SE416344B

SE416344B - OPTIONAL ELECTRONIC TENDER PLANT

Info

Publication number: SE416344B
Application number: SE7712907A
Authority: SE
Inventors: J P Coates
Original assignee: Lumenition Ltd
Priority date: 1976-11-26
Filing date: 1977-11-15
Publication date: 1980-12-15
Also published as: JPS5368332A; SE7712907L; FR2372326A2; AU3072077A; DE2752808A1; GB1539454A; AU509654B2; CA1086816A; ES464883A2; BR7707760A; ZA776788B; FR2372326B2; IT1116378B; MX143396A

Description

7712907-0 Företrädesvis har en kondensator parallellkopplats med den skyddszener- diod eller -dioder som hör samman med det sista Darlingtonparet. 7712907-0 Preferably, a capacitor is connected in parallel with the protection zener. diode or diodes associated with the last Darlington pair.

Vid en föredragen form kan organ vara anordnade för att hindra att spänning- en vid fototransistorns kollektorelektrod faller under en given nivå som ett resul- tat av övermättnad orsakad av överdrivet stark strålningspåverkan. Det nämnda organet Vkan utgöras av en Schottky-diod, som i framriktningen är ansluten mellan fototransis- torns bas- och kollektorelektroder.In a preferred form, means may be provided to prevent tension one at the collector electrode of the phototransistor falls below a given level as a result of supersaturation caused by excessively strong radiation exposure. The said body The channel consists of a Schottky diode, which is connected in the forward direction between the phototransistors. tower base and collector electrodes.

Vid en alternativ form kan fototransistorn hindras från att bli övermättad genom att den skiva som fototransistorn är uppbyggd på utbildas sådan att när strål- ningspåverkningen överskrider en given nivå den ström som uppkommer genom strålnings- påverkning genom bestrålningen av basområdet går till kollektorområdet och via koll* ektor-emitterövergången så att en del av fotoströmmen icke förstärkes.In an alternative form, the phototransistor can be prevented from becoming supersaturated by training the disk on which the phototransistor is built so that when the radiation the effect exceeds a given level the current generated by the radiation influence through the irradiation of the base area goes to the collector area and via coll * the eector-emitter junction so that part of the photocurrent is not amplified.

Den föreliggande uppfinningen kommer nu att beskrivas mera detaljerat och såsom ett exempel och under hänvisning till den bifogade ritningen, där den enda ritningsfiguren är ett kopplingsschema för en optoelektronisk tändanläggning för en förbränningsmotor osm angivits i det nämnda huvudpatentet och även innefattar de förbättringar som det redan hänvlsats till.The present invention will now be described in more detail and as an example and with reference to the accompanying drawing, in which the sole the drawing figure is a wiring diagram for an optoelectronic ignition system for one internal combustion engine and the like are specified in the said main patent and also include those improvements already referred to.

Den på ritningen visade kretsen inkluderar en lampa I av galllumarsenld, en fototransistor 2 och två Darlingtonpar Qi och Q2. Lampan l och fototransistorn 2 ligger i serie med resp. resistorer RI och R2 och mottar en stabiliserad matnings- spänning av 7,5 volt från en zenerdiod Zl. Zenerdioden är ansluten över batteriet för fordonet som har spänningen 12 volt och ligger i serie med en resistor R3. En diod Dh är ansluten i spärriktningen över lampan l för att skydda lampan mot åt det negativa hållet gående överspänningar eller transienter. över fototransistorns 2 emitter-kollektor-elektroder förefinns en diod Di, som tjänar icke endast att säkerställa en ren omkoppling av fototransistorn Z utan även att säkerställa att eventuella negativa överspänningar eller transienter på led- ningen under den tid som fototransistorn är oledande ledas förbi fototransistorn och därför är ur stånd att orsaka någon skada på densammas uppbyggnad. En Schottky-diod SD är ansluten över fototranslstorns 2 bas- och kollektorelektroder i ändamål att hindra fototransistorn att bli övermättad på grund av alltför kraftig strålningspå- verkan från lampan l.The circuit shown in the drawing includes a lamp I of bile duct, a phototransistor 2 and two Darlington pairs Q1 and Q2. Lamp 1 and phototransistor 2 is in series with resp. resistors R1 and R2 and receive a stabilized supply voltage of 7.5 volts from a zener diode Z1. The zener diode is connected across the battery for the vehicle which has a voltage of 12 volts and is in series with a resistor R3. One diode Dh is connected in the blocking direction above the lamp l to protect the lamp against it negative current overvoltages or transients. across the emitter-collector electrodes of the phototransistor 2 there is a diode Di, which serves not only to ensure a clean switching of the phototransistor Z but also to ensure that any negative overvoltages or transients on the during the time that the phototransistor is non-conductive, is passed past the phototransistor and therefore unable to cause any damage to its structure. A Schottky diode SD is connected across the base and collector electrodes of the phototranslator 2 for the purpose of prevent the phototransistor from becoming oversaturated due to excessive radiation exposure effect from lamp l.

