SE438921B - Xerografisk apparat innefattande ett fotoreceptor aggregat - Google Patents

Description

10 15 20 25 30 35 40 7807033-1 2 överföra den latenta elektrostatiska bilden från fotoreceptoraggregatet till ett närbeläget dielektriskt element.

Enligt uppfinningen innefattar fotoreceptoraggregatet en fotoelektrisk ledare, ett elektriskt ledande substrat och en halvledare med en tjocklek av åtminstone 25/Mm anordnad mellan den fotoelektriska ledaren och det elektriskt ledande substratet.

Företrädesvis har halvledaren en resistivitet av mellan 103 och 1012 ohmcm.

Halvledaren kan utgöras av en halvledande plast eller halvledande elast och utgöres företrädesvis av en elektrisk ledare dispergerad i en plast- eller gummigrundmassa, speciellt kolsvart dispergerad i gummi, kolsvart dispergerad i ett epoxiharts eller kadmiumsulfid dispergerad i en plast- grundmassa.

Den fotoelektriska ledaren kan utgöras av kadmiumsulfid dispergerad i ett bindemedel, amorf selen, selenlegeringar, zinkoxidbindemedelsskikt eller en organisk fotoelektrisk ledare. Företrädesvis är den fotoelektriska ledaren och halvledaren utförda som skikt. Den fotoelektriska ledaren och halvledaren kan utgöras av skikt utförda med samma grundmassa, som kan vara ett värmehärdat organiskt harts och innehålla en koncentration av kadmíumsulfid.

Denna koncentration av kadmiumsulfid i halvledaren kan vara ungefär 30 % medan koncentrationen av kadmiumsulfid i den fotoelektriska ledaren kan vara ungefär 18 %.

Enligt uppfinningen kan både fotoledaren och halvledaren vara ett skikt på en trumma, ett flexibelt band eller en rom, en platta eller vilket annat lämpligt substrat som helst, vilket är förmånligt för en ledare. Tjocklekarna hos de fotoelektriska och halvledande skikten ligger företrädesvis i intervallet från 25/um till 19 mm. Fotoledaren och halvledaren kan vara bildad av samma plast- eller elastgrundmassa, t ex en termohärdad harts, och de önskade halvledande och fotoledande egenskaperna kan åstadkommas genom variation av konventrationen av t ex kadmíumsulfid i grundmassan.

Uppfinningen beskrives närmare nedan med hänvisning till bifogade ritning, på vilken fig 1 är en perspektivvy över ett schematiskt visat laddningsöverföringselement, som utnyttjar ett fotoreceptoraggregat i enlighet med uppfinningen, och fig 2 är en perspektivvy över ett alternativt fntoreceptoragqreqat. lig 1 visar schematiskt ett aggregat enligt uppfinningen för avbildning genom Iaddningsöverföring.

I utföringsformen enligt fig 1 är fotoreceptoraggregatet 20 en trumma med ett fotoledande skikt 21 anbringat över ett halvledande skikt 23 på ett elektriskt ledande substrat 25. 10 15 20 NJ LH 30 40 _, -.._A.. _ 3 7807033-1 Vid det konventionella överföringsförfarandet resulterar närvaron av det elektriska fält, som hänför sig till laddningarna hos den på trumman 20 bildade elektrostatiska bilden, i bildförsämring eller -nedbrytning vid överföringsför- farandet. Verkan av sådan bildförsämring dämpas eller lindras i enlighet med upp- finningen genom anbringande av halvledaren 23 mellan det elektriskt ledande sub- stratet 25 och fotoledaren Zl.

Andra former av fotoreceptoraggregat i enlighet med uppfinningen kan åstad- kommas, t.ex. medelst ett böjligt band 20' enligt fig. 2, i vilken figur ett foto- ledande skikt 21' är anbringat över ett halvledande skikt 23' som i sin tur är beläget på ett elektriskt ledande substrat 25'. I syfte att åstadkomma det önskade elektriskt ledande substratet 25' kan en elektriskt ledande beläggning eller hinna anbringas på en plastfilm eller också kan substratet vara en tunn metallfolie, t.ex. av nickel.

Det elektriskt ledande substratet 25 hos trumman 20 i fig. l utgöres som belysande exempel av aluminium, men vilken kombination som helst av material, vilka ger den önskade elektriska ledningsförmâgan, kan också utnyttjas.

Man har empiriskt funnit att de halvledande skikten 23 och 23' företrädesvis skall ha en tjocklek i intervallet från 25,4)mitill 19 mm. Det halvledande skiktets resistivitet mäste vara sådan att laddning kommer att överföras genom skiktet inom en skälig tid. Följaktligen är resistiviteten med fördel mindre än 1012 ohm cm. Å andra sidan måste resistiviteten vara tillräckligt stor för att åstadkomma en tidskonstant i och för utjämning av laddningsöverföringen och därigenom redu- cering av den tidigare uppträdande försämringen av överföringsbilden. Den undre gränsen för de halvledande skiktens23 och 23' resistivitet är beroende av skiktens tjocklek, det överliggande fotoledande skiktets tjocklek och drifthastigheten.

Man har kommit fram till att en resistivitet av mer än 103 ohm cm är lämplig.

Det halvledande skiktet kan vara realiserat på en mångfald olika vis. Det kan vara utfört av en halvledande plast eller en halvledande elast. Ett lämpligt elektriskt ledande ämne är kolsvart, medan en lämplig grundmassa för upptagning av kolsvart är epoxiharts. Det halvledande skiktet kan således bildas genom dis- pergering av kolsvart i en hartsgrundmassa för ästadkommande av en resistivitet inom ovan angivna intervall. Likaså kan en mångfald olika gummiarter användas tillsammans med kolsvart för att åstadkomma den önskade resistiviteten.

