SA520411354B1 - طريقة معالجة أيروسول للطلاء المتحكم فيه لأنواع السطح لإنتاج المحفزات - Google Patents
طريقة معالجة أيروسول للطلاء المتحكم فيه لأنواع السطح لإنتاج المحفزات Download PDFInfo
- Publication number
- SA520411354B1 SA520411354B1 SA520411354A SA520411354A SA520411354B1 SA 520411354 B1 SA520411354 B1 SA 520411354B1 SA 520411354 A SA520411354 A SA 520411354A SA 520411354 A SA520411354 A SA 520411354A SA 520411354 B1 SA520411354 B1 SA 520411354B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- catalyst
- active compound
- catalytically active
- precursor
- aerosol
- Prior art date
Links
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 660
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 89
- 238000001856 aerosol method Methods 0.000 title description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 319
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 294
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 234
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 219
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 140
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 239
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 87
- 239000012018 catalyst precursor Substances 0.000 claims description 69
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 56
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 40
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 40
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 39
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 31
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 23
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 22
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 21
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000000235 small-angle X-ray scattering Methods 0.000 claims description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- -1 dridium Chemical compound 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 241000511343 Chondrostoma nasus Species 0.000 claims 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 208000003251 Pruritus Diseases 0.000 claims 1
- 101150026088 SOD4 gene Proteins 0.000 claims 1
- KYCIUIVANPKXLW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-(2-phenoxyethyl)-(thiophen-2-ylmethyl)azanium Chemical compound C=1C=CSC=1C[N+](C)(C)CCOC1=CC=CC=C1 KYCIUIVANPKXLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 208000001901 epithelial recurrent erosion dystrophy Diseases 0.000 claims 1
- IXHBTMCLRNMKHZ-LBPRGKRZSA-N levobunolol Chemical compound O=C1CCCC2=C1C=CC=C2OC[C@@H](O)CNC(C)(C)C IXHBTMCLRNMKHZ-LBPRGKRZSA-N 0.000 claims 1
- PSGAAPLEWMOORI-PEINSRQWSA-N medroxyprogesterone acetate Chemical compound C([C@@]12C)CC(=O)C=C1[C@@H](C)C[C@@H]1[C@@H]2CC[C@]2(C)[C@@](OC(C)=O)(C(C)=O)CC[C@H]21 PSGAAPLEWMOORI-PEINSRQWSA-N 0.000 claims 1
- HYIMSNHJOBLJNT-UHFFFAOYSA-N nifedipine Chemical compound COC(=O)C1=C(C)NC(C)=C(C(=O)OC)C1C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O HYIMSNHJOBLJNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 94
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 88
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 85
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 66
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 60
- 238000006317 isomerization reaction Methods 0.000 description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 28
- 239000012684 catalyst carrier precursor Substances 0.000 description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 description 27
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 23
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N but-2-ene Chemical compound CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 19
- 239000000047 product Substances 0.000 description 19
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical compound CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 15
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 14
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 14
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 10
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N dimethylacetylene Natural products CC#CC XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 9
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical compound CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 6
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 6
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 6
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 6
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 6
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 6
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000011949 solid catalyst Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N tungsten(iv) oxide Chemical compound O=[W]=O DZKDPOPGYFUOGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- YBJHBAHKTGYVGT-ZKWXMUAHSA-N (+)-Biotin Chemical compound N1C(=O)N[C@@H]2[C@H](CCCCC(=O)O)SC[C@@H]21 YBJHBAHKTGYVGT-ZKWXMUAHSA-N 0.000 description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OVHDZBAFUMEXCX-UHFFFAOYSA-N benzyl 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)OCC1=CC=CC=C1 OVHDZBAFUMEXCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 4
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 4
- XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N sodium tungstate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][W]([O-])(=O)=O XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N trans-but-2-ene Chemical compound C\C=C\C IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 4
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 4
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 101001091089 Homo sapiens Relaxin-3 Proteins 0.000 description 3
- 240000008415 Lactuca sativa Species 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102100034944 Relaxin-3 Human genes 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 235000012045 salad Nutrition 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 210000002966 serum Anatomy 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000012494 Quartz wool Substances 0.000 description 2
- 235000015076 Shorea robusta Nutrition 0.000 description 2
- 238000000333 X-ray scattering Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229960002685 biotin Drugs 0.000 description 2
- 235000020958 biotin Nutrition 0.000 description 2
- 239000011616 biotin Substances 0.000 description 2
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- IAQRGUVFOMOMEM-ARJAWSKDSA-N cis-but-2-ene Chemical compound C\C=C/C IAQRGUVFOMOMEM-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 2
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000004231 fluid catalytic cracking Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940060367 inert ingredients Drugs 0.000 description 2
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- YFGRPIXHCIXTLM-UHFFFAOYSA-N tungsten(4+) Chemical compound [W+4] YFGRPIXHCIXTLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N (e)-4-(6-aminopurin-9-yl)but-2-en-1-ol Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2C\C=C\CO DYLIWHYUXAJDOJ-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100234002 Drosophila melanogaster Shal gene Proteins 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 241000948258 Gila Species 0.000 description 1
- 101001126084 Homo sapiens Piwi-like protein 2 Proteins 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100029365 Piwi-like protein 2 Human genes 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000097202 Rathbunia alamosensis Species 0.000 description 1
- 235000009776 Rathbunia alamosensis Nutrition 0.000 description 1
- 101150107869 Sarg gene Proteins 0.000 description 1
- 244000166071 Shorea robusta Species 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSVOWLCCSIJLAG-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[Si]=O Chemical compound [Si]=O.[Si]=O MSVOWLCCSIJLAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMNRFWMNPDABKZ-WVALLCKVSA-N [[(2R,3S,4R,5S)-5-(2,6-dioxo-3H-pyridin-3-yl)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]methoxy-hydroxyphosphoryl] [[[(2R,3S,4S,5R,6R)-4-fluoro-3,5-dihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl]oxy-hydroxyphosphoryl]oxy-hydroxyphosphoryl] hydrogen phosphate Chemical compound OC[C@H]1O[C@H](OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(=O)OC[C@H]2O[C@H]([C@H](O)[C@@H]2O)C2C=CC(=O)NC2=O)[C@H](O)[C@@H](F)[C@@H]1O SMNRFWMNPDABKZ-WVALLCKVSA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIGRAKVNKLCVCA-UHFFFAOYSA-N alumine Chemical compound C1=CC=[Al]C=C1 HIGRAKVNKLCVCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 210000000941 bile Anatomy 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000004523 catalytic cracking Methods 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- UHZZMRAGKVHANO-UHFFFAOYSA-M chlormequat chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)CCCl UHZZMRAGKVHANO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BWKCCRPHMILRGD-UHFFFAOYSA-N chloro hypochlorite;tungsten Chemical compound [W].ClOCl BWKCCRPHMILRGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 1
- 238000004939 coking Methods 0.000 description 1
- 239000012698 colloidal precursor Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006477 desulfuration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000023556 desulfurization Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012717 electrostatic precipitator Substances 0.000 description 1
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000009349 indirect transmission Effects 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 description 1
- 239000002122 magnetic nanoparticle Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005649 metathesis reaction Methods 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N oxotungsten Chemical class [W]=O VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- IYDGMDWEHDFVQI-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;trioxotungsten Chemical compound O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.OP(O)(O)=O IYDGMDWEHDFVQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVFBYUADVDVJQL-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;trioxotungsten;hydrate Chemical compound O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.OP(O)(O)=O AVFBYUADVDVJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000000135 prohibitive effect Effects 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000004230 steam cracking Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H tungsten hexachloride Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)(Cl)Cl KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/0009—Use of binding agents; Moulding; Pressing; Powdering; Granulating; Addition of materials ameliorating the mechanical properties of the product catalyst
- B01J37/0027—Powdering
- B01J37/0054—Drying of aerosols
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/16—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/24—Chromium, molybdenum or tungsten
- B01J23/30—Tungsten
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
- B01J21/06—Silicon, titanium, zirconium or hafnium; Oxides or hydroxides thereof
- B01J21/08—Silica
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
- B01J21/12—Silica and alumina
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/16—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/24—Chromium, molybdenum or tungsten
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/16—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/32—Manganese, technetium or rhenium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
-
- B01J35/23—
-
- B01J35/393—
-
- B01J35/397—
-
- B01J35/50—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
- B01J37/0215—Coating
- B01J37/0217—Pretreatment of the substrate before coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
- B01J37/0215—Coating
- B01J37/0221—Coating of particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
- B01J37/0215—Coating
- B01J37/0232—Coating by pulverisation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/08—Heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C11/00—Aliphatic unsaturated hydrocarbons
- C07C11/02—Alkenes
- C07C11/06—Propene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C6/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing a different number of carbon atoms by redistribution reactions
- C07C6/02—Metathesis reactions at an unsaturated carbon-to-carbon bond
- C07C6/04—Metathesis reactions at an unsaturated carbon-to-carbon bond at a carbon-to-carbon double bond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2521/00—Catalysts comprising the elements, oxides or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium or hafnium
- C07C2521/06—Silicon, titanium, zirconium or hafnium; Oxides or hydroxides thereof
- C07C2521/08—Silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2523/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group C07C2521/00
- C07C2523/16—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group C07C2521/00 of arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- C07C2523/24—Chromium, molybdenum or tungsten
- C07C2523/30—Tungsten
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Abstract
يتعلق الاختراع الحالي بطريقة لإنتاج محفز catalyst تشتمل على إنتاج تدفق محول إلى أيروسول aerosolized flow من الجسيمات الحاملة للمحفز، وتسخين مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا لإنتاج بخار مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا، وملامسة التدفق المحول إلى أيروسول aerosol من الجسيمات الحاملة للمحفز ببخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا، وتكثيف المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا على الجسيمات الحاملة للمحفز لإنتاج المحفز الذي يشتمل على مركب نشط حفزيًا موضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز. يمكن أن تشتمل الطريقة كذلك على تحويل خليط مادة منتجة حاملة لمحفز إلى أيروسول، وتجفيف خليط المادة المنتجة الحاملة لمحفز المحولة إلى أيروسول في منطقة تسخين أولى لتكوين تدفق محول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز، وملامسة الجسيمات الحاملة للمحفز ببخار مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا في منطقة تسخين ثانية لتكوين المحفز الذي يشتمل على طبقة من المركب النشط حفزيًا موضوعة على أسطح المحفز ذو الجسيمات الحاملة للمحفز. شكل 1
Description
طريقة معالجة أيروسول للطلاء المتحكم فيه لأنواع السطح لإنتاج المحفزات Aerosol Processing Method for Controlled Coating of Surface Species to Generate Catalysts الوصف الكامل خلفية الاختراع تتعلق نماذج الكشف عن الاختراع الحالي بصفة dale بتخليق مواد حفزية catalytic materials في السنوات الأخيرة؛ وجدت زيادة كبيرة في الطلب على البروبين لتغذية الأسواق المتنامية للبولي بروييلين «polypropylene وأكسيد البروييلين propylene oxide وحمض ١ لأكريليك .acrylic acid Ws 5 يعد معظم البروبين propene الذي يتم إنتاجه في جميع أنحاء العالم (67.13 مليون طن (74 مليون طن)/السنة) هو منتج ثانوي من وحدات التكسير بالبخار steam cracking (757) « والتي تنتج الإيثيلين ethylene في المقام الأول؛ أو منتج ثانوي من وحدات التكسير الحفزي للمائع Fluid (FCC) Catalytic Cracking (7230)؛ Ally تنتج لجازولين gasoline في المقام الأول. لا يمكن لهذه العمليات أن تستجيب بشكل GIS للزيادة السريعة في الطلب على البروبين.
0 يكون الرافينات Raffinate هو تيار C4 متبقي من عملية تكسير نافثا naphtha أو من عملية تكسير غاز Lexie gas cracking process يتم إزالة المكونات (يحتوي تيار 4© Bale على؛ بوصفها مكوناته cds «-بوتان «n-butane و1-بيوتين ¢l-butene و2-بيوتين 2-butene وأيزو بيوتين عصدعانطمف» و 1ء 3-بوتادين ¢1,3-butadiene واختياركًا بعض من الأيزو بوتان isobutane وتشكل المكونات الرئيسة المذكورة Ge ما يصل إلى 799 أو أكثر من تيار 4©). على dag التحديد؛ يعد
رفينات-2 Raffinate2 هو المتبقي من C4 الذي يتم الحصول عليه بعد فصل 1؛ 3-بوتادين -1,3 butadiene والأيزو بيوتين من تيار رافينات 4© ويتكون بشكل أساسي من سيس- أو ترانس-2- بيوتين or trans-2-butene -ون؛ و1-بيوتين» و« -بوتان. على نحو مماثل»؛ يعد رافينات-3 Raffinate-3 هو المتبقي من C4 الذي يتم الحصول عليه بعد فصل 1؛ 3-بوتادين» وأيزو بيوتين» و1-بيوتين من تيار رافينات 4© والذي يتكون بشكل أساسي من سيس- أو ترانس-2-بيوتين cis-
cor trans-2-butene 0 و« -بوتان؛ و1-بيوتين غير مفصول. يعد استخدام تياري رافينات-2 ورافينات- 3 لتحويلها إلى برويين أمرا مرغيًا فيه لزيادة الإمداد المتاح من البروبين. اعتمد تطوير محفزات التبادل المزدوج metathesis catalysts لتحويل تياري رافينات-2 ورافينات-3 إلى برويين على التشريب الرطب لتشربب أكسيد metal oxide i في مادة حاملة support material
مخلقة مسبقًا أو على تضمين أكسيد فلز في خليط مسبق يتم تكوينه إلى مادة حاملة لمحفز. مع
ذلك؛ يقتصر التشريب الرطب أو تضمن أكسيد الفلز في الخليط المسبق للمحفز على أنه يكون مقدارًا
fas من أكسيد الفلز محدودًا في الأجزاء الداخلية للمادة الحاملة للمحفز ويكون بشكل محتمل له
قابلية وصول أقل إلى المواد المتفاعلة الخاصة بتفاعل التبادل المزدوج. Film) إلى ذلك؛ يكون التحكم
5 في خواص محفز التبادل المزدوج الناتج محدودًا.
يتعلق الطلب الأمريكي رقم 10145411 4 بمحفز معدني metallic catalyst مدعوم وطريقة
لإنتاج المحفز المعدني المدعوم بالإضافة إلى تركيبة جسيمات composite particles بصفة عامة.
يوفر الطلب الأمريكي رقم 200217731111 جسيمات أكسيد oxide particles بنواة أكسيد معدني
أو أكسيد شبه فلزات cmetalloid oxide مكون اشابة doping component موزع بالنواة وغلاف يحيط 0 بالنواة.
يتعلق الطلب الأمريكي رقم 200203595011 بأكسيدات؛ مُشابة؛ محضرة نتيجة حرارة شديدة doped
cpyrogenically prepared oxides وعملية لتحضيرها واستخدامها.
الوصف العام للاختراع
وفقًا لذلك» توجد حاجة مستمرة إلى طرائق محسنة لتخليق المحفزات. يتم توجيه نماذج الكشف عن الاختراع الحالي إلى طرائق تخليق المحفزات عبر معالجة الأيروسول لوضع مركب نشط حفزيًا على
أسطح الجسيمات الحاملة للمحفزء حيث تكون الأسطح قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات
gases والأبخرة.
Us, لبعض النماذج؛ يمكن أن تتضمن طريقة لإنتاج محفز إنتاج تدفق محول إلى أيروسول
flow 2608011260 للجسيمات الحاملة للمحفز؛ وتبخير Bale منتجة لمركب نشطة حفزيًا لإنتاج بخار مادة منتجة لمركب نشط حفزيًاء وملامسة التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز
ببخار مادة منتجة لمركب نشط حفزيًاء وتكثيف المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا لإنتاج المحفز
الذي يمكن أن يتضمن مركب نشط حفزيًا موضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز.
Gg لنماذج أخرى؛ يمكن أن تتضمن طريقة لإنتاج محفز تحويل خليط مادة منتجة حاملة لمحفز إلى
أيروسول يشتمل على مادة منتجة حاملة لمحفز ومخفف diluent لإنتاج خليط sale منتجة حاملة 5 - لمحفز محول إلى أيروسول cacrosolized catalyst وتمرير خليط المادة المنتجة الحاملة لمحفز
المحول إلى أيروسول إلى منطقة تسخين أولى؛ وتجفيف خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول
إلى أيروسول في منطقة التسخين الأولى لتكوين مجموعة من الجسيمات الحاملة لمحفز المحولة إلى أيروسول. يمكن أن تتضمن الطريقة AS تمرير مجموعة من الجسيمات الحاملة للمحفز المحولة إلى أيروسول إلى منطقة تسخين ثانية أسفل منطقة التسخين الأولى» وملامسة مجموعة من الجسيمات الحاملة للمحفز المحولة إلى أيروسول ببخار Bale منتجة لمركب نشط حفزيًا في منطقة التسخين الثانية؛ وتكثيف بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزتًا لإنتاج المحفز الذي يشتمل على مركب نشط حفزيًا موضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز. وفقًا لنماذج أخرى أيضًاء؛ يتم الكشف عن محفز يمكن تحضيره من خلال عملية (Sa أن تتضمن خطوات إنتاج تدفق محول إلى أيروسول من جسيمات حاملة «inal وتبخير المادة المنتجة لمركب نشط حفزيًا لإنتاج بخار مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا؛ وملامسة التدفق المحول إلى أيروسول من 0 الجسيمات الحاملة للمحفز ببخار salad) المنتجة لمركب نشط حفزيًا؛ وتكثيف المادة المنتجة لمركب نشط Gia لإنتاج المحفز الذي يشتمل على مركب نشط حفزيًا موضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز. Gy لنماذج أخرى cla يمكن لمحفز أن يتضمن مجموعة من الجسيمات الحاملة لمحفز التي تشتمل على السيليكا esilica أو الألومينا calumina أو السيليكا والألومينا ومركب نشط حفزيًا موضوع على 5 أسطح مجموعة من جسيمات حاملة لمحفز. يمكن لأسطح مجموعة الجسيمات الحاملة لمحفز أن تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات pally ويمكن للمركب النشط Gis أن يتضمن تنجستن. يمكن للمركب النشط حفزيًا أن يكون موضوعًا على ما يتراوح من 71 إلى 750 من أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز التي تكون ALE للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة. في نماذج أخرى (Load يمكن أن يتضمن نظام لإنتاج محفز وحدة تحويل إلى أيروسول acrosolizing 0 غنصن» ومنطقة تسخين أولى أسفل وحدة التحويل إلى أيروسول» ومنطقة تسخين ثانية أسفل وحدة التسخين الأولى. يمكن لمنطقة التسخين الثانية أن تشتمل على مدخل مهياً لإدخال مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا إلى منطقة الخلط الثانية. يمكن تهيئة خليط مادة منتجة حاملة لمحفز محول إلى أيروسول ليتم aligns إلى أيروسول من خلال وحدة التحويل إلى أيروسول ويمكن أن يتدفق عبر منطقة التسخين الأولى ومن ثم منطقة التسخين الثانية. 5 سيتم توضيح سمات النماذج الموصوفة ومزاياها الإضافية في الوصف التفصيلي Lad يلي وستتضح جزثئيًا بسهولة لأولئك المهرة في التقنية الصناعية من ذلك الوصف أو سيتم التعرف عليها من خلال
ممارسة النماذج الموصوفة؛ بما في ذلك الوصف التفصيلي فيما يلي؛ وعناصر الحماية؛ وكذلك
الرسومات الملحقة.
شرح مختصر. للرسومات
يمكن فهم الوصف التفصيلي التالي للنماذج المعينة للكشف عن الاختراع الحالي بأفضل شكل عند
قراءته بالاقتران مع الرسومات التالية» حيث يتم الإشارة إلى البنية المماثلة بأرقام مرجعية مماثلة
وحيث:
يصور الشكل رقم )1( تخطيطيًا نظام dallas أيروسول Gag aerosol processing system لواحد أو
أكثر من نماذج الكشف عن الاختراع الحالي؛
يصور الشكل رقم (2) تخطيطيًا نظام معالجة أيروسول آخرء وفقًا لواحد أو أكثر من نماذج الكشف 0 عن الاختراع الحالي؛
يصور الشكل رقم (3) تخطيطيًا نظام معالجة أيروسول آخرء وفقًا لواحد أو أكثر من نماذج الكشف
عن الاختراع الحالي؛
يصور الشكل رقم (4) تخطيطيًا نظام معالجة أيروسول آخرء وفقًا لواحد أو أكثر من نماذج الكشف
عن الاختراع الحالي؛ 5 يصور الشكل رقم )5( تخطيطيًا نظام معالجة أيروسول آخرء Gg لواحد أو أكثر من نماذج الكشف
عن الاختراع الحالي؛
الشكل رقم (6) هو مقطع مستعرض لأنبوب تفاعل لنظام معالجة الأيروسول الوارد في الشكل رقم
(5)؛ Gg لواحد أو أكثر من نماذج الكشف عن الاختراع الحالي؛
الشكل رقم (7) هو مخطط حيود أشعة سينية (XRD) X-Ray Diffraction يوضح المقاطع الجانبية 0 لحيود السينية لمحفزات التبادل المزدوج التي يتم صنعها من خلال العملية الواردة في الشكل رقم (1)؛
وفقًا لواحد أو أكثر من نماذج الكشف عن الاختراع الحالي؛
الشكل رقم (8) هو مخطط حيود أشعة سينية يوضح المقاطع الجانبية لحيود السينية لمحفز التبادل
المزدوج المصنوع من خلال العملية الواردة في الشكل رقم (1)؛ Gag لواحد أو أكثر من نماذج الكشف
عن الاختراع الحالي؛ مقارنة بالمقطع الجانبي لحيود الأشعة السينية لمحفز التبادل المزدوج المصنوع من خلال عملية تشريب رطب تقليدية؛ و
الشكل رقم (9) هو عبارة عن أطياف تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة Small Angle X-Ray (SAXS) Scattering متوسطة في السمت لمحفز التبادل المزدوج المصنوع من خلال العملية الواردة في الشكل رقم (1)؛ Gy لواحد أو أكثر من نماذج الكشف عن الاختراع Ale (Jal بأطياف تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة لمحفز التبادل المزدوج المصنوع من خلال عمليات التشريب الرطب wet impregnation processes التقليدية. بغرض وصف الرسومات التوضيحية التخطيطية المبسطة وأوصاف الأشكال رقم (1)-(5)؛ لم يتم وصف الصمامات؛ وأجهزة استشعار الحرارة ctemperature sensors وأجهزة التحكم الإلكترونية electronic controllers المتعددة؛ وما شابه ذلك التي يمكن استخدامها والمعروفة جيدًا لأولئك ذوي المهارة العادية في التقنية الصناعية الخاصة بعمليات المعالجة الكيميائية المعينة. علاوةً على ذلك؛
0 لا يتم تصوير المكونات المصاحبة التي تكون متضمنة غالبًا في عمليات المعالجة الكيميائية المعتادة؛ أو أنظمة الإمداد بالغاز الناقل carrier gas أو المضخات؛ أو الضواغط 00(0:8880:8»؛ أو الأفران» أو الأنظمة الفرعية الأخرى. ينبغي فهم أن هذه المكونات تكون ضمن فحوى النماذج الحالية التي تم الكشف عنها ونطاقها. مع ذلك؛ يمكن إضافة المكونات التشغيلية؛ مثل تلك التي تم وصفها في الكشف عن الاختراع الحالي؛ إلى النماذج الموصوفة في هذا الكشف.
5 تشير الأسهم في الرسومات إلى تيارات العملية. مع ذلك؛ يمكن أن تشير الأسهم بشكل معادل إلى خطوط النقل التي يمكن أن تعمل لنقل تيارات العملية بين اثنين أو أكثر من مكونات النظام. إضافةً إلى ذلك؛ يمكن أن تحدد الأسهم التي تتصل بمكونات النظام مداخل أو مخارج في كل مكون نظام معين. يناظر اتجاه السهم بصفة عامة الاتجاه الرئيس لحركة مواد التيار المتضمنة ضمن خط النقل المادي الذي يشير ad) السهم. Ble على ذلك؛ يمكن أن تشير الأسهم التي لا تصل بين مكونين
0 -_من مكونات النظام أو أكثر إلى تيار منتج يخرج من النظام المصور أو تيار مدخل نظام يدخل إلى النظام المصور. يمكن معالجة تيارات المنتج بشكل إضافي في أنظمة معالجة كيميائية ملحقة أو يمكن أن يتم تسويقها بوصفها منتجات. إضافة إلى ذلك؛ يمكن للأسهم في الرسومات أن تصور تخطيطيًا خطوات عملية نقل تيار من مكون نظام واحد إلى مكون نظام آخر. على سبيل المثال؛ يمكن أن يمثل سهم من مكون نظام واحد إلى
5 مكون نظام AT "تمرير" تدفق مكون نظام؛ والذي يمكن أن يتضمن محتويات تيار عملية 'يخرج” أو 'يتم إزالته" من مكون نظام واحد و"إدخال" محتويات تيار المنتج إلى مكون نظام آخر.
ينبغي فهم أنه يتم ald” أو ed اثنين أو أكثر من تيارات العملية عندما يتقاطع خطان أو أكثر في مخططات سير العملية التخطيطية الواردة في الأشكال رقم (1)-(5). يمكن للخلط أو الدمج La أن يتضمن الخلط من خلال إدخال كلا التيارين مباشرةً إلى مكون نظام؛ مثل وعاء؛ أو بخاخ أيروسول cacrosolizer أو منطقة تسخين؛ أو فرن؛ أو مكون نظام آخر. على سبيل المثال؛ ينبغي فهم أنه عندما يتم تصوير تيارين على أنهما يتم دمجهما مباشرةً قبل دخولهما إلى مكون alas يمكن إدخال التيارات بشكل مكافئ إلى مكون النظام ويتم خلطهما في مكون النظام. سيتم الإشارة الآن بمزيد من التفصيل إلى النماذج المتعددة؛ تم توضيح بعض من هذه النماذج في الرسومات الملحقة. حيثما كان ذلك (Uae سيتم استخدام الأرقام المرجعية نفسها في جميع الرسومات للإشارة إلى الأجزاء نفسها أو أجزاء Allee 0 الوصف التفصيلي يتم توجيه نماذج الكشف عن الاختراع الحالي إلى محفزات وطرائق لتخليق المحفزات من خلال معالجة أيروسول لوضع مركب نشط iis على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز القابلة للوصول Led) بالنسبة إلى الغازات والأبخرة. في نماذج؛ تشتمل طريقة لتكوين محفز على إنتاج تدفق محول إلى أيروسول من جسيمات حاملة لمحفز؛ وتبخير مادة منتجة لمركب نشط Gis لإنتاج بخار مادة 5 منتجة لمركب نشط (Gis وملامسة التدفق المحول إلى أيروسول من جسيمات حاملة لمحفز ببخار المادة المنتجة لمركب نشط حفزيًا؛ وتكثيف بخار المادة المنتجة لمركب نشط Bis لإنتاج المحفز الذي يشتمل على المركب النشط حفزيًا الموضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز. تسمح طرائق إنتاج المحفزات الموصوف في الكشف عن الاختراع هذا بالتخليق المستمر لمحفزات لها مركب نشط حفزيًا موضوع على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز. من خلال وضع المركب 0 النشط Gis على أسطح الجسيم الحامل للمحفز التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة؛ يكون المركب النشط حفزيًا قابلًا للوصول إليه بالنسبة إلى المواد المتفاعلة Vy من أن يتم دفنه أو يكون مدفون Wa في داخل المادة الحاملة للمحفز وغير SUE للوصول إلى بالنسبة إلى المواد المتفاعلة. يكون المركب النشط Gin الموضوع على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز من خلال طرائق معالجة الأيروسول الموصوفة في الكشف عن الاختراع هذا نشطًا للغاية. توفر المحفزات 5 المكونة من خلال الطرائق التي تم الكشف عنها أداءَ مكافتًا لأحدث المحفزات التي يكون لها تحميل el للمركب النشط حفزيًا. في بعض الأمثلة؛ يكون للمحفزات المخلقة من خلال طرائق معالجة
الأيروسول الموصوفة في الكشف عن الاختراع هذا كمية من المركب النشط حفزيًا أقل من 750؛ أو حتى أقل من 725 من المركب النشط Gin للمحفزات التي تم تحضيرها بطريقة تقليدية. توفر المحفزات المخلقة من خلال طرائق معالجة الأيروسول الواردة في الكشف عن الاختراع هذا نشاط حفزي يكافئ أو يتفوق على أداء النشاط الحفزي الخاص بالمحفزات التي يتم تحضيرها بشكل تقليدي. على النحو المستخدم في هذا الكشف عن الاختراع؛ يشير 'محفز” إلى دقائقي صلب يشتمل جسيمات حاملة لمحفز ومركب نشط Gin واحد على الأقل. على النحو المستخدم في هذا الكشف عن الاختراع؛» يشير 'مركب نشط حفزيًا" إلى أي مادة تزيد من معدل تفاعل كيميائي معين. يمكن استخدام المحفزات الموصوفة في هذا الكشف عن الاختراع لتعزيز تفاعلات متعددة؛ cic ولكن لا تقتصر على؛ الأزمرة isomerization التبادل المزدوج 0 #نوعطتماع» أو التكسير» أو الهدرجة chydrogenation أو نزع المعادن «demetallization أو نزع الكبررت «desulfurization أو نزع النتروجين denitrogenation أو تفاعلات أخرى؛ أو توليفات من هذه . على النحو المستخدم في هذا الكشف عن الاختراع؛ يشير 'نشاط حفزي" إلى درجة يزيد المحفز معدل تفاعل التفاعل إليها. يزيد النشاط الحفزي الأكبر للمحفز معدل التفاعل لتفاعل ما مقارنة بمحفز له 5 شاط حفزي أقل. تشتمل المحفزات المخلقة من خلال أنظمة وطرائق معالجة الأيروسول بصفة عامة على جسيمات حاملة لمحفز ذات مركب نشط حفزيًا موضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز. يمكن للجسيمات الحاملة للمحفز أن تتضمن سيليكاء أو ألوميناء أو توليفة من سيليكا وألومينا. يمكن للمركب النشط Wis أن يكون عبارة عن فلزء أو أكسيد فلزء أو مركب نشط Bis آخرء أو 0 توليفات من هذه. في بعض النماذج» يمكن للمركب النشط pia أن يكون عبارة عن فلزء مثل بلاتين «platinum أو ذهب cgold أو بلاديوم cpalladium أو روديوم rhodium أو إيريديوم iridium أو كروم chromium أو فلز آخرء أو توليفات من هذه. بشكل بديل؛ يمكن للمركب النشط حفزيًا أن يتضمن أكسيد فلز oxide ل00618؛ Jie واحد أو أكثر من أكسيد واحد لفلز من المجموعات 10-6 من الجدول الدوري للاتحاد الدولي للكيمياء البحتة والتطبيقية International Union of Pure and (IUPAC) Applied Chemistry 5 في بعض النماذج؛ يمكن لأكسيد الفلز أن يتضمن واحد على الأقل من الموليبدنوم «molybdenum أو rhenium agai ll أو التنجستن cungsten أو المنجنيز
«manganese التيتانيوم titanium أو السيريوم «cerium أو توليفة من هذه. في بعض النماذج؛
يمكن لأكسيد الغلز أن يكون أكسيد تنجستن ٠ (WOs) tungsten oxide يمكن لكل من شكل ونوع
وكمية المركب النشط حفزيًا الموضوع على سطح المادة الحاملة للمحفز تحديد النشاط الحفزي للمحفز.