Det har visat sig att vid frånvaro av Schottky-dioden kommer, om fotoransis- totn utsättes för överdrrven bestrålning, denna att bli övermättad, och detta har till följd att när bestrålningen går ned till noll omkopplingshastigheten är låg hos foto- transistorn. Under dessa förhållanden med'hög bestrålning kommer kollektor-emitter- mättningsspänningen för fototransistorn att falla under ett givet värde, som i ett 7712907-0 typiskt fall är 3D0mV.It has been found that in the absence of the Schottky diode, if the photoresist totn is exposed to excessive radiation, this to become supersaturated, and this has to consequence that when the irradiation goes down to zero the switching speed is low at transistor. Under these conditions of high radiation, the collector-emitter will the saturation voltage of the phototransistor to fall below a given value, as in a 7712907-0 typical case is 3D0mV.

Vid en alternativ form kan i stället för att Schottky-dioden SD anordnas fototransistorn hindras från att bliva övermättad på grund av överdriven bestrâlning genom en lämplig konstruktion av skivan som fototransístorn är utbildad pâ, så att när bestråiningen överstiger en given nivå den ström som uppkommer genom bestrål- ningen av basområdet går till kollektorområdet och via kollektor~emitterövergången, så att den del av fotoströmmen icke förstärkes.In an alternative form, instead of the Schottky diode SD can be arranged the phototransistor is prevented from becoming oversaturated due to excessive irradiation by a suitable construction of the disc on which the phototransistor is trained, so that when the irradiation exceeds a given level, the current generated by the irradiation the base area goes to the collector area and via the collector-emitter junction, so that that part of the photo stream is not amplified.

Darlingtonparen Qi och Q2 består vardera av ett par transistorer Ti, T2 resp. T3 , Th anordnade i vanlig Darlington-konfiguration. Transistorns Ti baselek- trod är ansluten till fototransistorns 2 kollektorelektrod. De hopkopplade kollektor- elektroderna hos transistorerna Ti och T2 är för det första anslutna till baselek- troden i transistorn T3 i det andra Darlingtonparet Q2 via en diod D3 och för det andra till den zenerstabíliserade spänningen 7,5 volt via en resistor Rh.The Darlington pairs Q1 and Q2 each consist of a pair of transistors T1, T2 resp. T3, Th arranged in standard Darlington configuration. Transistors Ti baselek- is connected to the collector electrode of the phototransistor 2. The interconnected collector the electrodes of the transistors T1 and T2 are first connected to the base the current in the transistor T3 in the second Darlington pair Q2 via a diode D3 and for it second to the zener stabilized voltage 7.5 volts via a resistor Rh.

En diod D2 är ansluten mellan transistorns Th emitterelektrod och transis- torns T3 baselektrod. Dioden Di är likaledes ansluten mellan transistorns T2 emitter- elektrod och transistorns Ti baselektrod. Dioderna Di och D2 tjänar till att skydda Darlingtonparen mot åt det negativa hållet gående överspänningar eller transienter liksom även mot en inkoppling av batteriet med felaktig polaritet. Dioden Di tjänar även till att skydda fototransistorn 2 mot omkastad batterianslutning.A diode D2 is connected between the emitter electrode of the transistor Th and the transistor. tower T3 base electrode. The diode D1 is also connected between the emitters of the transistor T2. electrode and the base electrode of the transistor Ti. The diodes D1 and D2 serve to protect The Darlington pair against negative overvoltages or transients as well as against a connection of the battery with incorrect polarity. The diode you serve also to protect the phototransistor 2 against inverted battery connection.

