SA519401705B1 - أنظمة وطرق لاستدامة محسنة لتهيئة مجال معكوس عالي الأداء مع ضخ بالتفريغ من نوع إمساك متعدد القياس - Google Patents

أنظمة وطرق لاستدامة محسنة لتهيئة مجال معكوس عالي الأداء مع ضخ بالتفريغ من نوع إمساك متعدد القياس Download PDF

Info

Publication number
SA519401705B1
SA519401705B1 SA519401705A SA519401705A SA519401705B1 SA 519401705 B1 SA519401705 B1 SA 519401705B1 SA 519401705 A SA519401705 A SA 519401705A SA 519401705 A SA519401705 A SA 519401705A SA 519401705 B1 SA519401705 B1 SA 519401705B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
field
configuration
plasma
inverted
capture
Prior art date
Application number
SA519401705A
Other languages
English (en)
Inventor
درى الان فان
Original Assignee
تى ايه اى تيكنولوجيز، إنك
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by تى ايه اى تيكنولوجيز، إنك filed Critical تى ايه اى تيكنولوجيز، إنك
Publication of SA519401705B1 publication Critical patent/SA519401705B1/ar

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21BFUSION REACTORS
    • G21B1/00Thermonuclear fusion reactors
    • G21B1/05Thermonuclear fusion reactors with magnetic or electric plasma confinement
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B37/00Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
    • F04B37/06Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means
    • F04B37/08Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means by condensing or freezing, e.g. cryogenic pumps
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B37/00Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
    • F04B37/10Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use
    • F04B37/14Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use to obtain high vacuum
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21BFUSION REACTORS
    • G21B1/00Thermonuclear fusion reactors
    • G21B1/05Thermonuclear fusion reactors with magnetic or electric plasma confinement
    • G21B1/052Thermonuclear fusion reactors with magnetic or electric plasma confinement reversed field configuration
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21BFUSION REACTORS
    • G21B1/00Thermonuclear fusion reactors
    • G21B1/11Details
    • G21B1/15Particle injectors for producing thermonuclear fusion reactions, e.g. pellet injectors
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21BFUSION REACTORS
    • G21B1/00Thermonuclear fusion reactors
    • G21B1/11Details
    • G21B1/17Vacuum chambers; Vacuum systems
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21BFUSION REACTORS
    • G21B1/00Thermonuclear fusion reactors
    • G21B1/11Details
    • G21B1/19Targets for producing thermonuclear fusion reactions, e.g. pellets for irradiation by laser or charged particle beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J7/00Details not provided for in the preceding groups and common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J7/24Cooling arrangements; Heating arrangements; Means for circulating gas or vapour within the discharge space
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/02Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
    • H05H1/04Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using magnetic fields substantially generated by the discharge in the plasma
    • H05H1/08Theta pinch devices, e.g. SCYLLA
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/02Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
    • H05H1/10Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied magnetic fields only, e.g. Q-machines, Yin-Yang, base-ball
    • H05H1/14Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied magnetic fields only, e.g. Q-machines, Yin-Yang, base-ball wherein the containment vessel is straight and has magnetic mirrors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/02Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
    • H05H1/16Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied electric and magnetic fields
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B41/00Pumping installations or systems specially adapted for elastic fluids
    • F04B41/06Combinations of two or more pumps
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E30/00Energy generation of nuclear origin
    • Y02E30/10Nuclear fusion reactors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Reinforced Plastic Materials (AREA)
  • Producing Shaped Articles From Materials (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Treatment Of Steel In Its Molten State (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
  • Moulding By Coating Moulds (AREA)

Abstract

يتعلّق الاختراع بأنظمة وطرق تكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس field reversed configuration (FRCs) مع طاقات مرتفعة واستدامة محسنة باستخدام ضخ بالتفريغ vacuum pumping من نوع إمساك capture type متعدد القياس. وتشتمل طريقة توليد والحفاظ على حقل مغناطيسي لتهيئة مجال معكوس على تشكيل تهيئة مجال معكوس حول البلازما في غرفة احتجاز (100)، وحقن مجموعة من الآشعة المتعادلة neutral beams في بلازما تهيئة المجال المعكوس عند زاوية نحو منتصف مستوى غرفة الاحتجاز (100)، ضخ جزيئات الغاز المحايدة neutralized gas molecules المتراكمة في محولات divertors (300) أولى وثانية المتباعدة قطبياً عن بعضها البعض، المقترنة بغرفة الاحتجاز (100) بواسطة مضخات إمساك بالتفريغ capture vacuum pumps أولى وثانية متموضعة عند المحولات (300) الأولى والثانية وتتضمن جانبين أو أكثر مع أسطح تطل على بعضها البعض وجانب مفتوح، حيث تتضمن مضخات الإمساك بالتفريغ capture vacuum pumps الأولى والثانية معامل التصاق sticking factor أكبر من معامل التصاق sticking factor للوح مسطح (312) يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من مضخات الإمساك capture pumps ال

Description

أنظمة وطرق لاستدامة محسنة لتهيئة مجال معكوس عالي الأداء مع ضخ بالتفريغ من نوع إمساك متعدد القياس ‎SYSTEMS AND METHODS FOR IMPROVED SUSTAINMENT OF A HIGH‏ ‎PERFORMANCE FRC WITH MULTI-SCALED CAPTURE TYPE VACUUM‏ ‎PUMPING‏ ‏الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق الموضوع الحالي الموضح هنا بشكل عام بأنظمة احتجاز ‎confinement systems‏ بلازما مغناطيسية ‎magnetic plasma‏ تتضمن تهيئة مجال معكوس ‎field reversed configuration‏ ‎(FRC)‏ و» بشكل أكثر تحديداء بشكل أكثر تحديداء بأنظمة وطرق تسهل تكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس مع طاقات نظام مرتفعة واستدامة محسنة باستخدام ضخ بالتفريغ ‎vacuum‏ ‏8 من نوع إمساك ‎capture type‏ متعدد القياس. تنتمي تهيئة المجال المعكوس إلى فئة احتجاز بلازما مغناطيسية معروفة بكونها حلقات مضغوطة ‎compact toroids‏ (01). وهي تبدي مجالات مغناطيسية دوارة ‎poloidal magnetic fields‏ بشكل أساسي وتتضمن مجالات حلقية ‎toroidal fields‏ صغيرة أو صفرية ذاتية التوليد (انظر .14 ‎٠. (Tuszewski, Nucl.
Fusion 28, 2033 (1988) 10‏ وتتمثل مزايا هذه التهيئة في الشكل البسيط في حالة التكوين والصيانة والمحول ‎divertor‏ السهل غير المقيد لتسهيل استخلاص الطاقة وإزالة الرماد؛ £5 عالي جدا (/ عبارة عن نسبة بلازما الضغط ‎plasma pressure‏ إلى متوسط مجال مغناطيسي الضغط داخل تهيئة مجال معكوس)؛ أي؛ شدة عالية القدرة. / الطبيعية العالية مفيدة للتشغيل الاقتصادي ولاستخدام ‎١‏ لأنواع المتقدمة للوقود اللانيوتروني ‎aneutronic fuels‏ مثل 1-113 ‎.p-Bl's 5‏ تقوم الطريقة التقليدية لتكوين تهيئة مجال معكوس باستخدام تقنية ضاغط ‎Bpinch -6‏ ‎technology‏ المجال العكسي ‎dfield-reversed‏ التي تنتج بلازما ساخنة عالية الكثافة (انظر ‎AL.‏ ‎da. (Hoffman and J.
T.
Slough, Nucl.
Fusion 33, 27 (1993)‏ صورة مختلفة على ذلك هو طريقة احتجاز التحويل ‎rranslation-trapping method‏ حيث يتم إخراج البلازما المكونة في ‎"yaad 0‏ ضاغط ثيتا ‎theta-pinch‏ مباشرة بشكل أكبر أو أقل من أحد الأطراف في غرفة الاحتجاز ‎confinement chamber‏ يتم احتجاز بلازمويد ‎plasmoid‏ التحويل بالتالي بين اثنين من العواكس
القوية عند أطراف الغرفة (انظرء مثلاء ‎Himura, 5. Okada, 5. Sugimoto, and 5. Goto,‏ .11 ‎(Phys.
Plasmas 2, 191 )1995(‏ بمجرد التواجد في غرفة الاحتجاز» يمكن تطيق العديد من طرق التسخين والتشغيل الحالية مثل حقن شعاع ‎beam injection‏ (متعادلة أو محايدة)؛ المجالات المغناطيسية الدوارة؛ التردد اللاسلكي ‎(RF) radio-frequency‏ أو التسخين ‎١‏ لأومي ‎ohmic‏ ‎cheating 5‏ إلخ . تعمل وظائف فصل المصدر والاحتجاز بتقديم مزايا أساسية من أجل مفاعلات الدمج ‎fusion reactors‏ المحتملة. وقد أثبتت تهيئة مجال معكوس ‎Lgl‏ قوية ‎lan‏ ومقاومة للتكوين الديناميكي ‎«dynamic formation‏ الانتفال» وحالات الإمساك العنيفة. علاوة على ذلك؛ تبدي ميل إلى افتراض حالة البلازما المفضلة ‎dail)‏ مثالا ‎Guo, A.
L.
Hoffman, K.
E.
Miller, and‏ .7 .11 ‎٠ (L.
C.
Steinhauer, Phys.
Rev.
Lett. 92, 245001 (2004)‏ تم إجراء تقدم ملحوظ في ‎Hal‏ عقد 0 طرق تكوين تهيئة مجال معكوس الأخرى: ‎merging spheromaks with oppositely-directed‏ ‎helicities (see e.g.
Y.
Ono, M.
Inomoto, Y.
Ueda, 1. Matsuyama, and 1. Okazaki, Nucl.‏ ‎Fusion 39, 2001 (1999)) and by driving current with rotating magnetic fields (RMF)‏ ‎((see e.g.
I.
R.
Jones, Phys.
Plasmas 6, 1950 (1999)‏ والتي تعطي ‎Lea‏ ثبات إضافي. حاليا؛ تم تطوير تقنية الدمج التصادمية ‎ccollision-merging technique‏ المقترحة ‎Mie‏ زمن (انظر مثلا )1966( 1010 ,9 ‎(D.
R.
Wells, Phys.
Fluids‏ أكثر: يقوم اثنين من ضواغط ثيتا عند أطراف متقابلة لغرفة احتجاز بتوليد اقنين من بلازمويدات وتسريع البلازمويدات تجاه بعضها البعض عند سرعة عالية؛ والتي تتصادم بالتالي عند مركز غرفة الاحتجاز وتندمج لتكوين تهيئة مجال معكوس مركب. في عملية البناء والتشغيل الناجحة لواحد من أكبر اختبارات تهيئة مجال معكوس حتى الآن؛ أبدت طريقة ‎mend)‏ بالتصادم التقليدية أنها تقوم بإنتاج تهيئة مجال معكوس مستقرة عالية 0 الحرارة ‎ley‏ التدفق وطويلة العمر التدفق (انظر ‎M.
Binderbauer, 11.77. Guo, M.
Dis‏ ‎.(Tuszewski er al., Phys.
Rev.
Lett. 105, 045003 (2010)‏ تتكون تهيئة مجال معكوس من طارة ذات خطوط مجال مغلقة داخل فاصل ‎separatrix‏ ولطبقة حافة حلقية على خطوط المجال المفتوح خارج الفاصل. تندمج طبقة الحافة في الوحدات النفاثة وراء طول تهيئة مجال معكوس» والتي تقوم بتوفير محول طبيعي. تتلاقى تويولوجيا تهيئة مجال معكوس مع تلك الخاصة ببلازما مجال بلازما ‎Lhe‏ معكوسة ‎-Field-Reversed-Mirror plasma‏ مع ذلك؛ سيكون الفرق الملحوظ هو أن بلازما تهيئة مجال معكوس تتضمن ‎f‏ بمقدار حوالي 10. يقدم المجال المغناطيسي الداخلي المنخفض الكامن مجموعة جسيم حركية ‎kinetic particle‏
0م داخلية؛ أي جسيمات ذات أقطار لارمور ‎armor‏ مقارنة بقطر تهيئة المجال المعكوس الأدنى. وهذه الآثار الحركية القوية التي تظهر لتساهم جزئيا على الأقل في الثبات الزائد ‎dag‏ مجال معكوس السابق والحالي؛ مثل تلك التي تم إنتاجها في اختبار الدمج بالتصادم ‎.collision-merging experiment‏ تتم التحكم في اختبارات تهيئة مجال معكوس الماضية المثالية بواسطة فقد الحمل الحراري مع طاقة
احتجاز محددة بشكل كبير بواسطة نقل جسيم. تندمج الجسيمات بشكل أساسي قطري خارج حجم الفاصل؛ وهي بالتالي مفقودة محوريا في طبقة الحافة. بالتالي؛ يعتمد احتجاز تهيئة مجال معكوس على خواص ك من مناطق خطوط المجال المفتوحة والمغلقة. يتم قياس وقت انتشار الجسيم خارج الفاصل عند :+ - ‎ca - 19/4) aD‏ حيث ‎1p‏ عبارة عن قطر الفاصل المركزي)» ‎Dig‏ عبارة عن
0 انتشار تهيئة مجال معكوس المميز؛ ‎Jia pie Cus opie 12.5 - Di die‏ القطر الهندسي الأيوني ‎jon gyroradius‏ المقيم عند مجال مغناطيسي منفذ خارجيا. وقت احتجاز جسيم طبقة الحافة (+ أساسا هو وقت الانتقال المحوري ‎١ axial transit time‏ لأساسي في اختبارات تهيئة مجال معكوس الماضية. في الحالة الثابتة؛ يؤدي التوازن بين قيم فقد الجسيم القطري والمحوري إلى طول تدريج كثافة فاصل ‎(Dut)?‏ - 6. قياسات وقت احتجاز ‎confinement time‏ جسيم تهيئة مجال معكوس
5 مثل ‎(ma)?‏ لتهيئة مجال معكوس السابق الذي يتضمن كثافة أساسية عند الفاصل (انظر مثلا ‎(M.
TUSZEWSKI, “Field Reversed Configurations,” Nucl.
Fusion 28, 2033 (1988)‏ . في ضوءٍ ما سبق؛ بالتالي؛ من المطلوب تحسين استدامة تهيئة مجال معكوس لاستخدام حالة تهيئة مجال معكوس ثابتة مع أنظمة طاقة مرتفعة كمسار إلى لب المفاعل ‎reactor core‏ لانتشار أنوية الضوء ‎light nuclei‏ للتوليد المستقبلي للطاقة.
0 الوصف العام للاختراع تتعلق النماذج الحالية المقدمة هنا بأنظمة وطرق تسهل تكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس مع طاقات نظام مرتفعة واستدامة محسنة باستخدام ضخ بالتفريغ من نوع إمساك متعدد القياس. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ طريقة لتوليد والحفاظ على مجال مغناطيسي ‎magnetic field‏ مع تهيئة مجال معكوس يتضمن تكوين تهيئة مجال معكوس حول بلازما ‎plasma‏ غرفة احتجازء
5 حقن مجموعة من أشعة متعادلة ‎neutral beams‏ في بلازما تهيئة مجال معكوس عند زاوية تجاه المستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز ‎confinement chamber‏ ضخ جزيئات غاز ‎gas molecules‏
متعادلة متراكمة في المحولات الأولى والثانية المقترنة قطريا المقترنة بغرفة الاحتجاز مع مضخات إمساك بالتفريغ أولى وثانية متموضعة في المحولات الأولى والثانية ويتضمن اثنين أو أكثر من جوانب مع أسطح تتضمن مسقط لبعضها البعض وجانب مفتوح؛ حيث تتضمن مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ الأولى والثانية معامل التصاق أكثر من ‎Lay)‏ )4( أضعاف أكبر من معامل التصاق ‎sticking factor‏ للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من مضخات الإمساك الأولى والثانية. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن على الأقل واحد من الاثنين أو الأكثر من جوانب مضخات الإمساك بالتفريغ الأولى والثانية مصفوفة من مضخات إمساك بالتفريغ فردية. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية اثنين أو أكثر 0 من جوانب مع أسطح تتضمن مسقط لبعضها البعض وجانب مفتوح؛ حيث كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية تتضمن معامل التصاق أكبر من معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن مضخات الإمساك بالتفريغ الأولى والثانية معامل التصاق التي تكون أكبر بمقدار 17 أضعاف من معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ 5 الجانب المفتوح من مضخات الإمساك الأولى والثانية؛. حيث ‎N‏ عبارة عن ‎16>N>4‏ ‎Uy‏ لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن أسطح اللوح المسطح ومضخات التفريغ الأولى والثانية غشاء من تيتانيوم ‎(Ti) titanium‏ موضوع عليه. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة أيضا حقن بلازما حلقية مضغوطة من وسائل حقن حلقية مضغوطة أولى وثانية في بلازما تهيئة مجال معكوس عند زاوية تجاه المستوى 0 المتوسط لغرفة الاحتجازء حيث وسائل حقن حلقية مضغوطة الأولى والثانية متقابلين تماما على الجوانب المتقابلة للمستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن مضخة الإمساك ‎capture pump‏ بالتفريغ اثنين أو أكثر من جوانب مع أسطح تتضمن مسقط لبعضها البعض وجانب مفتوح؛ حيث مضخة إمساك بالتفريغ تتضمن معامل التصاق أكثر من أريعة (4) أضعاف أكبر من معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من مضخة الإمساك.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن على الأقل واحد من الاثنين أو الأكثر من جوانب مضخات الإمساك بالتفريغ الأولى والثانية مصفوفة من مضخات إمساك بالتفريغ فردية. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية اثنين أو أكثر من جوانب مع أسطح تتضمن مسقط لبعضها البعض وجانب مفتوح؛ حيث كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية تتضمن معامل التصاق أكبر من معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن مضخات الإمساك بالتفريغ الأولى والثانية معامل التصاق التي تكون أكبر بمقدار 17 أضعاف من معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من مضخات الإمساك الأولى والثانية؛ حيث ‎N‏ عبارة عن 16<<1<4. ‎Gy 0‏ لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن أسطح اللوح المسطح ومضخات التفريغ الأولى والثانية غشاء من تيتانيوم موضوع عليه. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ نظام لتوليد والحفاظ على مجال مغناطيسي مع تهيئة مجال معكوس يتضمن غرفة احتجاز؛ أجزاء تكوين تهيئة مجال معكوس أولى وثانية متقابلة تماما المقترنة بغرفة الاحتجاز وشاملة مضخات إمساك بالتفريغ أولى وثانية متموضعة داخل المحولات 5 الأولى والثانية ويتضمن اثنين أو أكثر من جوانب مع أسطح تتضمن مسقط لبعضها البعض وجانب مفتوح؛ حيث تتضمن مضخات الإمساك بالتفريغ الأولى والثانية معامل التصاق أكثر من أربعة (4) أضعاف أكبر من معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من مضخات الإمساك الأولى والثانية» واحد أو أكثر من مجموعة من مداقع البلازما ‎plasma guns‏ واحد أو أكثر من إلكترودات استقطاب ‎biasing electrodes‏ وسدادات عاكسة ‎mirror plugs‏ أولى 0 وثانية؛ حيث تتضمن مجموعة مدافع البلازما مدافع البلازما المحورية الأولى والثانية المقترنة تشغيليا بالمحولات الأولى والثانية؛ أجزاء التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجاز» حيث واحد أو أكثر من إلكترودات الاستقطاب متموضعة داخل واحد أو أكثر من غرفة الاحتجاز؛ أجزاء التكوين الأولى والثانية؛ والمحولات الخارجية الأولى والثانية؛ وحيث السدادات العاكسة الأولى والثانية متموضعة بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات الأولى والثانية؛ نظام امتصاص الشوائب ‎gettering system 5‏ المقترنة بغرفة الاحتجاز والمحولات الأولى والثانية؛ مجموعة من وسائل حقن
‎injectors‏ شعاع ذري متعادل ‎neutral atom beam‏ مقترنة بغرفة الاحتجاز وموجه بزاوية تجاه
‏مستوى متوسط لغرفة الاحتجاز.
‏وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ النظام تتضمن ‎Load‏ وسائل الحقن الحلقية المضغوطة الأولى
‏والثانية المقترنة بغرفة الاحتجاز عند زاوية تجاه المستوى المتوسط لغرفة ‎Slain)‏ حيث وسائل حقن الحلقية المضغوطة الأولى والثانية متقابلين تماما على الجوانب المتقابلة للمستوى المتوسط
‏لغرفة الاحتجاز.
‏سوف تتضح الأنظمة؛ الطرق؛ الخواص والمزايا الخاصة بالنماذج المثالية للخبير في المجال عند
‏فحص الأشكال التالية والوصف التفصيلي. يعتقد أن كل الطرق الخواص والمزايا الإضافية ليتم
‏تضمينها داخل هذا الوصف؛ وتتم حمايتها بواسطة عناصر الحماية المصاحبة. يقصد بعناصر
‏0 الحماية أن يتم تقييدها بتفاصيل النماذج المثالية. شرح مختصر للرسومات تقوم الأشكال المصاحبة؛ التي تم تضمينها كجزء من الوصف الحالي؛ وتشرح النماذج المثالية الحالية؛ وبالإضافة إلى الوصف العام المحدد أعلاه والوصف التفصيلي للنماذج المثالية المحددة ‎cola‏ وتعمل على شرح وتعليمات الاختراع الحالي.
‏5 يشرح الشكل 1 جسيم احتجاز في نظام تهيئة مجال معكوس الحالي تحت نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء ‎(HPF) high performance field reversed configuration regime‏ في مقابل تحت نظام تهيئة مجال معكوس تقليدي ‎conventional field reversed configuration‏ ‎¢(CR) regime‏ وفي مقابل اختبارات تهيئة مجال معكوس تقليدية أخرى. يشرح الشكل 2 مكونات نظام تهيئة مجال معكوس الحالي والتوبولوجيا المغناطيسية ‎magnetic‏
‎topology 0‏ لتهيئة مجال معكوس القابلة للإنتاج في نظام تهيئة مجال معكوس الحالي. يشرح الشكل 13 الطبقة الأساسية لنظام تهيئة مجال معكوس الحالي كما هو مبين من الأعلى؛ شاملة التجهيز المفضل لوعاء الاحتجاز المركزي؛ قطاع التكوين؛ المحولات»؛ آشعة متعادلة؛ إلكترودات ‎celectrodes‏ مدافع البلازماء السدادات العاكسة ووسيلة حقن كريات ‎-pellet injector‏ يشرح الشكل 3ب وعاء الاحتجاز المركزي كما هو مبين من الأعلى ويبدي الآشعة المتعادلة
‏5 المجهزة عند زاوية طبيعية بالنسبة للمحور الأساسي للتناظر في وعاء الاحتجاز المركزي ‎central‏ ‎.confinement vessel‏
يشرح الشكل 3ج وعاء الاحتجاز المركزي كما هو مبين من الأعلى وببين الآشعة المتعادلة
المجهزة عند زاوية أقل من طبيعي بالنسبة للمحور الأساسي للتناظر في وعاء الاحتجاز المركزي
وموجه لحقن جسيمات تجاه المستوى المتوسط لوعاء الاحتجاز المركزي.
تشرح الأشكال 3د و3ه مناظر علوية ومنظورية؛ على التوالي؛ للطبقة الأساسية وفقا لنموذج بديل
لنظام تهيئة مجال معكوس الحالي؛ شاملة التجهيز المفضل لوعاء الاحتجاز المركزي» قطاع
التكوين» المحولات الداخلية والخارجية؛ آشعة متعادلة مجهزة عند زاوية أقل من طبيعي بالنسبة
للمحور الأساسي للتناظر في وعاء الاحتجاز المركزي؛ إلكترودات؛ مدافع البلازما والسدادات
العاكسة.