تم وصف الطرائق والأنظمة التالية في سياق تخليق محفزات أزمرة؛ أو محفزات تبادل مزدوج؛ أو
5 محفزات الأزمرة والتبادل المزدوج ذات أكسيد فلز بوصفه مركب نشط حفزيًا موضوع على سطح جسيم حامل لمحفز. مع ذلك؛ يتم فهم أنه يمكن استخدام الطرائق والأنظمة لتخليق أنواع أخرى من المحفزات. تتضمن طريقة لتخليق محفز له المركب النشط حفزيًا موضوعًا على سطح المادة الحاملة للمحفز
ay لنموذج واحد على الأقل للكشف عن الاختراع هذا إنتاج تدفق محول إلى إيروسول من جسيمات
حاملة لمحفز؛ وتبخير أو تبخر sale منتجة لمركب نشط حفزيًا لإنتاج بخار مادة منتجة لمركب نشط
0 حفزتاء وملامسة التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز ببخار مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا؛ وتكثيف بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gia لإنتاج المحفز الذي يشتمل
على المركب النشط Gia الموضوع على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز. في بعض النماذج؛ يمكن
لبخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا Bile CES على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز.
يمكن لوضع بخار المادة المنتجة للمركب النشط Bia مباشرةً على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز
5 أن يتضمن تنوي مغاير لبخار المادة المنتجة للمركب النشط Gis على أسطح الجسيمات الحاملة لمحفز. إضافة إلى ذلك؛ في بعض النماذج؛ يمكن للمركب النشط Bika أن يتكثف على المركب
النشط حفزيًا الموضوع مسبقًا على الجسيم الحامل للمحفزء وهو ما يمكن أن يجعل المركب النشط
Gia الموضوع بشكل إضافي ينمو إلى عناقيد/جسيمات صغيرة على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز إذا ترسب البخار على نحو مفضل على (أو انتقل إلى) المادة النشطة حفزيًا الموضوعة
20 مسبقًا. بشكل بديل؛ في بعض النماذج؛ يمكن للمادة المنتجة للمركب النشط Gia أن تتكثف على نفسها (تنوي متجانس (homogeneous nucleation لصنع عناقيد أو جسيمات من المركب النشط (Gis والتي يمكن بعد ذلك أن تنتشر في الجسيمات الحاملة للمحفز وتترسب على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز. يمكن إنتاج التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة لمحفز من خلال
تحويل خليط sale منتجة لمحفز إلى أيروسول وتجفيفه؛ أو جعله يتفاعل؛ أو تجفيفه وجعل خليط
5 المادة المنتجة الحاملة لمحفز المحول إلى أيروسول يتفاعل لتكوين جسيمات حاملة لمحفز. يمكن
لعملية معالجة الأيروسول أن تكون عملية مستمرة لإنتاج المحفز بشكل مستمر من المادة المنتجة الحاملة لمحفز والمادة المنتجة للمركب النشط jis بالإشارة إلى الشكل رقم (1)؛ يتم تصوير نظام معالجة أيروسول 100 لتخليق المحفز 101 الذي يشتمل على مركب نشط حفزيًا موضوع على أسطح مادة dlls لمحفز. على النحو المبين في الشكل رقم (1)؛ يتضمن نظام معالجة الأيروسول 100 وعاء 102 لخلط sale منتجة حاملة لمحفز 104 ومخفف 106 على الأقل لتكوين خليط مادة منتجة حاملة لمحفز 108. يتضمن نظام معالجة الأيروسول 100 كذلك وحدة تحويل إلى أيروسول 110( ومنطقة تسخين أولى 120 أسفل sang التحويل إلى الأيروسول 110 ومنطقة تسخين ثانية 130 أسفل منطقة التسخين الأولى 120. يتم تمرير خليط المادة المنتجة الحاملة لمحفز 108 إلى وحدة التحويل إلى أيروسول 110. تحول وحدة 0 اتحويل إلى الأيروسول 110 خليط المادة المنتجة الحاملة لمحفز 108 إلى مجموعة من قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة لمحفزء والذي يشار إليه في هذا الكشف عن الاختراع بوصفه خليط المادة المنتجة الحاملة لمحفز المحول إلى أيروسول 109. ينقل غاز ناقل 112 يتم إدخاله إلى وحدة التحويل إلى أيروسول 110 خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى الأيروسول 109 إلى الخارج وحدة التحويل إلى أيروسول 110 وعبر منطقة التسخين الأولى 120؛ حيث يتم تجفيف 5 قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109؛ وبتم جعله يتفاعل؛ أو كليهما لتكوين مجموعة من الجسيمات الحاملة لمحفز صلب 114 في أيروسول 113 يشتمل على الغاز الناقل 112 والجسيمات الحاملة للمحفز 114. يمر الأيروسول 113 الذي يحتوي على الغاز الناقل 112 والجسيمات الحاملة للمحفز 114 إلى منطقة التسخين الثانية 130 وعبرها. يمكن لمنطقة التسخين الثانية 130 أن تتضمن مصدرًا 132 لمادة منتجة لمركب نشط حفزيًا 134. تتسبب الحرارة من منطقة التسخين الثانية 130 في تبخير المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 134 في المصدر 132 للتبخر لتكوين بخار مادة منتجة لمركب نشط حفنزيًا 136. يمكن لبخار مادة منتجة لمركب نشط Wis 136 أن يلامس مجموعة من الجسيمات الحاملة لمحفز 114 في الأيروسول 113 ويمكن أن يتكثف على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 لتكوين المحفز 101. بمجرد أن يتم تكثيفه على الجسيمات الحاملة للمحفز 114؛ يمكن للمركب النشط حفزيًا أن يخضع لانتشار سطحي؛ حيث يمكن أن تنتقل الذرات؛ أو الجزيئات؛ أو كليهما للمركب النشط Gia على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 حتى تصل الذرات؛ أو
الجزيئات؛ أو كليهما إلى حالة طاقة مواتية. في بعض النماذج؛ يمكن لبخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 أن ينوي بشكل متجانس لتكوين عناقيد أو جسيمات لمركب نشط حفزيًا يمكنها بعدئذ أن تلامس مجموعة الجسيمات الحاملة للمحفز 114 وأن تترسب على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 لتكوين المحفز 101. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون لعناقيد أو جسيمات المركب النشط حفزيًا حجم جسيمات dear إلى 20 نانومتر. في بعض النماذج؛ يمكن لنظام معالجة الأيروسول 100 أن يتضمن وحدة فصل 140 لفصل المحفز 101 عن الغاز الناقل 112 وتجميع
المحفز 101. يمكن للمادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 أن تتضمن مادة منتجة لسيليكاء أو sale منتجة لألوميناء أو توليفة من هذه. يمكن لأمثلة المادة المنتجة للسيليكا في المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 أن 0 تتضمن؛ ولكن لا تقتصر على سيليكا مدخنة of «fumed silica سيليكا غروانية «colloidal silica أو السيلان (SiHa) silane ؛ أو رياعي كلوريد السيليكون» أو أورثو سيليكات tetracthyl Ji} el) ((TEOS) orthosilicate أو توليفات من هذه. في بعض النماذج؛ يمكن للمادة المنتجة للسيليكا أن تتضمن سيليكا مدخنة. في نماذج؛ يمكن للمادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 أن تتضمن مجموعة من المواد المنتجة لغيرهاء مثل توليفة من المواد المنتجة للسيليكا والمواد المنتجة للألومينا على سبيل 5 المثال. في بعض النماذج؛ يمكن للمادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 أن تشتمل على ما يتراوح من 1 بالوزن إلى 799 بالوزن من sale منتجة للسيليكا؛ al على إجمالي وزن المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 قبل دمج المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 بمخفف 106 لصنع خليط المادة المنتجة الحاملة لمحفز 108. في بعض النماذج؛ يمكن للمادة المنتجة الحاملة لمحفز 104 أن تتضمن ما يتراوح من 70.1 بالوزن إلى 795 بالوزن؛ أو من 70.1 بالوزن إلى 790 بالوزن؛ أو من 70.1 0 بالوزن إلى 775 بالوزن؛ أو من 70.1 بالوزن إلى 750 بالوزن؛ أو من 70.1 بالوزن إلى 725 بالوزن؛ أو من 70.1 بالوزن إلى 710 بالوزن؛ أو من 710 بالوزن إلى 799.9 بالوزن؛ أو من 710 بالوزن إلى 795 بالوزن؛ أو من 710 بالوزن إلى 790 بالوزن؛ أو من 710 بالوزن إلى 775 بالوزن؛ أو من 710 بالوزن إلى 750 بالوزن؛ أو من 710 بالوزن إلى 725 بالوزن؛ أو من 725 بالوزن إلى 799.9 بالوزن؛ أو من 725 بالوزن إلى 795 بالوزن؛ أو من 725 بالوزن إلى 790 5 بالوزن؛ أو من 725 بالوزن إلى 775 بالوزن؛ أو من 725 بالوزن إلى 750 بالوزن؛ أو من 750 بالوزن إلى 799.9 بالوزن؛ أو من 750 بالوزن إلى 795 بالوزن؛ أو من 750 بالوزن إلى 790
بالوزن؛ أو من 750 بالوزن إلى 775 بالوزن؛ أو من 775 بالوزن إلى 799.9 بالوزن؛ أو من 775 بالوزن إلى 95 7 بالوزن؛ أو من 775 بالوزن إلى 90 7 بالوزن؛ أو من 790 بالوزن إلى 799.9 بالوزن من salad) المنتجة للسيليكا؛ بناءء على إجمالي وزن المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 قبل دمج المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 بالمخفف 106 لصنع خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108. يمكن أن تتضمن الأمثلة على المواد المنتجة clues ولكن لا تقتصر (do نترات الألومنيوم aluminum nitrate (:(1040م)؛ أو الألومينا المدخنة؛ أو أملاح الألومنيوم aluminum salts مثل كلوريد ألومثنيوم aluminum chloride (دلعله)ء أو فوسفات ألومنيوم aluminum phosphate ((AIPO.) أو كبربتات ألومنيوم ¢(Al(SOs)s) aluminum sulfate والهيدرات hydrates الخاصة 0 بهم؛ أو المواد المنتجة للألومينا الأخرى؛ أو توليفات من هذه. في بعض النماذج؛ يمكن للمادة المنتجة للألومينا أن تشتمل على نترات ألومنيوم. في بعض النماذج؛ يمكن للمادة المنتجة الحاملة للمحفز 4 أن تتضمن ما يتراوح من 70.0 بالوزن إلى 799.8 بالوزن من المادة المنتجة للألومينا؛ بناء على إجمالي وزن المادة المنتجة الحاملة لمحفز 104 قبل دمج المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 بالمخفف 106 لصنع خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108. في أمثلة أخرى؛ يمكن أن تتضمن 5 المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 ما يتراوح من 70.0 بالوزن إلى 795 «isl أو من 70.0 بالوزن إلى 790 colle أو من 70.0 بالوزن إلى 775 بالوزن؛ أو من 70.0 بالوزن إلى 750 بالوزن؛ أو من 70.0 بالوزن إلى 725 بالوزن؛ أو من 70.0 بالوزن إلى 710 بالوزن؛ أو من 70.1 بالوزن إلى 799.8 بالوزن؛ أو من 70.1 بالوزن إلى 795 بالوزن» أو من 70.1 بالوزن إلى 790 بالوزن؛ أو من 70.1 بالوزن إلى 775 بالوزن؛ أو من 70.1 بالوزن إلى 750 بالوزن؛ أو من 70.1 0 بالوزن إلى 725 بالوزن؛ أو من 710 بالوزن إلى 799.98 بالوزن» أو من 710 بالوزن إلى 795 بالوزن؛ أو من 710 بالوزن إلى 790 بالوزن؛ أو من 710 بالوزن إلى 775 بالوزن؛ أو من 710 بالوزن إلى 750 بالوزن؛ أو من 725 بالوزن إلى 799.98 بالوزن؛ أو من 725 بالوزن إلى 795 بالوزن؛ أو من 725 بالوزن إلى 790 بالوزن؛ء أو من 750 بالوزن إلى 799.98 «Odell أو من 0 بالوزن إلى 795 csi أو من 750 بالوزن إلى 790 بالوزن» أو من 775 بالوزن إلى cig 799.98 5 أو من 775 بالوزن إلى 795 بالوزن من المادة المنتجة للألوميناء tl على
إجمالي وزن المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 قبل دمج المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 بالمخفف 106 لصنع خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108. في بعض النماذج؛ يمكن لخليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 أن يتضمن اختياريًا واحد أو de gana من عوامل الإشابة dopants يمكن لخليط المادة المنتجة الحاملة لمحفز 108 أن يتضمن عامل إشابة لتعديل واحدة أو 5ST من ميزة أو خاصية للجسيمات الحاملة للمحفز 114 المكونة من خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108. يمكن للأمثلة على عوامل الإشابة أن تتضمن؛ ولكن لا تقتصر على؛ أكسيد التيتانيوم ctitania أو crhenia Lindl أو الفوسفات phosphates أو توليفات من هذه. إضافةٌ إلى ذلك. يمكن لعوامل الإشابة أن تتضمن مكونات خاملة؛ أو مكونات ذوابة؛ أو كليهماء في خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108. يمكن أن تتضمن الأمثلة غير الحصرية على المكونات 0 الخاملة والذواية لاتكس بوليستيرين polystyrene latex أو بوليمرات «gal polymers أو توليفات من هذه البوليمرات. عندما يتم تسخينه إلى درجات حرارة مرتفعة؛ يحترق لاتكس البوليستيرين؛ تاركًا مسام حيث كان يوجد اللاتكس بوليستيرين سابقًا. يمكن استخدام هذه المكونات الخاملة والذوابة لتعديل مساحة سطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114. يسمح تخليق المحفز 101 عبر معالجة الأيروسول بإدراج عوامل الإشابة خلال التخليق الأولي للجسيمات الحاملة للمحفز 114 مقارنةً بوضع واحد أو 5 مجموعة من مركبات الإشابة على المحفز 101 باستخدام عملية إضافة ما بعد Jie (la عملية طلاء على سبيل المثال. في نماذج؛ يمكن إدراج واحد أو أكثر من عوامل الإشابة في خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 بحيث يتم بالتالي إدراج عامل (عوامل) الإشابة في الجسيمات الحاملة للمحفز 114 وتوزيعها عبرها خلال معالجة الأيروسول. يمكن للمخفف 106 أن يكون Ble عن ماء؛ أو مذيب عضويء أو توليفة من ماء ومذيب عضوي organic solvent 0 واحد على الأقل. يمكن للمذيبات العضوبة التمثيلية أن تتضمن الميثانول لمممطاعد» أو الإيثانول cethanol أو الأسيتون cacetone أو توليفة من المذيبات. في بعض النماذج؛ يمكن للمخفف 106 أن يكون عبارة عن ماء مثل كون خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 عبارة عن خليط مادة منتجة حاملة للمحفز مائي. في نماذج أخرى؛ يمكن للمخفف 106 أن يتضمن توليفة من ماء ومذيب عضوي واحد على الأقل. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون خليط المادة 5 المنتجة الحاملة للمحفز 108 خافض توتر سطحي surfactant غير موجود. يمكن أن يتطلب إدراج خافض توتر سطحي في خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 خطوة تكليس إضافية لتحضير
المحفز 101. في بعض الحالات؛ يمكن أن يؤدي وجود خافض توتر سطحي في خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 إلى وجود مادة متبقية غير مرغوب فيها على المحفز 101 وهي التي يمكنها أن تؤدي إلى تدهور أداء المحفز 101 و/أو أن تكون سامة أو خطرة على الصحة. يمكن أن يتم تكوين خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 بوصفه محلول؛ أو معلق؛ أو JS منهما خاص بالمادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 في المخفف 106. على سبيل المثال؛ مع المواد المنتجة الحاملة للمحفز المدخنة؛ مثل المواد المنتجة للسيليكا المدخنة أو المواد المنتجة للألومينا المدخنة؛ أو المواد المنتجة الغروانية ccolloidal precursors يتم تكوين معلق لخليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108. بشكل بديل؛ Lad يتعلق بمادة منتجة حاملة لمحفز 104 تشتمل على أملاح فازية emetal salt يمكن لخليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 أن يكون sale منتجة حاملة لمحفز 0 104 في المخفف 106. في بعض النماذج؛ يمكن للمادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 أن تتضمن مادة منتجة لسيليكا مدخنة أو مادة منتجة لألومينا مدخنة وملح فازي بحيث يشتمل خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 على معلق من المكونات المدخنة في محلول يشتمل على الملح الفلزي
مذابًا في المخفف 106. يمكن أن يكون لخليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 كمية من المادة المنتجة الحاملة للمحفز 5 104 كافية بحيث يتم إزالة المخفف لتكوين الجسيمات الحاملة للمحفز الصلب 114 من قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 خلال وقت المكوث في منطقة التسخين الأولى 120. في نماذج؛ يمكن أن يكون لخليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 ما يتراوح من 71 بالوزن إلى 0 بالوزن من المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104؛ بناءً على إجمالي وزن خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108. في نماذج أخرى؛ يمكن أن يشتمل خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 0 على ما يتراوح من 71 بالوزن إلى 716 بالوزن» أو من 71 بالوزن إلى 712 بالوزن؛ أو من 71 بالوزن إلى 78 بالوزن؛ أو من 71 بالوزن إلى 74 بالوزن؛ أو من 74 بالوزن إلى 720 بالوزن؛ أو من 74 بالوزن إلى 716 بالوزن؛ أو من 74 بالوزن إلى 712 بالوزن؛ أو من 74 بالوزن إلى 78 بالوزن؛ أو من 78 بالوزن إلى 720 بالوزن؛ أو من 78 بالوزن إلى 716 بالوزن؛ أو من 78 بالوزن إلى 712 بالوزن؛ أو من 712 بالوزن إلى 720 بالوزن؛ أو من 712 بالوزن إلى 716 بالوزن» أو 5 .من 716 بالوزن إلى 720 بالوزن من المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104( بناءً على إجمالي وزن خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108. في بعض النماذج؛ يمكن خلط واحد أو مجموعة من
عوامل الإشابة بخليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 قبل تحويل خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 إلى أيروسول. يمكن تحويل خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 إلى أيروسول لتكوين خليط مادة منتجة حاملة للمحفز محول إلى أيروسول 109؛ والذي يشتمل على مجموعة من قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 مشتتة في الغاز الناقل 112. على النحو المبين في الشكل رقم (1)؛ يمكن تحويل خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 إلى أيروسول في وحدة التحويل إلى أيروسول 110 لتكوين خليط مادة منتجة حاملة للمحفز محول إلى أيروسول 109. يتم تصور وجود مجموعة متنوعة من وحدات التحويل إلى أيروسول 110( طالما أنها تنتج رذاذ سائل من القطيرات. يمكن أن تتضمن الأمثلة على وحدات التحويل إلى أيروسول 110؛ ولكن لا تقتصر على؛ محولات فوق صوتية؛ أو 0 فوهات رشء أو أدوات تحويل إلى أيروسول أخرى,؛ أو توليفات من هذه. في بعض النماذج؛ يمكن استخدام محول فوق صوتي لإنتاج خليط مادة منتجة حاملة للمحفز محول إلى أيروسول 109. يمكن للمحولات فوق الصوتية أن تكون قابلة لضبط حجمها بسهولة والتحكم بها للغاية. يمكن أن يؤثر نوع وحدة التحويل إلى أيروسول 110 ومواصفات وحدة التحويل إلى أيروسول 110 في حجم جسيمات الجسيمات الحاملة للمحفز 114 من خلال التأثير في متوسط حجم قطيرات خليط 5 المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109. على سبيل (Jal سوف تؤدي وحدة تحويل إلى أيروسول 110 مهيأة لإنتاج قطيرات ذات حجم أصغر بصفة عامة إلى إنتاج جسيمات حاملة للمحفز 114 أصغر من خلال طريقة معالجة الأيروسول. يمكن أيضًا أن يؤثر نوع وحدة التحويل إلى أيروسول 110( أو مواصفتهاء أو كليهما في حجم جسيمات الجسيمات الحاملة للمحفز 4 من خلال زيادة اضطراب خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109؛ 0 وهو الأمر الذي يمكن أن يتسبب في جعل بعض القطيرات تتصادم وتندمج بقطيرات أكبر. في بعض oz Sail يمكن أن تكون وحدة التحويل إلى أيروسول 110 قادرة على إنتاج قطيرات من خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 لها حجم قطيرات يتراوح من 0.1 ميكرومتر إلى 100 ميكرومتر؛ أو من 0.1 ميكرومتر إلى 20 ميكرومتر؛ أو من 0.5 ميكرومتر إلى 100 ميكرومتر؛ أو من 0.5 ميكرومتر إلى 20 ميكرومتر. 5 على النحو الذي تم مناقشته مسبقًاء يتم إدخال غاز ناقل 112 إلى sang التحويل إلى أيروسول 110. يتم تحويل خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 إلى أيروسول في الغاز
الناقل 112( والذي بعدئذ ينقل قطيرات خليط salad) المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 9 عبر مناطق التسخين؛ Jie منطقة التسخين الأولى 120 ومنطقة التسخين الثانية 130. في بعض النماذج؛ يكون الغاز الناقل 112 هو عبارة عن هواء. بشكل بديل؛ في نماذج أخرى؛ يمكن أن يتضمن الغاز الناقل 112 واحد على الأقل من نتروجين nitrogen أو أرجون cargon أو هليوم chelium 5 أو توليفات من هذه الغازات. في نماذج أخرى أيضًاء يمكن أن يتضمن الغاز الناقل 112 خليط يحتوي على sale متفاعلة reactant أو عامل إشابة لتكوين الجسيمات الحاملة للمحفز 114. على سبيل المثال؛ يمكن للغاز الناقل 112 أن يتضمن سيلان. يعتمد اختيار الغاز غير متفاعل أو غاز متفاعل أو توليفة من كليهما للغاز الناقل 112 على المواد المنتجة الحاملة للمحفز 104
المستخدمة والخواص المرادة للمحفز 101.