De med varandra förbunda kollektorelektroderna i transistorerna T3 och TH är anslutna till en ände på primärlindningen i tändspolen Å, och primärlindningens andra ände är ansluten till den positiva polen på 12-voltsbatteriet. Mellan transist- orernasT3 och TÅ med varandra förbundna kollektorelektroder och transistorns T3 baselektrod är ansluten en krets, som omfattar ett par i serie kopplade zenerdioder Z2 och Z3, en kondensator C parallellkopplad med zenerdioderna Z2 och Z3, och en resistor RS, som är ansluten i serie med den parallellkrets som omfattar kondensa- torn C och zenerdiodernaZ2och Z3. Ändamålet med denna krets är att för det första styra Darlingtonparets Q2 omkopplingshastighet och för det andra att skydda Darling- tonparet mot åt det positiva hållet gående överspänningar eller transienter, såsom förklarats-i det brittiska patentet nr. i.330.b53, och för det tredje att hindra att icke önskad elektromagnetisk strålning utstrålas från spolen.The interconnected collector electrodes in the transistors T3 and TH are connected to one end of the primary winding in the ignition coil Å, and of the primary winding the other end is connected to the positive terminal of the 12-volt battery. Between transist- orernasT3 and TÅ interconnected collector electrodes and transistor T3 base electrode is connected a circuit, which comprises a pair of zener diodes connected in series Z2 and Z3, a capacitor C connected in parallel with the zener diodes Z2 and Z3, and a resistor RS, which is connected in series with the parallel circuit comprising the capacitor tower C and the zener diodes Z2 and Z3. The purpose of this circuit is to first control the Darlington pair Q2 switching speed and secondly to protect the Darlington the pair of tones against positive overvoltages or transients, such as declared in British Patent No. i.330.b53, and thirdly, to prevent unwanted electromagnetic radiation is emitted from the coil.

Det grundläggande arbetssättet för kretsen är identiskt med det som an- givits i huvudpatentet.The basic operation of the circuit is identical to that used granted in the main patent.

De nu beskrivna förbättringarna utöver den krets som angivits i huvud- patentet har följande fördelar: a) Anordnandet av dioden Dh över galliumarsenidlampan i hindrar att åt det negativa hållet gående transienter skadar lampan. b) Anordnandet av antingen en Schottky-diod SD över bas- och kollektor- elektroderna i fototransistorn 2 eller den lämpliga ändringen av konstruktionen av fototransistorns skiva hindrar att fototransistorn 2 går till övermättat tillstånd 7712907-0 på grund av överdriven bestrâlníng. c) Anordnandet av kondensatorn C över zenerdioderna Z2 och Z3 har den verkan att det sker en nedsaktning av stigtiden för den första läckinduktansspiken i den inducerade spänning som uppträder vid påbörjandet av bortkopplingen av Darlingtonparet Q2. På grund av att kondensatorn C saktar ned stigtiden för den Första läckinduktansspiken, kommer stigningen av spänningen i sekundärlindningen att vara i stånd att följa den primära stigningen med fullständig magnetisk kop- pling mellan primär- och sekundärlindningarna. Härigenom kommer sålunda hela den magnetiska energin att hållas inuti tändspolen och det utstrålas icke någon energi utåt. Det påpekas att vid frånvaro av kondensatorn C är det troligt att en viss strålning sker inom det elektromagnetiska spektrums radioband.The improvements now described in addition to the circuit indicated in the main the patent has the following advantages: a) The arrangement of the diode Dh across the gallium arsenide lamp i prevents eating the negative direction transients damage the lamp. b) The arrangement of either a Schottky diode SD across the base and collector the electrodes in the phototransistor 2 or the appropriate change in the design of the disk of the phototransistor prevents the phototransistor 2 from going to a supersaturated state 7712907-0 due to excessive irradiation. c) The arrangement of the capacitor C across the zener diodes Z2 and Z3 has it effect of slowing down the rise time of the first leakage inductance nail in the induced voltage which occurs at the beginning of the disconnection of Darlington couple Q2. Due to the capacitor C slowing down the rise time for it The first leakage inductance spike, comes the rise of the voltage in the secondary winding to be able to follow the primary ascent with full magnetic coupling pling between the primary and secondary windings. Thus comes the whole of it the magnetic energy to be kept inside the ignition coil and no energy is radiated outwards. It is pointed out that in the absence of capacitor C it is likely that a certain radiation occurs within the radio band of the electromagnetic spectrum.

Claims

.

Optoelectronic ignition system according to claims 4 and 5 of the main patent, characterized in that a capacitor (C) is connected in parallel with protective zener diodes (Z2, Z3) associated with the last Darlington pair (Q2).

An optoelectronic ignition system according to claim 7 in the main patent, characterized in that means (SD) are provided to prevent the voltage at the collector electrode of the phototransistor (2) from falling below a given level as a result of supersaturation caused by excessive irradiation. Ä.

Optoelectronic ignition system according to claim 3, characterized in that said means consists of a Schottky diode (SD), which in the forward direction is connected between the base and collector electrodes of the phototransistor (2).

Optoelectronic ignition system according to claim 11 in the main patent, characterized in that the phototransistor (2) is prevented from becoming supersaturated by forming the phototransistor disk so that when the radiation exceeds a given level the current generated by the irradiation of the base area goes to the collector area and via the collector emitter junction, so that that part of the photo stream is not amplified. MENTIONED PUBLICATIONS: