SE429644B - Forfarande for framstellning av kiselnitrid med hog halt alfa-fas - Google Patents
Forfarande for framstellning av kiselnitrid med hog halt alfa-fasInfo
- Publication number
- SE429644B SE429644B SE8107732A SE8107732A SE429644B SE 429644 B SE429644 B SE 429644B SE 8107732 A SE8107732 A SE 8107732A SE 8107732 A SE8107732 A SE 8107732A SE 429644 B SE429644 B SE 429644B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- cooling
- bed
- temperature
- gas
- silicon
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/02—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
- B01J8/0207—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid flow within the bed being predominantly horizontal
- B01J8/0214—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds the fluid flow within the bed being predominantly horizontal in a cylindrical annular shaped bed
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
- C01B21/0682—Preparation by direct nitridation of silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
10.
_ 15.
20.
25.
30.
35.
8107732-3
' """'2
ligt eller praktiskt/ekonomiskt acceptabelt. Det är således
möjligt att undvika de lokala överhettningarna genom att upp-
'rätthålla en betryggande säkerhetsmarginal i fråga om tempe-
raturen i reaktorn, vilket emellertid leder till en minskad
produktionskapacitet. Det är också känt att avkänna tempera-
turen i reaktorn och vid registrerade överhettningar sänka
partialtrycket för kvävet. Detta sänker emellertid också reak-
tionshastigheten i reaktorn och är dessutom en komplicerad
reglermetod. Båda metoderna lider av svagheten att verka generellt _
sänknde på reaktionshastigheten i reaktorn då i stället en specifik
verkan på områden med lokala överhettningar vore önskvärd.
Uppfinningen allmänt
Föreliggande uppfinning har till huvudändamål att i en
reaktor för framställning av kiselnitrid möjliggöra en sådan
temperaturstyrning att såväl en hög produktionskapacitet som
en hög produktkvalitet kan uppnås. Särskilt har uppfinningen
till ändamål att motverka lokala överhettningar vid en hög
reaktionstemperatur på reaktanterna. Ett ytterligare ändamål
är att utföra temperaturregleringen så att uppkomna oönska-
de temperaturstegringar snabbt motverkas. Ett ytterligare
ändamål är att finna en enkel metod för denna temperatur-
styrning.
Dessa ändamål uppnås på det sätt som framgår av bifoga-
de patentkrav.
Genom att enligt uppfinningen kyla partikelbädden av
kisel och kiselnitridpulver motverkas lokala överhettningar
bättre än med andra metoder samtidigt som inverkan på medel-
temperaturen och därmed produktionshastigheten inte blir så
markerad. Då partikelmaterialet hålles i kontakt med kylande
ytor eller med den kylda gasfasen kommer de områden som har
en högre temperatur än genomsnittet att avge mer värme till
de kalla delarna än övriga områden varigenom uppnås den av-
sedda effekten med en mer koncentrerad verkan mot specifikt
de lokala överhettningarna. överhettningarna utplånas dess-
utom snabbt eftersom en aktiv kylning av dessa äger rum och
inte endast nyproduktion av exoterm värme motverkas. Vid an-
vändning av en kyld gas erhålles dessutom en utjämnande ver-
kan på temperaturen genom gasens strömning relativt partik-
larna samtidigt som gastemperaturen svarar snabbt på regler-
10.
15.
20.
25.
30-
35.
8107732-3
3
ändringar. Kylytor har en motsvarande utjämnande verkan ge-
nom sin värmekapacitet och kan dessutom placeras där över-
hettningar förväntas. På detta sätt erhålles med enkla medel
en motverkan av lokala överhettningar utan att reaktionstem-
. peraturen eller reaktionshastigheten allmänt behöver sänkas.
Detta möjliggör förbättrad och mer reproducerbar kvalitet
på produkten vid oförändrad produktionshastighet och/eller
höjd produktionskapacitet utan produktförsämring genom att
en högre genomsnittstemperatur kan upprätthållas. I en gi-
ven reaktorvolym möjliggöres också högre produktion genom
att större eller tätare packade bäddar kan användas eller
En jämn temperatur
innebär också en mindre sintrad och därför mer lättkrossad
produkt. Ytterligare effekter och fördelar kommer att fram-
gå av den närmare beskrivningen nedan.
5 Detaljbeskrivning av uppfinningen
Vid framställning av kiselnitrid föreligger kiselkompo-
nenten i form av ett pulver med en partikelstorlek normalt
understigande ca 50Jum och oftast liggande mellan 5 och 25jum.
