SE515389C2 - Kvantbrunnsbaserad och tvådimensionell detektor för IR- strålning och kamerasystem med sådan detektor - Google Patents
Kvantbrunnsbaserad och tvådimensionell detektor för IR- strålning och kamerasystem med sådan detektorInfo
- Publication number
- SE515389C2 SE515389C2 SE9900885A SE9900885A SE515389C2 SE 515389 C2 SE515389 C2 SE 515389C2 SE 9900885 A SE9900885 A SE 9900885A SE 9900885 A SE9900885 A SE 9900885A SE 515389 C2 SE515389 C2 SE 515389C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- detector
- grating
- period
- incidence
- arrangement
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 2
- VNFPBHJOKIVQEB-UHFFFAOYSA-N clotrimazole Chemical compound ClC1=CC=CC=C1C(N1C=NC=C1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VNFPBHJOKIVQEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940034604 otomax Drugs 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/20—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from infrared radiation only
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/33—Transforming infrared radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
IQ Un 30 515 389 2 12-..- är vald så att diffraktionsvinklarna är nära 90". Det räcker därvid med en mycket liten ändring av infallsvinkeln för att diffraktionsvinkeln skall bli över 90° i förhållande till detektorytans normal, varvid den aktuella diffrakterade strålen försvinner som aktiv komponent i avkänningen, vilket medför att en plötslig minskning av inkopplingsverk- ningsgraden uppkommer.
För att strålningen skall kunna registreras av detektorn krävs att infallsvinklarna hos strålningen ligger inom ett vinkelområde där detektorn är känslig. För punkter som ligger mitt på detektorn, dvs mitt för den kalla bländaren, kommer alla dessa strålar att ligga inom ett vinkelområde kring 0°, vilket medför att den mesta av denna strålningen kan registreras. Däremot gäller för punkter i kanten av detektorytan att strålarna infaller huvudsakligen i sneda vinkar, där förut kända detektorer har dålig känslighet. Detta har visats i figurerna 1 och 2 där A visar strålningen via den kalla bländaren mot detektor- ytans mitt och B visar strålningen via den kalla bländaren mot detektorytans ytterkant.
Det föreligger ett behov av att kunna erhålla jämn känslighet över hela detektorytan för att kunna uppnå bättre bildkvalitet. Uppfinningen avser att lösa bl.a. detta problem.
I anslutning till kamerasystem föreligger även önskemål om att kunna göra optiken mindre och minska kylbehovet i systemet. Uppfinningen avser att lösa även detta problem.
Det som huvudsakligen kan anses vara kännetecknande för en detektor enligt uppfin- ningen är att gitterarrangemanget är valt med en gitterperiod som varierar eller förändrar sig från detektorns eller detektorytans mittre del och ut mot detektorns respektive detek- torytans yttre delar eller omkretsdelar. Ett ytterligare kännetecken är att gitterperiodens variation eller förändring är anordnad för eller bidrar till att i avkänningen bibehålla diffrakterade strålar av ordningarna 1 och -l som aktiva komponenter över hela detek- torytan genom att anpassa de diffrakterade strålarnas vinkelvärden i beroende av infalls- vinklarna på den infallande strålningen vid detektorytans olika delar.
I utföringsformer av uppfinningstanken föreslås att gitterperioden skall variera linjärt eller stegvis. I gitterarrangemanget ingående element varierar i gitterarrangemangets horisontalsnitt sina konfigurationsstorlekar och/eller konfigurationer och är t.ex. kvadra- L/t lO . . . . = v . . - | u I 515 389 3 tiska vid detektorytans mittre delar och övergår i rektangulära former vid gitterarrange- iiiaiigets sträckning ut mot detektorytans yttre delar eller omkretsdelar. Ytterligare utfö- ringsformer av uppfinningstanken framgår av efterföljande underkrav till detektorupp- byfggnaden.
