивалась к медному электроду и устанавливалась в вакуумную камеру. При достижении давлени рт.ст в камеру напускалс аргон до давлени в камере рт.ст. Зажигалс тлеющий разр д В, А. После этого на мишень подавалось ВЧ-напр жение( МГц мощность 1,5 кВт J.Скорость распылени мишени л 30 А/мин. Процесс осаждени стабилен и воспроизводим. Толщина пленок измер лась на лазерном эллипсометре ЛЭФ-П с углом падени 70 и А 0,63 мкм. Разогрев
5 подложек во врем напылени составл л 90°. Отжиг покрытий производилс в муфельной печи в атмосфере воздуха.
Образцы сравнени , изготовленные на основе пленки из поликристаллического карбида кремни , нанесенной на поглощающую подложку, обладают высокой термической устойчивостью (заметное испарение начинаетс только при температуре свыше 2000°С), химической и радиационной стойкостью .(при комнатной температуре не вступают во взаимодействие с концентрированными и разбавленными кислотами, их смес ми и водными растворами щелочей . Окисление поверхности происходит в атмосфере кислорода при температуре выше 1400с. По прочности отражающие поверхности образцов сравнени относ тс к нулевой группе.
Спектральные кривые, характеризующие отражательную способность образцов сравнени на основе поликристаллического карбида кремни ,
0 имеют между собой подобный характер независимо от толщины нанесенной на подложку пленки и отличаютс друг от друга, преимущественно, величиной коэффициента отражени . При
5 этом кривые изменени коэффициента отражени с изменением длины волны имеют нейтральный характер.
На чертеже приведены кривые спектров отражени образцов сравнени с
0 пленками поликристаллического.карбида кремни толщиной 200 А при углё1Х
падени излучени , 45
60
кривые 1,2,3 cooTBeTCTBeHHoJ и толщиной 1200- А при тех же уЗглагГ.падени (кривые 4,5 и 6 соответственно). Нейтральный характер спектральной зависимости коэффициентов отражени образцов от длины волны сохран етс во всем исследованном диапазоне (от 70 до 450 нм).
0 Нейтральный и подобный характер отражак цей способности односэтойных пленок поликристаллического карбида кремни дл разных толщин слоев и углов падени излучени позвол ет
5 в указанном участке спектрального
диапазона и в широком пределе значений коэффициентов отражени (540% ) повер ть, градуировать шкалу отражени спектрофотометров, осуществл ть контроль измеренных величин коэффициентов отражени . Кроме того, образцы целесообразно использовать дл аттестации и контрол приборного рассе нного света и светоделительных устройств, работаю щих в спектральных приборах, где изменение коэффициента отражени с / длиной волны при сканировании по спектру вносит ошибку переменной величины, что отрицательно сказываетс на точности измерений.
Claims (1)
- СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТОВ ОТРАЖЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ, включающий сравнение с эталоном, отличающийся тем, что, с целью упрощения испытаний в ультрафиолетовой области спектра, изменяют отражательную способность эталона в процессе испытаний путем изменения толщины пленки Из поликристаллич^ского карбида кремния, нанесенной на поглощающую подложку, и угла падения излучения./0Кривые 7,2.3(t =ZWA,ti -- 75', 45° 60')Tipufae 4.5.6(f - 7200 A, Л = 75\ 45°, 60°) _ „ ^'/гоо^.о.-бо') —----------------------·,5*) ~50~ 70 ' 90 110 ' 130 ' 750 ' 170 ' 190 210 ' 230 ' 250 ' 270 290 ‘ Н*SU ,..1021246
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792745912A SU1021246A1 (ru) | 1979-03-28 | 1979-03-28 | Способ определени коэффициентов отражени материалов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792745912A SU1021246A1 (ru) | 1979-03-28 | 1979-03-28 | Способ определени коэффициентов отражени материалов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1021246A1 true SU1021246A1 (ru) | 1983-12-23 |
Family
ID=20819164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792745912A SU1021246A1 (ru) | 1979-03-28 | 1979-03-28 | Способ определени коэффициентов отражени материалов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1021246A1 (ru) |
-
1979
- 1979-03-28 SU SU792745912A patent/SU1021246A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Патент FR В 1563018, кл. G 01 N, опубл. 1969. 2. Ищенко Е.Ф. и др. Оптические квантовые генераторы. М., Советское садио , 1968, с. 299-302 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Archer et al. | Measurement of oxygen adsorption on silicon by ellipsometry | |
EP1590306B1 (en) | Method of producing transparent titanium oxide coatings having a rutile structure | |
Misiano et al. | 4.4 Co-sputtered optical films | |
CN112014358B (zh) | 一种双程表面等离子共振的光学薄膜气体传感器及其制法 | |
SU1021246A1 (ru) | Способ определени коэффициентов отражени материалов | |
CN113281266A (zh) | 膜层物质的光谱联用分析方法及其应用 | |
CN110261948B (zh) | 一种一氧化氮气体检测用红外滤光片及其制备方法 | |
Kijima et al. | Effect of the pressure of sputtering atmosphere on the physical properties of amorphous aluminum oxide films | |
Preston | The selenium rectifier photocell: Manufacture, properties, and use in photometry | |
JPH059728A (ja) | 薄膜形成方法 | |
Hacker et al. | Rf-sputtered SiO2 films for optical applications | |
Hofrichter et al. | Ellipsometric method for real time control of thin film deposition on imperfect substrates | |
Di Giulio et al. | Laser damage testing of SiO2 and HfO2 thin films | |
WO1996012943A1 (en) | Cycling chilled mirror dewpoint hygrometer including a sapphire optical mirror | |
McNally et al. | Properties of IAD single-and multi-layer oxide coatings | |
JPH0296639A (ja) | 赤外吸収スペクトル測定法及び測定用治具 | |
Boughaba et al. | Optical Properties of Tantalum Oxide Films Deposited on BK7 Substrates by Excimer Laser Ablation | |
Brudnik et al. | Optical properties of AlN thin films obtained by reactive magnetron sputtering | |
Severin | The Influence of the Phase Shift on Thickness Measurements of Silicon Epitaxial Layers with a Fourier Transform Spectrometer | |
Ishikawa et al. | In–situ Time–Resolved Infrared Spectroscopic Study of Silicon–Oxide Surface during Selective Etching over Silicon in Fluorocarbon Plasma | |
Lubezky et al. | Activated reactive evaporation of a transparent conductive coating for the IR region | |
Hsu et al. | Ultra-low Anti-reflection Coating on a Plastic Cover Slip in Liquid for He-Ne Laser Light | |
SU1267331A1 (ru) | Способ индикации конденсата на зеркальных металлических поверхност х | |
SU1702270A1 (ru) | Способ контрол качества резистивных пленок на диэлектрических подложках | |
Fahrenfort | Attenuated total reflection: A new principle for the production of useful infra-red reflection spectra of organic compounds |