Under reaktionen omvandlas först partiklarnas yta och sist de-
ras kärna till kiselnitrid. I utjämnande syfte, och som grodd-
bildare för alfa-nitrid, kan det emellertid vara lämpligt att
från början inblanda alfa-kiselnitridpulver i kiselpulvret,
varvid dessa partiklar lämpligen är något mindre än kiselpar-
Mängden tillsats kan med
att kvävgasens partialtryck kan höjas.
tiklarna eller omkring l till 15 pm.
sättet enligt uppfinningen hållas ganska liten, exempelvis
mellan 5 och 50 viktprocent. Densiteten på pulverbädden är av
betydelse för att maximalt utnyttja reaktorns kapacitet men
får ej bli så hög att gasfasen inte kan tränga fram till alla
delar av bädden. För en statisk bädd ligger således densite-
3
ten normalt i reaktorer av detta slag omkring 0,8 g/cm men
kan med reglermetoden enligt uppfinningen ofta höjas, exempel-
vis till mellan 1,0 och 1,5 g/cmš.
Kvävet tillföres i gasform och ren kvävgas kan användas.
Dock kan kvävets partialtryck med fördel reduceras under at-
mosfärstryck för att inte en alltför hög reaktionshastighet,
särskilt i början av reaktionen, skall erhållas. För att und-
vika användning av undertryck bör då en annan gas såsom väte
eller argon tillföras. Ett lämpligt partialtryck för kvävga-
10.
15»
20.
25.
30.
35.
8107732-3
i _ q
sen vid huvuddelen av reaktionen ligger mellan 0,1 och 0,8
atm (l0 och 80 MPa) och företrädesvis mellan 0,3 och 0,6 atm
(Ä0 och 60 MPa). Gasen bör lämpligen bringas att strömma re-
lativt partiklarna eftersom en rent diffusionsstyrd process
kan ge alltför låg produktionskapacitet vid större dimensioner.
Reaktionstemperaturen bestämmes av den mängd beta-fas-
kristaller som kan accepteras. Lämpligen bör temperaturen
hållas under ca 130000 då väsentligen ingen beta-fas bildas.
Temperaturen kan hållas högre om större mängder beta-fas kan
tolereras men temperaturer över ca lÄ0O°C bör undvikas ef-
tersom risk för smältning av kiselfasen då föreligger. Som
nämnts kan den sista mängden kisel slutreageras vid tempe-
raturer något över temperaturen under huvudreaktíonen efter-
som kiselmaterialet i partiklarnas kärnor endast relativt
långsamt omsättes och väsentligen då utan risk för överhett-
ningar. Alternativt kan reaktionshastigheten i slutfasen .
ökas genom en höjning av kvävets partialtryck.
Som nämnts skall partiklarna i högtemperaturzonen ky-
las efter det att den exoterma bildningsreaktionen startats
för att upprätthålla det önskade jämna temperaturtillståndet.
Denna kylning kan ske på olika sätt.i Särskilda kylda organ
kan anordnas i anslutning till bädden, antingen i direkt
kontakt med partiklarna för utnyttjande av värmeledning
eller företrädesvis på något avstånd från partiklarna för
förenkling och huvudsakligt utnyttjande av strålningskyl-
ning. Denna princip har fördelen att de kylande organen
med eventuellt inneslutet kylmedium representerar en värme-
kapacitet som verkar utjämnande på temperaturskillnader. Om
kylytorna placeras i bädden inne i högtemperaturzonen vinnes
dessutom en konstruktivt enkel utformning och en möjlighet
att placera kylytorna där överhettningar förväntas. I detta
fall uppnås även en kylning av gasfasen. Kylelementen kan
emellertid också placeras utanför högtemperaturzonen, var-
vid partikelmassan transporteras ut ur denna, bringas i
kontakt med kylytan och återföres till zonen. I detta fall
vinnes att kylytorna kan utformas med mindre hänsyn till de
besvärliga förhållandena i zonen, att själva zonen får en
enklare konstruktiv utformning och att en viss blandnings-
effekt kan erhållas vid pulvrets transport.
10.
15.
20.
25:
30.