0 في بعض النماذج؛ (Sa أن تتضمن طريقة تخليق المحفز تحويل تيار عامل إشابة إلى أيروسول بالتزامن مع تحويل خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 إلى أيروسول لتكوين أيروسول يشتمل على خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 وعامل الإشابة المحول إلى أيروسول. بالإشارة إلى الشكل رقم (1)؛ يتم تمرير خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول
109 إلى وعبر - على الأقل- منطقة تسخين أولى 120 ومنطقة تسخين ثانية 130 أسفل منطقة التسخين الأولى 120 لتكوين المحفز 101. تتضمن طريقة تخليق المحفز 101 تجفيف خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109؛ أو تفاعل خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109( أو كليهما في منطقة التسخين الأولى 120 لتكوين مجموعة من الجسيمات الحاملة للمحفز 114. يتم تمرير قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول
0 إلى أيروسول 109 إلى منطقة التسخين الأولى 120( حيث تجفف الحرارة من منطقة التسخين الأولى 0 قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 لتكوين مجموعة من الجسيمات الحاملة لمحفز 114. في بعض النماذج؛ يمكن أن تكون منطقة التسخين الأولى 120 هي عبارة عن منطقة ذات فرن أول؛ ويمكن للغاز الناقل 112 أن ينقل قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 عبر المنطقة ذات الفرن الأول. بشكل بديل» يمكن أن
5 تتشمل منطقة التسخين الأولى 120 على قسم أول من أنبوب تفاعل موضوع داخل الفرن الأول؛ ويمكن للغاز الناقل 112 أن ينقل قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول
9 عبر أنبوب التفاعل. في هذه النماذج ذات أنبوب التفاعل» يمكن نقل الحرارة من الفرن إلى أنبوب التفاعل؛ وهو الأمر الذي يتم عبر جدار أنبوب التفاعل» ومن ثم يتم نقلها إلى قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 المتدفقة عبر أنبوب التفاعل. Gila) إلى تجفيف قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109؛ يمكن لمنطقة التسخين الأولى 120 أن Tan تكوين درجة تبلور داخل الجسيمات الحاملة للمحفز 114 المكونة من تجفيف قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109. يتم ملاحظة أن خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 لا يحتاج بتجفيفه تمامًا قبل بدء التبلور. في حين يمر خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 عبر منطقة التسخين الأولى 120؛ fas قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 0 109 في الجفاف وتصبح المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 مركزة بشكل أكبر في كل من القطيرات. بعد ذلك؛ في حين يتم تسخين القطيرات بشكل إضافي؛ يمكن أن تتفاعل المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 المجففة أو المجففة Wis لتكوين بنى غير بلورية؛ أو بني بلورية؛ أو توليفة من بنى بلورية وغير بلورية بناءً على كيمياء المادة المنتجة الحاملة للمحفز. في نماذج بديلة؛ يمكن إدخال واحد أو أكثر من الغازات المتفاعلة إلى منطقة التسخين الأولى 120 5 ويمكن أن تتحلل عند درجات الحرارة المرتفعة في منطقة التسخين الأولى 120( وأن تتفاعل في منطقة التسخين الأولى 120( وأن تنوى لتكوين مجموعة من الجسيمات الحاملة للمحفز 114. على سبيل المثال؛ يمكن إدخال غاز متفاعل؛ Jie -ولكن لا يقتصر على- السيلان؛ إلى منطقة التسخين الأولى 120. يمكن أن يتحلل السيلان حراريًا في منطقة التسخين الأولى 120 لإنتاج ذرات سيليكون (Si) silicon وجزيئات هيدروجين (Hz) hydrogen في وجود الأكسجين oxygen )02( في منطقة 0 التسخين الأولى 120؛ يمكن أن يتفاعل السيليكون مع غاز الأكسجين لإنتاج أكسيد سيليكون silicon oxide (:5:0). يمكن لأكسيد سيليكون هذا أن يتوى في منطقة التسخين الأولى 120 لإنتاج جسيمات أكسيد سيليكون. يمكن لجسيمات أكسيد سيليكون أن تنمو في الحجم من خلال التحلل المستمر للسيلان؛ وتفاعل سيليكون مع الأكسجين لإنتاج أكسيد سيليكون؛ وتكثيف أكسيد سيليكون على جسيمات أكسيد سيليكون لإنتاج المجموعة من الجسيمات الحاملة لمحفز 114. 5 في نماذج أخرى أيضًاء يمكن إدخال الغاز المتفاعل إلى منطقة التسخين الأولى 120 ويمكن أن يتحلل في منطقة التسخين الأولى 120 لوضع مادة ثانوية على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز
4. على سبيل Jal يمكن إدخال السيلان إلى منطقة التسخين الأولى 120؛ ويمكن أن يتحلل إلى سيليكون وهيدروجين؛ (Sag أن يتفاعل مع الأكسجين لتكوين أكسيد سيليكون. في هذه الأمثلة؛ يمكن أن يتكثف أكسيد سيليكون على الأسطح الخارجية للجسيمات الحاملة لمحفز 114 المكونة من خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109. في بعض النماذج؛ يمكن أن يتكثف أكسيد سيليكون المكون من تحلل السيلان على قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 في منطقة التسخين الأولى 120 لإدراج أكسيد سيليكون في الجسيمات الحاملة لمحفز 114. على الرغم من الوصف في سياق السيلان» يتم مراعاة الغازات المتفاعلة الأخرى. في نماذج؛ يمكن المحافظة منطقة التسخين الأولى 120 عند درجة حرارة كافية لتبخير؛ أو تفاعل؛ أو تحلل المخفف 106 من قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 0 لتكوين مجموعة من الجسيمات الحاملة لمحفز صلب 114. في نماذج؛ يمكن المحافظة على منطقة التسخين الأولى 120 عند درجة حرارة أولى تتراوح من 200 درجة مئوية إلى 1500 درجة مثوية. في نماذج أخرى» يمكن المحافظة على منطقة التسخين (AY) عند درجة حرارة تتراوح من 200 درجة مئوية إلى 1450 درجة dasha أو من 200 درجة مئوية إلى 1400 درجة مئوية؛ أو من 200 درجة متوية إلى 1300 درجة مثوية؛ أو من 500 درجة dosha إلى 1500 درجة مئوية؛ أو من 500 5 درجة مثوية إلى 1450 درجة مئوية؛ أو من 500 درجة مئوية إلى 1400 درجة مئوية؛ أو من 500 درجة مئوية إلى 1300 درجة مئوية؛ أو من 600 درجة sie إلى 1500 درجة مئوية؛ أو من 600 درجة مئوية إلى 1450 درجة مئوية؛ أو من 600 درجة sie إلى 1400 درجة مئوية؛ أو من 600 درجة مثوية إلى 1300 درجة مئوية؛ أو من 1000 درجة مئوية إلى 1500 درجة dasha أو من 0 درجة مئوية إلى 1450 درجة مئوية؛ أو من 1000 درجة مئوية إلى 1400 درجة مئوية؛ أو 0 من 1000 درجة مثوية إلى 1300 درجة مئوية؛ أو من 1300 درجة مئوية إلى 1500 درجة مئوية؛ أو من 1300 درجة مئوية إلى 1450 درجة مئوية؛ أو من 1300 درجة مئوية إلى 1400 درجة مثوية؛ أو من 1400 درجة مئوية إلى 1500 درجة مئوية. في نماذج أخرى»؛ لمجرد تجفيف قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109؛ يمكن تسخين منطقة التسخين الأولى 120 إلى درجة حرارة تتراوح من 200 درجة مئوية إلى 800 درجة Augie إذا كانت درجة 5 حرارة منطقة التسخين الأولى 120 كبيرة للغاية. يمكن أن تجف تجفيف قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 بسرعة لتكوين بنية غلاف للمادة المنتجة الحاملة للمحفز
Ya 104 من الجسيمات الحاملة للمحفز الصلب 114. تكون الأغلفة الحاملة للمحفز ذات قدرة أقل على تحمل الإجهاد والضغوط التي يتم ممارستها على المحفز 101 خلال المعالجة البعدية؛ أو الاستخدام؛ أو كليهما مقارنة بالجسيمات الحاملة للمحفز الصلب 114. في بعض النماذج؛ يمكن أن تشتمل منطقة التسخين الأولى 120 على مجموعة من مناطق درجات الحرارة. يمكن أن تعمل JS من مناطق درجات الحرارة عند درجة حرارة مختلفة. على سبيل المثال» يمكن استخدام منطقة درجة حرارة أولى تم تشغيلها عند درجة حرارة تتراوح من 200 درجة مئوية إلى 0 درجة مئوية لتجفيف جزءًا على الأقل أو تمامًا قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109( ويمكن استخدام منطقة درجة حرارة ثانية تم تشغيلها عند درجة حرارة تتراوح من 800 درجة مئوية إلى 1500 درجة مئوية لتفاعل المواد المنتجة الحاملة iad 104؛ 0 وتبلور المواد المنتجة الحاملة للمحفز 104( أو كليهما لتكوين الجسيمات الحاملة للمحفز 114. في نماذج؛ يمكن تشغيل منطقة التسخين الأولى 120 عند ضغط محيط. يمكن أن يكون وقت مكوث خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 في منطقة التسخين الأولى 120 GIS لإنتاج جسيمات dlls لمحفز 114 مجففة تمامًا ومتفاعلة. في بعض النماذج؛ يمكن أن يتراوح وقت مكوث خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 5 109 في منطقة التسخين الأولى 120 من 0.1 ثانية إلى 9 ثوان. في نماذج coal يمكن أن يتراوح وقت مكوث خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 في منطقة التسخين الأولى 120 من 0.1 ثانية إلى 8 ثوان؛ أو من 0.1 ثانية إلى 6 lg أو من 0.1 ثانية إلى 4 ثوان؛ أو من 0.5 ثانية إلى 9 ثوان» أو من 0.5 ثانية إلى 8 ثوان» أو من 0.5 ثانية إلى 6 ثوان؛ أو من 0.5 ثانية إلى 4 ثوان؛ أو من 1 ثانية إلى 9 ثوان؛ أو من 1 ثانية إلى 8 ثوان؛ أو من 1 0 ثانية إلى 6 ثوان؛ أو من 1 ثانية إلى 4 oli أو من ثانيتين إلى 9 Oli أو من ثانيتين إلى 8 ثوان؛ أو من ثانيتين إلى 6 ثوان؛ أو من ثانيتين إلى 4 ثوان. إذا لم يكن وقت المكوث ذا مدة كافية؛ يمكن ألا تجف قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 بشكل كاف (Sag أن يتم تركها غير متفاعلة بحيث لا يتم تكوين الجسيمات الحاملة للمحفز 114. على عكس cell إذا كان وقت المكوث كبيرًا للغاية؛ يتم إهدار الطاقة وبمكن أن يتم فقدان الجسيمات الحاملة 5 لللمحفز 114 إلى جدران الفرن أو تنمو لتكون ذات حجم كبير للغاية نتيجة للتصادمات مع الجسيمات الحاملة للمحفز 114 الأخرى. Bilal إلى ذلك؛ يمكن أن يؤدي تجفيف قطيرات خليط المادة المنتجة
الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 بسرعة Jie dis من خلال تقليل وقت المكوث للغاية؛ أو زيادة درجة الحرارة في منطقة التسخين الأولى 120 للغاية؛ أو كليهماء إلى أغلفة حاملة tna يمكنها أن تنهار في ظل المزيد من المعالجة؛ Yau من جسيمات المحفز الصلبة 114؛ على النحو الذي تم وصفه مسبقًا.
يمكن تحديد معدل تغذية خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 إلى وعبر منطقة التسخين الأولى 120 من خلال معدل تدفق الغاز الناقل 112. بصفة عامة؛ كلما كان معدل تدفق الغاز الناقل 112 أسرع؛ كان معدل تغذية خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 إلى منطقة التسخين الأولى 120 أعلى. يمكن أيضًا أن يؤثر معدل تدفق الغاز الناقل 2 في وقت مكوث خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 في منطقة
0 التسخين الأولى 120. يمكن لزيادة معدل تدفق الغاز الناقل 112 أن تخفض وقت المكوث. على العكس من ذلك؛ يمكن لخفض معدل تدفق الغاز الناقل 112 أن يزيد من وقت المكوث. في النماذج؛ يمكن لمعدل تدفق الغاز الناقل 112 أن يكون GIS للحفاظ على تدفق محول إلى أيروسول ومميع من قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 عبر منطقة التسخين الأولى 120 ولكن ليس بدرجة ألا يكون وقت مكوث خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول
5 إلى أيروسول 109 GIS لتكوين الجسيمات الحاملة للمحفز 114. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون معدل تدفق الغاز الناقل 112 كافيًا لتحقيق وقت مكوث للجسيمات الحاملة لمحفز المحولة إلى أيروسول 114 في منطقة التسخين الأولى 120 ومنطقة التسخين الثانية 130 يتراوح من 0.1 ثانية إلى 10 ثوان» أومن 0.1 ثانية إلى 9 ثوان؛ أومن 0.1 ثانية إلى 8 ثوان؛ أو من 0.1 ثانية إلى 6 ثوان» أو من 0.1 ثانية إلى 4 ثوان؛ أو من 0.5 ثانية إلى 10 ثوان» أو من 0.5 ثانية إلى 9 ثوان؛
0 أو من 0.5 ثانية إلى 8 ثوان» أو من 0.5 ثانية إلى 6 ثوان؛ أو من 0.5 ثانية إلى 4 ثوان؛ أو من 1 ثانية إلى 10 ثوان؛ أو من 2 ثانية إلى 10 ثوان؛ أو من 2 ثانية إلى 9 ثوان» أو من 2 ثانية إلى 8 ثوان؛ أو من 2 ثانية إلى 6 (li أو من 2 ثانية إلى 4 ثوان. Lad يتعلق بالنماذج حيث تشتمل وحدة التحويل إلى أيروسول على واحد أو مجموعة من المحولات فوق الصوتية؛ يمكن لمعدل تدفق الغاز الناقل 112 أن يتراوح من 1.25 لتر في الدقيقة (لتر/دقيقة) إلى 3.75 لتر/الدقيقة لكل محول.
5 بشكل بديل؛ يمكن أن يكون معدل تدفق الغاز الناقل 112 أكبر من 3.75 لتر/الدقيقة أو أقل من
لتر /الدقيقة بناءً على حجم المعدات (gl) منطقة التسخين الأولى 120 ومنطقة التسخين الثانية
0. ووحدة التحويل إلى أيروسول 110« وما شابه ذلك) لنظام معالجة الأيروسول 100. بالإشارة مرة أخرى إلى الشكل رقم (1)؛ بمجرد أن يتم تكوين الجسيمات الحاملة للمحفز 114؛ يمكن أن يشتمل الأيروسول 113 على الغاز الناقل 112 والجسيمات الحاملة للمحفز 114. يمكن تمرير 5 الأيروسول 113 بعدئذ إلى منطقة تسخين ثانية 130 حيث يمكن وضع مركب نشط حفزيًا على سطح مجموعة من جسيمات حاملة لمحفز 114. يمكن بعدئذ أن تكون منطقة التسخين الثانية 130 متوافقة مع منطقة التسخين الأولى 120؛ مما يعني أنه يتم وضع منطقة التسخين الثانية 130 Jind منطقة التسخين الأولى 120. يمكن تمرير الجسيمات الحاملة للمحفز 114 إلى منطقة التسخين الثانية وعبرها بواسطة الغاز الناقل 112. في بعض النماذج؛ يمكن لمنطقة التسخين الثانية 130 أن 0 تتكون عبارة عن فرن (oli على وجه التحديد بشكل أكبر؛ منطقة في فرن ثان. بشكل بديل» يمكن أن تشتمل منطقة التسخين الثانية 130 على منطقة أخرى من الفرن الأول منفصلة عن منطقة التسخين الأولى 120. في بعض النماذج؛ (Sa أن تكون منطقة التسخين الثانية 130 عبارة عن قسم Ob من أنبوب تفاعل يمتد عبر فرن ثان أو منطقة أخرى من الفرن الأول. في منطقة التسخين الثانية 130 يمكن ملامسة الجسيمات الحاملة للمحفز 114 ببخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزبًا 5 136. على الرغم من أنه قد تم وصف أنظمة وطرائق معالجة الأيروسول 100 في هذا الكشف بوصفها أن لها على الأقل منطقة تسخين أولى 120 ومنطقة تسخين ثانية 130( يراعى أنه يمكن أن يكون لأنظمة معالجة الأيروسول 100 أكثر من منطقتي تسخين. Bil) إلى ذلك؛ يراعى أنه يمكن أن تتضمن منطقة التسخين الأولى 120( أو منطقة التسخين الثانية 130؛ أو كلاهما مناطق درجات la متعددة؛ وهي التي يمكن أن يتم التحكم فيها بشكل مستقل عند درجات حرارة مختلفة. 0 على النحو الموضح في الشكل رقم (1)؛ في بعض النماذج؛ يمكن أن تتضمن منطقة التسخين الثانية 0 مصدر 132 لبخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136. في النموذج المبين في الشكل رقم (1)؛ يمكن أن يتضمن مصدر 132 بخار المادة المنتجة الحاملة للمركب النشط حفنزيًا 136 بوتقة أو وعاء مفتوح آخر يحتوي على مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا. يمكن نقل الحرارة من منطقة التسخين الثانية 130 إلى المصدر 132 والمادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 المتضمنة داخل 5 المصدر 132. يمكن أن تتسبب الحرارة من منطقة التسخين الثانية 130 في جعل المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا تتبخر لتكوين بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136. بشكل بديل؛ في
بعض النماذج؛ يمكن تسخين مصدر 132 بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gia 136 بشكل مستقل عن منطقة التسخين الثانية 130. على سبيل المثال؛ يمكن أن يتضمن المصدر 132 مصدر حرارة تكميلي يمكن التحكم فيه بشكل مستقل عن منطقة التسخين الثانية 130. يمكن للمادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا أن تنتقل/تتبخر إلى الطور البخار عبر التبخيرء أو التصعيد؛ أو التفاعل/التحلل؛ أو الإذابة؛ أو توليفات من هذه؛ على سبيل المثال. يمكن أن يتوزع بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 عبر منطقة التسخين الثانية 130. في نماذج؛ يمكن إدخال تيار مادة منتجة Sl نشط حفزيًا 134 يشتمل على المادة المنتجة للمركب النشط Bias بشكل مستمر إلى المصدر 2 للحفاظ على إنتاج مستمر بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gia 136 في منطقة التسخين
الثانية 136.
0 يمكن أن تشتمل المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 134 على فلز؛ أو ملح فلزي؛ أو أنيون فلزي مثل أكسيد الفلز على سبيل المثال؛ أو مواد منتجة للمركب النشط cal Bis أو توليفات من هذه. يمكن للمادة المنتجة للمركب النشط Wis 134 أن تكون عبارة عن أي فلز أو أكسيد 3B يمكن تبخيره لإنتاج بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136. بشكل بديل؛ يمكن أن تكون المادة المنتجة للمركب النشط Bia 134 هي عبارة عن ملح فلزي يمكن تذويبه في مخفف وتحويله إلى
5 رناذ أو أيروسول. في بعض النماذج؛ يمكن أن تتضمن المادة المنتجة للمركب النشط Gia 134 فلز Jie بلاتين؛ أو cad أو بلاديوم؛ أو روديوم؛ أو إيريديوم؛ أو كروم؛ أو فلز AT أو توليفات من هذه. بشكل بديل؛ يمكن أن تتضمن المادة المنتجة Spall النشط sale 134 Gian منتجة لأنيون فلزي؛ sale Jie منتجة لأكسي أنيون فلزي على سبيل المثال. يمكن أن يتضمن فلز المادة المنتجة للأنيون الفلزي واحد أو أكثر من الفزات من المجموعات 10-6 من الجدول الدوري للاتحاد الدولي
0 للكيمياء البحتة والتطبيقية. في بعض النماذج؛ يمكن أن يتضمن فلز المادة المنتجة للأنيون الفلزي واحد على الأقل من موليبدنوم؛ أو ربنيوم؛ أو تنجستن؛ أو منجنيز؛ أو تيتانيوم؛ أو سيريوم؛ أو أي توليفات من هذه. في بعض النماذج؛ يمكن للمادة المنتجة للأنيون الفلزي أن تكون عبارة عن تنجستات أو أكسيد تنجستن؛ مثل أكسيد التنجستن (IV) أو أكسيد التنجستن (VI) أو أكاسيد تنجستن (AT أو توليفات من أكاسيد التنجستن. يمكن أن تتضمن الأمثلة على التنجستات ctungstates ولكن لا
5 تقتصر على ميتاتنجستات ١ لأمونيوم ((NH4)6H2W 12040) ammonium metatungstate ؛ أو حمض التنجستيك ctungstic acid أو حمض الفسفوتنجستيك «phosphotungstic acid أو تنجستات
الصوديوم «sodium tungstate أو مادة منتجة للتنجستات tungstate precursor أخرى»؛ أو توليفات من هذه. في بعض النماذج؛ يمكن للمادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 134 أن تتضمن مركب يحتوي على التنجستن يتبخر أو يتحلل إلى بخار يحتوي على التنجستن عند درجة حرارة تتراوح من 0 درجة مثوية إلى 1500 درجة مئوية. في بعض النماذج؛ يمكن أن تتضمن المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 134 واحد على الأقل من 38 تنجستن؛ مثل أكسيد التنجستن tungsten (IV) (IV) oxide أو أكسيد التنجستن (VI) أو حمض التنجستيك؛ أو حمض التنجستوفوسفوريك؛ أو ميتاتنجستات الأمونيوم؛ أو أكسي كلوريد التنجستن؛ أو سداسي كلوريد التنجستن؛ أو مركبات تحتوي
على تنجستن (Al أو توليفات من هذه. يمكن أن يتم إدخال المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا بشكل مستمر إلى مصدر 132 بخار المادة 0 المنتجة للمركب النشط Gia 136 في منطقة التسخين الثانية 130. (So الحفاظ على منطقة التسخين الثانية 130 عند درجة حرارة كافية لتبخير المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا لإنتاج بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 داخل منطقة التسخين الثانية 130. في بعض النماذج؛ يمكن الحفاظ على درجة حرارة منطقة التسخين الثانية 130 عند درجة حرارة كافية للحفاظ على حالة مستقرة لبخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 في منطقة التسخين الثانية 130. في بعض 5 النماذج؛ يمكن الحفاظ على منطقة التسخين الثانية 130 عند درجة حرارة تتراوح من 50 درجة مثوية إلى 2000 درجة مثوية بحيث تتراوح درجة حرارة بخار المادة المنتجة للمركب النشط Lia 136 في منطقة التسخين الثانية 130 من 50 درجة مثوية إلى 2000 درجة مثوية. على سبيل المثال؛ في بعض النماذج؛ يمكن الحفاظ على منطقة التسخين الثانية 130 عند درجة حرارة تتراوح من 50 درجة مثوية إلى 1700 درجة digi أو من 50 درجة مئوية إلى 1450 درجة مئوية؛ أو من 300 درجة 0 مثوبة إلى 2000 درجة مئوية؛ أو من 300 درجة Asie إلى 1700 درجة مئوية؛ أو من 300 درجة مثوية إلى 1450 درجة مئوية؛ أو من 600 درجة مئوية إلى 2000 درجة مئوية؛ أو من 600 درجة مثوية إلى 1700 درجة مثوية؛ أو من 600 درجة مئوية إلى 1450 درجة مئوية. في نماذج أخرى؛ يمكن الحفاظ على منطقة التسخين الثانية 130 عند درجة حرارة تتراوح من 600 درجة مثوية إلى 0 درجة مئوية؛ أو من 600 درجة مئوية إلى 1350 درجة مئوية؛ أو من 600 درجة مئوية إلى 5 1300 درجة منوية؛ أو من 600 درجة مئوية إلى 1200 درجة مئوية؛ أو من 600 درجة gic إلى 0 درجة مثوية؛ أو من 800 درجة مئوية إلى 1450 درجة مئوية؛ أو من 800 درجة مئوية إلى
0 درجة مئوية؛ أو من 800 درجة مئوية إلى 1350 درجة مئوية؛ أو من 800 درجة مئوية إلى 0 درجة مثوية؛ أو من 800 درجة مئوية إلى 1200 درجة مئوية؛ أو من 800 درجة مئوية إلى 0 درجة مثوية؛ أو من 1000 درجة مئوية إلى 1450 درجة مئوية؛ أو من 1000 درجة مئوية إلى 1400 درجة مثوية؛ أو من 1000 درجة sic إلى 1350 درجة مئوية؛ أو من 1000 درجة مثوبة إلى 1300 درجة مئوية؛ أو من 1000 درجة مئوية إلى 1200 درجة مئوية؛ أو من 1100 درجة منوية إلى 1450 درجة مئوية؛ أو من 1200 درجة sie إلى 1450 درجة مئوية. في النماذج؛ يمكن التحكم في درجة حرارة منطقة التسخين الثانية 130 للتحكم في معدل تبخير المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 134. في بعض النماذج؛ يمكن تشغيل منطقة التسخين الثانية 130 عند الضغط المحيط. بشكل بديل؛ 0 يمكن تشغيل منطقة التسخين الثانية 130 عند ضغط موجب أو في ظل تفريغ. يمكن التحكم في ضغط بخار المادة المنتجة للمركب النشط Lis 136 في منطقة التسخين الثانية 130 من خلال التحكم في درجة حرارة منطقة التسخين الثانية 130؛ أو مصدر 132 بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيبًا 136؛ أو كليهما. يمكن أيضًا التحكم في ضغط بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 من خلال التحكم في معدل تدفق الغاز الناقل 112 عبر منطقة التسخين الثانية 130. 5 بالتالي؛ يمكن ألا تتطلب طريقة معالجة الأيروسول أن يتم الحفاظ على ضغط بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 عند مستوى مرتفع من أجل مدة ممتدة من الوقت خلال استخدام التفريغ الجزئي في منطقة التسخين الثانية 130. في النماذج؛ يمكن أن يكون وقت مكوث الجسيمات الحاملة للمحفز 114 في منطقة التسخين الثانية 0 كا للحفاظ على تبخير في Alla مستقرة لبخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 إلى 0 طور بخاري في منطقة التسخين الثانية 130. على سبيل المثال؛ في بعض النماذج؛ يكون وقت مكوث الجسيمات الحاملة للمحفز 114 في منطقة التسخين الثانية 130 GS لإتاحة تبخير المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 134 بشكل موحد من المصدر 132 وتوزيعه عبر منطقة التسخين الثانية 130. في بعض النماذج؛ يمكن أن يتراوح وقت مكوث الجسيمات الحاملة للمحفز 114 في منطقة التسخين الثانية من 0.1 ثانية إلى 10 ثوان. في نماذج أخرى»؛ يمكن أن يتراوح وقت مكوث 5 الجسميات الحاملة للمحفز 114 في منطقة التسخين الثانية 130 من 0.1 ثانية إلى 9 ثوان؛ أو من 1 ثانية إلى 8 ثوان» أو من 0.1 ثانية إلى 6 ثوان» أو من 0.1 ثانية إلى 4 ثوان؛ أو من 0.5
ثانية إلى 10 ثوان؛ أو من 0.5 ثانية إلى 9 ثوان؛ أو من 0.5 ثانية إلى 8 ثوان؛ أو من 0.5 ثانية إلى 6 ثوان؛ أو من 0.1 ثانية إلى 4 Oli أو من 1 ثانية إلى 10 ثوان؛ أو من 1 ثانية إلى 9 ثوان؛ أو من 1 ثانية إلى 8 ثوان؛ أو من 1 ثانية إلى 6 ثوان؛ أو من 1 ثانية إلى 4 ثوان؛ أو من ثانيتين إلى 10 ثوان؛ أو من ثانيتين إلى 9 ثوان؛ أو من ثانيتين إلى 8 ثوان؛ أو من ثانيتين إلى 6 ثوانء أو من ثانيتين إلى 4 ثوان.
يمكن ملامسة الجسيمات الحاملة للمحفز 114 ببخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 في منطقة التسخين الثانية 130. عند الخروج من منطقة التسخين الثانية 130؛ يمكن تبريد بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 والجسيمات الحاملة للمحفز 114. في بعض النماذج؛ يمكن تبريد التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز 114 ويخار المادة المنتجة للمركب 0 الننشط حفزيًا 136 عند معدل متحكم فيه إلى درجة حرارة تكون أقل من 120 درجة مئوية؛ مثل درجة حرارة تتراوح من 20 درجة مئوية إلى 120 درجة مئوية. يمكن تحقيق معدل تبريد مراد للتدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز 114 وبخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 من خلال تعديل وقت مكوث المواد في منطقة التسخين الثانية 130 أو من خلال تغيير المسافة بين منطقة التسخين الثانية 130 ووحدة الفصل separator 140. إضافة إلى ذلك؛ يمكن التحكم في معدل تبريد التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز 114 وبخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 باستخدام مراوح أو مبادلات حرارية أو من خلال تغيير مواد العزل. علاوة على ذلك؛ يمكن التحكم في معدل تبريد التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة لمحفز 4 وبخار المادة المنتجة للمركب النشط Bien 136 من خلال التحكم في درجة حرارة وحدة الفصل
140. 0 في حين يبرد بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gia 136؛ يمكن أن يتكثف بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136. على النحو الذي تم وصفه Bae يمكن أن يتكثف بخار المادة المنتجة للمركب النشط Bile 136 Gia على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 أو على المركب النشط حفزيًا المتكثف مسبقًا على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114. في بعض النماذج؛ يمكن أن يتكثف بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 على الأسطح الخارجية للجسيمات الحاملة 5 للمحفز 114 وعلى أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 القابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة؛ مثل المناطق المسامية من الجسيمات الحاملة للمحفز 114 على سبيل المثال. بشكل بديل
أو إضافةً إلى ذلك؛ يمكن أن يتكثف بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 على نفسه (تنوي متجانس) لصنع عناقيد أو جسيمات من المركب النشط حفزيًا التي يمكن نشرها بعدئذ إلى الجسيمات الحاملة للمحفز 114 ووضعها على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114. يمكن أن تترسب عناقيد أو جسيمات المركب النشط Ghia على الأسطح الخارجية للجسيمات الحاملة للمحفز 114 وعلى أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة. يؤدي تكثيف بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 34 إلى تكون المحفز 101 الذي يكون له ذرات؛ أو جزيئات؛ أو عناقيد؛ أو جسيمات فردية من المركب النشط Brin الموضوع على الجسيمات الحاملة للمحفز 114. يمكن وضع الذرات؛ أو الجزيئات؛ أو العناقيد؛ أو الجسيمات الفردية من 0 المركب النشط حفزيبًا على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة. على سبيل المثال؛ يمكن وضع المركب النشط Gia على السطح الخارجي الأقصى للجسيمات الحاملة للمحفز 114؛ أو على جدران المسام في gall الخارجي من الجسيمات الحاملة للمحفز 114 في اتصال عن طريق مائع بالسطح الخارجي للجسيمات الحاملة للمحفز 114؛ أو كليهما. يمكن أن تكون الأجزاء الداخلية من الجسيمات الحاملة للمحفز 114 خالية 5 إلى حدٍ كبير من المركب النشط حفزيًا. على النحو المستخدم في الكشف عن الاختراع هذاء تعني عبارة "خاليًا إلى حدٍ كبير" من مكون أي أقل من 70.1 بالوزن من ذلك المكون في جزءِ معين من محفزء أو تيارء أو منطقة تفاعل. على سبيل المثال» يمكن أن يكون للأجزاء الداخلية من الجسيمات الحاملة للمحفز 114 أقل من 70.1 بالوزن من مركب نشط ly (Bia على إجمالي وزن المحفز 1. تشير الأجزاء الداخلية من الجسيمات الحاملة للمحفز 114 إلى الأجزاء من الجسيمات الحاملة 0 لالمحفز 114 التي لا تكون قابلة للوصول led) بالنسبة إلى الغازات والأبخرة. على سبيل المثال؛ يتضمن gall الداخلي من الجسيمات الحاملة للمحفز 114 الأجزاء الصلبة من الجسيمات الحاملة للمحفز 114 والمسام الداخلية للجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي لا تكون في اتصال عن طريق مائع بالسطح الخارجي للجسيمات الحاملة للمحفز 114. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون لجسيمات المحفز الناتج 101 7100 من المركب النشط حفزيًا 5 الموضوع فحسب على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة؛ والتي يمكن أن تتضمن السطح الخارجي الأقصى للجسيمات الحاملة للمحفز
114( أو جدران المسام في gia خارجي من الجسيمات الحاملة للمحفز 114 في اتصال عن Gob
مائع بالسطح الخارجي للجسيمات الحاملة للمحفز 114؛ أو كليهما. يمكن وضع المركب النشط
حفزيًا على ما يكفي من أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الأبخرة والغازات لتوفير نشاط حفزي كاف لجسيمات المحفز 101. مع ذلك؛ يمكن أن
يؤدي وضع المركب النشط حفزيًا على نسبة مئوية كبيرة للغاية من أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 4 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة للأبخرة والغازات إلى أن يقوم المركب النشط حفزيًا بتكوين عناقيد أو كتل أكبر؛ وهي التي يمكنها أن تخفض النشاط الحفزي لجسيمات المحفز 101.