Fotoledaren kan vara av det slag, som allmänt utnyttjas vid elektrostatisk avbildning. Material vilka befunnits samverka tillfredsställande med halvledande skikt 23 eller 23' innefattar polyvinylkarbazol, som komplexbundits med trinitro- fluorenon, kadmiumsulfid dispergerad i olika bindemedel innefattande epoxiplaster, silikoner och termoplaster, selen och selenlegeringar, innefattande amorf selen, och zinkoxid med låg utmattningsgrad.

Allmänt gäller att för fotoledare i form av bindemedelsskikt det halvledande l0 l5 20 25 7807Û33~1 4 skiktet också kan vara utfört av samma material som fotoledaren men med högre koncentration av fotokänsligt ämne. Således uppför sig ett fotoledande skikt med en koncentration av l8% kadmiumsulfid i epoxiplast som en isolator, när skiktet är beläget i mörker, medan samma skikt med en koncentration av 30% kadmiumsulfid i mörker uppför sig som en halvledare.

Vid utnyttjande av något av ovan nämnda fotoelektriskt ledande skikt obser- veras nedbrytande bildupplösning av avhandlat slag, när den latenta bildens receptor består av en dielektrisk yta stötande intill en elektriskt ledande yta. Närvaron av detta halvledande skikt 23 eller 23' mellan fotoledaren 2l eller 21' och sub- stratet 25 eller 25' reducerar emellertid avsevärd försämring av bilden till följd_ av nedbrytande upplösning. Även om det fenomen, medelst vilken det halvledande skiktet reducerar nedbrytande upplösning, ej helt är klarlagt kan man förmoda att den medelst det halvledande skiktet införda tidskonstanten har verkan av utjämning eller reducering av den kraftiga reaktion, som annars är förbunden med nedbrytande upplösning.

Särdragen enligt uppfinningen är användbara i fall där det är önskvärt att överföra en latent elektrostatisk laddningsbild på ett dielektriskt element, t.ex. ett mellanliggande dielektriskt element som därefter behandlas med toningsmedel varpå den genom toningen åstadkomna bilden sedan överföres på en plan papperskopia eller ett dielektriskt ark, som själv är tonat för att åstadkomma en kopia. Även om olika särdrag för uppfinningen har angivits pá ritningen och i beskriv- ningen, torde det inses att beskrivningen ovan endast utgör ett belysande exempel och att olika ändringar i element, liksom utbyte till ekvivalenta beståndsdelar för visade och beskrivna beståndsdelar, kan göras utan att man avlägsnar sig från uppfinningstanken såsom denna kommer till uttryck i efterföljande patentkrav.

Claims (11)

l0 l5 20 25 30 35 5 7 8 0 7 Û 3 3- 1 šPAitNtknAv
1. l. Xerografisk apparat innefattande ett fotoreceptoraggregat, en optisk ek- poneringsanordning för att bilda en latent elektrostatisk bild på fotoreceptor- aggregatet och en anordning för att överföra den latenta elektrostatiska bilden från fotoreceptoraggregatet till ett närbeläget dielektriskt element, k ä n n e- t e c k n a d av att fotoreceptoraggregatet innefattar en fotoelektrisk ledare (2l), ett elektriskt ledande substrat (25) och en halvledare (23) med en tjocklek av åtminstone 25 /tm anordnad mellan den fotoelektriska ledaren och det elektriskt ledande substratet.
2. 2. Apparat enligt krav l, k ä n n e t e c k n a d av att halvledaren (23) 12 ohmcm. har en resistivitet mellan l03 och l0
3. 3. Apparat enligt krav l eller 2, k ä n n e t e c k n a d av att halvledaren (23) utgöres av halvledande plast eller halvledande elast.
4. 4. Apparat enligt något av föregående krav, k ä n n e t e c k n a d av att halvledaren utgöres av elektriska ledare dispergerade i en plast- eller gummigrund- massa.
5. 5. Apparat enligt något av föregående krav, k ä n n e t e c k n a d av att halvledaren (23) utgöres av kolsvart dispergerad i gummi, kolsvart dispergerad i ett epoxiharts eller kadmiumsulfid i en plastgrundmassa.
6. 6. Apparat enligt något av föregående krav, k ä n n e t e c k n a d av att den fotoelektriska ledaren (Zl) utgöres av kadmiumsulfid dispergerad i ett binde- medel, amorf selen, selenlegeringar, zinkoxidbindemedelsskikt eller en organisk fotoelektrisk ledare.
7. 7; Apparat enligt något av föregående krav, k ä n n e t e c k n a d av att den fotoelektriska ledaren (21) är utförd som ett skikt och att halvledaren är utförd som ett skikt.
8. 8. Apparat enligt något av föregående krav, k ä n n e t e c k n a d av att den fotoelektriska ledaren och halvledaren utgöres av skikt utförda med samma gmmmmsæ.
9. 9. Apparat enligt krav 8, k ä n n e t e c k n a d av att grundmassan är ett värmehärdat organiskt harts.
10. l0. Apparat enligt krav 9, k ä n n e t e c k n a d av att grundmassan inne- håller en koncentration av kadmiumsulfid.
11. ll. Apparat enligt krav l0, k ä n n e t e c k n a d av kadmiumsulfid i halvledaren är ungefär 30 % och koncentrationen av kadmium- sulfid i den fotoelektriska ledaren är ungefär l8 %. av att koncentrationen