35-
8107732-3
5
En annan möjlighet är att kyla gasen som passerar bäd-
den. Gasen har normalt mindre värmekapacitet än kylytor och
svarar mycket snabbt på reglerändringar. Metoden medger ock-
så enkla konstruktiva lösningar och har fördelen att kyla
likformigt i bädden. Gasen kan kylas i högtemperaturzonen fö-
re kontakten med partiklarna eller mellan flera bäddavsnitt
men företrädesvis kyles den utanför zonen innan den tillföres
denna. För effektiv kylning bör gasen cirkuleras genom bädden
i högre takt än vad som erfordras för reaktionen och lämpli-
gen tillföres mellan 0,1 och 2,0 reaktionsekvivalenter (to-
talt erforderlig kvävgasmängd för fullständig omsättning av
kíselmängden) per timme och företrädesvis mellan 0,5 och
1,5 reaktionsekvivalenter per timme,
g De ovan beskrivna kylmetoderna, vilka med fördel kan
användas i kombination, är oftast tillräckliga för att upp-
rätthålla det önskade temperaturmönstret. För att ytterli-
gare reducera temperaturavvikelser kan metoderna kombineras
med någon form av omblandning av bädden. Detta kan ske med
mekaniska omrörare monterade i zonen, vilket relativt en-
kelt kan ske med bibehållen liten volym hos zonen. En bland-
ning kan också erhållas vid transport av pulvret exempelvis
ovan. Det är också möjligt att
genom att utforma zonen som en
kan då ske med gasen, med en
transport av partiklarna till
till en yttre kylyta enligt
röra om bädden med gasfasen
fluidiserad bädd. Kylningen
värmeväxlare i bädden eller
en yttre värmeväxlare.
I de fall omrörning av bädden inte äger rum måste i
stället en lämplig dimensionering av bädden företagas med
hänsyn till kylningssättet för att inte alltför stora tem-
peraturskillnader skall kunna uppträda. Då kylytor använ-
des bör utformningen av bädden göras så att inget bäddav-
snitt har större avstånd till en kylyta än 30 cm, företrä-
desvis inte större avstånd än 20 cm och helst inte Större än
10 cm. I det aktuella temperaturområdet sker kylytornas vär-
meupptagning huvudsakligen via strålning och kan därför ske
över visst avstånd. Av praktiska och konstruktionsmässiga
skäl bör avstânden mellan kylytorna vara minst l cm och helst
minst 2 cm. Då en gas användes som kylmedium uppvärmes
denna vid passage genom bädden och även i dessa fall måste
således bäddens dimensioner i gasens strömningsriktning be-
10.
15.
20.
25.
50.
35-
8107732-3
6
gränsas och kan här tillåtas vara upp till 30 cm men före-
träöesvis ej över l5 cm.
Kylmediet för kylning av ytorna respektive gasen måste
tåla relativt höga temperaturer, särskilt som väsentliga
temperaturgradienter på kylmediet ej bör föreligga, och
vätskor kan därför normalt inte användas utan gaser före-
drages. Särskilt gas av samma eller liknande sammansättning
-som atmosfären i zonen kan med fördel användas.
Kyleffekten bör styras med ledning av faktiska tempera-
turvärden uppmätta i bädden. Eftersom kylprincipen enligt
uppfinningen effektivt verkar mot små lokala överhettning-
ar är det oftast tillräckligt att reglera efter större zo-
ner med temperaturavvikelser och öka kyleffekten för att re-
ducera dessa avvikelser. Sådana större avvikelser kan upp-
komma exempelvis mellan ytligt och centralt belägna delar
av större bäddavsnitt eller mellan bädden närmast en kylyta
och på största avstånd från kylytan. Praktiskt kan detta gö-
ras så att ett termoelements båda lödställen placeras på det
förväntade kalla respektive varma stället i bädden och att
mängden kylmedium eller dess temperatur ändras tills den
uppmätta temperaturskillnaden tillfredsställande utjämnats.
Kontinuerlig styrning av mängd eller temperatur på kylmediet
kan användas men en on/off-reglering är i regel tillräcklig.
'Om bädden kan förväntas uppträda olika i olika större av-
snitt kan givetvis fler givare anordnas och det är då lämp-
ligt att även kylningen kan selektivt styras för de olika
avsnitten. Flera givare kan också vara av värde för att få
en så likformíg uppvärmning som möjligt av reaktorn vid
igångkörning.
i I konstruktivt avseende utformas reaktorn lämpligen som
en ugn med ett yttre hölje, en innanför liggande isolering
samt värmeelement innanför isoleringen för uppvärmning av
ugnen vid igångkörning. Centralt anordnas pulverbädden,
exempelvis i form av en ihålig cylinder. Om kylytor skall
anordnas i bädden dras lämpligen värmeväxlarrör genom ugnens
mantel och ledes genom bädden i tillräcklig omfattning för
att uppfylla de ovan uppställda dimensioneringsvillkoren.
Kylytorna kan förses med flänsar eller färgas svarta för bäs-g
ta_upptagning av strålningsenergil Gasen ledes lämpligen till
10.