Det som huvudsakligen kan anses vara kännetecknande för ett kamerasystem enligt upp- finningen är att gitterarrangemanget i likhet med ovan är valt med en gitterperiod som varierar eller förändrar sig från detektorns mittre del och ut mot detektorns yttre delar och att gitterperioden eller förändringen är vald att diffraktera strålen som passerar vid bländarens kant, dvs strålen med den största infallsvinkeln, med ett värde intill eller exakt lika med 90” i förhållande till detektorytans normal. Övriga strålar som passerar bländaren kommer då att deffrakteras med mindre vinklar än det förstnämnda värdet, men ändå är nära 90”. Nämnda värden våljes företrädesvis inom området ca 85” - 90°.
Genom det i ovan föreslagna erhålles en utjämnad och mer stabil känslighet utefter hela detektorytan som enligt ovan ger bättre bildkvalitet. I anslutning till det nya kamera- systemet kan detta förfinas ytterligare i förhållande till den kända tekniken.
FIGURFÖRTECKNING En för närvarande föreslagen utföringsform av en detektor och ett kamerasystem enligt uppfinningen skall beskrivas i nedanstående under samtidig hänvisning till bifogade ritningar där figurl i principschemaform och från sidan visar genom en bländare mot en detektorytas mitt infallande IR-strålning enligt i och för sig känd teknik, figur 2 i principschemaform och från sidan visar den via bländaren mot detektorns ytterkant infallande strålningen relaterade till detektorns känslighets- område, varvid figuren visar fallet för den kända tekniken, 10 15 20 30 - » . < - I 515 589 figur 3 i horisontalvy underifrån och principiellt visar ett detektorn tillhörande nytt gitterarrangemang i ett första utförande, varvid figuren inte är visad skalenlig, figur 4 i horisontalvy underifrån och principiellt visar ett andra nytt utförande av detektorns gitterarrangemang. varvid figuren ej är visad skalenlig, figur 5 i diagramform visar linjärt ökande gitterperiod från detektorytans mitt ut mot detektorytans ena ytterkant, figur 6 i diagramform visar gitterperiodens stegvisa ökning eller förändring från detektorytans mitt och ut mot detektorns ena ytterkant, figur 7 i principschemaform visar fallet där diffrakterad stråle går förlorad som aktiv komponent i återgivningen i anslutning till detektorer av känt slag, och figur 8 i principschemaform visar diffrakteriiigen av den under vinkel via blända- ren mot detektorytan infallande infraröda strålningen i enlighet med upp- finningen, varvid strålen mot detektorytans första kant återgivits.
Figurerna 1 och 2 är i första hand hänförbara till problematiken som är knuten till förut kända detektorer och kamerasystem. I figuren 1 anges ett strälningsområde A för den infallande infraröda strålningen som träffar detektorn l, vid dess detektorytas la mittre delar 1b.' Detektorn l kan vara av i och för sig känt slag och det hänvisas härvid till de inledningsvis Omnämnda svenska och amerikanska patenten som anger uppbyggnaden på en s.k. QWIP-detektor. En s.k. kall bländare är angiven med 2. Den centralt infallande strålningen är visad med pilar och linjer 3 och 4. Detektorn är huvudsakligen känslig inom ett område som är representerat med en vinkel u. Av figuren framgår att känslig- hetsområdet (konen) täcker hela bländarens öppning 2a. Den infallande strålningen 3, 4 faller innanför detektorns känslighetsområde 5. 6 i hela sin utsträckning, vilket indikerar en stor känslighetsgrad hos detektorn för den infallande strålningen. 10 15 20 25 30 51 s 389 _ _ _ _ __ n I figuren 2 visas att detektorns 1' känslighetsområde vid detektorytans la' ytterkant lc endast delvis är tillgängligt för den under sneda vinklar infallande infraröda strålningen, vars omrâde angivits med ß. Endast en mindre del kan således registreras av detektorn. vilket ger lägre känslighetsgrad vid detektorns mottagning av den infallande sneda sträl- ningen. Detektorns känslighetsomräde täcker endast en del av den infallande strålningen 32 4". Jämför även de streckade linjerna 5”. 6' i figuren 2 som visar att detektorns käns- lighetsområde endast delvis täcker öppningen 2a' på bländaren. I figuren 2 visas dess- utom principiellt uppbyggnaden av en IR-kamera K baserad på QWIP-detektorn 1”. I kameran ingår en optik O och en kylenhet KE. Nämnda komponenter är i och för sig kända och på i och för sig känt sätt inbyggda i en kamerastomme KS. I figuren 2 är bländarens diameter angiven med D och avståndet mellan bländare och detektorns ovan- yta la' med S.
I enlighet med uppfinningen skall gitterstrukturen anpassas efter infallsvinkeln hos den infallande strålningen. Detta innebär företrädesvis att gitterperioden blir längre i kanten av detektorn än i mitten. Gittret är företrädesvis tvädimensionellt för att vara okänsligt för strålningens polarisation. I figuren 3 är ett gitterarrangemang visat från ifrågavarande detektors undersida. Detektorn är i princip angiven med l". Gitterelernenten är i utfö- ringsexemplet utformade med fyrkantsformade konfigurationer. Vid gitterarrangemanget eller detektorns mittre delar ld är gitterelementen väsentligen kvadratiska, medan de vid detektorns ytterkant le är väsentligen rektangelformade. Ett gitterelement är i figuren 3 angivet med lf. Figuren är ej visad skalenlig, utan utgör endast en principskiss.
I enlighet med en första utföringsform av uppñnningstanken varierar gitterperioden linjärt från detektorns mitt ld ut mot detektorns ytterkant le.
Nämnda variation eller förändring av gitterperioden kan i enlighet med figuren 4 anord- nas stegformigt och ökande ut från detektorns mittre del ld' till detektorns ytterkant le”.
I utföringsexemplet enligt figuren 4 är den stegvisa ökningen i gitterarrangemanget anordnat med hjälp av bandliknande formationer lg och lh som i princip korsar varandra vid detektorns mittre delar ld”. På så sätt erhålles i området som täckes av både bandet lg och lh en första täthet i gitterarrangemanget. I delar som var för sig täckes av de bandformade arrangemangen lg och lh erhnlles en andra täthet i gitterarrangemanget. I LJ: 515389 6 Iiöriieii av gitterarrangemangen som är symboliserade med li erhålles en tredje täthet för giiierarraiigeiiiaiiget. Hörnen li korsas inte av de bandformade strukturerna lg och lh. (izitcrperitvtleii är mindre vid de mittre delarna och ökar utåt mot de yttre delarna. (iiiterarraiigeinaiigen kan sprida sig från detektorytans mittre delar ut mot detektorytans yttre kanter med ökande gitterperiod eller steg i princip alla riktningar som i figur l är iiidikerade med lk, ll, lm respektive lk', ll', lm'.
Figuren 5 är avsedd att visa den linjärt ökande gitterperioden i gitterarrangemanget räknat från detektorns l” mittre del ld vinkel ut mot dess raka ytterkant le. På motsva- rande sätt avser figuren 6 att visa den stegvist ökande gitterperioden från detektorns 1” mitt ld' vinkelrätt ut mot ytterkanten le' i figuren 4.
Figuren 7 avser att visa fallet vid den tidigare kända tekniken. I detta fall är bländaren principiellt angiven med 2a” och den infallande strålen med den största vinkeln mot detektorns ovanyta la” med 7. Figuren 7 avser att visa att diffrakterad stråle av ord- ningen (I) har erhållit en vinkel ß i förhållande till ytans normal 8 som är större än 90”.
Detta innebär att ifrågavarande stråle går förlorad som aktiv komponent i avkånningen eller registreringen. I figuren 7 är en vinkel angiven mellan den infallande strålningen och ytans normal 8. Sistnämnda maxvinkel väljes företrädesvis inom området 0-45 °.