في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون لجسيمات المحفز 101 المركب النشط حفزيًا موضوعًا على ما
هو أكبر من أو ما يعادل 71 من أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول
0 إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة؛ أو ما هو أكبر من أو يعادل 75 من أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة؛ أو ما هو أكبر من أو
يعادل 710 من أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة؛ أو حتى أو ما هو أكبر من أو يعادل 720 من أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز
4 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة. في نماذج coal يمكن أن يكون
5 لجسميات المحفز 101 مركب نشط حفزيًا موضوع على ما هو أقل من أو يعادل 750 من أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة؛ أو ما
هو أقل من أو يعادل 740 من أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول
إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة؛ أو ما هو أقل من أو يعادل 730 من أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة؛ أو ما هو أقل من أو
0 يعادل 720 من أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة؛ أو حتى ما هو أقل من أو يعادل 710 من أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114
التي تكون ALE للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة. على سبيل المثال» في بعض التماذج؛
يمكن أن يكن لجسيمات المحفز 101 Call النشط حفزيًا موضوعًا على ما يتراوح من 71 إلى
0 من الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات
5 والأبخرة؛ مثل ما يتراوح من 71 إلى 40 أو من 71 إلى 7230 أو من 71 إلى 720 أو من 71 إلى 210؛ أو من 71 إلى 75؛ أو من 75 إلى S50 أو من 75 إلى S40 أو من 75 إلى 730
أو من 75 إلى 720 أو من 75 إلى 210؛ أو من 710 إلى 750 أو من 710 إلى 740؛ أو من 710 إلى 730؛ أو من 710 إلى 720 أو من 720 إلى 750 أو من 720 إلى 740 أو من 720 إلى 730 من أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة.
يمكن أن يكون لجسيمات المحفز الناتج 101 المركب النشط حفزيًا الذي يكون أكثر cman أو أقل pans أو كليهما؛ على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة مقارنة بالمحفزات التقليدية المخلقة من خلال طرائق التشريب الرطب أو طرائق مماثلة أخرى. على النحو المستخدم في الكشف عن الاختراع dia يشير المصطلح 'مشتت" إلى نشر المركب النشط حفزيًا على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول غليها
0 بالنسبة إلى الغازات والأبخرة؛ مقارنة بكونه مركرًا في عناقيد وكتل أكبر. على سبيل (Jad) سوف تشتمل الحالة "الأكثر "ais على طبقة أحادية من Cal Gia النشط Gia الموضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114. يمكن تقييم درجة تشتت المركب النشط حفزيًا على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة من خلال تحديد متوسط حجم جسيمات المركب
5 النشط حفزيًا الموضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114. يمكن تحديد متوسط حجم جسيمات المركب النشط حفزيًا باستخدام تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة على النحو الذي سيتم مناقشته فيما يلي في هذا الكشف عن الاختراع. على النحو المستخدم في هذا الكشف عن الاختراع فيما يتعلق بالمركب النشط حفزيًا الموضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز القابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الأبخرة والغازات؛ يشير 'متوسط حجم الجسيمات "average particle size إلى
0 متوسط نصف قطر بلورات؛ أو عناقيد؛ أو كتل المركب النشط حفزيًا الموضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز القابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الأبخرة والغازات. يتضمن متوسط حجم الجسيمات أنصاف أقطار الذرات المفردة والجزيئات المفردة من المركب النشط ies الموضوعة بوصفها ذرات مفردة أو جزيئات مفردة على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز. بصفة عامة؛ كلما كان متوسط حجم جسيمات المركب النشط حفزيًا الموضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 أصغر كان
5 المركب النشط حفزيًا أكثر تشتقًا وكان المركب النشط حفزيًا J تجمعًا على هيئة عناقيد. يشير متوسط حجم الجسيمات الأكبر للمركب النشط حفزيًا إلى أن عملية الوضع قد أدت إلى تجمع أو
تكتل إضافي للمركب النشط حفزبًا إلى بلورات؛ أو عناقيد؛ أو كتل ذات حجم أكبر؛ وهو ما يمكن أن يخفض درجة تشتت المركب النشط حفزيًا على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون متوسط حجم جسيمات المركب النشط حفزيًا الموضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الأبخرة والغازات أقل من متوسط حجم جسيمات المركب النشط حفزيًا الموضوع على الجسيمات الحاملة للمحفز 114 من خلال التشريب الرطب أو عملية تقليدية أخرى. على سبيل المثال» في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون متوسط حجم الجسيمات (متوسط نصف قطر) المركب النشط حفزيًا الموضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 القابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الأبخرة والغازات أقل من أو يعادل 2.5 0 نانومترء أو أقل من أو يعادل 2 نانومترء أو أقل من أو يعادل 1.5 نانومترء أو أقل من أو يعادل 1 نانومتر. في نماذج eal يمكن أن يكون متوسط حجم جسيمات المركب النشط حفزيًا الموضوع على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى SAN والغازات أكبر من أو يعادل نصف قطر ذري لذرة مفردة من المركب النشط is أو أكبر من أو يعادل نصف قطر جزيئي لجزيء مفرد من المركب لنشط حفزيًا. في بعض النماذج» يمكن أن يتراوح 5 متوسط حجم جسيمات المركب النشط Gia الموضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الأبخرة والغازات من 0.1 نانومتر إلى 2.5 نانومتر» أو من 0.1 نانومتر إلى 2 نانومترء أو من 0.1 نانومتر إلى 1.5 نانومترء أو من 0.1 نانومتر إلى 1 نانومتر؛ أو من 0.1 نانومتر إلى 0.5 نانومتر؛ أو من 0.5 نانومتر إلى 2.5 نانومترء أو من 0.5 نانومتر إلى 2 نانومتر؛ أو من 0.5 نانومتر إلى 1.5 نانومترء أو من 0.5 نانومتر إلى 1 نانومتر» 0 أو من 1 نانومتر إلى 2.5 نانومتر؛ أو من 1 نانومتر إلى 2 نانومترء أو من 1 نانومتر إلى 1.5 نانومتر. (Sa تحديد متوسط الحجم البلوري للمركب النشط حفزيًا باستخدام طريقة تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة لقياس متوسط نصف قطر بلورات و/أو كتل المركب النشط حفزيًا باستخدام نظام تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة NANOSTAR™ مع مصدر أشعة سينية يعمل عند 45 كيلو فولت (Kv) 5 و650 ميكرو أنجستروم (UA) يتم وضع العينات في أنابيب شعرية من كوارتز quartz لها قطر خارجي يبلغ 1.5 ملي متر (مم)؛ وطول يبلغ 80 ملي مترء dled جدار يبلغ 0.01 ملي متر.
يمكن الحصول على الأنابيب الشعرية من الكوارتز من شركة «Charles Supper Co. مدينة ناتيك؛ ولاية ماساتشوستس» الولايات المتحدة الأمريكية. بعد وضع العينات في الأنابيب الشعرية؛ يتم إحكام غلق الأنابيب الشعرية بواسطة «CRYTOSEAL™ المتاح من شركة Scientific :عاو مدينة فاير لاون» ولاية نيو جيرسي؛ الولايات المتحدة الأمريكية؛ ومادة لاصقة ساخنة منصهرة متاحة من شركة Ted Pella 5 مدينة ردينج» ولاية كاليفورنيا» الولايات المتحدة الأمريكية. يتم وضع كل أنبوب شعري من الكوارتز محكم إغلاقه في أداة تثبيت عينة توجه الأنبوب الشعري capillary tubes في حجرة العينة بشكل قائم وعمودي على العارضة. يتم وضع Sian العينة تحت التفريغ للتخلص من التبعثر الطفيلي parasitic scattering من الهواء. يتم تجميع بيانات كثافة ثنائية الأبعاد من خلال حساب
متوسط كثافة الأشعة السينية المتبعثرة على مدار نافذة 30 دقيقة.
يتم حساب متوسط أنماط الكثافة في سمت وتصحيحها من أقل النقل الخلفي وغير المباشر باستخدام فراغ مناسب وبيانات العينة للتحكم (al idly قيمة نقل كريون زجاجي glassy carbon transmission تبلغ 0.1400. يتم تسوية منحنيات بيانات التبعثر مبدثئيًا باستخدام تحليل بورود (Porod) لتوفير تقدير تقريبي أول لحجم الجسيمات. يتم تنفيذ التسوية المباشرة بعدئذ باستخدام برنامج تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة لحيود بروكر (Bruker) على مدار نطاق Q يتراوح من 0.1357 لكل أنجستروم
(FA) 5 إلى 0.30154 TA واستخدام دالة تبعثر نظرية من أجل الكريات متعددة التشتت. يتم تحديد حجم الجسيمات وتوزيع حجمها بافتراض توزيع طبيعي اللوغاربتم لأنصاف أقطار نواة بافتراض عمد وجود تفاعلات ذات صلة بين الجسيمات. يتم إعادة نسخ نتائج النمذجة المباشرة من خلال ثلاث تسويات مستقلة غير واضحة منفصلة؛ ويتم استخدام نتائج الحد الأقصى من هذه التسوبات لإنتاج النطاقات التي يتم الإبلاغ عنها لنصف قطر معين. يتم وصف طريقة تبعثر الأشعة السينية بزاوية
0 صغيرة بشكل إضافي في Wojciech, Szczerba et al., “SAXS Analysis of Single- and Multi- Core Iron Oxide Magnetic Nanoparticles,” J Appl Crystallogr. 2017 Apr 1; S50(Pt 2): 481— 8 (المنشور على الإنترنت في 14 مارس 2017( يتم فهم أنه يمكن استخدام طرائق وتقنيات أخرى لتحديد متوسط حجم جسيمات المركب النشط حفزيًا. بشكل بديل؛ يمكن تقييم درجة تشتت المركب النشط حفزيًا على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز
5 114 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الأبخرة والغازات من خلال تحليل نمط حيود الأشعة السينية لجسيمات المحفز 101. بالإشارة إلى الشكل رقم (8)؛ يتم عرض مخطط حيود الأشعة
السينية 802 لمحفز مشرب بشكل رطب تقليدي له أكسيد تنجستن بوصفه المركب النشط حفزيًا الموضوع على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز من خلال طريقة تشريب رطب. على النحو المبين في الشكل رقم )8( يظهر نمط حيود الأشعة السينية 802 للمحفز المشرب بشكل رطب التقليدي ذروة خلفية مع ذروة رئيسة 806 عند 2 ثيتا theta (02) تعادل حوالي 22 درجة () وذروات Lgl 5 متعددة 808 و810؛ و812؛ و814 من حوالي 62 30" إلى حوالي 62 -60". على النحو المستخدم في هذا الكشف عن الاختراع؛ يشير مصطلح 'ذروة رئيسة" لنمط حيود الأشعة السينية إلى ذروة لها الكثافة الأكبر مقارنة بواحدة أو أكثر من "الذروات الثانوية "secondary peaks ذات كثافات أقل من الذروة الرئيسة. تشير الذروات 806؛ و808؛ و810؛ و812؛ و814 إلى تبلور المركب النتشط حفزيًا أكسيد التنجستن على سطح المحفز المشرب بشكل رطب التقليدي. يشير التبلوو crystallinity 0 إلى أن المركب النشط حفزيًا أكسيد التنجستن يمكن أن يكون يقوم بتكوين عناقيد
وبلورات أكبر على سطح الجسيم الحامل للمحفز 114. يبين الشكل رقم (8) نمط حيود أشعة سينية 804 للمحفز 101 الذي يكون له أكسيد التنجستن بوصفه المركب النشط Gin الموضوع على الجسيم الحامل للمحفز 114 بواسطة طرائق معالجة الأيروسول الموصوف في الكشف عن الاختراع هذا. يظهر نمط حيود الأشعة السينية 804 للمحفز 101 المصنوع بواسطة معالجة الأيروسول ذروة توقيع واسعة مفردة 820 عند حوالي 62 = 22 درجة. على النحو الذي تم مناقشته (lle تشير ذروة التوقيع الواسعة المفردة (الذروة الرئيسة (major peak عند حوالي 02 - 22 درجة إلى مواد غير متبلورة. مع ذلك؛ على عكس نمط حيود الأشعة السينية 2 لمحفز التشريب الرطب التقليدي الذي تم وصفه سابقًاء لا يظهر نمط حيود الأشعة السينية 4 للمحفز 101 المحضر من خلال طريقة معالجة الأيروسول الذروة الثانوية عند 02 أكبر من 0 30 درجة. يظهر نمط حيود الأشعة السينية 804 للمحفز 101 ذروة توقيع مفردة 820 ولا يتضمن واحد او أكثر من الذروات الثانوية. بالتالي؛ لا يشير نمط حيود الأشعة السينية 804 إلى أي درجة من تبلور أي من المادة الحاملة أو المركب النشط حفزيًا أكسيد التنجستن. يشير هذا إلى أن مستوىي تبلور المحفز 101 المحضر من خلال طرائق معالجة الأيروسول هو غير موجود مقارنة بمستوى تبلور محفز التشريب الرطب التقليدي ولا يمكن اكتشافه باستخدام حيود الأشعة السينية ما بعد الذروة 5 غير المتبلورة الواسعة للمادة الحاملة للمحفز. يشير وجود ذروات ثانوية في نمط حيود الأشعة السينية لمحفز إلى تبلور أكبر للمركب النشط حفزيًا ودرجة تشتت أقل للمركب النشط حفزيًا عسى سطح
الجسيمات الحاملة للمحفز 114. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون للمحفز 101 نمط حيود الأشعة السينية يفتقر إلى الذروات الثانوية. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون للمحفز 101 نمط حيود أشعة سينية يتكون من الذروة التوقيع المفردة 820 داخل نطاق يتراوح من 02 = 15 درجة إلى 60-2 درجة. تكون ذروة التوقيع هذا 820 هي عبارة عن توقيع غير متبلور ولا ترجع إلى أي تبلور في المحفز 101.
يمكن أن يحدث تكثيف بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gis 136 عبر انخفاض في درجة Ba بخار المادة المنتجة للمركب النشط Lies 136 ناتج عن تبريده في حين تخرج الجسيمات الحاملة للمحفز 114 lang المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 من منطقة التسخين الثانية 130. يمكن أن يؤثر معدل تدفق الغاز الناقل 112 في معدل تبريد بخار المادة المنتجة للمركب النشط lly 136 Gis 0 معدل التكثيف. في بعض النماذج؛ يمكن أن يتم التحكم في معدل تدفق الغاز Jalal 112 للتحكم في معدل تبريد بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136. إضافة إلى ذلك؛ قد يؤدي منحنى للجسيم الحامل للمحفز 114 أو العناقيد أو الجسيمات النانوية للمركب النشط حفزيًا في انخفاض ضغط بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gin 136 موضعيًا على مقرية من الجسيم الحامل للمحفز 114 أو العناقيد/الجسيمات النانوية nanoparticles للمركب النشط (Bes مما يؤثر 5 بالتالي في تكثيف بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 عند درجات حرارة أعلى مقارنة بالتكثيف الناتج عن التبريد. JUL ( يمكن أن يحدث تكثيف بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 عند درجات حرارة Jel داخل منطقة التسخين الثانية 130 قبل أن يخرج بخار المادة
المنتجة للمركب النشط Ges 136 من منطقة التسخين الثانية 130. يمكن التحكم في كمية المركب النشط حفزيًا المتكثفة على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 0 من خلال التحكم في تركيز المادة الحاملة للمحفز 114( أو اختيار ودرجة حرارة sald) المنتجة للمركب النشط Gia في منطقة التسخين الثانية 130( Jie من خلال التحكم في درجة حرارة منطقة التسخين الثانية 130( أو درجة حرارة المصدر 132 للمادة المنتجة للمركب النشط (Gyan أو كليهما. يؤثر التحكم في درجة حرارة منطقة التسخين الثانية 130( أو المصدر 132؛ أو كليهما في معدل تبخر المادة المنتجة للمركب النشط حفنزيًا. يمكن Load التحكم في كمية المركب النشط Gia المتكثفة 5 على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 من خلال التحكم في معدل تدفق الأيروسول 113 عبر منطقة التسخين الثانية 130؛ وتركيز المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 في خليط المادة المنتجة
الحاملة للمحفز 108( aang الجسيمات الحاملة للمحفز 114؛ ودرجة حرارة الأيروسول 113 خلال الترسب» ودرجة الحرارة النهائية للأيروسول عند وحدة الفصل 140( وتركيز الجسيمات الحاملة للمحفز 114 في الأيروسول 113( أو توليفات من هذه. يمكن أيضًا التحكم في معدل ترسب المركب النشط حفزيًا على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز من خلال التحكم في درجة حرارة المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا في منطقة التسخين الثانية 130؛ وموضع مصدر 132 المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا داخل منطقة التسخين الثانية 130؛ أو معدل تدفق الأيروسول عبر نظام معالجة الأيروسول 100( أو تركيز المادة المنتجة الحاملة للمحفز 4 في خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108؛ أو معدل التبريد عند مخرج منطقة التسخين الثانية 130؛ أو تركيز الجسيمات الحاملة للمحفز 114 في الأيروسول 113؛ أو حجم الجسيمات 0 الحاملة للمحفز 114 في الأيروسول؛ أو توليفات من هذه. في بعض النماذج؛ يمكن للمادة المنتجة للمركب النشط Gia 134 أن تكون عبارة عن غاز يمكن أن يتحلل في منطقة التسخين الثانية 132 لترسيب المركب النشط حفزيًا على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114. في هذه النماذج؛ في هذه النماذج؛ يمكن إدخال غاز المادة المنتجة للمركب النتشط Ges مباشرةً إلى منطقة التسخين الثانية 130. يمكن أن تتسبب الحرارة من منطقة التسخين 5 الثانية 130 في تحلل غاز المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا لإنتاج المركب النشط (Gen والذي يمكن أن يترسب بعدئذ على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114. يمكن أن يكون للمحفز 101 aS من المركب النشط حفزيًا موضوعة على سطح المحفز 101 كافية لتوفير مستوى مرغوب فيه من النشاط الحفزي للمحفز 101. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون للمحفز 101 ما يتراوح من 70.0002 بالوزن إلى 720 بالوزن من المركب النشط (Gia بناءً على 0 إجمالي وزن جسيمات المحفز 101. في نماذج caf يمكن أن يكون للمحفز 101 ما يتراوح من 2 بالوزن إلى 710 بالوزن؛ أو من 70.0002 بالوزن إلى 75 بالوزن» أو من 70.0002 بالوزن إلى 71 بالوزن؛ أو من 70.0002 بالوزن إلى 70.5 بالوزن؛ أو من 70.001 بالوزن إلى 0 بالوزن؛ أو من 70.001 بالوزن إلى 710 بالوزن؛ أو من 70.001 بالوزن إلى 75 بالوزن؛ أو من 70.001 بالوزن إلى 71 بالوزن؛ أو من 70.001 بالوزن إلى 70.5 بالوزن؛ أو من 70.01 5 بالوزن إلى 720 بالوزن؛ أو من 70.01 بالوزن إلى 710 بالوزن؛ أو من 70.01 بالوزن إلى 75 بالوزن» أو من 70.01 بالوزن إلى 71 بالوزن؛ أو من 70.01 بالوزن إلى 70.5 بالوزن؛ أو من
1 بالوزن إلى 720 بالوزن؛ أو من 70.1 بالوزن إلى 710 بالوزن؛ء أو من 70.1 بالوزن إلى بالوزن؛ أو من 70.1 بالوزن إلى 71 بالوزن؛ أو من 70.1 بالوزن إلى 70.5 بالوزن؛ أو من 5 بالوزن إلى 720 بالوزن؛ أو من 70.5 بالوزن إلى 710 بالوزنء أو من 70.5 بالوزن إلى 5 بالوزن» أو من 70.5 بالوزن إلى 71 بالوزن؛ أو من 71 بالوزن إلى 720 بالوزن؛ أو من 71 5 بالوزن إلى 710 بالوزن؛ء أو من 71 بالوزن إلى 75 بالوزن من المركب النشط (Gin بناءة على إجمالي وزن المحفز. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون للمحفز 101 أقل من أو ما يعادل 710 بالوزن» أو أقل من أو ما يعادل 75 بالوزن» أو أقل من أو ما يعادل 71 بالوزن؛ أو أقل من أو ما يعادل 70.5 بالوزن؛ أو حتى أو أقل من أو ما يعادل 70.4 بالوزن من المركب النشط حفزيًا؛ بناءً
على إجمالي وزن جسيمات المحفز 101.
0 في نماذج؛ يتضمن نظام dallas الأيروسول 100 وحدة الفصل 140 لفصل المحفز 101 عن الغاز Ja 112 وتجميع المحفز 101. يمر الغاز الناقل 112 وجسيمات المحفز 101 المحمولة في الغاز الناقل 112 خارج منطقة التسخين الثانية 120 (Ng وحدة الفصل 140. تتضمن طريقة تخليق المحفز 101 فصل المحفز 101 عن الغاز الناقل 112 وتجميع المحفز 101. في بعض النماذج؛ يمكن تمرير الغاز الناقل 112 من وحدة الفصل 140 إلى الجو دون المزيد من المعالجة. بشكل
5 بديل؛ يمكن معالجة الغاز الناقل 112 الخارج من وحدة الفصل بشكل إضافي لاستخلاص المكونات المتبقية من العملية؛ مثل أبخرة المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136( أو المذيبات العضوية من خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز؛ أو ملوثات أخرى؛ على سبيل المثال. في بعض النماذج؛ يكون الغاز الناقل 112 الذي يتم تمريره خارج وحدة الفصل 140 خاليًا إلى حدٍ كبير من المركبات التي تحتوي على الكلور. على سبيل المثال» يمكن أن يكون للغاز الناقل 112 الذي يخرج من وحدة
0 الفصل 140 أقل من 70.1 بالوزن من المركبات التي تحتوي على الكلور. في بعض النماذج؛ يمكن لوحدة الفصل 140 أن تكون sang فصل BE دوامية؛ أو مرسب كهربائي ساكن؛ أو مرشح يتم استخدامه لفصل المحفز 101 عن تدفق الغاز الناقل 112 الخارج من وحدة التسخين الثانية 130. يمكن لمرشح تمثيلي أن يشتمل على ألياف بوروسيليكات مربوطة بكلوريد البولي فينيلدين (PVDF) polyvinylidene fluoride مهيأة ليكون لها كفاءة مرادة عند التقاط جسيمات
5 0.01 ميكرون (ميكرومتر). يمكن أن يتكون مرشح تمثيلي آخر من كوارتز مربط براتينج غير عضوي يمكنه تحمل درجات حرارة تشغيل أعلى. يمكن للمرشح أيضًا أن يتكون من أي مادة مرشح
كيسية متاحة تجاريًا. عند اختيار مرشح؛ توجد رغبة في موازنة حجم مسام المرشح لتجميع جسيمات المحفز 101 بشكل كاف مع زيادة الضغط الناتجة التي تنتج عندما يجمع المرشح جسيمات المحفز 1 وعند درجات حرارة ملائمة للتجميع. عندما يبدأ المرشح في الانسداد وتتكون عجينة ناتجة من الترشيح جسيمية؛ يصبح المرشح مرشحًا أكثر كفاءة Tang الضغط في الارتفاع. عند التشغيل» يمكن استخدام ارتفاع الضغط الناتج بوصفه مؤشرًا على كمية المحفز 101 الذي يتم تجميعه داخل المرشح. إضافة إلى ذلك؛ يمكن لمادة المرشح أن تكون مستقرة من حيث درجة الحرارة عند درجات حرارة أكبر من أو تعادل درجة حرارة الأيروسول 113 الخارج من منطقة التسخين الثانية 130 لمنع مادة المرشح
من أن تخضع للاحتراق. على النحو الذي تم وصفه ode يوضح الشكل رقم (1) تبخير المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا
0 134 من خلال وضع مصدر 132 المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 134 في منطقة التسخين الثانية 130 وتبخير المادة المنتجة للمركب النشط Gia 134 في منطقة التسخين الثانية 130. بشكل بديل؛ على النحو المبين في الأشكال رقم (2)-(6)؛ يمكن أن تستخدم نماذج أخرى من أنظمة معالجة الأيروسول طرائق بديلة لتوفير المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 134 أو المركب النشط حفزيًا لمنطقة التسخين الثانية 130.
5 بالإشارة الآن إلى الشكل رقم (2)؛ يمكن أن يتضمن نظام معالجة أيروسول 200 منطقة تسخين ثالثة 220 (Sarg وضع مصدر 132 لبخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 داخل منطقة التسخين الثالثة 220. يمكن أيضًا لنظام معالجة الأيروسول 200 أن يتضمن الوعاء 102 ووحدة التحويل إلى أيروسول 110( ومنطقة التسخين الأولى 120( ومنطقة التسخين الثانية 130« ووحدة الفصل 140 الموصوفين سابقًا لنظام معالجة الأيروسول 100 الوارد في الشكل رقم (1). على النحو
0 المبين في الشكل رقم (2)؛ يمكن أن تكون منطقة التسخين الثالثة 220 الخاصة بنظام معالجة الأيروسول 200 موازية لمنطقة التسخين الأولى 120 ويمكن أن تكون اعلى منطقة التسخين الثانية 0. في بعض النماذج؛ يمكن لمنطقة التسخين الثالثة 220 أن تكون عبارة عن فرن ثالث؛ وعلى وجه أكثر تحديدًا؛ منطقة في فرن ثالث. في الشكل رقم )2( يمكن أن يتضمن المصدر 132 لبخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا
5 136 بوتقة أو وعاء مفتوح AT يحتوي على مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا. يمكن نقل الحرارة من منطقة التسخين الثالثة 220 إلى المصدر 132 والمادة المنتجة للمركب النشط Bias المتضمنة Jah
المصدر 132. يمكن أن تتسبب الحرارة من منطقة التسخين 220 في تبخير المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا لتكوين بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gia 136. بشكل بديل؛ في بعض النماذج؛ يمكن تسخين المصدر 132 بشكل مستقل عن منطقة التسخين AE 220. يمكن للمادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا أن تنتقل/تتبخر إلى طور بخاري عبر التبخيرء أو التصعيد؛ أو التفاعل/التحلل؛ أو الإذابة؛ أو توليفات من هذه؛ على سبيل المثال. في نماذج؛ يمكن أن يتم إدخال تيار مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا 134 يشتمل على المادة المنتجة للمركب النشط حفزيبًا بشكل مستمر أو دوري إلى المصدر 132 للحفاظ على الإنتاج المستمر من بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gin 136
في منطقة التسخين الثالثة 220. يمكن إدخال غاز Jib 212 إلى منطقة التسخين EN 220 لحمل بخار المادة المنتجة للمركب 0 النشط حفزيًا 136 إلى منطقة التسخين الثانية 130. يمكن للغاز الناقل 212 أن يكون أي من الغازات الناقلة التي تم وصفها Ble للغاز الناقل 112. يمكن للغاز الناقل 212 أن يكون هو نفسه الغاز الناقل 112 أو غاز مختلف عن الغاز الناقل 112. يمكن أن يتضمن التيار 236 بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 المحمول بواسطة الغاز الناقل 212 ويمكن أن يتم تمريره خارج منطقة التسخين الثالثة 220. في بعض النماذج؛ يمكن أن يتم دمج التيار 236 بأيروسول 113 يمر 5 خارج منطقة التسخين الأولى 120 أعلى منطقة التسخين الثانية 130. في هذه النماذج؛ يتم خلط الأيروسول 113 والتيار 236 ويتم ملامسة بخار المادة المنتجة للمركب النشط Ghia 136 في التيار 6 والأيروسول 113 قبل أن يتم تمريرهما إلى منطقة التسخين الثانية 130. بشكل بديل؛ يمكن تمرير الأيروسول 113 والتيار 236 بشكل فردي إلى منطقة التسخين الثانية 130. في هذه النماذج؛ يتم خلط الأيروسول 113 Slang المادة المنتجة للمركب النشط Gis 136 في التيار 236 0 وملامستهما في منطقة التسخين الثانية 130. عند الخروج من منطقة التسخين الثانية 130؛ يتكثف بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gia 136 على النحو الذي تم وصفه سابقًا في هذا الكشف عن الاختراع لإنتاج المحفز 101 الذي يكون له المركب النشط jin موضوعًا على أسطح المحفز 101. بشكل بديل؛ في بعض النماذج؛ يمكن تبريد التيار 236 عند الخروج من منطقة التسخين الثالثة 220 لإنتاج الجسيمات النانوية من المركب النشط Uden من بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 5 136 في التيار 236. يمكن بعدئذ دمج الجسيمات النانوية للمركب النشط Gis بالأيروسول 113. يمكن أن تتصادم الجسيمات النانوية للمركب النشط حفزيًا مع الجسيمات الحاملة للمحفز 114
للأيروسول 113 في منطقة التسخين الثالثة 130 لتكوين المحفز 101 الذي يشتمل على الجسيمات النانوية من المركب النشط حفزيًا موضوعة على أسطح المحفز 101. بالإشارة إلى الشكل رقم (3)؛ في نماذج أخرى؛ يمكن أن يتضمن نظام معالجة أيروسول 300 وعاء تكميلي 302 ووحدة تحويل إلى أيروسول تكميلية 310. يتضمن نظام معالجة الأيروسول 300 أيضًا الوعاء 102؛ ووحدة التحويل إلى أيروسول 110( ومنطقة التسخين الأولى 120( ومنطقة التسخين الثانية 130؛ ووحدة الفصل 140 الموصوفين سابقًا Lash يتعلق بنظام معالجة الأيروسول 100 الوارد في الشكل رقم (1). في نظام معالجة الأيروسول 300 الوارد في الشكل رقم (3)؛ يمكن دمج المادة المنتجة للمركب النشط Gia 304 بمخفف 306 في الوعاء التكميلي 302 لإنتاج خليط مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا 308. يمكن أن تتضمن المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 304 أي من المواد 0 الموصوفة سابقًا فيما يتعلق بالمواد المنتجة للمركب النشط حفزيًا. إضافة إلى ذلك يمكن أن يكون المخفف التكميلي 306 والغاز الناقل التكميلي 312 أي من المواد الموصوفة أعلاه فيما يتعلق بالمخفف 106 والغاز الناقل 312 على التوالي. يمكن تمرير خليط المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 308 إلى وحدة التحويل إلى أيروسول التكميلية 0. يمكن لوحدة التحويل إلى أيروسول التكميلية 310 أن تكون أي من الأجهزة الموصوفة Gils 5 فيما يتعلق بوحدة التحويل إلى أيروسول 110. يمكن لوحدة التحويل إلى أيروسول التكميلية 310 أن تحول خليط المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 308 إلى أيروسول بواسطة غاز ناقل تكميلي 312 لإنتاج أيروسول المادة المنتجة للمحفز 313 يشتمل على قطيرات من خليط المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 308 المحول إلى أيروسول والغاز الناقل التكميلي 312. في بعض النماذج؛ يمكن دمج أيروسول المادة المنتجة للمحفز 313 بالأيروسول 113 الذي يمر خارج منطقة التسخين الأولى 120 0 لتكوين تيار أيروسول مدمج 314 أعلى منطقة التسخين الثانية 130؛ على النحو المبين في الشكل رقم (3). يمكن أن يتم تمرير تيار الأيروسول المدمج 314 بعدئذ إلى منطقة التسخين الثانية 220. بشكل بديل؛ في نماذج أخرى؛ يمكن أن يتم تمرير أيروسول المادة المنتجة للمحفز 313 والأيروسول 3 بشكل مستقل إلى منطقة التسخين الثانية 120 ويتم دمجهما بعدئذ في منطقة التسخين 120. يمكن أن يتفاعل أيروسول المادة المنتجة للمحفز 313؛ أو يجف؛ أو كلاهما في منطقة التسخين 5 الثانية 130 لتكوين مجموعة من الجسيمات الصلبة من المركب النشط ag (Ua أن تتصادم المجموعة من الجسيمات الصلبة من المركب النشط حفزيًا بعدئذ مع الأيروسول 113 وتترسب على
الأيروسول 113 لتكوين المحفز 101. إضافة إلى ذلك؛ يمكن أن يتصادم أيروسول المادة المنتجة للمحفز 313 مع الأيروسول 113 قبل التفاعل؛ أو التجفيف؛ أو كليهما لتكوين تيار أيروسول مدمج 4 يحتوي على JS من المادة الصلبة والسائلة. عند إدخاله إلى منطقة التسخين الثانية 130؛ يمكن لدرجة الحرارة الأكبر في منطقة التسخين الثانية 130 أن تجعل أيروسول المادة المنتجة للمحفز 313 يتفاعل؛ أو يجف؛ أو كليهما على الجسيمات الحاملة للمحفز 114 للأيروسول 113 وحولها لإنتاج المحفز 101. بالإشارة إلى الشكل رقم (4)؛ يتم تصوير نظام معالجة أيروسول 400 يتضمن الوعاء 102« ووحدة التحويل إلى أيروسول 110( ومنطقة التسخين الأولى 120( ومنطقة التسخين الثانية 130« ووحدة الفصل 140 الموصوفين lis فيما يتعلق بنظام معالجة الأيروسول 100 الوارد في الشكل رقم (1). 0 على النحو المبين في الشكل رقم (4)؛ يمكن لنظام معالجة الأيروسول 400 أن يتضمن كذلك وعاء تكميلي 402؛ ووحدة تحويل إلى أيروسول تكميلية 410 موضوعة أسفل الوعاء التكميلي 402؛ ومنطقة تسخين ثالثة 420 أسفل وحدة التحويل إلى أيروسول التكميلية 410. يمكن أن يكون كلٍ من الوعاء التكميلي 402؛ ووحدة التحويل إلى أيروسول التكميلية 410 ومنطقة التسخين الثالثة 420 موازي للوعاء 102؛ ووحدة التحويل إلى أيروسول 110؛ ومنطقة التسخين الأولى 120. يمكن دمج 5 المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 134 بمخفف تكميلي 406 في الوعاء التكميلي 402 لإنتاج خليط Sale منتجة لمركب نشط حفزيًا 435. (Say للمخفف التكميلي 406 أن يكون أي من المواد الموصوفة سابقًا للمخفف 106. يمكن إدخال خليط المادة المنتجة للمركب النشط Ghia 435 وغاز ناقل تكميلي 412 إلى وحدة التحويل إلى أيروسول 410 التكميلية. يمكن للغاز الناقل التكميلي 412 أن يكون أي من المواد 0 الموصوفة سابقًا للغاز الناقل 112. في بعض النماذج؛ يمكن للغاز الناقل التكميلي 412 أن يكون هو المادة نفسها مثل الغاز الناقل 112. يمكن لخليط المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 435 أن يتم تحويله إلى أيروسول في وحدة التحويل إلى أيروسول التكميلية 410 لإنتاج أيروسول مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا 409 يشتمل على قطيرات من خليط المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 435 والغاز الناقل التكميلي 412. يمكن تمرير أيروسول المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 409 إلى 5 منطقة التسخين الثالثة 420 وعبرها. في منطقة التسخين الثالثة 420؛ يمكن أن يجف أيروسول المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 409؛ أو يتفاعل؛ أو يتحلل لإنتاج مجموعة من جسيمات المركب
Jail حفزيًا 414 محولة إلى أيروسول في الغاز الناقل التكميلي 412. يمكن أن يشتمل الأيروسول 3 على جسيمات المركب النشط Gis 414 المحولة إلى أيروسول في الغاز الناقل التكميلي 412 يمكن دمج الأيروسول 413 بالأيروسول 113 أعلى منطقة التسخين الثانية 130 أو في منطقة التسخين الثانية 130. يمكن لجسيمات المركب النشط حفزيًا 414 للأيروسول 413 أن تلامس الجسيمات الحاملة للمحفز 114 للأيروسول 113 في منطقة التسخين الثانية 113؛ وهو ما يمكن أن يتسبب في das جسيمات المركب النشط حفزيًا 414 تترسب على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 لإنتاج المحفز 101. بالتالي؛ يتم تكوين جسيمات المركب النشط حفزيًا 414 والجسيمات الحاملة للمحفز 114 بشكل مستقل ping دمجهما بعدئذ لوضع جسيمات المركب النشط Gis 414 0 على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114. بالإشارة الآن إلى الشكل رقم (5)؛ يتم تصوير نظام معالجة أيروسول 500 بديل آخر لتخليق المحفز 1. يمكن أن يتضمن نظام معالجة الأيروسول 500 الوارد في الشكل رقم (5) الوعاء 102 لتحضير خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 من المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 والمخفف 6. وعامل إشابة اختياريًا. يمكن أن يشتمل نظام معالجة الأيروسول 500 كذلك على وحدة 5 اتتحويل إلى أيروسول 110 ومفاعل تخليق تدفق أيروسول مستمر 510. يمكن لمفاعل تخليق تدفق الأيروسول المستمر 510 أن يتضمن أنبوب تفاعل 514. يمكن أن يمتد أنبوب التفاعل 514 عبر واحد أو مجموعة من عناصر التسخين» مثل فرن أول 510 وفرن ثان 530؛ على سبيل المثال. يتم تصور عناصر تسخين أخرى؛ Jie عناصر تسخين مقاومة وما شابه ذلك؛ لتسخين أقسام أنبوب التفاعل 514. يمكن أن يتم طلاء جزءِ من أنبوب التفاعل بمادة منتجة لمركب نشط حفزيًا 514. 0 على النحو المستخدم في الكشف عن الاختراع هذاء يشير مصطلح "oO إلى عملية معالجة مسبقة لأنبوب التفاعل 514 لمفاعل تخليق تدفق الأيروسول 510 ببخار مادة منتجة لمركب نشط حفزيبًا 6 (الشكل رقم (6)) لوضع طبقة من مادة منتجة لمركب نشط Gis على سطح داخلي 518 (الشكل رقم (6)) لأنبوب التفاعل 514. يوضح الشكل رقم (6) مقطع مستعرض من أنبوب التفاعل 4 له الطبقة 516 من المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا موضوعة على السطح الداخلي 518 5 لأنبوب التفاعل 514. بالإشارة مرة أخرى إلى الشكل رقم (5)»؛ في بعض النماذج؛ يمكن لأنبوب التفاعل 514 أن يتضمن على الأقل منطقة تسخين أولى 522 ومنطقة تسخين ثانية 532؛ ويمكن
وضع الطبقة 516 من المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا على السطح الداخلي 518 من أنبوب التفاعل 514 في منطقة التسخين الثانية 532 من أنبوب التفاعل 514. بالإشارة إلى الشكلين رقم (5) و(6)؛ عند التشغيل؛ يتم دمج المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 والمخفف 106, زائد أي عوامل إشابة اختيارية؛ ويتم خلطهما في الوعاء 102 لتكوين خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108. يتم تمرير خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 بعدئذ إلى مفاعل تخليق تدفق الأيروسول المستمر 510. في مفاعل تخليق تدفق الأيروسول المستمر 510؛ يتم تحويل خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 إلى أيروسول لتكوين خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109( والذي يشتمل على مجموعة من القطيرات من خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 مشتتة في غاز ناقل 112. يحمل الغاز ناقل 112 قطيرات خليط المادة المنتجة 0 الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 Jang خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 عبر أنبوب التفاعل 514 الخاص بمفاعل تخليق تدفق الأيروسول المستمر 510. في منطقة التسخين الأولى 522؛ يتم تسخين أنبوب التفاعل 514. تجفف Ball المخفف من قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109؛ وتجعل المواد المنتجة الحاملة للمحفز 104 تتفاعل؛ أو كليهما لتكوين الجسيمات الحاملة للمحفز 114. يتم نقل الجسيمات 5 الحاملة للمحفز 114 من خلال الغاز ناقل 112 عبر منطقة التسخين الثانية 532. يتم تسخين منطقة التسخين الثانية 532 لجعل المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا في الطبقة 516 من المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا تتبخر لتكوين بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gyn 136 (الشكل رقم (6)). يتوزع بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 عبر منطقة التسخين الثانية 532 من أنبوب التفاعل 514. تمر الجسيمات الحاملة للمحفز 114 المحمولة بواسطة الغاز الناقل عبر 0 منطقة التسخين الثانية 532 حيث تلامس الجسيمات الحاملة للمحفز 114 بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفنزيًا 136. يتكثف بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gia 136 على أسطح الجسميات الحاملة للمحفز 114 لتكوين المحفز 101 الذي يشتمل على طبقة من المركب النشط حفزيًا موضوعة على جسيمات الحاملة للمحفز 114. يمكن أن يتم فصل المحفز 101 بعدئذ عن الغاز الناقل 112 في وحدة الفصل 140 أسفل مفاعل تخليق تدفق الأيروسول المستمر 210. 5 يمكن أن تتضمن طريقة إنتاج المحفز طلاء أنبوب المتفاعل 514 الممتد عبر الفرن الثاني بالمادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا. يمكن أن يشتمل طلاء أنبوب التفاعل 514 على تبخير المادة المنتجة
للمركب النشط حفزبًا لتكوين بخار مادة منتجة لمركب نشط Us وتكثيف بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا على سطح داخلي 518 لأنبوب التفاعل 514 لتكوين طبقة 516 من المادة المنتجة للمركب النشط Ghia على السطح الداخلي 518 لأنبوب التفاعل 514. يمكن أن تتضمن الطريقة كذلك تسخين أنبوب التفاعل 514 لإعادة تبخير المادة المنتجة للمركب النشط Bias من السطح الداخلي 518 لأنبوب التفاعل 514 لإنتاج بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136؛ وتمرير مجموعة من الجسيمات الحاملة للمحفز 114 عبر أنبوب التفاعل 514 حيث تلامس مجموعة الجسيمات الحاملة للمحفز 114 بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136؛ وتكثيف بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114. على النحو الذي تم مناقشته سابقًا في الأشكال رقم (1)-(5)؛ يكون للمحفزات 101 المكونة بواسطة 0 طرائق معالجة الأيروسول ذات ذرات؛ أو جزيئات؛ أو عناقيد أو جسيمات مفردة من المركب النشط حفزيًا الموضوعة على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114. عند وضعها باستخدام طرائق معالجة الأيروسول؛ يتم تركيز هذه الطبقة من المركبات النشطة Gea عند أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 4 التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى المواد المتفاعلة الغازية بديلًا من أن تكون موضوعة تمامًا أو Wis على الأقل في الجسيمات الحاملة للمحفز 114. بالتالي؛ تكون المركبات النشطة Gis 5 الموضوعة على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 نشطة بشكل مرتفع Ale بالمحفزات المحضرة بطريقة تقليدية. يتيح هذا للمحفز 101 المكون باستخدام طرائق معالجة الأيروسول أن يكون له أقل من المركب النشط حفزيًا ولكن يوفر نشاط حفزي مكافئ أو زائد بالنسبة إلى المحفزات المحضرة بطريقة تقليدية؛ مثل المحفزات المحضرة من خلال التشريب الرطب على سبيل المثال. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون للمحفز 101 المكون باستخدام طرائق معالجة الأيروسول أقل من أو 0 ما يعادل 750 من المركب النشط حفزيًا مقارنةً بالمحفزات المحضرة بطريقة تقليدية ذات المركب النشط حفزيًا موزعًا عبر الجسيمات الحاملة للمحفز. في نماذج أخرى؛ يمكن أن يكون للمحفزات 1 المكونة باستخدام طرائق معالجة الأيروسول أقل من أو ما يعادل 725 أو أقل من أو ما يعادل 720؛ أو أقل من أو ما يعادل 715؛ أو أقل من أو ما يعادل 710 من المركب النشط حفزيًا مقارنة بالمحفزات المحضرة بطريقة تقليدية ذات المركب النشط حفزيًا موزعًا عبر الجسيمات 5 الحاملة للمحفز.
يمكن لخفض كمية المركبات النشطة حفزيًا في المحفز 101 أن يخفض تكلفة المحفز 101؛ على dag التحديد عند استخدام مركبات نشطة حفزيًا مكلفة Jie البلاتين؛ أو الذهب؛ أو البلاديوم على سبيل المثال» مقارنةٌ بالمحفزات المحضرة بطريقة تقليدية. إضافة إلى cell) تتيح طريقة معالجة الأيروسول لتكوين المحفزات 101 الإنتاج المستمر للمحفزات. يمكن لنظام وطرائق معالجة الأيروسول الموصوفة في هذا الكشف عن الاختراع إتاحة تحكم أكبر في معدل ترسيب وإجمالي كمية المركب النشط حفزيًا المترسب على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114؛ وهو ما يمكن أن يتيح التحكم في النشاط الحفزي للمحفز. يمكن لطريقة معالجة الأيروسول أن تتيح ضبط دقيق للنشاط الحفزي للمحفز من أجل استخدام معين. يمكن لمحفزات الأزمرة» والتبادل المزدوج» والازمرة والتبادل المزدوج المنتجة باستخدام طرائق معالجة الأيروسول أن تؤدي إلى تكون كوك أقل على المحفز خلال تفاعلات 0 اتبادل المزدوج؛ وهو الأمر الذي (Sar أن يؤدي إلى عمر أطول للمحفز. في أحد أشكال التنفيذ التمثيلية؛ يمكن استخدام طرائق معالجة الأيروسول التي تم مناقشتها Ble لتخليق محفز pel أو محفز تبادل مزدوج؛ أو محفز أزمرة وتبادل مزدوج لاستخدامه في عملية لإنتاج الأوليفينات من تبار تغذية هيدروكربوني؛ مثل عملية تبادل مزدوج لإنتاج بروبين من تيار هيدروكريوني يشتمل على البيوتين. يتم وصف تحويل 2-بيوتين إلى برويين عبر استخدام محفز 5 التبادل المزدوج والأزمرة؛ مع ذلك؛ ينبغي فهم أن هذا من أجل الوضوح والإيجاز فحسب وأنه يتم تصور تفاعلات التبادل المزدوج (GAY) على نحو مماتل. إن تفاعل التبادل المزدوج هو عبارة عن عملية كيميائية تنطوي على تبادل الروابط بين اثنين من الأنواع الكيميائية؛ وهو ما يؤدي إلى صنع منتجات ذات علاقات ترابط متماثلة أو متطابقة. يتم تمثيل هذا التفاعل من خلال المخطط العام في التفاعل التالي 187071. A-B+C-D— A-D+C-B (RXN1) على النحو المبين في التفاعلات التالية RXN3 5 RXN2 « تكون "أزمرة” و'التبادل المزدوج" ل 2 بيوتين إلى بروبين بصفة عامة هي عملية تتكون من خطوتين: أزمرة 2 بيوتين باستخدام نظام محفز أزمرة ويعدئذ التبادل المزدوج التبادلي باستخدام نظام محفز تبادل مزدوج. يمكن تحقيق أزمرة 2- بيوتين (تفاعل (RXN2 من خلال JS من مادة حاملة من السيليكا والألومينا لمحفز الأزمرة ومادة حاملة من سيليكا أو سيليكا وألومينا لمحفز التبادل المزدوج والأزمرة. يمكن تحقيق التبادل المزدوج 5 اتبادلي (8703) من خلال أكسو الأنيون الفلزي أو أكسيد فلز لمحفز التبادل المزدوج والأزمرة أو
محفز التبادل المزدوج. يوفر محفز التبادل والمزدوج والأزمرة IS من خطوات "الأزمرة" و"التبادل المزدوج” مع كل مكون من محفز الأزمرة والتبادل المزدوج يوفر وظائف فردية. ب A A ا بح Ho ممح FA ابيرتين البيرتين اا ا (RXN2) امال 5 تيقل مرفي a . RAN ب ا بر RET Cet لبيرتين تنثيوكين (RXN3) 5 بالإشارة إلى التفاعلات 17001 (RXN23 لا يقتصر تفاعل "الأزمرة' Jalal المزدوج” على هذه المواد المتفاعلة والمنتجات. مع ذلك؛ توفر التفاعلات RXN2 و87003 توضيح أساسي لمنهجية التفاعل. على النحو المبين في تفاعل RXN3 يحدث تفاعل التبادل المزدوج بين اثنين من الألكينات 1160©5. يتم Jabs المجموعات المريوطة بذرات كريون الرابطة المزدوجة بين الجزيئات لإنتاج اثنين
0 -_من الألكينات الجديدة بالمجموعات المتبادلة. يمكن أن يحدد المحفز المعين الذي يتم اختياره من أجل تفاعل التبادل المزدوج للأوليفين بصفة عامة ما إذا كان سيتكون سيس- أيزومر cis-isomer أو ترانس-أيزومر trans-isomer لمنتجات تفاعل الأوليفين» حيث يلعب تنسيق جزبئات الأوليفين مع المحفز دورًا lage كما تفعل التأثيرات الحيزية للمكونات على الرابطة المزدوجة للجزيء المكون حديثًا.
يمكن أن يتيح استخدام نظام معالجة الأيروسول 100 وطرائق معالجة الأيروسول التي تم مناقشتها سابقًا في هذا الكشف عن الاختراع من أجل إنتاج محفزات تبادل مزدوج وأزمرة؛ أو محفزات التبادل المزدوج» أو محفزات الأزمرة التحكم في خواص المحفز وخصائصه لتكييف المحفز لتحويل مجموعة متنوعة من المركبات المختلفة. يمكن لتغيير متغيرات طريقة معالجة الأيروسول التحكم في تكوين المحفزات الناتجة 101؛ مثل محفز التبادل المزدوج ومحفز الأزمرة؛ أو محفز التبادل المزدوج؛ أو
محفز الأزمرة على سبيل المثال» لإظهار مجموعة من الخواص البنيوية والكيميائية التي يمكن تكييفها أو تعديلها من أجل تفاعلات التحويل المختلفة. على سبيل المثال؛ يمكن أن يؤثر تعديل الخواص البنيوية والكيميائية للجسيمات الحاملة للمحفز 114 في وظيفة أزمرة المحفز 101. على نحو مماثل؛ يمكن أن يتيح التحكم في معدل تكثيف بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا 136 على الجسيمات الحاملة للمحفز 114( أو شكل المركب النشط حفزيًا الموضوع على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 أو كمية المركب النشط حفزيًا الموضوع على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114؛ أو
كليهما التحكم في وظيفة التبادل المزدوج للمحفز 101. يمكن التحكم في تركيبة محفز التبادل المزدوج والأزمرة؛ أو محفز التبادل المزدوج» أو محفز الأزمرة من خلال تغيير المواد المنتجة الحاملة للمحفز 104( وإضافة واحد أو مجموعة من عوامل الإشابة
0 إلى المواد المنتجة الحاملة للمحفز 104؛ وتعديل التركيزات النسبية للمواد المنتجة الحاملة للمحفز 4 في خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108( وتغيير نوع الغاز الناقل 112. على سبيل المثال» سوف يؤدي إدراج تركيز أعلى نسبيًا من مادة منتجة حاملة لمحفز واحدة؛ (fie المادة المنتجة من السيليكا أو المادة المنتجة من الألوميناء في خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 إلى تركيز lel نسبيًا من Sale منتجة حاملة للمحفز معينة في الجسيمات الحاملة للمحفز 114.
5 تتأثر تفاعلات الأزمرة بحمضية محفز التبادل المزدوج والأزمرة أو محفز الأزمرة. يمكن التحكم في حمضية المحفز 101 بطريقتين على الأقل. ol يمكن التحكم في إجمالي عدد المواضع الحمضية في المحفز 101 من خلال تغيير عدد مواقع الألومنيوم في الجسيمات الحاملة للمحفز 114. يمكن التحكم في عدد مواقع الألومنيوم من خلال تعديل مقدار المادة المنتجة للألومينا في خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 بالنسبة إلى المواد المنتجة الأخرى. تزيد زيادة المواقع الألومنيوم
0 الموجودة في الجسيمات الحاملة للمحفز 114 من 81-011 المتكون في المحفز 101. ثانيًّاء تتأثر قوة حمض JS من مواقع الألومنيوم بالبيئة حول JS من مواقع الألومنيوم وكيف تتفاعل مواقع الألومنيوم مع مواقع السيليكا. يمكن أن يكون لنوع المواد المنتجة الحاملة للمحفز 104 تأثيرًا في تكون مواقع الألومنيوم. على سبيل (Jaa) يكون للألومينا المدخنة عنقود كبير من الألومينا مكون بالفعل. بناءً على ذلك؛ عندما يتم إدراج الألومينا المدخنة بوصفها مادة منتجة من الألومينا في صنع
5 جسيمات حاملة لمحفز قائمة على سيليكا-ألوميناء تكون التفاعلات بين الألومينا والسيليكا محددة مسبقًا بشكل كبير وتقتصر على واجهة المنطقتين المنفصلتين للمواد. بشكل بديل؛ في النماذج حيث
يتم إدراج نترات الألومنيوم بوصفه المادة المنتجة من الألوميناء تكون مواقع الألومنيوم المصنوعة في الجسيمات الحاملة للمحفز 114 بصفة عامة جزيئات مفردة محاطة بالكامل بالسيليكا. بالتالي» يمكن لكل موقع ألومنيوم أن يتفاعل بشكل محتمل مع السيليكا في جميع الأبعاد. في نماذج متعددة؛ يمكن أن يكون لمحفز التبادل المزدوج والأزمرة؛ أو محفز التبادل المزدوج» أو محفز الأزمرة المكون بواسطة طائق معالجة الأيروسول إجمالي حمضية أقل من أو يعادل 0.5 ملي مول/جرام (ملي مول/جم)؛ أو ما يتراوح من 0.01 ملي مول/جرام إلى 0.5 ملي مول/جرام؛ أو ما يتراوح من 0.1 ملي مول/جرام إلى 0.5 ملي مول/جرام» أو ما يتراوح من 0.3 ملي مول/جرام إلى 0.5 ملي مول/جرام» أو ما يتراوح من 0.3 ملي مول/جرام إلى 0.5 ملي مول/جرام؛ أو ما يتراوح من 0.4 ملي مول/جرام إلى 0.5 ملي مول/جرام. سيتم تقدير أنه في نماذج إضافية يمكن أن يكون لمحفز التبادل المزدوج والأزمرة؛ 0 أو محفز التبادل المزدوج؛ أو محفز الأزمرة إجمالي حمضية أقل من 0.01 ملي مول/جرام أو أكبر من 0.5 ملي مول/جرام. في نماذج؛ تكون حمضية المحفز كافية لإنتاج انتقائية مرادة من البروبيلين وإنتاج منخفض من المنتجات الثانوية غير المرغوب فيها مثل المواد العطرية. يمكن أن تزيد زيادة الحمضية إجمالي تحويل البيوتين. مع ذلك؛ يمكن أن يؤدي إجمالي تحويل البيوتين الزائد هذا إلى انتقائية أقل وإنتاج زائد من المنتجات الثانوية؛ مثل المواد العطرية على سبيل المثال؛ وهو ما يمكن
5 أن يؤدي إلى تكويك المحفز وإبطال مفعوله. يمكن التحكم في حجم جسيمات محفز التبادل المزدوج والأزمرة؛ أو محفز التبادل المزدوج؛ أو Sina الازمرة من خلال تعديل تركيز المادة المنتجة للمحفز 104 في خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108< ونوع ومواصفات وحدة التحويل إلى أيروسول 110( وتهيئة المفاعل. على سبيل المثال» يؤدي تركيز أعلى من المواد المنتجة الحاملة للمحفز 104 في خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108 0 بالنسبة إلى الماء أو مخفف آخر 106 إلى جسيمات حاملة للمحفز 114 أكبر حيث يتاح ماء أو مخفف AT أقل للتبخر من كل قطيرة محولة إلى أيروسول. إضافة إلى ذلك؛ يمكن أن تنتج وحدات التحويل إلى أيروسول 110 المختلفة قطيرات ذات أحجام مختلفة من خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 خلال التحويل إلى أيروسول, بالتالي؛ يتم إنتاج أحجام جسيمات مختلفة للجسيمات الحاملة للمحفز 114. على سبيل المثال؛ يغير تغيير التردد في مرذاذ فوق صوتي 5 حجم قطيرات خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 الذي يتم إنتاجه بواسطة المرذاذ فوق الصوتي. يغير تغيير حجم القطيرات حجم الجسيمات الحاملة للمحفز 114.
يمكن أيضًا أن تزيد زيادة التدفق المضطرب داخل وحدة التحويل إلى أيروسول 110( أو منطقة التسخين الأولى 120؛ أو كليهما حجم الجسيمات من خلال جعل القطيرات تتصادم وتلتحم معًا. على نحو (Silas يمكن أن تفصل أجهزة الصدم الموضوعة داخل وحدة التحويل إلى أيروسول 110 أو قبل منطقة التسخين الأولى 120( أو كليهما القطيرات الرطبة الكبيرة من خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول 109 وتسمح لقطيرات أصغر فحسب بالدخول والمرور عبر منطقة التسخين الأولى 120. يؤدي هذا إلى خفض متوسط حجم الجسيمات الحاملة للمحفز 114. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون للجسيمات الحاملة للمحفز 114 حجم جسيمات يتراوح من 50 نانومتر إلى 50 ميكرون. في النماذج حيث تتكون المادة المنتجة للمركب النشط حفزيبًا إلى عناقيد وجسيمات يتم وضعها بعدئذ على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114؛ يمكن أن يكون حجم
0 جسيمات عناقيد أو جسيمات المركب النشط حفزيًا أقل من أو يعادل 20 نانومتر. يمكن التحكم في مساحة سطح المحفز من خلال تعديل نوع المواد المنتجة الحاملة للمحفز 104 وكميتهاء بما في ذلك المكونات الخاملة؛ أو المكونات الذوابة؛ أو كليهماء في خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز 108. يمكن للمكونات الخاملة والذوابة أن تتضمن لاتكس بوليستيرين على سبيل المثال. عند تسخينه إلى درجات حرارة مرتفعة؛ يحترق لاتكس البوليستيرين؛ تاركًا مسام حيث كان 5 الاتكس البوليسترين سابقًا. سيقدر أحد المهرة في التقنية الصناعية أنه يمكن استخدام مكونات ذوابة أخرى تحترق عن درجة حرارة مرتفعة لإنتاج محفز له مساحة سطح زائدة ناتجة عن إزالة المكونات الخاملة والذوابة من المحفز. علاوةً على ذلك؛ يمكن أن يؤدي اختيار السيليكا المدخنة والألومينا المدخنة بوصفهما مواد منتجة حاملة لمحفز 104 في مساحة سطح زائدة. عند التحويل إلى أيروسول؛ يتم الاحتفاظ بصفة عامة بمساحات سطح كسيرية مرتفعة من بندى السيليكا المدخنة والألومينا 0 المدخنة. تؤدي مساحة السطح الكسيرية المرتفعة هذه إلى مساحة سطح زائدة عند مقارنتها بالمواد المنتجة غير المدخنة والتي تؤدي إلى جسيمات كثيفة أكثر كروية ذات مساحة سطح أقل بما أنها لا يكون لديها مساحة سطح داخلية كبيرة. يمكن أيضًا التحكم في مساحة السطح من خلال تعديل تهيئة نظام معالجة الأيروسول 100. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون للمحفز 101 المكون بواسطة طرائق dallas الأيروسول مساحة سطح تتراوح من 100 sie مريع لكل جرام ie) /جرام) إلى 700 5 متر /جرام. في نماذج أخرى؛ يمكن أن يكون للمحفز مساحة سطح تتراوح من حوالي 450 متر /جرام
إلى 600 sie /جرام؛ أو من حوالي 250 متر /جرام إلى 350 sie /جرام؛ أو من حوالي 275
متر pba إلى 325 ie /جرام»؛ أو من حوالي 275 متر /جرام إلى 300 متر /جرام. يمكن التحكم في تبلور الجسيمات الحاملة للمحفز 114 من خلال تعديل نوع المواد المنتجة الحاملة للمحفز 104 وكميتهاء ودرجة حرارة منطقة التسخين الأولى 120؛ ووقت المكوث residence time في منطقة المكوث الأولى 120؛ ومعدل تبريد المحفز 101. على سبيل المثال؛ يمكن أن يؤدي استخدام أكسيد معدن أو أكسو أنيون oxometallate SH يحتوي على مركز SH مفرد مقابل مراكز فلزية متعددة بوصفها المادة المنتجة الحاملة للمحفز 104 إلى تشتت أكثر نظرًا إلى أن تكسير العنقود لا يعد أمرًا مطلويًا. كلما كانت المراكز الفلزية من مصدر أكسيد الفلز أو أكسو الأنيون الفلزي يحتويها أكثر كان التكثير مطلويًا لتكوين التبلور. فيما يتعلق بمعدل capil) يوفر معدل تبريد أبطاً نسبيًا Gag
0 إضافيًا لحدوث ترتيب البلورات؛ حيث يمكن لمعدل التبريد الأسرع نسبيًا أن يحبس الذرات في حالات متبدلة الاستقرار أو غير متبلورة. فيما يتعلق بدرجة الحرارة ووقت المكوث في منطقة التسخين الأولى 0, يمكن أن تؤدي زيادة درجة الحرارة؛ أو وقت المكوث؛ أو كليهما إلى انتقال أكاسيد الفلز أو الأكسو أنيونات فلزية على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز 114 وهو ما يمكن أن يزيد من الحجم البلوري.
5 في lll pans يمكن أن يكون للجسيمات الحاملة للمحفز 114 توزيع حجم مسامي يتراوح من 5 نانومتر إلى 40 نانومتر وإجمالي حجم مسامي يبلغ على الأقل 0.600 سنتيمتر مكعب لكل جرام (سنتيمتر"/جرام). دون التقيد بالنظرية؛ يتم ضبط حجم توزيع الحجم المسامي والحجم المسامي لتحقيق نشاط حفزي أفضل وخفض انسداد المسام بواسطة أكاسيد الفلز؛ حيث تكون أنظمة المحفز ذات الحجم المسامي والمقدار المسامي الأصغر عرضة لانسداد المسام وبالتالي خفض النشاط
0 الحفزي. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون للجسيمات الحاملة للمحفز 114 توزيع حجم مسامي يتراوح من 2.5 نانومتر إلى 40 نانومترء أو من 2.5 نانومتر إلى 20 نانومتر» أو من 2.5 نانومتر إلى 4.5 نانومتر؛ أو من 2.5 نانومتر إلى 3.5 نانومتر؛ أو من 8 نانومتر إلى 18 نانومترء أو من 12 نانومتر إلى 18 نانومتر. في بعض النماذج؛ يمكن أن يكون للمحفز إجمالي حجم مسامي يتراوح من 0.600 ستتيمتر"/جرام إلى 2.5 ستتيمتر/جرام» أو من 0.600 ستتيمتر"/جرام إلى 1.5
5 ستتيمتر”/جرام؛ أو من 0.600 ستتيمتر*/جرام إلى 1.3 ستتيمتر”/جرام» أو من 0.600
0.700 أو من 0.600 ستتيمتر"/جرام إلى cabal jamin 0.800 إلى aha ses
سنتيمتر */جرام؛ أو من 0.900 سنتيمتر "/جرام إلى 1.3 سنتيمتر "/جرام.
الأمثلة
توضح الأمثلة التالية تحضير محفزات تبادل مزدوج وأزمرة متعددة. تم استخدام محفزات التبادل
المزدوج والأزمرة هذه بعدئذ لتخليق البرويين من تيار 2-بيوتين ونتروجين في مفاعل له طبقة ثابتة
fixed bed reactor تم تشغيله عند 580 درجة مثوية.
المثال رقم (1)
تحضير محفزات تبادل مزدوج لها طبقة من أكسيد التنجستن موضوعة على السطح.
تم تحضير خليط مادة منتجة حاملة لمحفز من خلال إضافة 37.1 جرام من السيليكا المدخنة إلى 0 800 جرام من ماء منزوع الأيونات لإنتاج خليط مادة منتجة حاملة لمحفز له 74.5 بالوزن من
السيليكا المدخنة. كانت السيليكا المدخنة المستخدم هي عبارة عن السيليكا المدخنة AEROSIL®
0 تم الحصول عليها من شركة .Evonik Industries تم تعريض خليط المادة المنتجة الحاملة
للمحفز للموجات الصوتية لمدة 20 دقيقة قبل كل تجرية. تم تحويل خليط المادة المنتجة الحاملة
للمحفز بعدئذ إلى أيروسول على هيئة رذاذ دقيق من القطيرات ذات حجم بالميكرومتر باستخدام 5 محول فوق صوتي -ultrasonic transducer
تم تمرير خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول بعدئذ إلى نظام معالجة الأيروسول
الذي تضمن فرن أول وفرن ثان بالتسلسل مع الفرن الأول وأسفله. تم تهيئة الفرن الأول (منطقة
التسخين الأولى) لتكوين جسيمات كربوية متكتلة من السيليكا المدخنة من خليط المادة المنتجة الحاملة
للمحفز المحول إلى أيروسول. تضمن الفرن الأول طول مسخن يبلغ 30.48 سنتيمتر (12 بوصة) 0 وتم إبقائه عند درجة حرارة تبلغ 600 درجة مئوية. كان للفرن الثاني (منطقة التسخين الثانية) طول
مسخن بلغ 15.24 سنتيمتر (6 بوصات). كان إجمالي طول الفرن الثاني هو 30.48 سنتيمتر (12
بوصة)؛ وامتد الطول المسخن الذي يبلغ 15.24 سنتيمتر (6 بوصات) من مسافة تبلغ 7.62
سنتيمتر (3 بوصات) من مدخل الفرن الثاني إلى مسافة تبلغ 22.86 سنتيمتر (9 بوصات) من
مدخل الفرن الثاني. تفاوتت درجة حرارة الفرن الثاني من 600 درجة مئوية إلى 1400 درجة مئوية. 5 على وجه التحديد؛ تم تنفيذ التجارب عند درجات حرارة فرن ثان تبلغ 600 درجة مثئوية؛ و850 درجة
مئوية؛ و1100 درجة مئوية؛ و1250 درجة مئوية؛ و1400 درجة gia
تم وضع 1 ملي لتر (مل) من قارب احتراق يحتوي على كتلة أولية من أكسيد التنجستن tungsten
oxide في الفرن الثاني عند مواضع متنوعة داخل الفرن الثاني. كان أكسيد التنجستن المستخدم هو
عبارة عن >799 أكسيد تنجستن (رقم المجموعة أ0348621) تم الحصول عليه من شركة Acros
Lad Organics يتعلق بدرجات الحرارة 600 درجة مثوية؛ و850 درجة مئوية» و1100 درجة مثوية؛
5 .تم shal التجارب عند مواضع قارب احتراق أكسيد تنجستن في الفرن الثاني التي تبلغ 7.62 سنتيمتر
(3 بوصات)؛ و 15.24 سنتيمتر (6 بوصات)؛ و 22.86 سنتيمتر (9 بوصات) من مدخل الفرن
Clas 3( satin 22.86 حيث كانت توجد المنطقة المسخنة ما يتراوح من 7.62 إلى JU
إلى 9 بوصات) من مدخل الفرن ذو الأنبوب الذي يبلغ طوله 30.48 سنتيمتر (12 بوصة). فيما
يتعلق بالتجارب التي تم إجرائها عند 1250 درجة مئوية؛ و1400 درجة مئوية؛ تم استخدام فرن 0 مختلف (يبلغ طوله 60.96 سنتيمتر (24 بوصة)؛ قادر على الوصول إلى درجات الحرارة المستهدفة)
بوصفه الفرن الثاني؛ وتم وضع قارب احتراق أكسيد تنجستن عند نقطة وسط المنطقة المسخنة
)30.48 سنتيمتر (12 بوصة) من مدخل الفرن الثاني). تم قياس وزن أكسيد تنجستن في قارب
الاحتراق قبل كل تجرية ويعدها لتحديد كمية أكسيد تنجستن المتبخرة إلى الفرن الثاني.
تم نقل خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول من خلال غاز ناقل عبر الفرن الأول والفرن الثاني عند معدل تدفق غاز ناقل يبلغ 10 لتر في الدقيقة (لتر/دقيقة) لإنتاج محفزات
التبادل المزدوج المخلقة الواردة في المثال رقم (1). كان الغاز الناقل هو عبارة عن هواء خالٍ من
الجسيمات خالٍ من الزبوت. تم تجميع محفز التبادل المزدوج المخلق على مرشح. تم تحديد كمية
أكسيد تنجستن الموضوعة على محفز التبادل المزدوج المخلق من خلال مجهر إلكتروني ماسح
ومطيافية مشتتة للطاقية Scanning Electron Microscope and Energy Dispersive .(SEM/EDS) Spectroscopy 0 يوفر الجدول رقم (1) التالي ظروف التفاعل وكمية أكسيد تنجستن
الموضوعة على أسطح محفزات التبادل المزدوج المخلقة.
الجدول رقم (1): ظروف التفاعل ومحتوى أكسيد تنجستن لتخليق محفزات التبادل المزدوج الواردة في
المثال رقم (1).
رقم | درجة حرارة | درجة حرارة | وقت المكوث | معدل تدفق | موضع قارب | محتوى أكسيد ١ dal الفرن الأول ١ الفرن الثاني (ثوان) الغاز الناقل أكسيد تنجستن ني (درجة (درجة (لتر/الدقيقة) | تنجستن ad
— 0 5 — (سنتيمتر من المدخل) [cme | 7© | 00 | to | © | 60 | ١
Cee | هك [00 | wo | © [wo |e] oom [aw [wo | 0 | © © | 5] (cen | 0ت [oo [wo [we [wo cme | 524ل | 100 | lo | oso | 60 | 5 [0057 | 228 | 100 | 10 | 80 | 600 | 6 [00st | 7e | 00 | To | 100 | 600 | 7§ | 60 | 0لا | 10 | 100 | 1325 | 4ه _ 9 | 60 | 20د | 10 | 100 | 2286 | 0450 0ل | 600 | 250ل | 10 | 100 | 048 | 25% !1 | 60 | ©1400 | 10 | 100 | 04# | 105[ على النحو المبين في الجدول رقم ) 1( » عند درجات حرارة الفرن الثاني التي تبلغ 600 درجة Lge و850 درجة مئوية؛ كانت كميات أكسيد تنجستن الموضوعة على سطح محفز التبادل المزدوج غير المزدوج في المثال رقم (1) عند درجات حرارة في الفرن الثاني تبلغ أكثر من أو تعادل 850 درجة مثوية. على النحو المبين فى الجدول رقم (1)» زادت زيادة درجة حرارة الفرن الثاني من كمية أكسيد تنجستن الموضوعة على أسطح محفزات التبادل المزدوج. بالتالي» يمكن استنتاج من البيانات الواردة في الجدول رقم (1) أنه يمكن التحكم في كمية أكسيد تنجستن الموضوعة على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز من خلال التحكم في درجة حرارة الفرن الثاني (منطقة التسخين الثانية 130). Wad Kar 0 أن تتأثر كمية المركب النشط حفزيًا الموضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز بموضع قارب احتراق المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا داخل منطقة التسخين الثانية. على النحو المبين من خلال البيانات في الجدول رقم (1)؛ من أجل التخليق الذي يتم إجراءه عند درجة Sha فرن ثان له أنبوب يبلغ طوله 30.48 سنتيمتر (12 بوصة) تبلغ 1100 درجة مئوية؛ تختلف كمية أكسيد تنجستن الموضوعة على الجسيمات الحاملة للمحفز مع الموضع النسبي لقارب أكسيد تنجستن 5 في الفرن الثاني. عند درجة حرارة الفرن الثاني التي تبلغ 1100 درجة مئوية؛ كانت أكبر كمية من أكسيد تنجستن موضوعة على الجسيمات الحاملة للمحفز a 70.484 بالوزن؛ والتى حدثت عندما الثاني). عند موضع قارب يبلغ 7.62 سنتيمتر (3 بوصات) من مدخل الفرن SEI ¢ انخفضت كمية
أكسيد تنجستن الموضوعة على الجسيمات الحاملة للمحفز إلى 70.0684 dey «(sll موضع قارب يبلغ 22.86 سنتيمتر (9 بوصات) من مدخل الفرن الثاني؛ انخفضت كمية أكسيد تنجستن الموضوعة على الجسيمات الحاملة للمحفز أيضًا إلى 70.45 بالوزن مقارنة بكمية أكسيد تنجستن الموضوعة على المحفز عندما تم وضع قارب أكسيد تنجستن عند نقطة وسط المنطقة المسخنة (15.24 سنتيمتر (6 بوصات) من مدخل الفرن الثاني). توضح البيانات لدرجة حرارة الفرن الثاني التي تبلغ 1100 درجة مئوية أن موضع مصدر المادة المنتجة للمركب النشط (Gia في هذه الحالة أكسيد تنجستن؛ في الفرن الثاني أو منطقة التسخين الثانية يمكن استخدامه للتحكم في كمية المركب النشط حفزيًا الموضوعة على أسطح المحفز . نتيجة لهذه الملاحظة؛ تم shal تخليق محفزات التبادل المزدوج عند درجات حرارة الفرن الثاني التي تبلغ 1250 درجة مئوية وعند 1400 درجة Lge 0 (استخدام فرن له أنبوب يبلغ طوله 60.96 سنتيمتر (24 بوصة) مع كون قارب احتراق أكسيد تنجستن موضوعًا عند نقطة وسط القسم المسخن من الفرن الثاني (حوالي 30.48 yagi (12
بوصة) من مدخل الفرن الذي يبلغ طوله 60.96 سنتيمتر (24 بوصة). يمكن أن تؤثر درجة الحرارة الفرن الثاني في تكثف أكسيد تنجستن ومعدل تكثف أكسيد تنجستن على الجسيم الحامل للمحفز إلى التكثف ذاتيًا لأكسيد تنجستن على هيئة عناقيد أو جسيمات تترسب بعدئذ 5 أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز. بالإشارة إلى الشكل رقم (7)؛ يتم عرض أنماط حيود أشعة سينية لمحفزات التبادل المزدوج المخلقة عند درجات ha الفرن الثاني التي تبلغ 1250 درجة مئوية و1400 درجة digi مقارنة بنمط حيود الأشعة السينية لمرجع أكسيد التنجستن 702 والذي يكون عبارة عن مادة مرجعية لأكسيد التنجستن صلبة. يتم تحديد نمط حيود الأشعة السينية لمحفز التبادل المزدوج المخلق عند درجة حرارة الفرن الثاني التي تبلغ 1250 درجة مئوية من خلال الرقم المرجعي 0 704 في الشكل رقم (4). يبين نمط حيود الأشعة السينية 704 لمحفز التبادل المزدوج المخلق عند 0 درجة dade ذروة توقيع مفردة كبيرة عند حوالي 02 = 22 درجة مع عدم وجود ذروات ثانوية. على النحو الذي تم مناقشته سابقًاء تدل ذروة التوقيع المفردة عند حوالي 62 - 22 درجة على مادة غير متبلورة. يشير عدم وجود ذروات ثانوية إلى الافتقار إلى التبلور في أي من المادة الحاملة للمحفز أو أكسيد التنجستن الموضوع على أسطح المادة الحاملة للمحفز القابل للوصول إليه بالنسبة إلى 5 الأبخرة والغازات. يمكن أن يشير عدم وجود ذروات ثانوية في نمط حيود الأشعة السينية 704 إلى أنه يمكن أن تؤدي درجة hall 1250 درجة مئوية في الفرن الثاني إلى تفضيل لتكثيف بخار أكسيد
تنجستن مباشرةً على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز مع انتقال طفيف للغاية لأكسيد تنجستن خلال التكثيف وبعده. على عكس ذلك؛ يتضمن نمط حيود الأشعة السينية 706 لمحفز التبادل المزدوج المخلق عند 1400 درجة Lise ذروات ثانوية متعددة تتراوح من حوالي 62 - 30" إلى حوالي 2 6= 60". يمكن أن تشير الذروات الثانوية هذه إلى درجة ما من تبلور أكسيد تنجستن؛ وهو ما يمكن أن ينتج عن التكثيف الذاتي لأكسيد تنجستن إلى جسيمات أو عناقيد قبل الترسب على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز أو انتقال أكسيد تنجستن الذي تكثف Bile على سطح الجسيمات الحاملة للمحفز. يدل هذا على أنه يمكن التحكم في آلية وضع المركب النشط حفزيًا على الجسيم الحامل للمحفز من خلال زيادة درجة حرارة منطقة التسخين الثانية 130 أو خفضها (على سبيل المثال؛ التحكم في درجة حرارة الفرن الثاني). يمكن أن يشير وجود الذروات الثانوية في نمط حيود الأشعة 0 السينية 706 أيضًا إلى تحميل أعلى من أكسيد تنجستن ناتج عن زيادة تبخير أكسيد تنجستن في الفرن الثاني عند درجة حرارة أعلى تبلغ 1400 درجة مئوية. عند تحميل أكسيد تنجستن الأعلى لدرجة حرارة 1400 درجة مئوية ST) من 710)؛ توجد المزيد من الأنواع البلورية من أكسيد تنجستن. بالتالي» يمكن استخدام درجة حرارة الفرن الثاني (منطقة التسخين الثانية) للتحكم في كمية أكسيد تنجستن التي يتم تبخيرها في الفرن الثاني للتحكم في كمية أكسيد تنجستن الموضوعة على سطح 5 الجسيمات الحاملة للمحفز. المثال المقارن رقم (2) محفز التبادل المزدوج المحضر من خلال التشريب الرطب لأكسيد تنجستن على مادة حاملة من تم توفير محفز تبادل مزدوج تقليدي تم تحضيره من خلال خلال التشريب الرطب لأكسيد تنجستن 0 على مادة حاملة من سيليكا من أجل المقارنة بمحفزات التبادل المزدوج الواردة في المثال رقم (1). كانت المادة الحاملة من السيليكا هي مادة حاملة من سيليكا 0-10 CARIACT تم الحصول عليها من شركة Silysia Chemical .23 تشريب المادة الحاملة من السيليكا بشكل رطب بمحلول من هيدرات ميتاتنجستات الأمونيوم لإنتاج المحفز الوارد في المثال المقارن رقم (2) له 710 بالوزن من أكسيد تنجستن بناءً على إجمالي وزن المحفز. تم تحضير خليط مادة منتجة حاملة لمحفز من خلال إضافة 5 37.7 جرام من سيليكا مدخنة إلى 800 aba من ماء منزوع الأيونات لغنتاج خليط مادة منتجة حاملة لمحفز له 74.5 بالوزن من السيليكا المدخنة. تم تحويل خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز
إلى أيروسول باستخدام محول فوق صوتي وإدخاله إلى نظام معالجة الأيروسول الموصوف في المثال رقم (1). لم يوجد قارب احتراق أكسيد تنجستن في الفرن الثاني. تم نقل خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز إلى فرن مسخن عند 1400 درجة مئوية مع تدفق هواء عند 5 لتر/الدقيقة. استمر تدفق الهواء لمدة 120 دقيقة. عند الخروج من الفرن المسخن؛ تم تجميع محفز التبادل المزدوج والأزمرة المكون في مرشح. كانت الجسيمات الحاملة للمحفز الناتجة خالية إلى حدٍ كبير من أكسيد تنجستن. تم تشريب الجسيمات الحاملة للمحفز بعدئذ بشكل رطب بواسطة أكسيد تنجستن من خلال إضافة 0 جرام من الجسيمات الحاملة للمحفز المجمعة في المرشح إلى 0.023 جرام من ميتاتنجستات الأمونيوم و2 مل من الماء في قارورة 2 درام. تم لف القارورة عند 15 دورة في الدقيقة لمدة ساعتين. (lea تم تسخين المحلول عند ضغط جوي ودرجة حرارة تبلغ 85 درجة مئوية لمدة 16 ساعة حتى 0 الجفاف. تم تكليس الجسيمات الحاملة للمحفز الناتجة ذات ميتاتنجستات الأمونيوم المشرب على نحو رطب بعدئذ في فرن عند 550 درجة مئوية sal 480 دقيقة لإنتاج محفز تبادل مزدوج مشرب بشكل رطب بواسطة أكسيد تنجستن. المثال رقم (3) تقييم أداء محفزات التبادل المزدوج الواردة في المثال رقم )1( والمثال المقارن رقم (2) للتبادل المزدوج 5 - للبيوتين لإنتاج البروبين. تم تقييم محفزات التبادل المزدوج الواردة في المثال رقم (1) والمثال المقارن رقم (2) من أجل أدائها في التبادل المزدوج ل 2-بيوتين إلى برويين. تم اختبار أداء JS من محفزات التبادل المزدوج التمثيلية في مفاعل له طبقة ثابتة من أجل تحويل تبار من 2-بيوتين إلى برويين. كان لنظام مفاعل التدفق الذي له الطبقة الثابتة أنبوب كوارتز له طبقة من محفز تبادل مزدوج وأزمرة موضوع بين طبقات 0 صوف كوارتز. تم تثبيت JS من محفزات التبادل المزدوج المراد اختبارها تسلسليًا في أنبوب كوارتز حيث كانت طبقة من محفز التبادل المزدوج والأزمرة موضوعة بين طبقات صوف كوارتز. تم اختبار كل محفز تبادل مزدوج بالتعاقب لتوفير بيانات أداء لكل محفز تبادل مزدوج. تم تنشيط كل محفز تبادل مزدوج Vol عند 580 درجة مئوية ف ظل تدفق نتروجين عند 0.005 لتر/الدقيقة لمدة ساعة واحدة. عند درجة حرارة التفاعل المرادة )580 درجة مئوية)؛ تم إدخال تيار تغذية يشتمل على ترانس- 5 2-بيوتين إلى المفاعل لبدء التفاعل. تم إجراء التفاعل عند 550 درجة مئوية وبسرعة فراغية للغاز في الساعة تبلغ 900 في الساعة (ساعة ')؛ باستخدام نتروجين بوصفه مخفف. كان لتيار التغذية
— 4 5 — 0 بالوزن من ترانس-2-بيوتين بناءة على إجمالي معدل تدفق كتلة تيار التغذية. تم تمرير تيار التدفق الخارج من مفاعل الطبقة الثابتة إلى كروموتوجراف غاز من أجل تحليل تيار المنتج. تم توفير النسبة المئثوية من انتقائية البرويين لكلٍ من محفزات التبادل المزدوج في المثال رقم (1) والمثال المقارن رقم (2) فيما بعد في الجدول رقم (2). يوفر الجدول رقم (2) أيضًا كمية من أكسيد تنجستن في JS من محفزات التبادل المزدوج. الجدول رقم (2): ناتج البروبين وكمية أكسيد تنجستن على المحفزات الواردة في المثال رقم )1( والمثال المقارن رقم (2) المثال رقم التجرية طريقة وضع أكسيد | كمية أكسيد تنجستن | ناتج البرويين (7) تنجستن (7 بالوزن) OO | eds. |0006 |00١0 | رمج CTE ow ee | FT EE A على النحو المبين في الجدول رقم )2( ‘ وفرت محفزات التبادل المزدوج الواردة في المثال رقم ) 1( المخلقة عند درجات حرارة فرن ثاني تبلغ 850 درجة مئوية أداء مرتفع بشكل غير متوقع. على النحو 0 الذي تم مناقشته سابقًا في الكشف عن الاختراع هذاء Lad يتعلق بمحفز الأزمرة والتبادل المزدوج؛ يمكن أن تساهم السيليكا-ألومينا الخاصة بالجسيم الحامل للمحفز في المقام الأول في الأزمرة؛ في حين يتم توفير وظيفة التبادل المزدوج في المقام الأول من خلال أكسيد Jie Gl أكسيد تنجستن. بالتالي؛ يكون من المتوقع أن زيادة أكسيد تنجستن من شأنها أن تزيد وظيفة التبادل المزدوج الخاصة بالمحفز وتحسن ناتج البروبين من التبادل المزدوج للبوتين. مع ذلك؛ لقد ang بشكل غير متوقع أن 5 المحفز الوارد في التجرية 10 الخاصة بالمثال رقم (1) الذي له 72.54 بالوزن فحسب من أكسيد تنجستن كان له أفضل أداء مع ناتج بروبين يبلغ 737.20. تم تخليق المحفز الواردة في التجرية 10
الخاصة بالمثال رقم (1) باستخدام نظام معالجة الأيروسول الموصوف في المثال رقم (1) مع ضبط درجة حرارة الفرن الثاني إلى 1250 درجة مئوية. كان mili البرويين هذا الذي بلغ 737.20 الذي تم الحصول عليه باستخدام المحفز الوارد في التجرية 10 الخاصة بالمثال رقم (1) تحسن يبلغ 711 عن ناتج البرويين الذي بلغ 733.63 الذي تم الحصول عليه باستخدام المحفز الوارد في المثال المقارن رقم (2) الذي له 710 بالوزن من أكسيد تنجستن والمحضر باستخدام التشريب الرطب. كانت هذه النتيجة غير متوقعة لأن المحفز الوارد في التجرية 10 الخاصة بالمثال رقم (1) كان له 72.54 بالوزن فحسب من أكسيد تنجستن ؛ وهو ما كان 725 فحسب من محتوى أكسيد تنجستن للمحفز الوارد في المثال المقارن رقم (2)؛ والذي كان له 710 بالوزن من أكسيد تنجستن. بالتالي؛ فقد أثبت أنه يمكن استخدام أنظمة وطريقة معالجة الأيروسول الموصوفين في هذا الكشف عن الاختراع لإنتاج 0 محفز تبادل مزدوج له أداء ناتج بروبين el ومحتوى أقل من المركب النشط حفزيًا Lyles بمحفزات التبادل المزدوج التقليدية التي يتم تحضيرها من خلال التشريب الرطب والتي يكون لها 710 بالوزن
أو أكثر من المركب النشط حفزيًا. كما لوحظ Lad أن المحفز الذي تم إنتاجه من التجربة 11 الخاصة بالمثال رقم (1) عند درجة حرارة فرن ثاني تبلغ 1400 درجة متوية؛ والذي كان له (gine أكسيد تنجستن بلغ 710.5 بالوزن؛ لم يؤد 5 جيدًا مثل المحفز الذي تم إنتاجه من jail) 10 الخاصة بالمثال رقم (1) عند درجة حرارة فرن ثاني تبلغ 1250 درجة مثوية؛ والذي كان له محتوى أكسيد تنجستن بلغ 72.54 بالوزن. أدى المحفز الوارد في التجربة 11 الخاصة بالمثال رقم (1) إلى ناتج بروبين بلغ 734.17 وهو ما كان أقل بمقدار 78 من ناتج البروبين الذي بلغ 737.20 الذي تم الحصول عليه باستخدام المحفز الوارد في التجرية 10 الخاصة بالمثال رقم (1). يمكن إرجاع هذه الملحوظة إلى درجة أعلى من تبلور أكسيد 0 تنجستن على سطح لمحفز الوارد في التجرية 11 الخاصة بالمثال رقم (1). يُعرف أكسيد تنجستن البلوري ashy نشط بشكل أقل من أجل تفاعل التبادل المزدوج. بالإشارة إلى الشكل رقم )7( على النحو الذي تم مناقشته سابقًا في المثال رقم (1)؛ أظهر نمط حيود الأشعة السينية 706 للمحفز الوارد في التجرية 11 المنتج عند درجة حرارة فرن ثاني بلغت 1400 درجة مئوية درجة أكبر من التبلور على النحو المبين من خلال عدد ومقدار الذروات الثانوية مقارنة بنمط حيود الأشعة السينية 5 704 للمحفز الوارد في التجرية 10 المنتج عند درجة حرارة الفرن الثاني التي تبلغ 1250 درجة مئوية» وهو ما أظهر القليل من أو لم يظهر أي ذروات ثانوية على الإطلاق. بمقارنة نمط حيود
الأشعة السينية 706 للمحفز الوارد في التجربة 11 بنمط حيود الأشعة السينية 702 للمقياس المرجعي لأكسيد تنجستن لوحظ أن JS من نمط حيود الأشعة السينية 702 ونمط حيود الأشعة السينية 706 أظهر ذروات ثانوية متعددة بين حوالي 02 = °30 و02 = 60"؛ وهي ما تمثل التبلور في أكسيد تنجستن. تؤدي زيادة التبلور في أكسيد تنجستن إلى خفض النشاط الحفزي لأكسيد تنجستن, بالتالي؛ مما يخفض ناتج البرويين. أوضح المثال رقم (3) أن زيادة درجة الحرارة في الفرن الثاني (منطقة التسخين الثانية 130) يمكن أن يتيح التحكم في كمية أكسيد تنجستن الموضوعة على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز؛ أو آلية وضع أكسيد تنجستن على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز؛ أو كليهما للتحكم في النشاط الحفزي للمحفز. المثال رقم (4) 0 تقييم درجة تشتت المركب النشط حفزيًا على سطح المحفز تم تحليل محفز التبادل المزدوج الوارد في التجربة 10 الخاصة بالمثال رقم )1( ومحفز التبادل المزدوج للتشريب الرطب الوارد في المثال المقارن رقم (2) باستخدام حيود الأشعة السينية لتقييم درجة تشتت المركب النشط حفزيًا على السطح الخارجي للمحفز. بالإشارة إلى الشكل رقم )8( يظهر نمط حيود الأشعة السينية 804 لمحفز التبادل المزدوج الوارد في التجرية 10 الخاصة بالمثال رقم (1) أن له أكسيد التنجستن بوصفه المركب النشط حفزيًا الموضوع على الجسيم الحامل للمحفز 114 من خلال طريقة معالجة الأيروسول الموصوفة في المثال رقم (1). أظهر نمط حيود الأشعة السينية 4 للمحفز الوارد في التجربة 10 الخاصة بالمثال رقم )1( ذروة توقيع مفردة 820 عند حوالي 2 0< 22 درجة التي تدل على مواد غير متبلورة في المحفز 101. لم يظهر نمط حيود الأشعة السينية 4 لمحفز التبادل المزدوج الوارد في التجرية 10 الخاصة بالمثال رقم (1) ذروات ثانوية أعلى من daa 30 < 02 0 وبالتالي؛ لا يظهر درجة قابلة للقياس من تبلور أكسيد التنجستن أو الجسيم الحامل للمحفز. يبين الشكل رقم )8( أيضًا نمط حيود أشعة سينية لمحفز التبادل المزدوج الوارد في المثال المقارن رقم (2) المحضر من خلال التشريب الرطب. على النحو المبين في الشكل رقم (8)؛ يظهر نمط حيود الأشعة السينية 802 للمحفز المشرب بشكل رطب التقليدي ذروة خلفية مع ذروة رئيسة 6 عند حوالي 02 = 22 درجة وعدة ذروات ثانوية 808 8105 و812؛ و814 تتراوح من 5 حوالي 02 = 30" إلى حوالي 62 - 60". على sail) الذي تم مناقشته سابقًاء تشير الذروات 806 و808؛ و810؛ و812؛ و814 في نمط حيود الأشعة السينية 802 إلى درجة قابلة للقياس من
تبلور أكسيد التنجستن على سطح محفز التبادل المزدوج الوارد في المثال المقارن رقم (2) المحضر من خلال طرائق التشريب الرطب التقليدية. يشير التبلور الإضافي إلى أنه تم وضع أكسيد التنجستن باستخدام العناقيد والبلورات المكونة من خلال التشريب الرطب على سطح الجسيم الحامل للمحفز 4. مما يخفض بالتالي درجة تشتت أكسيد التنجستن على سطح محفز التبادل المزدوج الوارد في المثال المقارن رقم (2) مقارنة بمحفز التبادل المزدوج الوارد في Lal) 10 الخاصة بالمثال رقم (1). لم يظهر نمط حيود الأشعة السينية 804 لمحفز التبادل المزدوج الوارد في التجرية 10 الخاصة بالمثال رقم (1) ذروات ثانوية؛ مما يشير إلى أن محفز التبادل المزدوج الوارد في التجرية 10 الخاصة بالمتال رقم (1) لا يكون لديه درجة قابلة للقياس من تبلور أكسيد التنجستن مقارنة بمحفز التبادل
المزدوج الوارد في المثال المقارن رقم (2).
0 "تم تقييم المحفز الوارد في التجربة 10 الخاصة بالمثال رقم (1) والمحفز الوارد في المثال المقارن رقم )2( بعدئذ من أجل متوسط حجم الجسيمات وفقًا لطريقة تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة الموصوفة Gil في هذا الكشف عن الاختراع. تتطابق أطياف تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة التي يتم إنتاجها من طريقة تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة والنماذج طبيعية اللوغاربتم بيانات التي يتم توفيرها في الشكل رقم (9). يمثل الرقم المرجعي 902 بيانات أطياف تبعثر الأشعة السينية بزاوية
5 صغيرة للمحفز الوارد في المثال المقارن رقم )2( وبشير الرقم المرجعي 904 إلى تطابق متساوي اللوغاريتم مع بيانات الأطياف للمحفز الوارد في المثال المقارن رقم (2). يمثل الرقم المرجعي 906 بيانات أطياف تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة للمحفز الوارد في التجرية 10 الخاصة بالمثال رقم (1) وبشير الرقم المرجعي 904 إلى التطابق متساوي اللوغاربتم مع بيانات الأطياف للمحفز الوارد في dual) 10 الخاصة بالمثال رقم (1).
0 أظهر المحفز الواردة في المثال المقارن رقم (2)؛ الذي تم إنتاجه بواسطة التشريب الرطب؛ عناقيد من أكسيد التنجستن لها متوسط نصف قطر جسيمات يتراوح من 44.8 أنجستروم (4.48 نانومتر) إلى 46.4 أنجستروم )4.64 نانومتر). بالمقارنة؛ أظهر المحفز الوارد في التجرية 10 الخاصة بالمثال رقم )1(¢ الذي تم إنتاجه باستخدام طريقة معالجة الأيروسول الموصوفة في المثال رقم (1)؛ أكسيد تنجستن له متوسط نصف قطر جسيم يتراوح من 3.8 أنجستروم (0.38 نانومتر) إلى 4.4
5 أنجستروم (0.44 نانومتر). على النحو المبين من خلال هذه القياسات؛ كان متوسط حجم جسيمات أكسيد التنجستن الموضوع على سطح المحفز الوارد في التجرية (10) الخاصة بالمثال رقم )1( أقل
إلى حدٍ كبير من متوسط حجم جسيمات أكسيد التنجستن الموضوع على سطح المحفز الوارد في المثال رقم (2). يبين حجم الجسيمات الأصغر الخاص بأكسيد التنجستن الموضوع على المحفز الوارد في التجربة 10 الخاصة بالمثال رقم (1) أن أكسيد التنجستن أكثر تشتتثًا على السطح الخارجي لجسيم المحفز مقارنة بأكسيد التنجستن الموضوع على المحفز الوارد في المثال المقارن رقم (2). بالتالي؛ يمكن أن تؤدي طرائق معالجة الأيروسول الواردة في الكشف عن الاختراع الحالي إلى كون المركب النشط حفزيًا أكثر Guin على سطح المادة الحاملة للمحفز مقارنةً بطرائق التشريب الرطب
التقليدية. يمكن توجيه جانب أول من الكشضف عن الاختراع الحالي إلى طريقة لإنتاج «ine تشتمل الطريقة على: إنتاج تدفق محول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز؛ وتسخين مادة منتجة لمركب
0 نشط Gia لإنتاج بخار مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا؛ وملامسة التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز ببخار المادة المنتجة للمركب النشضط حفزيًا؛ وتكثيف المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا لإنتاج محفز يشتمل على مركب نشط حفزيًا موضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز. يمكن أن يتضمن جانب ثان من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الأول حيث حيث تشتمل
5 الجسيمات الحاملة للمحفز على واحد على الأقل من السيليكاء أو الألوميناء أو السيليكا-ألومينا. يمكن أن يتضمن جانب ثالث من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الأول أو الجانب الثاني حيث تشتمل المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا على واحد على الأقل من تنجستن؛ أو بلاتين؛ أو ذهب؛ أو andl أو روديوم» أو canal أو كروم؛ أو canny أو موليبدنوم؛ أو منجنيزء أو تيتانيوم»؛ أو سيريوم؛ أو توليفات من هذه.
0 يمكن أن يتضمن جانب رابع من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الأول إلى الثالث حيث تشتمل المادة المنتجة للمركب النشط Gis على واحد على الأقل من فلز تنجستن؛ أو أكسيد التنجستن (IV) أو أكسيد التنجستن (VI) أو هيدرات ميتاتنجستات الأمونيوم؛ أو حمض التنجستيك؛ أو تنجستات الصوديوم. يمكن أن يتضمن جانب خامس من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الأول إلى
5 الثالث حيث تشتمل المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا على مركب يحتوي على التنجستن يتبخر أو يتحلل إلى بخار عند درجة حرارة تتراوح من 150 درجة مئوية إلى 1500 درجة مئوية.
يمكن أن يتضمن جانب سادس من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الأول إلى الخامس حيث يتم ملامسة التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز ببخار المادة المنتجة للمركب النشط Bia عند درجة حرارة تتراوح من 600 درجة مئوية إلى 1450 درجة مئوية. يمكن أن يتضمن جانب سابع من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الأول إلى السادس حيث يشتمل على ملامسة التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز ببخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيبًا عند ضغط محيط وتبريد التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز ويخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا إلى درجة حرارة أقل من 120 درجة مئوية. يمكن أن يتضمن جانب ثامن من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الأول إلى السابع 0 حيث يتكثف بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gia مباشرةً على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز. يمكن أن يتضمن جانب تاسع من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الأول إلى السابع حيث يتنوى بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gin ويتكثف لتكوين عناقيد؛ أو جسيمات؛ أو كليهما وتترسب العناقيد أو الجسيمات أو كليهما على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز. يمكن أن يتضمن جانب عاشر من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الأول إلى التاسع 5 حيث يشتمل المحفز على ما يتراوح من 70.02 بالوزن إلى 720 بالوزن من المركب النشط حفزبًا. يمكن أن يتضمن جانب حادي عشر من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الأول إلى العاشر حيث يكون pial) الداخلي من الجسيمات الحاملة للمحفز خاليًا إلى حدٍ كبير من المركب النشط Lin يمكن أن يتضمن جانب ثاني عشر من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الأول إلى 0 الحادي عشر حيث يشتمل إنتاج تدفق محول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة لمحفز على: تحويل خليط مادة منتجة حاملة لمحفز يحتوي على مادة منتجة حاملة لمحفز ومخفف إلى أيروسول؛ وتجفيف خليط المادة المنتجة الحاملة لمحفز المحول إلى أيروسول لإنتاج التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة لمحفز. يمكن أن يتضمن جانب ثالث عشر من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الثاني عشر حيث 5 تشتمل المادة المنتجة الحاملة للمحفز على واحد على الأقل من سلليكا؛ أو سيليكا مدخنة؛ أو
ألوميناء أو ألومينا مدخنة؛ أو ألومينا-سيليكا وبشتمل المخفف على الماء؛ أو مذيب عضوي أو
توليفات من هذه.
يمكن أن يتضمن جانب رابع عشر من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الثاني عشر أو الثالث
العشر حيث يشتمل خليط المادة المنتجة الحاملة لمحفز على ما يتراوح من 71 بالوزن we) 5 220 بالوزن من مادة منتجة حاملة لمحفز؛ بناة على إجمالي وزن خليط المادة المنتجة الحاملة
يمكن أن يتضمن جانب خامس عشر من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الثاني
عشر إلى الرابع عشر حيث يتم تجفيف خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول
عند درجة حرارة تتراوح من 200 درجة مثوية إلى 1450 درجة asia
0 يمكن أن يتضمن جانب سادس عشر من الكشف عن الاختراع الحالي طريقة لإنتاج «ine تشتمل الطريقة على: تحويل خليط مادة منتجة حاملة لمحفز إلى أيروسول يشتمل على مادة منتجة حاملة لمحفز ومخفف لإنتاج خليط sale منتجة حاملة لمحفز محول إلى أيروسول؛ وتمرير خليط المادة المنتجة الحاملة لمحفز المحول إلى أيروسول إلى منطقة تسخين أولى؛ وتجفيف خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز المحول إلى أيروسول في منطقة التسخين الأولى لتكوين مجموعة من الجسيمات
الحاملة لمحفز المحولة إلى أيروسول؛ وتمرير مجموعة من الجسيمات الحاملة للمحفز المحولة إلى أيروسول إلى منطقة تسخين ثانية أسفل منطقة التسخين الأولى؛ وملامسة مجموعة من الجسيمات الحاملة للمحفز المحولة إلى أيروسول ببخار Bale منتجة لمركب نشط حفزيًا في منطقة التسخين الثانية؛ وتكثيف بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا لإنتاج المحفز الذي يشتمل على مركب نشط حفزيًا موضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز.
0 .يمكن أن يتضمن جانب سابع عشر من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب السادس عشر حيث تشتمل المادة المنتجة الحاملة للمحفز على واحد على الأقل من سيليكا؛ أو سيليكا مدخنة؛ أو ألوميناء أو ألومينا مدخنة؛ أو ألومينا-سيليكا ويشتمل المخفف على الماء؛ أو مذيب عضوي أو توليفات من هذه . يمكن أن يتضمن جانب ثامن عشر من الكشف عن الاختراع الحالي الجانبين السادس عشر أو
5 السابع عشر Gum يشتمل المحفز على ما يتراوح من 70.02 بالوزن إلى 720 بالوزن من المركب النشط jen
يمكن أن يتضمن جانب تاسع عشر من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من السادس
عشر إلى الثامن عشر حيث يكون gal الداخلي من الجسيمات الحاملة للمحفز خاليًا إلى حدٍ كبير
من المركب النشط حفزيًا.
يمكن أن يتضمن جانب عشرون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من السادس عشر إلى التاسع عشر حيث تشتمل المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا على واحد على الأقل من فلز
تنجستن؛ أو أكسيد التنجستن (IV) أو أكسيد التنجستن (71)؛ أو هيدرات ميتاتنجستات الأمونيوم؛
أو حمض التنجستيك؛ أو تنجستات الصوديوم.
يمكن أن يتضمن جانب واحد وعشرون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من السادس
عشر إلى الجانب العشرين حيث يتم الحفاظ على منطقة التسخين الأولى عند درجة حرارة تتراوح من
0 200 درجة مئوية إلى 1450 درجة Agia يمكن أن يتضمن جانب ثاني وعشرون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من السادس عشر إلى الجانب الواحد وعشرين حيث يتم ملامسة التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز ببخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا في منطقة التسخين الثانية عند درجة حرارة تتراوح من 600 درجة مثوية إلى 1450 درجة مئوية.
5 يمكن أن يتضمن جانب ثالث وعشرون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من السادس عشر إلى الجانب الثاني وعشرين حيث يشتمل على تبريد التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز وبخار المادة المنتجة للمركب النشط Gia إلى درجة حرارة بمعدل متحكم فيه إلى درجة حرارة تتراوح من 20 درجة مئوية إلى 120 درجة مئوية أسفل منطقة التسخين الثانية. يمكن أن يتضمن جانب رابع وعشرون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من السادس
عشر إلى الجانب الثالث وعشرين حيث يشتمل كذلك على تبخير المادة المنتجة للمركب النشط حفزبًا لتكوين بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا. يمكن أن يتضمن جانب خامس وعشرون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الرابع والعشرين حيث يشتمل على تسخين المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا في بوتقة في منطقة التسخين الثانية لتبخير المادة المنتجة للمركب النشط حفزبًا إلى بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا.
يمكن أن يتضمن جانب سادس وعشرون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الرابع والعشرين
أو الجانب الخامس والعشرين حيث تتراوح درجة حرارة المادة المنتجة للمركب النشط Gis في منطقة
التسخين الثانية من 50 درجة مثوية إلى 2000 درجة مئوية.
يمكن أن يتضمن جانب سابع وعشرون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الرابع والعشرين
حيث يشتمل على تسخين المادة المنتجة للمركب النشط Bis في منطقة تسخين ثالثة لإنتاج بخار
المادة المنتجة للمركب النشط Gis وتمرير بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gis إلى منطقة
التسخين الثانية.
يمكن أن يتضمن جانب ثامن وعشرون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من السادس
عشر إلى الجانب السابع والعشرين حيث تشتمل منطقة التسخين الثانية على أنبوب تفاعل يمتد عبر 0 فرن ثان وحيث تشتمل الطريقة كذلك على طلاء أنبوب التفاعل الممتد عبر الفرن الثاني بالمادة
المنتجة للمركب النشط حفزيًا.
يمكن أن يتضمن جانب تاسع وعشرون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الثامن والعشرين
حيث يشتمل طلاء أنبوب التفاعل على: تسخين المادة المنتجة للمركب النشط Gia لتكوين بخار
مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا؛ وتكثيف بخار المادة المنتجة للمركب النشط Gea على سطح داخلي 5 لأنبوب التفاعل لتكوين طبقة من المادة المنتجة للمركب النشط Bin على السطح الداخلي لأنبوب
التفاعل.
يمكن أن يتضمن جانب ثلاثون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب التاسع والعشرين حيث
يشتمل كذلك على: تسخين أنبوب التفاعل لإعادة تبخير sald) المنتجة للمركب النشط حفزيبًا من
السطح الداخلي لأنبوب التفاعل لإنتاج بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا؛ وتمرير مجموعة 0 .من الجسيمات الحاملة للمحفز عبر أنبوب التفاعل Cua تلامس مجموعة من الجسيمات الحاملة
للمحفزات بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا؛ وتكثيف بخار المادة المنتجة للمركب النشط
حفزيًا على سطح المجموعة من الجسيمات الحاملة للمحفز.
يمكن أن يتضمن جانب واحد وثلاثون من الكشف عن الاختراع الحالي محفز مصنوع من خلال
الطريقة الواردة في أي من الجوانب من الجانب السادس عشر إلى الجانب الثلاثين.
يمكن توجيه جانب ثاني وثلاثون من الكشف عن الاختراع الحالي إلى محفز يتم تحضيره من خلال
عملية تشتمل على: إنتاج تدفق محول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز؛ وتسخين مادة
منتجة لمركب نشط حفزيًا لإنتاج بخار مادة منتجة لمركب نشط حفزيًا؛
وملامسة التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز ببخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا؛ وتكثيف المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا لإنتاج محفز يشتمل على مركب نشط
حفزيًا موضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز.
يمكن أن يتضمن جانب ثالث وثلاثون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الثاني والثلاثين
حيث يتم تكثيف المركب النشط حفزيًا مباشرةة على أسطح مجموعة الجسيمات الحاملة للمحفز.
يمكن أن يتضمن جانب رابع وثلاثون من الكخف عن الاختراع الحالي الجانب الثاني والثلاثين
0 حيث يشتمل المركب النشط حفزيًا على عناقيد؛ أو جسيمات؛ أو كليهما من المركب النشط حفزبًا الموضوع على أسطح مجموعة الجسيمات الحاملة للمحفز. يمكن أن يتضمن جانب خامس وثلاثون من الكف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الجانب الثاني والثلاثين إلى الجانب الرابع والثلاثين حيث تشتمل المادة المنتجة للمركب Lal) حفزيًا على واحد على الأقل من تنجستن؛ أو بلاتين؛ أو ذهب؛ أو بلاديوم؛ أو روديوم؛ أو إيريديوم؛
5 أو كروم؛ أو ربنيوم؛ أو موليبدنوم؛ أو منجنيزء أو تيتانيوم؛ أو سيريوم؛ أو توليفات من هذه. يمكن أن يتضمن جانب سادس وثلاثون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الجانب الثاني والثلاثين إلى الجانب الخمسة والثلاثين حيث تشتمل المادة المنتجة للمركب النشط Gin على واحد على الأقل من فلز تنجستن؛ أو أكسيد التنجستن (17)؛ أو أكسيد التنجستن (VI) أو هيدرات ميتاتنجستات الأمونيوم؛ أو حمض التنجستيك؛ أو تنجستات الصوديوم.
0 يمكن أن يتضمن جانب سابع وثلاثون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الجانب الثاني والثلاثين إلى الجانب السادس والثلاثين حيث تشتمل العملية على ملامسة التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز ببخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيبًا عند ضغط محيط وتبريد التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة للمحفز lang المادة المنتجة Call النشط حفزيًا إلى درجة حرارة تكون أقل من 120 درجة مئوية.
يمكن أن يتضمن جانب ثامن وثلاثون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الجانب الثاني والثلاثين إلى الجانب السابع والثلاثين حيث يشتمل إنتاج تدفق محول إلى أيروسول من
الجسيمات الحاملة لمحفز على: تحويل خليط مادة منتجة حاملة لمحفز يحتوي على مادة منتجة
حاملة لمحفز ومخفف إلى أيروسول؛ وتجفيف خليط المادة المنتجة الحاملة لمحفز المحول إلى
أيروسول لإنتاج التدفق المحول إلى أيروسول من الجسيمات الحاملة لمحفز.
يمكن أن يتضمن جانب تاسع وثلاثون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الجانب
الثاني والثلاثين إلى الجانب الثامن والثلاثين حيث يتم ملامسة التدفق المحول إلى أيروسول من
الجسيمات الحاملة للمحفز ببخار المادة المنتجة للمركب النشط Gia عند درجة حرارة تتراوح من
0 درجة مئوية إلى 1450 درجة ge
يمكن أن يتضمن جانب أربعون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الجانب الثاني
والثلاثين إلى الجانب التاسع والثلاثين حيث يشتمل على ما يتراوح من 70.02 بالوزن إلى 720 0 بالوزن من المركب النشط حفزتًا Bl على إجمالي وزن المحفز.
يمكن أن يتضمن جانب واحد وأربعون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الجانب
الثاني والثلاثين إلى الجانب الأريعين حيث يكون ga داخلي من الجسيمات الحاملة للمحفز BIA
إلى حدٍ كبير من المركب النشط حفزيًا.
يمكن توجيه جانب ثاني وأربعون من الكشف عن الاختراع الحالي إلى محفز يشتمل على: مجموعة 5 من الجسيمات الحاملة لمحفز يشتمل على سيليكاء أو ألوميناء أو سيليكا وألومينا؛ ومركب نشط حفزبًا
موضوع على أسطح مجموعة من الجسيمات الحاملة للمحفز؛ حيث تكون أسطح مجموعة الجسيمات
الحاملة للمحفز ALE للوصول Leal) بالنسبة إلى الغازات eBay حيث يشتمل المركب النشط حفزبًا
على التنجستن.
يمكن أن يتضمن جانب ثالث وأربعون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الثاني والأربعين حيث 0 يتم تكثيف المركب النشط حفزيًا مباشرةً على أسطح مجموعة الجسيمات الحاملة للمحفز.
يمكن أن يتضمن جانب رابع وأربعون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الثاني والأربعين أو
الجانب الثالث والأريعين حيث يشتمل المركب النشط Usha على واحد على الأقل من ذرات مفردة؛
أو جزيئات مفردة؛ أو عناقيد؛ أو جسيمات؛ أو توليفات من هذه من المركب النشط حفزيًا الموضوع
على أسطح مجموعة الجسيمات الحاملة للمحفز.
يمكن أن يتضمن جانب خامس وأربعون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الثاني والأربعين
إلى الجانب الرابع والأربعين حيث يشتمل على ما يتراوح من 70.02 بالوزن إلى 720 بالوزن من
المركب النشط حفزيًا بناة على إجمالي وزن المحفز.
(Sa أن يتضمن جانب سادس وأريعون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الثاني والأربعين
5 إلى الجانب الخامس والأربعين حيث يكون جزء داخلي من الجسيمات الحاملة للمحفز خاليًا إلى حدٍ
كبير من المركب النشط حفزيًا.
يمكن أن يتضمن جانب سابع وأربعون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الثاني والأربعين إلى
الجانب السادس والأربعين حيث يكون للمركب النشط حفزيًا الموضوع على أسطح مجموعة الجسيمات
الحاملة للمحفز متوسط حجم بلوري أقل من 2.5 نانومتر؛ حيث يكون متوسط الحجم البلوري هو 0 متوسط نصف قطر جسيمات المركب النشط حفزيًا المحدد باستخدام تبعثر الأشعة السينية بزاوية
يمكن أن يتضمن جانب ثامن وأربعون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الثاني والأربعين إلى
الجانب السابع والأريعين حيث يكون للمحفز نمط حيود أشعة سينية يتكون من ذروة توقيع مفردة
ضمن نطاق يتراوح من 2 ثيتا أكبر من أو تعادل 15 درجة إلى 2 ثيتا أقل من أو تعادل 60 درجة. يمكن أن يتم توجيه الجانب التاسع والأربعين من الكشف عن الاختراع Jal إلى نظام لإنتاج محفزء
يشتمل النظام على: وحدة تحويل إلى أيروسول؛ ومنطقة تسخين أولى أسفل وحدة التحويل إلى
أيروسول؛ ومنطقة تسخين ثانية أسفل وحدة التسخين الأولى؛ تشتمل منطقة التسخين الثانية على
مدخل مهياً لإدخال مادة منتجة لمركب نشط حفزبًا إلى منطقة الخلط الثانية؛ حيث يمكن تهيئة خليط
مادة منتجة حاملة لمحفز محول إلى أيروسول ليتم تحويله إلى أيروسول من خلال وحدة التحويل إلى 0 أيروسول ويمكن أن يتدفق عبر منطقة التسخين الأولى ومن ثم منطقة التسخين الثانية.
يمكن أن يتضمن جانب خمسون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب التاسع والأريعين حيث
تشتمل وحدة التحويل إلى أيروسول على محول فوق صوتيء أو فوهة رش»؛ أو على محول فوق
صوتي وفوهة رش.
يمكن أن يتضمن جانب واحد وخمسون من الكشف عن الاختراع الحالي algal من الجانب التاسع 5 والأربعين إلى الجانب الخمسين حيث تكون وحدة التحويل إلى أيروسول هي عبارة عن محول فوق
يمكن أن يتضمن جانب ثاني وخمسون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الجانب التاسع والأربعين إلى الجانب الواحد والخمسين حيث يشتمل كذلك على بوتقة موضوعة داخل منطقة التسخين الثانية ومهيأة لكي تحتوي على وتعرض المادة المنتجة للمركب النشط Gin لمنطقة التسخين الثانية. يمكن أن يتضمن جانب ثالث وخمسون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من الجانب التاسع والأربعين إلى الجانب الثاني والخمسين حيث يشتمل كذلك على فرن أول وفرن ثان؛ حيث يتم وضع منطقة التسخين الأولى داخل الفرن الأول ping وضع منطقة التسخين الثانية داخل الفرن الثاني. يمكن أن يتضمن جانب رابع وخمسون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الثالث وخمسين حيث يشتمل كذلك على أنبوب تفاعل ممتد من وحدة التحويل إلى أيروسول عبر الفرن الأول وعبر الفرن 0 الثاني. يمكن أن يتضمن جانب خامس وخمسون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الرابع وخمسين حيث تشتمل منطقة التسخين الأولى على ein أول من أنبوب التفاعل موضوع داخل الفرن الأول وتشتمل منطقة التسخين الثانية على جزء ثان من أنبوب التفاعل موضوع داخل الفرن الثاني. يمكن أن يتضمن جانب سادس وخمسون من الكشف عن الاختراع الحالي الجانب الرابع وخمسين 5 حيث يشتمل مصدر بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا على طبقة من مادة منتجة لمركب نشط Gia موضوعة على سطح داخلي eal من أنبوب التفاعل الموضوع داخل الفرن الأول؛ أو الفرن الثاني؛ أو IS من الفرن الأول والفرن الثاني. يمكن أن يتضمن جانب سابع وخمسون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من التاسع والأربعين إلى الثاني والخمسين حيث تشتمل منطقة التسخين الثانية على أنبوب تفاعل ومصدر لبخار 0 المادة المنتجة للمركب النشط Gin يشتمل على طبقة من المادة المنتجة للمركب النشط Gin مكثفة على سطح داخلي لجزء من أنبوب التفاعل. يمكن أن يتضمن جانب ثامن وخمسون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من التاسع والأربعين إلى السابع والخمسين حيث يشتمل كذلك على مرشح أسفل منطقة التسخين الثانية. يمكن أن يتضمن جانب تاسع وخمسون من الكشف عن الاختراع الحالي أي من الجوانب من التاسع 5 والأربعين إلى الثامن والخمسين حيث تشتمل وحدة التحويل إلى أيروسول على مدخل غاز ناقل لإمداد
غاز ناقل لنقل خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز من (Mal عبر منطقة التسخين الأولى»؛ وعير منطقة التسخين الثانية وإلى وحدة الفصل. ينبغي الآن أن يتم فهم أنه تم وصف جوانب متعددة لأنظمة وطرائق صنع مواد حفزية عبر معالجة الأيروسول ويمكن استخدام Jie هذه الجوانب بالاشتراك مع جوانب أخرى متعددة.