15.
20.
25.
BO.
35.
8107732-3
1
cylinderns mitt, får passera cylindern radiellt och uppsam-
las mellan ugnens mantel och isolering. Om kylningen sker
endast med hjälp av gasen fordras inga ytterligare kylanord-
ningar i bädden. Gasen och/eller kylmediet kyles lämpligen
på ett styrbart sätt utanför ugnen. Delar utsatta för de hö-
ga temperaturerna i processen kan utformas i molybden, gra-
fit eller företrädesvis kiselnitrid.
Figurbeskrivning V
Figuren visar ett snitt genom en föredragen anordning
lämplig att använda vid sättet enligt uppfinningen.
Figuren visar en ugn med en mantel 1, innanför manteln
anordnad isolering 2 och innanför isoleringen anordnade upp-
cvärmningselement 3. Centralt i ugnen är en bädd Ä av kisel-
nitrid och kisel anordnad i form av en cylinder med en cent-
ral hålighet. I den centrala håligheten sker gastillförseln
med hjälp av ett dubbelrör innefattande ett yttre perforerat
rör 5 samt ett inre rör 6 med ett nedre utlopp anordnat vid
botten av det yttre röret 5. Mellan ugnens mantel l och iso-
leringen 2 är perforerade utsugningsrör 7 anordnade vilka är
anslutna till en utsugningsfläkt 8. En kvävgasblandning till-
föres ledningen 9, passerar kylaren 10 och fläkten ll varef-
ter gasen tillföres det inre röret 6. En ledning 12 förbin-
der utrymmet mellan rören 5 och 6 med huvudgasinloppet 9.
Ett huvudgasflöde genom bädden i ugnen erhålles med hjälp av
fläkten 8, som skapar ett undertryck i ugnen varigenom gas
sugs in genom ledningen 9 till det inre röret 6, passerar
perforeringarna i det yttre röret 5, passerar bädden U och
avlägsnas från ugnen via de perforerade rören 7. Pumpen ll
skapar härutöver ett undertryck i ledningen 12 så att en an-
del av gasen mellan rören 5 och 6 suges till huvudledningen
9 för förnyad passage genom kylaren 10 före återinträdet i
det inre röret 6. Förhållandet mellan flödet i huvudgasström-
men och återflödet i ledningen 12 kan regleras genom ändring
av ventilen 13 som styres av reglerdonet 14 på grundval av
temperaturdifferensen mellan punkterna A och B i bädden 4,
vilken temperaturdifferens uppmätes med termoelementet l5.
Kyleffekten erhålles i detta exempel genom en kombina-
tíonsverkan av kyld gas och kall yta genom att den kylda ga-
8107732-3
8
sen, som tillföras röret 6, sänker temperaturen på rören 5
och 6 så att dessa kan uppta strålníngsvärme från den omgi-
vande bädden.
Claims (8)
- l. Förfarande för framställning av kiselnitrid med hög halt alfa-fas genom upphettníng i en högtemperaturzon av ki- selpulver i närvaro av kväveínnehållande gas, k ä n n e - därav, att lokala överhettníngar av kisel- pulvret motverkas genom en reglerad kylning av pulvret med hjälp av fasta kylytor placerade i högtemperaturzonen på sådant sätt att inget kiselpulver har större avstånd till en kylyta än 30 cm och att avståndet mellan kylytorna är minst l om.
- 2. Förfarande enligt krav l, k ä n n e t e c k n a t därav, att kylning även sker genom att den kvåveinnehållande gasen kyles och cirkuleras genom kiselpulvret.
- 3. Förfarande enligtkrav 2, k ä n n e t e c k n a t därav, att kylytan placeras i kontakt med kiselpulvret i högtemperaturzonen. .
- H. Förfarande enligt krav 2, k ä n n e t e c k n a t därav, att kylytan placeras utan direkt kontakt med kisel- pulvret och att kylytan ges hög absorptionsförmåga för värme- strålning.
- 5. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t därav, att inget kiselpulver har större avstånd till en kyl- yta än 20 cm. i
- 6. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t därav, att avståndet mellan kylytorna är minst 2 cm.
- 7. Förfarande enligt något av de föregående kraven, k ä n n e t e c k n a t därav, att kiselpartiklarna om- blandas för utplånande av lokala överhettningar.