I figuren 8 visas förbättringen enligt uppfinningen. Den infallande strålningen 7' som motsvarar den infallande strålningen 7 enligt figuren 7 diffrakteras med diffraktions- strålarna av ordningarna l och -l enligt figuren. Genom lämpligt val av gitterperiod kommer diffraktionsstrålen av ordningen l att anta ett värde ß' som är 900 eller mycket nära 90”. vilket medför att strålen ifråga kan bibehållas som aktiv komponent, vilket ger upphov till att känsligheten hos detektorn ökar. l eii föredragen utföringsform väljs gitterperiodens variation utefter detektorytan i enlig- liet med följande. Utgångspunkten är därvid en given bländardiameter D (se figuren 2) pa avståndet S (se figuren 2) från detektorns yta la”. En gitterperiod d(x) för en punkt på avståndet x (se figuren 2) från detektorns mitt ld (se figuren 3) väljes på så sätt att den strále som har största infallsvinkeln diffrakteras i precis 90” i förhållande till normalen. 30 515 389 7 @ | | | u» _ nian Denna stråle passerar precis kanten av bländaren. Alla andra strålar som släppes igenom har mindre infallsvinkel och diffrakteras därför i vinklar mindre än, men nära 90” (se ovan). Matematiskt uttryckt blir gitterperioden: l d(x)= n-sinct Omax (x) där k är våglängden, n är gittersubstratets brytningsindex och aomax (x) är maximala in- fallsvinkeln och ges av formeln: x+DÛ S Lam omax (X) = l en annan föredragen utföringsform väljs gitterperioden enligt en förenklad metod, här- ledd ur ovan beskriven metod, genom att approximera sinoiomax och tanaomax med aomax.
Då ges gitterperioden av Ä d(x)= - (1+ -D- irl) n 2nS nS det vill säga, gitterperioden varierar linjärt från mitten ut till kanten. l ett utföringsexempel väljes därvid värdena 7» = 9 pm, D = 7 mm och S = 14 mm. För substratet eller materialet GaAs är n = 3,28. Vid detektorns mitt erhålles d = 2,95. Vid kanten, t.ex. 8 mm från mitten blir d = 3,43 pm. I ett utföringsexempel väljes d vid detektorns mitt inom ett område 2,5 - 3,0 pm och vid detektorns ytterkant inom ett område 3,0 - 3,5 pm, varvid de högre värdena är relaterade till varandra inom de båda områdena, liksom de lägre värdena.
Val av gitterperioden d för värden för ß' lika med eller nära 90° erhålles medelst um + Sinßm :LIA n nd Ut u fa-u @ - . = = v 515 38% V | . - » . u Det i ovan omnämnda gitterarrangemanget har erhållit beteckningen 9 i figuren 3 och en kurva for periodiciteten enligt figuren 3 har i figuren 5 erhållit beteckningen 10, medan periodiciteten enligt figuren 4 har erhållit beteckningen 11 i figuren 6. lïppfinningen är inte begränsad till den i ovan såsom exempel visade utföringsformen utan kan underkastas modifikationer inom ramen för efterföljande patentkrav och uppfin- ningstanken.
Claims (10)
1. PXFENTKRÅV l Kvantbrunnsbaserad och infraröd strålning (3. 4) avkännande, tvàdimensio- nell detektor (l) som på sin detektoryta (la) mottar infallande infraröd strålning med olika infallsvinklar, företrädesvis inom ett område 0-45 ”, i förhållande till ytans normal (8) samt innefattande ett gitterarrangemang (lf) för diffraktion av den infallande strål- ningen, k ä n- n e t e c k n a d därav, att gitterarrangemanget är valt med en gitterperiod som varierar eller förändrar sig från detektorns rnittre del (ld) och ut mot detektorns yttre delar (le) eller omkretsdelar, och att gitterperiodens variation eller förändring är anordnad eller bidrar till att i avkänningen bibehålla diffrakterade strålar av ordningarna 1 och -1 som aktiva komponenter över hela detektorytan genom att anpassa de diffrakterade strålarnas vinkelvärden i beroende av infallsvinklarna (a) på den infallande strålningen vid detektor- ytans olika delar.
2. Detektor enligt patentkravet 1, k ä n n e t e c k n a d därav, att gitterperioden varierar linjärt.
3. Detektor enligt patentkravet 1, k ä n n e t e c k n a d därav, att gitterperioden varierar stegvis.
4. Detektor enligt patentkravet 1, 2 eller 3, k ä n n e t e c k n a d därav att i gitter- arrangemanget (9) ingående element (lf) i gitterarrangemangets horisontalsnitt varierar sina konfigurationsstorlekar och/eller konfigurationer och t.ex. är kvadratiska vid detektorytans mittre del (ld) och övergår i rektangulära former vid gitterarrangemangets (9) sträckning ut mot detektorytans yttre delar (le) eller omkretsdelar.
5. Detektor enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d därav, att gitterarrangemangets period (10, 11) är vald så att detektorns avkänning eller känslighet blir väsentligen densamma över detektorns hela yta (la). Un 10 30 .. i.,- . . - - = ' . . . - - ° 515 589
6. , Detektor enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d därav, att gitterperioden ökar med avståndet från detektorns mittre delar ut mot dess yttre delar eller omkretsdelar ( l e),
7. Detektor enligt patentkravet l eller något av patentkraven 2-6, k ä n n e t e c k- n a d därav, att gitterperioden varierar enligt d(x)= X n-sinot omax (x) där 7» är våglängden, n är gittersubstratets brytningsindex och rxomaxbc) är maximala infallsvinkeln och ges av formeln x+D/2 tanufimax OOZ-íí S
8. Detektor enligt patentkravet 7, k ä n n e t e c k n a d därav, att gitterperioden är vald med hjälp av approximation av otomax och tan aomax med uomax, varvid gitterperioden framgår av X D d(x)=- (1+ -+-X-) n 2nS nS , dvs gitterperioden varierar linjärt från mitten ut till kanten.
9. Detektor enligt patentkravet l eller något av patentkraven 2-7, k ä n n e t e c k- n a d därav, att gitterperioden uppvisar värden av ca 2,5-3,0 rnikrometer vid detektorns mitt och ca 3,0-3,5 mikrometer vid detektorns yttre delar, varvid de högre värdena inom de båda områdena är hänförbara till varandra och de lägre värdena inom de båda områdena är hänförbara till varandra.
10. Kamerasystem för infraröd strålning och innefattande optik (O) med bländare (2) och kylenhet (KE) samt en kvantbrunnsbaserad, tvâdimensionell detektor (1) som mottar den via bländaren under olika infallsvinklar (a), företrädesvis inom ett omrâde av O-45°, i förhållande till detektorytans normal (8) infallande infraröda strålningen (3, 4), varvid detektorn innefattar ett gitterarrangemang för diffraktering av den infallande strål- ningen, k ä n n e t e c k n a d därav, att gitterarrangemanget är valt med en gitterperiod (Ji ,, ut: 515 389 n. I * * _ , , . , V. som varierar eller förändrar sig från detektorns mittre del och ut mot detektorns yttre delar, och att gitterperioden eller förändringen är vald att diffraktera strålen (7”) som passerar vid bländarens (2a”) kant, dvs strålen med den största infallsvinkeln, med ett värde intill eller exakt lika med 90” och att diffraktera strålar med mindre infallsvinklar med värden som understiger det förstnämnda värdet, men ändå är nära 90" , vilka värden företrädesvis är valda inom området 850 - 90°.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9900885A SE515389C2 (sv) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | Kvantbrunnsbaserad och tvådimensionell detektor för IR- strålning och kamerasystem med sådan detektor |
| EP00917554A EP1166365A1 (en) | 1999-03-12 | 2000-03-09 | Quantum well based two-dimensional detector for ir radiation and camera system with such a detector |
| AU38510/00A AU3851000A (en) | 1999-03-12 | 2000-03-09 | Quantum well based two-dimensional detector for ir radiation and camera system with such a detector |
| US09/914,955 US6909096B1 (en) | 1999-03-12 | 2000-03-09 | Quantum well based two-dimensional detector for IR radiation and camera system with such a detector |
| PCT/SE2000/000470 WO2000055922A1 (en) | 1999-03-12 | 2000-03-09 | Quantum well based two-dimensional detector for ir radiation and camera system with such a detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9900885A SE515389C2 (sv) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | Kvantbrunnsbaserad och tvådimensionell detektor för IR- strålning och kamerasystem med sådan detektor |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE9900885D0 SE9900885D0 (sv) | 1999-03-12 |
| SE9900885L SE9900885L (sv) | 2000-09-13 |
| SE515389C2 true SE515389C2 (sv) | 2001-07-23 |
