SE511337C2 - Anordning för att skydda sluttransistorerna i en effektförstärkare - Google Patents

Description

ll. il.. till .mini iifllll i min i 511 w lx) Detta ernås genom att anordningen enligt uppfinningen vid temperaturer överstigande ett förutbestämt värde minskar effektfórstärkarens drivström omvänt proportionellt mot sluttransistoremas temperatur. Genom att drivströmmen minskar vid förhöjd temperatur kommer temperaturen härvid automatiskt att reduceras utan avbrott i effektförstärkarens funktion. Överforingen av tal och/eller data genom exempelvis den ovamiämnda linjekretsen kan således fortsätta ostört ända tills den av effektförstärkaren utrnatade linjeströmmen blir så låg att en till linjen ansluten apparat, exempelvis en telefonapparat, upphör att fungera.

FIGURBESKRIVNING Uppfinningen beskrives närmare nedan under hänvisning till bifogade ritning, på vilken den enda figuren visar en utföiingsforrn av en anordning enligt uppfinningen för att skydda en effektförstärkare.

FÖREDRAGEN UTFöRiNGsFoRM Den enda figuren visar ett kopplingsschema över en utföringsfoim av en anordning enligt uppfinningen för att skydda icke visade sluttrarisistorer i en effektförstärkare 1 mot temperaturer överstigande ett förutbestämt temperaturvärde.

På i och för sig känt sätt innefattar anordningen enligt uppfinningen en temperaturavkänningstransistor Ql, som på icke närmare visat sätt är anordnad intill effektförstärkarens l icke visade sluttransistorer för att avkärma deras temperatur.

Enligt uppfinningen är temperaturavkänningsuansistom Ql anordnad att på sätt som kommer att förklaras nedan variera effektförstärkarens l diivström omvänt proportionellt mot sluttransistoremas temperatur för temperaturer mellan ett första temperaturvärde och ett förutbestämt högre, andra temperaturvärde. 511 337 b) Vid den visade utföringsfonnen av anordningen enligt uppfinningen är temperaturavkänningstransistoms Ql emitter ansluten till en matningsspärining VCC, medan dess bas är ansluten dels till matningsspänningen VCC via ett motstånd R1 och dels till jord via en strömgenerator Il. Transistoms Q1 kollektor är ansluten till hopkopplingspunkten mellan en transistors Q2 bas och en diods D1 anod.

Diodens DI katod är ansluten till jord via ett motstånd R2. Transistoms Q2 emitter är ansluten till jord via ett motstånd R3, medan dess kollektor är ansluten till mamingsspärmingen VCC via ett motstånd R4. Hopkopplingspunkten mellan transistorns Q2 kollektor och motståndet R4 är ansluten till såväl basen som en första kollektor hos en multikollektortransistor Q3, vars emitter är ansluten till mamingsspänningen VCC.

En andra kollektor hos transistom QS är ansluten till den ena ingängsklämman hos en strömsubtraktionskrets 2, vars andra ingångsklärrtrna är ansluten till utgångsklärnrnan hos en drivkrets 3 och vars utgångsklärruna är ansluten till effektfcirstärkarens l ingångsklämrna. Diivkretsen 3 är anordnad att över sin utgängsklärnma avge en ström till subtraktionskretsens 2 andra ingångsklärruna för drivning av effektförstärkaren l.

Subtrakrionskretsen 2 är anordnad att från den från drivkretsen 3 mottagna strömmen subtrahera den från transistorns Q3 andra kollektor mottagna strömmen och inmata den resulterande skillnadsströmmen som drivström på effektförstärkarens 1 ingångsklârruna.

För nedanstående beskrivning förutsättes på i och för sig känt sätt att en transistors bas-eniitterspänning minskar huvudsakligen linjärt med ökande temperatur hos transistorn.

Enligt uppñnningen förspännes transistoms Q1 bas-emittersträcka till en spänning som motsvarar den temperatur, vid vilken transistom Ql skall börja leda och drivströmmen till effektförstärkaren 1 skall börja reduceras. . m ultmmn n ii flitlt ntttt suttit att... .lita il li t lim nu; till »till Itt lt ll lll 511357 Denna spänning bestämrnes av motståndets Rl resistans samt av storleken på strömmen i strömgeneratorn Il.

Den av dioden Dl och transistorn Q2 bildade strömspegeln utgör tillsammans med motstånden R2 och R3 en förstärkare för förstärkning av transistorns Ql kollektorström.

Genom val av motståndets R4 resistans inställes ett tröskelvärde för strömmen från denna förstärkare, dvs transistorns QZ kollektorström. För strömmar överstigande detta tröskelvärde blir multikollektortransistom Q3 ledande. Ström som överstiger tröskelvärdet speglas till transistorns Q3 andra kollektor, som är ansluten till subtraktionskretsens 2 ena ingångsklämrna.

Strömmen från transistorns QS andra kollektor kommer således att subtraheras från den från drivkretsen 3 kommande strömmen, varigenom drivströmmen till effektforstärkaren l kommer att reduceras. Härigenom kommer de icke visade sluttransistoremas temperatur att minska.

Om sluttransistorernas temperatur fortsätter att öka av någon anledning kommer strömmen genom temperaturavkänningstransistom Ql att öka. När temperaturen är så hög och därmed transistoms Q1 kollektorström är så stor att strömmen ut från multikollektoitransistorns Q3 andra kollektor blir lika stor som den till subtraktionslcretsen 2 inkommande strömmen från drivkretsen 3, kommer drivströmmen från subtraktionsldetsen 2 till effektförstärkaren l att bli noll. Vid denna temperatur kommer följaktligen effektförstärkaren l att gå i tomgång på gund av att ingen drivström inkommer på dess ingångsklärnrna.

Motståndets Rl resistans och storleken på strömgeneratorns ll ström bestämmer således den temperatur vid vilken drivströmmen till effektförstärkaren skall börja reduceras. 5 511 337 Drivströrnmen fortsätter att reduceras ända upp till den temperatur vid vilken dxivströmmen till effektförstärkaren 1 blir noll. Denna temperatur kan inställas genom att i relation till storleken på strömmen från drivkretsen 3 välja förstärkning av transistorns Ql kollektorström.

Claims (1)

1. (till 511 337 i 6 PATENTKRAV Anordning for att skydda en effektiörstärkares (I) slutlransistorer mot temperaturer överstigande en förutbestämd temperatur och innefattande en temperatursensor, som är anordnad att avkänna sluttransistoremas temperatur och påverka en från en drivkrets (3) kommande drivström till effektfórstärkarens (1) ingång när den förutbestämda temperaturen uppnås, kännetecknad av att den innefattar en subtraktionskrets (2) som är ansluten med sin ena ingång till temperatursensorn (Ql, Q2, Q3, Il, D1, Rl, R2, R3, R4) vilken är anordnad att alstra en ström i beroende av att den avkånner temperaturer överstigande nämnda förutbestämda temperatur, med sin andra ingång till nämnda drivkrets (3) och med sin utgång till effektforstärkarens (1) ingång, varvid subtraktionskretsen (2) är anordnad att subnahera den av temperatursensorn(Q1, Q2, Q3,I1, D1, Rl, R2, R3, R4) alstrade strömmen från strömmen från nänmda drivkrets (3) for erhållande av en resulterande ström och inmata denna resulterande ström som drivström på effektförstårkarens (1) ingång.