- 8. Förfarande enligt krav 7, k ä n n e t e c k n a t därav, att omblandningen sker genom fluidisering av kisel- partiklarna i den kväveinnehållande gasen.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8107732A SE429644B (sv) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | Forfarande for framstellning av kiselnitrid med hog halt alfa-fas |
EP19820850267 EP0085288B1 (en) | 1981-12-23 | 1982-12-22 | A process for the production of silicon nitride |
DE8282850267T DE3273888D1 (en) | 1981-12-23 | 1982-12-22 | A process for the production of silicon nitride |
JP22513182A JPS58115009A (ja) | 1981-12-23 | 1982-12-23 | チツ化ケイ素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8107732A SE429644B (sv) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | Forfarande for framstellning av kiselnitrid med hog halt alfa-fas |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8107732L SE8107732L (sv) | 1983-06-24 |
SE429644B true SE429644B (sv) | 1983-09-19 |
Family
ID=20345342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8107732A SE429644B (sv) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | Forfarande for framstellning av kiselnitrid med hog halt alfa-fas |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0085288B1 (sv) |
JP (1) | JPS58115009A (sv) |
DE (1) | DE3273888D1 (sv) |
SE (1) | SE429644B (sv) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2139722C3 (de) * | 1971-08-07 | 1978-11-02 | Rheinisch-Westfaelisches Elektrizitaetswerk Ag, 4300 Essen | Verfahren zur Herstellung eines Metallnitrids |
GB1431780A (en) * | 1972-10-06 | 1976-04-14 | Lucas Industries Ltd | Manufacture of silicon nitride products |
-
1981
- 1981-12-23 SE SE8107732A patent/SE429644B/sv not_active IP Right Cessation
-
1982
- 1982-12-22 EP EP19820850267 patent/EP0085288B1/en not_active Expired
- 1982-12-22 DE DE8282850267T patent/DE3273888D1/de not_active Expired
- 1982-12-23 JP JP22513182A patent/JPS58115009A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0085288A1 (en) | 1983-08-10 |
DE3273888D1 (en) | 1986-11-27 |
EP0085288B1 (en) | 1986-10-22 |
SE8107732L (sv) | 1983-06-24 |
JPS58115009A (ja) | 1983-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AU597432B2 (en) | Process for the continuous production of high purity, ultra-fine, aluminum nitride powder by the carbo- nitridization of alumina | |
JP2010017715A (ja) | 熱交換型反応器 | |
CN105377476A (zh) | 用于粉末处理的高温流化床 | |
US4904452A (en) | Inner core heating in fluidized bed | |
SE429644B (sv) | Forfarande for framstellning av kiselnitrid med hog halt alfa-fas | |
CN208261854U (zh) | 一种三段式选择性激光熔化组合预热系统 | |
US5154907A (en) | Process for the continuous production of high purity, ultra-fine, aluminum nitride powder by the carbo-nitridization of alumina | |
JPS59173129A (ja) | 管式反応器内に固定床の形で配置された充填物の温度調整方法とこの方法を実施するための配置 | |
EP4025416B1 (en) | A method of controlling the cooling rate in a hot pressing arrangement, a control module and a pressing arrangement per se | |
JP7504124B2 (ja) | 直接還元金属を製造するための方法および装置 | |
Sokolov et al. | Use of the heat of molten glass aided by circulating furnace gases | |
KR101601203B1 (ko) | (초)고온가스로용 핵연료 제조를 위한 회전형 반응로를 포함하는 구형의 핵연료 소결입자 제조장치 및 이를 이용한 제조방법 | |
SE2050356A1 (sv) | Method and device for producing direct reduced metal | |
Dughiero et al. | Multi-crystalline silicon ingots growth with an innovative induction heating directional solidification furnace | |
US20240093948A1 (en) | Thermal storage unit | |
US5108713A (en) | Apparatus for the continuous production of high ultra-fine, aluminum nitride powder by the carbo-nitridization of alumina | |
CN208390007U (zh) | 助剂生产反应釜 | |
JPH0148307B2 (sv) | ||
JP4354903B2 (ja) | 高温ガス炉用被覆燃料粒子の製造装置 | |
JPS6328440A (ja) | 多段固定床触媒反応器 | |
JP5239997B2 (ja) | プレート式反応器における温度制御方法及び反応生成物の製造方法 | |
Kennedy | Resistance Heated Furnaces for Reaction‐Formed Silicon Carbide Articles | |
JPH0386229A (ja) | 流動床における内芯加熱法 | |
Gotovchikov et al. | Depleted uranium dioxide melting in cold crucible melter and production of granules from the melt for use in casks for spent nuclear fuel and radioactive wastes | |
JPH0386228A (ja) | 環状加熱流動床反応器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8107732-3 Effective date: 19890301 Format of ref document f/p: F |