Family
ID=20414812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE9900885A SE515389C2 (sv) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | Kvantbrunnsbaserad och tvådimensionell detektor för IR- strålning och kamerasystem med sådan detektor |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6909096B1 (sv) |
| EP (1) | EP1166365A1 (sv) |
| AU (1) | AU3851000A (sv) |
| SE (1) | SE515389C2 (sv) |
| WO (1) | WO2000055922A1 (sv) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5056889A (en) * | 1989-12-29 | 1991-10-15 | At&T Bell Laboratories | Optical device including a grating |
| US5075749A (en) | 1989-12-29 | 1991-12-24 | At&T Bell Laboratories | Optical device including a grating |
| SE468188B (sv) | 1991-04-08 | 1992-11-16 | Stiftelsen Inst Foer Mikroelek | Metod foer inkoppling av straalning i en infraroeddetektor, jaemte anordning |
| US5373182A (en) * | 1993-01-12 | 1994-12-13 | Santa Barbara Research Center | Integrated IR and visible detector |
| US5585957A (en) * | 1993-03-25 | 1996-12-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method for producing various semiconductor optical devices of differing optical characteristics |
| US5485015A (en) | 1994-08-25 | 1996-01-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Quantum grid infrared photodetector |
| US5506419A (en) | 1994-11-10 | 1996-04-09 | At&T Corp. | Quantum well photodetector with pseudo-random reflection |
| US5539206A (en) * | 1995-04-20 | 1996-07-23 | Loral Vought Systems Corporation | Enhanced quantum well infrared photodetector |
-
1999
- 1999-03-12 SE SE9900885A patent/SE515389C2/sv not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-03-09 EP EP00917554A patent/EP1166365A1/en not_active Withdrawn
- 2000-03-09 WO PCT/SE2000/000470 patent/WO2000055922A1/en active Application Filing
- 2000-03-09 AU AU38510/00A patent/AU3851000A/en not_active Abandoned
- 2000-03-09 US US09/914,955 patent/US6909096B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1166365A1 (en) | 2002-01-02 |
| US6909096B1 (en) | 2005-06-21 |
| SE9900885L (sv) | 2000-09-13 |
| SE9900885D0 (sv) | 1999-03-12 |
| WO2000055922A1 (en) | 2000-09-21 |
| AU3851000A (en) | 2000-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9240539B2 (en) | Efficient polarization independent single photon detector | |
| US5351309A (en) | Image edge sensor | |
| US11996492B2 (en) | Nanophotonic hot-electron devices for infrared light detection | |
| US20130175449A1 (en) | Infrared detector comprising a package integrating at least one diffraction grating | |
| DE102015222961A1 (de) | Infrarotsensor und Infrarotsensorfeld | |
| SE515389C2 (sv) | Kvantbrunnsbaserad och tvådimensionell detektor för IR- strålning och kamerasystem med sådan detektor | |
| US5136164A (en) | Infrared detectors arrays with enhanced tolerance to ionizing nuclear radiation | |
| AU592138B2 (en) | Polychromator | |
| US9236522B2 (en) | MEMS infrared sensor including a plasmonic lens | |
| EP0603043A1 (fr) | Dispositif de collimation de faisceaux d'un rayonnement | |
| JP3231152B2 (ja) | 光位置検出装置 | |
| DE60003885T2 (de) | Thermischer detektor mit begrenztem sichtwinkel | |
| US10908015B2 (en) | Super-resolution modal imaging | |
| EP1865280A1 (de) | Maßstab mit einem reflektierenden Phasengitter | |
| JPS5855909A (ja) | 光学像検出装置 | |
| JP3065380B2 (ja) | エッチング速度モニタ | |
| DE19518303C2 (de) | Optische Linsen-/Detektoranordnung | |
| JPH01266770A (ja) | 半導体位置検出器 | |
| JP3090336B2 (ja) | 光学式検知装置 | |
| JPH0323326U (sv) | ||
| EP3338069B1 (en) | System and method for detecting angle ambiguity in optical sensors | |
| EP0256074A1 (en) | Light detector | |
| KR940007510A (ko) | 편광 검출기 | |
| JPH078736U (ja) | 分光装置 | |
| JP6856295B1 (ja) | 半導体受光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NUG | Patent has lapsed |