SU1021246A1 - Способ определени коэффициентов отражени материалов - Google Patents

Способ определени коэффициентов отражени материалов Download PDF

Info

Publication number
SU1021246A1
SU1021246A1 SU792745912A SU2745912A SU1021246A1 SU 1021246 A1 SU1021246 A1 SU 1021246A1 SU 792745912 A SU792745912 A SU 792745912A SU 2745912 A SU2745912 A SU 2745912A SU 1021246 A1 SU1021246 A1 SU 1021246A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
reflection
materials
silicon carbide
radiation
polycrystalline silicon
Prior art date
Application number
SU792745912A
Other languages
English (en)
Inventor
Н.Г. Герасимова
Н.А. Горбачева
С.И. Сагитов
Ф.А. Пудонин
В.И. Ионов
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6681
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6681 filed Critical Предприятие П/Я Р-6681
Priority to SU792745912A priority Critical patent/SU1021246A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1021246A1 publication Critical patent/SU1021246A1/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТОВ ОТРАЖЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ, включакщий сравнение с эталоном, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  испытаний в ультрафиолетовой области спектра, измен ют отражательную способность эталона в процессе испытаний путем изменени  толщины пленки из поликристаллич ского карбида кремни , нанесенной на поглощающую подложку, и угла падени  излучени .

Description

t3V ISO 170
70 90
ItO
50
ю
и
о
 о гзо zso т
л, им
190
Изобретение относитс  к области технической физики, в частности к способам определени  коэффициентов тражени  различных материалов, и ожет быть использовано при контроле и аттестации оптических приборов комплектованных спектрофотометриескими камерами, в диапазоне спектра от 70 до 450 нм.
Известен способ измерени  отраательной способности образцов с использованием эталона на основе окиси магни  Г13.
Этот эталон применим только дл  измерени  диффузного отражени  в спектральной области 200-2500 нм и не пригоден дл  аттестации и калибовки фотометрической шкалы вакуумных спектрофотометров при измерении коэффициентов зеркального отражени .
Ближайшим к изобретению техническим решением  вл етс  способ опреелени  коэффициентов отражени  материалов , включающий сравнение с эталоном 2 J. В качестве образцов сравнени  дл  измерени  зеркального отражени  материалов в области спектра от 200 до 4000 нм обычно использовалс  набор оптических матеиалов - кристаллы Са, KPC-5,Ge, бескислородные стекла и др.
Проведение измерений в вакуумной ультрафиолетовойОбласти спектра затруднено из-за отсутстви  эталонов , обладающих стабильностью основных физико-химических и спектральных характеристик, небольшим рассе нным светом, высокой термической устойчивостью, химической и радиационной стойкостью, а также неселективностью коэффициента отражени  при изменении длины волны излучени  в широком спектральном интервале .
Цель изобретени  - упрощение испытаний в ультрафиолетовой области спектра.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что в способе определени  коэффициентов отражени  материалов, включающем сравнение с эталоном, измен ют отражательную способность эталона в процессе испытаний путем изменени  толщины пленки из поликристаллического карбида кремни , нанесенной на поглощающую подложку, и угла падени  излучени ,
Образец сравнени  изготавливаетс  из поглощающей подложки (в качестве которой может быть использован кварц, стекло К-8, ЛК-5, фтористый ; магний и др;. , на поверхность ко- , торой методом ионно-плазменного высокочастотного распылени  в вакууме приразрежении не менее .ст наноситс  пленка.
Пример.-Пластина из поликристаллического карбида кремни  i
диаметром 60 мм и толщиной $мм приклеивалась к медному электроду и устанавливалась в вакуумную камеру. При достижении давлени  рт.ст в камеру напускалс  аргон до давлени  в камере рт.ст. Зажигалс  тлеющий разр д В, А. После этого на мишень подавалось ВЧ-напр жение( МГц мощность 1,5 кВт J.Скорость распылени  мишени л 30 А/мин. Процесс осаждени  стабилен и воспроизводим. Толщина пленок измер лась на лазерном эллипсометре ЛЭФ-П с углом падени  70 и А 0,63 мкм. Разогрев
5 подложек во врем  напылени  составл л 90°. Отжиг покрытий производилс  в муфельной печи в атмосфере воздуха.
Образцы сравнени , изготовленные на основе пленки из поликристаллического карбида кремни , нанесенной на поглощающую подложку, обладают высокой термической устойчивостью (заметное испарение начинаетс  только при температуре свыше 2000°С), химической и радиационной стойкостью .(при комнатной температуре не вступают во взаимодействие с концентрированными и разбавленными кислотами, их смес ми и водными растворами щелочей . Окисление поверхности происходит в атмосфере кислорода при температуре выше 1400с. По прочности отражающие поверхности образцов сравнени  относ тс  к нулевой группе.
Спектральные кривые, характеризующие отражательную способность образцов сравнени  на основе поликристаллического карбида кремни ,
0 имеют между собой подобный характер независимо от толщины нанесенной на подложку пленки и отличаютс  друг от друга, преимущественно, величиной коэффициента отражени . При
5 этом кривые изменени  коэффициента отражени  с изменением длины волны имеют нейтральный характер.
На чертеже приведены кривые спектров отражени  образцов сравнени  с
0 пленками поликристаллического.карбида кремни  толщиной 200 А при углё1Х
падени  излучени  , 45
60
кривые 1,2,3 cooTBeTCTBeHHoJ и толщиной 1200- А при тех же уЗглагГ.падени  (кривые 4,5 и 6 соответственно). Нейтральный характер спектральной зависимости коэффициентов отражени  образцов от длины волны сохран етс  во всем исследованном диапазоне (от 70 до 450 нм).
0 Нейтральный и подобный характер отражак цей способности односэтойных пленок поликристаллического карбида кремни  дл  разных толщин слоев и углов падени  излучени  позвол ет
5 в указанном участке спектрального
диапазона и в широком пределе значений коэффициентов отражени  (540% ) повер ть, градуировать шкалу отражени  спектрофотометров, осуществл ть контроль измеренных величин коэффициентов отражени . Кроме того, образцы целесообразно использовать дл  аттестации и контрол  приборного рассе нного света и светоделительных устройств, работаю щих в спектральных приборах, где изменение коэффициента отражени  с / длиной волны при сканировании по спектру вносит ошибку переменной величины, что отрицательно сказываетс  на точности измерений.

Claims (1)

  1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТОВ ОТРАЖЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ, включающий сравнение с эталоном, отличающийся тем, что, с целью упрощения испытаний в ультрафиолетовой области спектра, изменяют отражательную способность эталона в процессе испытаний путем изменения толщины пленки Из поликристаллич^ского карбида кремния, нанесенной на поглощающую подложку, и угла падения излучения.
    /0
    Кривые 7,2.3(t =ZWA,ti -- 75', 45° 60')
    Tipufae 4.5.6(f - 7200 A, Л = 75\ 45°, 60°) _ „ ^'/гоо^.о.-бо') —----------------------·,5*) ~50~ 70 ' 90 110 ' 130 ' 750 ' 170 ' 190 210 ' 230 ' 250 ' 270 290 ‘ Н*
    SU ,..1021246
SU792745912A 1979-03-28 1979-03-28 Способ определени коэффициентов отражени материалов SU1021246A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792745912A SU1021246A1 (ru) 1979-03-28 1979-03-28 Способ определени коэффициентов отражени материалов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792745912A SU1021246A1 (ru) 1979-03-28 1979-03-28 Способ определени коэффициентов отражени материалов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1021246A1 true SU1021246A1 (ru) 1983-12-23

Family

ID=20819164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792745912A SU1021246A1 (ru) 1979-03-28 1979-03-28 Способ определени коэффициентов отражени материалов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1021246A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент FR В 1563018, кл. G 01 N, опубл. 1969. 2. Ищенко Е.Ф. и др. Оптические квантовые генераторы. М., Советское садио , 1968, с. 299-302 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Archer et al. Measurement of oxygen adsorption on silicon by ellipsometry
EP1590306B1 (en) Method of producing transparent titanium oxide coatings having a rutile structure
Misiano et al. 4.4 Co-sputtered optical films
CN112014358B (zh) 一种双程表面等离子共振的光学薄膜气体传感器及其制法
SU1021246A1 (ru) Способ определени коэффициентов отражени материалов
CN113281266A (zh) 膜层物质的光谱联用分析方法及其应用
CN110261948B (zh) 一种一氧化氮气体检测用红外滤光片及其制备方法
Kijima et al. Effect of the pressure of sputtering atmosphere on the physical properties of amorphous aluminum oxide films
Preston The selenium rectifier photocell: Manufacture, properties, and use in photometry
JPH059728A (ja) 薄膜形成方法
Hacker et al. Rf-sputtered SiO2 films for optical applications
Hofrichter et al. Ellipsometric method for real time control of thin film deposition on imperfect substrates
Di Giulio et al. Laser damage testing of SiO2 and HfO2 thin films
WO1996012943A1 (en) Cycling chilled mirror dewpoint hygrometer including a sapphire optical mirror
McNally et al. Properties of IAD single-and multi-layer oxide coatings
JPH0296639A (ja) 赤外吸収スペクトル測定法及び測定用治具
Boughaba et al. Optical Properties of Tantalum Oxide Films Deposited on BK7 Substrates by Excimer Laser Ablation
Brudnik et al. Optical properties of AlN thin films obtained by reactive magnetron sputtering
Severin The Influence of the Phase Shift on Thickness Measurements of Silicon Epitaxial Layers with a Fourier Transform Spectrometer
Ishikawa et al. In–situ Time–Resolved Infrared Spectroscopic Study of Silicon–Oxide Surface during Selective Etching over Silicon in Fluorocarbon Plasma
Lubezky et al. Activated reactive evaporation of a transparent conductive coating for the IR region
Hsu et al. Ultra-low Anti-reflection Coating on a Plastic Cover Slip in Liquid for He-Ne Laser Light
SU1267331A1 (ru) Способ индикации конденсата на зеркальных металлических поверхност х
SU1702270A1 (ru) Способ контрол качества резистивных пленок на диэлектрических подложках
Fahrenfort Attenuated total reflection: A new principle for the production of useful infra-red reflection spectra of organic compounds