5 .تم توفير نطاقات خلال هذا الكشف عن الاختراع لمتغيرات وخصائص dallas متعددة لمحفز التبادل المزدوج والأزمرة؛ أو محفز التبادل المزدوج؛ أو محفز الأزمرة. سيتم تقدير أنه عندما يتم توفير واحد أو أكثر من النطاقات الواضحة؛ ستكون القيم الفردية والنطاقات الفرعية المكون ضمن النطاق المراد أن يتم توفيرها بوصفها توفير قائمة واضحة لجميع التوليفات الممكنة هي مانعة. على سبيل المثال؛ يتضمن نطاق موفر من 10-1 Load القيم الفردية مثل 1؛ 4253525 و6.8؛ وكذلك جميع
0 النطاقات التي يمكن تكوبنها ضمن الحدود المتاحة؛ مثل 8-1؛ و 4-2؛ و 9-6 و 5.6-1.3. ينبغي أن يكون من الواضح للمهرة في التقنية الصناعية أنه يمكن إجراء تعديلات وتغييرات متعددة على النماذج الموصوفة دون الابتعاد عن فحوى الموضوع الوارد في عناصر الحماية ونطاقه. بالتالي يراد بالوصف أن يشمل التعديلات والتغييرات على النماذج الموصوفة المتعددة بحيث تكون مثل هذه التعديلات والتغييرات ضمن نطاق عناصر الحماية الملحقة وأشكالها المكافئة.
قائمة التتابع: TF 2 ثيتا (درجات)
"ب" الكثافة (وحدة اختيارية) 'ج" ول[م"] 'د" | كتثافة الأشعة السينية
Claims (1)
- عناصر الحماية 1- طريقة لإنتاج محفز catalyst تشتمل الطريقة على: تحويل خليط sale منتجة حاملة لمحفز catalyst support precursor mixture يحتوي على sale منتجة حاملة لمحفز catalyst support precursor ومخفف diluent إلى أيروسول taerosol تجفيف خليط المادة المنتجة الحاملة لمحفز catalyst support precursor mixture المحول إلى أيروسول aerosol لإنتاج التدفق المحول إلى أيروسول aerosolized flow من الجسيمات الحاملة لمحفز ¢catalyst support particles تسخين مادة منتجة لمركب نشط catalytically active compound precursor Us لإنتاج بخار مادة منتجة لمركب نشط ¢catalytically active compound precursor vapor Ua ملامسة التدفق المحول إلى أيروسول aerosolized flow من الجسيمات الحاملة للمحفز catalyst support particles 0 ببخار المادة المنتجة للمركب النشط حفركًا catalytically active compound ‘precursor vapor و تكثيف المادة المنتجة للمركب النشط z WY catalytically active compound precursor Us محفز catalyst يشتمل على مركب نشط حفزكًا catalytically active compound موضوع على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز .catalyst support particles 2- الطريقة Gg لعنصر الحماية رقم 1 حيث تشتمل الجسيمات الحاملة للمحفز catalyst support particles على واحد على الأقل من السيليكا silica أو الألومينا calumina أو السيليكا-ألومينا.silica-alumina 0 3- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية رقم 1؛ حيث تشتمل المادة المنتجة للمركب النشط حفنزبًا catalytically active compound precursor على واحد على الأقل من تنجستن ctungsten بلاتينيوم platinum ذهب gold بلاديوم palladium روديوم rhodium إيريديوم dridium كروم «chromium رينيوم «thenium موليبدتوم «molybdenum منجنيز (manganese تيتانيوم ctitanium سيريوم cerium أو توليفات من هذه.4- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية رقم 1؛ حيث يتم ملامسة التدفق المحول إلى أيروسول aerosolized flow من الجسيمات الحاملة للمحفز catalyst support particles ببخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزيًا catalytically active compound precursor vapor عند درجة حرارة من 600 درجة مثوية إلى 1450 درجة مثوية. 5- الطريقة Lady لعنصر الحماية رقم 1؛ تشتمل على ملامسة التدفق المحول إلى أيروسول aerosolized flow من الجسيمات الحاملة للمحفز catalyst support particles ببخار المادة المنتجة للمركب النشط حقركًا catalytically active compound precursor vapor عند ضغط محيط وتبريد التدفق المحول إلى أيروسول aerosolized flow من الجسيمات الحاملة للمحفز catalyst support particles 0 ويخار المادة المنتجة للمركب النشط catalytically active Ua compound precursor vapor عند درجة حرارة من 20 درجة مثوية إلى 120 درجة Agia 6- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية رقم 1؛ حيث يتكثف بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفنزيًا catalytically active compound precursor vapor مباشرة على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز ccatalyst support particles 5 أو حيث يتوى بخار المادة المنتجة للمركب النشط حفزبًا catalytically active compound precursor vapor وبتكثف لتكوين عناقيد «clusters أو جسيمات eparticles أو كليهما وتترسب العناقيد clusters الجسيمات ¢particles أو كليهما على أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز .catalyst support particles Wag dahl -7 0 لعنصر الحماية رقم 1 حيث يشتمل خليط المادة المنتجة الحاملة لمحفز catalyst support precursor mixture على 71 بالوزن إلى 720 بالوزن من sole منتجة حاملة لمحفز catalyst support precursor بناءً على إجمالي وزن خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز.catalyst support precursor mixture8- الطريقة وفقًا لعنصر الحماية رقم 1 حيث يتم تجفيف خليط المادة المنتجة الحاملة للمحفز catalyst support precursor mixture المحول إلى أيروسول aerosol عند درجة حرارة من 200 درجة Lge إلى 1450 درجة Agia9- محفز catalyst يتم تحضيره من خلال الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 1. 0- محفز catalyst يشتمل على: de gana من الجسيمات الحاملة لمحفز catalyst support particles تشتمل على سيليكا silica أو ألومينا calumina أو سيليكا silica وألومينا ¢alumina و0 مركب نشط catalytically active compound Us موضوع على أسطح مجموعة من الجسيمات الحاملة لمحفز catalyst support particles تكون أسطح الجسيمات الحاملة للمحفز catalyst support particles قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة؛ حيث: يشتمل المركب النشط catalytically active compound Us على التنجستن tungsten ويتم وضع المركب النشط حفرزيًا catalytically active compound على 71 إلى 750 من أسطح5 الجسيمات الحاملة للمحفز catalyst support particles التي تكون قابلة للوصول إليها بالنسبة إلى الغازات والأبخرة؛ و حيث يشتمل المركب النشط catalytically active compound Lies الموضوع على أسطح مجموعة الجسيمات الحاملة للمحفز catalyst support particles متوسط حجم بلوري crystalline size على 0.1 نانومتر و 1 نانومترء؛ حيث يكون متوسط الحجم البلوري crystalline size هومتوسط نصف قطر جسيمات المركب النشط حفركًا catalytically active compound المحدد باستخدام تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة .(SAXS) Small Angle X-Ray Scattering1- المحفز Gy لعنصر الحماية رقم ¢10 حيث يتم تكثيف المركب النشط حفرزبًا catalytically active compound على أسطح مجموعة الجسيمات الحاملة للمحفز catalyst support particles5 مبشرة؛ أو حيث يشتمل المركب النشط catalytically active compound Us على واحد على الأقل من ذرات مفردة؛ جزيئات molecules مفردة»؛ عناقيد clusters جسيمات 0011168 أو— 7 1 —توليفات من هذه من المركب النشط حفزيًا catalytically active compound الموضوع على أسطح مجموعة الجسيمات الحاملة للمحفز .catalyst support particles2- المحفز وفقًا لعنصر الحماية 10؛ يشتمل على 70.02 بالوزن إلى 720 بالوزن من المركبcatalytically active compound Ges Lal 5 بناءً على إجمالي وزن المحفز. 3- المحفز وفقًا لعنصر الحماية 10( حيث يكون للمحفز نمط حيود أشعة سينية X-Ray Diffraction يتكون من ذروة توقيع signature peak مفردة على نطاق 2 ثيتا theta من 15 درجة إلى 60 درجة.ملا م ايدج 1 i ابم FETEETE 00 TYTTYTY ws ; i و ات ا 0 رلا : Nord dL Youd i Yes تت td LL VE LLL م { Vint Cy ee Food _ م i تهأسا ل ال ل ل امسلا بم ٍْ PERCE ل ل -. ١ Lore] Po تسسة : week XO اك SS ا الس ا : ال ا كم القع is : i 3 i 0 i i 3 i i i 2 3 i i nd FY el ied : << ا NXE << جا on ا د ته ا hw اال حي : ا ات اتام سم لخن $ IY _- )( الكلTo Yat $ 3 0 ص ساي # i Neo te RN Sf 0 حك ةا > خخ A 2 ا i Woo gg 5 2 4 SAR x + ند الخ : 3 1 { 3 1 5 i 1 & 3 k % 3 k § 1 ب ا ّ ا f 0 Yad i Yad Ned iY YE : 1 i mrarannes t by 1 ما i 5 Pd 4 be Lt RE ci 2 ال 2 a SERRE RS REE Rh 1 WR ERE يي لياع fad 1 + » 1 i i } : . | Cr “ore با4.1 i 3 t } i { 1 3 i 1 i i i i i 1 } i >“ ا ++ ؟ 3 Se th i a ta $ ال الل he A nae 4 esis ب ل sav = SF dd SF i RE AE ا ’ i الاسم eed LES OR ORL OL 156 بد PIRES RFE i لا i ا ود وج i YY <4 | 1 i مسا i 0 ] إٍْ شتت ~ 4 £ 4 A ET ey : FY 5 FTE T Tow oe ox إن بج = 3 ¥ gS 3 i < : ب = Yel we (0) الشكل— 7 4 — Yao yon 5 res dons ei] ْ 5 nA ES bu EEE i. 3 i ‘ Ve Te ا عد ne اج ves 3 Sy 3 Goo pedo as RALLRLL Ge, LELEERD 1" 0 احص | : i TTY ban fee oe bod rr ERED i £ FA ل جح - i a {os ; سد TT الممممستسمت سا | 7# 1 يحمت محم مح سا : لسسيسسسا المححححح ذ 7 PETTITT ب" WY ed Teddy TT SEs sey t Es PYRE ER ER i he “TE i I جام إْ سوا ام x yd | | Yaw = (7) Rad Poi عi يخي oo ! و التي أيه ye ف بد و وق ةطق + الى | ا أل الا آي ان ال الم ال اك SEE 1 : RE coe FARE RYR J 0 م ا ْ ا 7 صلم bed BA ما Land tod د «البيسكا لهل J SE i ATER : ro i : [EN 1 i i | { i i TE Saansasarasanasd “TTT إٍْ Ley” | TT Lf Saw Se : 5555545 3 ؟ re PES ES : SEY FES Ves ! : 5 fe 1 f : 3 إٍْ Con h NT Ln : ا i“ vs SFT SN 1 ; التتنئئنتطت ب ب دف : ian Doge i £48 Nad | i Py 7 ! ! i et : عا زارب ما ع ااا اي 2 ! : I 3 ا سس تله ...ااا Lewd LY i : i لاسا رع +12147114414 TN Se Te TE N ne re = a TOR RON ORS ابرع ال اح انم ام اخ ا من 37ج الشكل 4واي ّم ٍ) الSY. ? : م > oo i / الاج 0 edge ! } { 0 3 | اااي y 1 1 1 1 : 7 ١ Tr 5 لبد ل 1 — 5 ٍ مح '/ الا 0 ا اج ا ايا كد 2 أت أ ® a Sh + ال > 1 EEE EE EEE a 74 } ١ i أن لقو J 1 7, Hi / CNY dE z i i i { / Pf ا 8 he seg eres i 7 7 RE fob a 38h 1 144 ١ i yoy pS E 0 < ; LS 3 1 i المسسيسا 1 289d ا ا 2 SEE 2 2 ا ا | ! : ال ا الي i whe | | : : \ i Fee da ep ! J 0 ٍ { 17 ~~ 1 الشكا ) ) {eT الس ا لمن من Tra he Fa Le Sn Se ب ra mr TT ا اط Te Sn هت A 7 we 7 yd a ما اي الك ! A ed : SG > hd م م ra 5 3 > =, i > ا مين سر م CRD من ام مر x ¥ ING NS سم مر م 4 ب م 0 مز ا ثم BN % / م / 8, i 4 م ل OY oN NNN f { 7 رخا Sod - 4 3 Soa / / ! roa 4 اذ 4 TF 35 0 ’ el / fod 12 Pod A 3 ol A \[ i. Vo i > ا | ١ شم ]ّ ٍِ ة إ Ld Te =i | ا t { 0 i { 1 أ ١ الا يحم 07 1 1 3 ب 7 7 ¥ أ 0 ¢ / / 1 \ ب 0 J } \ oy aad A م \ RY {3 a! fod م 1 1 Nd م 0 i \ م 7 7 ب 6 ل N | f : NN iY SSF \ NS ا ب / / NN EN yd م 3 مر امن أ اخ“ > Me ايك rd EA. Sa ~~ mT Pe ا > Seay, امسج ال . enn oT rd a aN Ea ra “مين لمي إل مت العا ان Nv ب en 2 )1( الشكل Ar vat J الى 4 / : Me Amr #0 0| A نا | a i : SN To ا حم 7 EY i 0 ل ا م 0 الات اس I. < i ريحي ال 2 4 i i } 8 ل voy ; 1 i } ا i AN i i 1 A i pT re مح Ne? Sn AI Nr A dee Smooth s يل و ولأ . fe #5 Te 8 م )7( الشكلحا الال Nek A 7 1 AVY Ave ; Ade i 4 Se, 1 | J خا ابي م 0 : + Amadori ob grr id : AT moog oF 1 ب | - Ant = « Ya Ts PLE i را 8“ 14 ا * : (A) الشكل اا Ri, !! إل o~ د د لا coed 1 es ١ own 7 : C (3) Jadالحاضهة الهيلة السعودية الملضية الفكرية Swed Authority for intallentual Property pW RE .¥ + \ ا 0 § ام 5 + < Ne ge ”بن اج > عي كي الج دا لي ايام TEE ببح ةا Nase eg + Ed - 2 - 3 .++ .* وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها of سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. »> صادرة عن + ب ب ٠. ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > ”+ ص ب 101١ .| لريا 1*١ uo ؛ المملكة | لعربية | لسعودية SAIP@SAIP.GOV.SA
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762546765P | 2017-08-17 | 2017-08-17 | |
| PCT/US2018/046696 WO2019036465A1 (en) | 2017-08-17 | 2018-08-14 | AEROSOL PROCESSING METHOD FOR CONTROLLED COATING OF SURFACE VARIETIES FOR GENERATING CATALYSTS |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA520411354B1 true SA520411354B1 (ar) | 2023-02-07 |
Family
ID=63638315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA520411354A SA520411354B1 (ar) | 2017-08-17 | 2020-02-17 | طريقة معالجة أيروسول للطلاء المتحكم فيه لأنواع السطح لإنتاج المحفزات |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10780421B2 (ar) |
| EP (1) | EP3668644A1 (ar) |
| JP (1) | JP2020531255A (ar) |
| KR (1) | KR20200039769A (ar) |
| CN (2) | CN111050910A (ar) |
| SA (1) | SA520411354B1 (ar) |
| SG (1) | SG11202001238YA (ar) |
| WO (1) | WO2019036465A1 (ar) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10830545B2 (en) | 2016-07-12 | 2020-11-10 | Fractal Heatsink Technologies, LLC | System and method for maintaining efficiency of a heat sink |
| CN112691689B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-07-15 | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 | 一种单原子催化剂的蒸气辐照还原合成方法 |
Family Cites Families (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3702886A (en) | 1969-10-10 | 1972-11-14 | Mobil Oil Corp | Crystalline zeolite zsm-5 and method of preparing the same |
| US3865751A (en) | 1970-01-26 | 1975-02-11 | Phillips Petroleum Co | Catalyst for conversion of olefins |
| US3645684A (en) | 1970-07-01 | 1972-02-29 | Cities Service Co | Fractionation of silica aerosols |
| US3928177A (en) | 1972-01-10 | 1975-12-23 | Universal Oil Prod Co | Hydrocarbon conversion with a multimetallic catalytic composite |
| US4507396A (en) | 1983-08-18 | 1985-03-26 | Chevron Research Company | Solid body preparation and formation by agglomeration in an immiscible solvent |
| US4575575A (en) | 1984-04-05 | 1986-03-11 | Phillips Petroleum Company | Catalysts and process for olefin conversion |
| US4684760A (en) | 1986-02-24 | 1987-08-04 | Phillips Petroleum Company | Catalyst compositions useful for olefin isomerization and disproportionation |
| EP0276096A1 (en) | 1987-01-21 | 1988-07-27 | Mobil Oil Corporation | An olefin metathesis process |
| DE3815292A1 (de) | 1988-05-05 | 1989-11-16 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von hydroxybenzaldehyden |
| US5204088A (en) | 1989-04-18 | 1993-04-20 | Globe Technology Corporation | Hydrophobic silica coating |
| US5230789A (en) * | 1991-08-28 | 1993-07-27 | Uop | Hydrocarbon conversion process using an amorphous silica/alumina/phosphate composition |
| JPH05103995A (ja) | 1991-10-17 | 1993-04-27 | Maruzen Petrochem Co Ltd | オレフインの不均化触媒およびその触媒を用いたオレフインの不均化方法 |
| TW256798B (ar) * | 1992-10-05 | 1995-09-11 | Du Pont | |
| US5340560A (en) | 1993-04-30 | 1994-08-23 | General Electric Company | Method for making fumed silica having a reduced aggregate size and product |
| DE19650500A1 (de) * | 1996-12-05 | 1998-06-10 | Degussa | Dotierte, pyrogen hergestellte Oxide |
| US6099719A (en) | 1996-12-17 | 2000-08-08 | Exxon Research And Engineering Company | Hydroconversion process for making lubicating oil basestocks |
| MXPA02006446A (es) | 1999-12-28 | 2002-11-29 | Corning Inc | Composiciones de soporte de catalizador de zeolita/alumina y metodos para elaborarlas. |
| US6586785B2 (en) | 2000-06-29 | 2003-07-01 | California Institute Of Technology | Aerosol silicon nanoparticles for use in semiconductor device fabrication |
| JP3796565B2 (ja) | 2000-08-15 | 2006-07-12 | 信越化学工業株式会社 | 球状シリカ微粒子の製造方法 |
| US7449030B2 (en) | 2001-03-01 | 2008-11-11 | Alcoa World Alumina Llc | Agglomeration of alumina and binder therefor |
| ATE399740T1 (de) * | 2001-03-24 | 2008-07-15 | Evonik Degussa Gmbh | Mit einer hülle umgebene, dotierte oxidpartikeln |
| US20040101454A1 (en) * | 2002-09-05 | 2004-05-27 | Johnson D. Lynn | Supported metallic catalyst and method of making same |
| DE10337198A1 (de) | 2003-08-13 | 2005-03-17 | Degussa Ag | Träger auf Basis von Granulaten, die aus pyrogen hergestelltem Siliciumdioxiden hergestellt sind |
| EP1693107A1 (en) * | 2005-02-11 | 2006-08-23 | Rohm And Haas Company | Method for preparing mixed-metal oxide catalysts and the catalysts produced thereby |
| US20080011876A1 (en) | 2006-07-10 | 2008-01-17 | Ostraat Michele L | Particle generator |
| CN101827804A (zh) * | 2007-10-15 | 2010-09-08 | 巴斯夫欧洲公司 | 异构化烯烃的方法 |
| BRPI0705939A2 (pt) | 2007-10-29 | 2009-06-23 | Petroleo Brasileiro Sa | processo para a produção de catalisadores hìbridos para a sìntese de fischer-tropsch e catalisador hìbrido produzido de acordo com o processo |
| US8246933B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-08-21 | Stc.Unm | Aerosol method for nano silver-silica composite anti-microbial agent |
| WO2009081758A1 (ja) | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | 酸化物触媒の製造方法 |
| JP5562240B2 (ja) | 2008-08-06 | 2014-07-30 | 旭化成ケミカルズ株式会社 | ゼオライト含有触媒及びその製造方法並びにプロピレンの製造方法 |
| US8216961B2 (en) | 2008-08-27 | 2012-07-10 | Korea University Research And Business Foundation | Nanoparticles including metal oxide having catalytic activity |
| CN102143929B (zh) | 2008-09-04 | 2014-12-03 | 鲁姆斯科技公司 | 烯烃异构化和复分解催化剂 |
| US8722557B2 (en) * | 2008-12-30 | 2014-05-13 | Lyondell Chemical Technology, L.P. | Catalyst regeneration |
| CN102361840A (zh) | 2009-04-01 | 2012-02-22 | 三井化学株式会社 | 烯烃的制造方法 |
| US20110077444A1 (en) | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Fina Technology, Inc. | Metathesis Catalyst for Olefin Production |
| US8324440B2 (en) * | 2010-02-05 | 2012-12-04 | Uop Llc | Support properties of silica supported catalysts and their use in olefin metathesis |
| US8895795B2 (en) | 2010-02-05 | 2014-11-25 | Uop Llc | Acid washed silica supported catalysts and their use in olefin metathesis |
| US8889752B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-11-18 | Fina Technology, Inc. | Foamed articles exhibiting improved thermal properties |
| US8613897B2 (en) | 2010-08-10 | 2013-12-24 | Uop Llc | Densified fumed metal oxides and methods for producing the same |
| FR2969511B1 (fr) | 2010-12-22 | 2012-12-28 | IFP Energies Nouvelles | Materiau spherique comprenant des nanoparticules metalliques piegees dans une matrice oxyde mesostructuree et son utilisation comme catalyseur dans les procedes du raffinage |
| MX352582B (es) | 2012-11-06 | 2017-11-07 | Mexicano Inst Petrol | Composito mesoporoso de mallas moleculares para la hidrodesintegracion de crudos pesados y residuos. |
| KR101373823B1 (ko) | 2013-10-22 | 2014-03-11 | 한국에너지기술연구원 | 선택적 합성오일 생성을 위한 피셔-트롭쉬 반응용 금속 구조체 기반 코발트계 촉매 및 그 제조 방법, 이 금속 구조체 기반 코발트계 촉매를 이용한 선택적 합성 오일 제조 방법 |
| CA2964762A1 (en) | 2014-10-14 | 2016-04-21 | Gevo, Inc. | Methods for conversion of ethanol to functionalized lower hydrocarbons and downstream hydrocarbons |
| US9682367B2 (en) | 2014-10-22 | 2017-06-20 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Monolith structure loaded with metal promoted nanozeolites for enhanced propylene selectivity in methanol conversion |
| CN107107041A (zh) | 2014-10-28 | 2017-08-29 | Smh有限公司 | 混合的金属氧化物‑沸石载体上的复分解催化剂及其使用方法 |
| KR102592369B1 (ko) | 2015-07-02 | 2023-10-25 | 사우디 아라비안 오일 컴퍼니 | 메조포러스 실리카 폼 복분해 촉매를 사용한 프로필렌의 제조 |
| US10010870B2 (en) | 2015-11-12 | 2018-07-03 | Saudi Arabian Oil Company | Synthesis of catalytic materials for metathesis and isomerization reactions and other catalytic applications via well controlled aerosol processing |
| US9969621B2 (en) | 2016-05-04 | 2018-05-15 | Saudi Arabian Oil Company | Methods for processing fumed metallic oxides |
| US10934231B2 (en) | 2017-01-20 | 2021-03-02 | Saudi Arabian Oil Company | Multiple-stage catalyst systems and processes for propene production |
-
2018
- 2018-08-14 CN CN201880051457.1A patent/CN111050910A/zh active Pending
- 2018-08-14 KR KR1020207007593A patent/KR20200039769A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-08-14 CN CN202010824803.4A patent/CN111790456A/zh active Pending
- 2018-08-14 EP EP18772960.3A patent/EP3668644A1/en not_active Withdrawn
- 2018-08-14 SG SG11202001238YA patent/SG11202001238YA/en unknown
- 2018-08-14 JP JP2020508370A patent/JP2020531255A/ja active Pending
- 2018-08-14 WO PCT/US2018/046696 patent/WO2019036465A1/en unknown
- 2018-08-16 US US15/998,699 patent/US10780421B2/en active Active
-
2020
- 2020-02-17 SA SA520411354A patent/SA520411354B1/ar unknown
- 2020-06-23 US US16/909,083 patent/US11596925B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190054449A1 (en) | 2019-02-21 |
| SG11202001238YA (en) | 2020-03-30 |
| EP3668644A1 (en) | 2020-06-24 |
| US11596925B2 (en) | 2023-03-07 |
| CN111790456A (zh) | 2020-10-20 |
| CN111050910A (zh) | 2020-04-21 |
| WO2019036465A1 (en) | 2019-02-21 |
| US20200316566A1 (en) | 2020-10-08 |
| JP2020531255A (ja) | 2020-11-05 |
| US10780421B2 (en) | 2020-09-22 |
| KR20200039769A (ko) | 2020-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SA520420011B1 (ar) | مواد حفزية مركبة متعددة الوظائف وطرق تخليق المواد الحفزية | |
| Larina et al. | Ethanol conversion to 1, 3-butadiene on ZnO/MgO–SiO 2 catalysts: effect of ZnO content and MgO: SiO 2 ratio | |
| SA520411354B1 (ar) | طريقة معالجة أيروسول للطلاء المتحكم فيه لأنواع السطح لإنتاج المحفزات | |
| US9695099B2 (en) | Process for preparing acrylic acid | |
| US6534431B1 (en) | Process and apparatus for preparing heterogeneous catalysts | |
| US20210031176A1 (en) | Catalysts, systems, and processes for regulating a contacting state in producing light olefins from paraffins | |
| Ishizuka et al. | Two-step process in homogeneous nucleation of alumina in supersaturated vapor | |
| Geng et al. | The migration of Zn species on Zn/ZSM-5 catalyst during the process of ethylene aromatization | |
| Taufiq-Yap et al. | Influences of the various metal dopants for the nanosized vanadium phosphate catalysts | |
| Gil-Horán et al. | Ethanol conversion to short-chain olefins over ZSM-5 zeolite catalysts enhanced with P, Fe, and Ni | |
| El Kabouss et al. | Cobalt speciation in cobalt oxide-apatite materials: structure–properties relationship in catalytic oxidative dehydrogenation of ethane and butan-2-ol conversion | |
| Pet’Kov et al. | Development and synthesis of bulk and membrane catalysts based on framework phosphates and molybdates | |
| Chahal et al. | Fabrication of calcium phosphate coatings by the inflight reaction of precursor feedstocks using plasma spraying | |
| US11344874B2 (en) | Methods for reacting chemical streams with catalysts comprising silica, alumina, and tungsten | |
| Stepanov et al. | Nonoxidative conversion of methane to aromatic hydrocarbons in the presence of ZSM-5 zeolites modified with molybdenum and rhenium | |
| Pradhan et al. | Morphology controlled phosphate grafted SnO 2–ZrO 2 nanocomposite oxides prepared by a urea hydrolysis method as efficient heterogeneous catalysts towards the synthesis of 3-substituted indoles | |
| Mietlarek-Kropidłowska et al. | Cadmium complex possessing simultaneously silanethiolato-and dithiocarbamato-ligands. A novel single-source precursor of cadmium sulfide | |
| Knemeyer et al. | Unraveling Property‐Performance Relationships by Surface Tailoring of Oxidation Catalysts via ALD | |
| Batova et al. | Conversion of Dimethyl Ether to Light Olefins over Rhodium-Containing Zeolite Catalysts: Properties of Catalysts Depending on the Method of Rhodium Introduction | |
| Matachowski et al. | Preparation of active Cs2HPW12O40 catalyst with the ‘core–shell’secondary structure by a self-organizing process | |
| Zhilyaeva et al. | Oxidative Dehydrogenation of Ethane on Oxide-Supported Vanadium Phosphorus Oxide Catalysts | |
| Belykh et al. | The First Application of Palladium–Phosphorus Catalysts in the Direct Synthesis of Hydrogen Peroxide: Reasons for the Promoting Action of Phosphorus | |
| Dimowa et al. | Structural study of Tl-exchanged natural clinoptilolite using Rietveld refinement | |
| US20220250046A1 (en) | Stable, high selectivity catalysts and catalyst systems, and processes for their use | |
| Muoto et al. | Microstructural characteristics of Y 2 O 3-MgO composite coatings deposited by suspension plasma spray |