الشكل 4 يشرح تخطيط مكونات نظام قدرة نبضي ‎pulsed power system‏ لأجزاء التكوين. 0 الشكل 5 يشرح منظر متساوي القياس لمزلق تكوين قدرة نبضي فردي .
الشكل 6 يشرح منظر متساوي القياس لتجميعة أنبوب تكوين.
الشكل 7 يشرح منظر مقطعي جزئي متساوي القياس لنظام شعاع متعادل ومكونات أساسية.
الشكل 8 يشرح منظر متساوي القياس لتجهيزة الشعاع المتعادلة على غرفة الاحتجاز.
الشكل 9 يشرح منظر مقطعي جزئي متساوي القياس لتجهيزة مفضلة لأنظمة امتصاص الشوائب ‎systems 5‏ عمتدهعع التيتانيوم ‎(Ti) titanium‏ والليقيوم ‎lithium‏ (نآ).
الشكل 10 يشرح منظر مقطعي جزئي متساوي القياس لمدفع بلازما تم تنصيبه في غرفة المحول.
تم أيضا توضيح السدادة العاكسة المغناطيسية ذات الصلة وتجميعة إلكترود محول ‎divertor‏
.electrode assembly
الشكل 11 يشرح التصميم المفضل لإلكترود ميل حلقي ‎annular bias electrode‏ عند الطرف 0 المحوري لغرفة الاحتجاز.
الشكل 12 يشرح تطوير قطر التدفق المستبعد في نظام تهيئة مجال معكوس الذي تم الحصول
عليه من سلسلة من حلقات ضعيفة النفاذية المغناطيسية خارجية عند المجالين المعكوسين لأجزاء
تكوين ضاغط ثيتا ومسابير مغناطيسية ‎magnetic probes‏ مدمجة داخل غرفة احتجاز المعدن
المركزية. يتم قياس الزمن من حالة المجال العكسي المتزامن في مصادر التكوين؛ ويتم تحديد 5 المسافة 2 نسبة إلى المستوى الأوسط المحوري للماكينة.
الأشكال 113 13ب 13ج و13د تشرح البيانات من نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء غير تمثيلي؛ تفريغ غير مستديم على نظام تهيئة مجال معكوس الحالي. تم توضيح دوال الزمن (الشكل 3) عبارة عن قطر التدفق المستبعد عند المستوى الأوسط» ‎Jal)‏ 13ب) 6 أسلاك ذات كثافة خطية مدمجة من مقياس تداخل ‎interferometer‏ المستوى الأوسط ‎«CO2‏ (الشكل 13ج) سمات قطرية لشدة محوتة ‎Abel-inverted density Abel‏ من بيانات مقياس تداخل 002؛ و(الشكل 3د) درجة حرارة البلازما الكلية من توازن الضغط. الشكل 14 يشرح السماح المحورية للتدفق المستبعد عند أوقات مختارة لنفس شحنة نظام تهيئة مجال معكوس الحالي المبين في الشكل 13 13[ب»؛ 13ج و13د. الشكل 15 يشرح منظر متساوي القياس لملفات الارتكاز ‎saddle coils‏ التي تم تركيبها خارج لغرفة 0 الاحتجاز. الأشكال 16( 216« 16ج و16د تشرح عمر علاقات تهيئة مجال معكوس والطول النبضي للآشعة المتعادلة المحقونة. كما هو مبين؛ تنتج نبضات الآشعة الأطول بإنتاج تهيئة مجال معكوس أطول عمرا. الأشكال 117 17ب» 17ج و17د الآثار الفردية والمدمجة لمكونات مختلفة لنظام تهيئة مجال 5 معكوس على أداء تهيئة مجال معكوس وتنفيذ نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء. الأشكال 118 18ب؛ 18ج و18د تشرح البيانات من نظام تهيئة مجال معكوس ‎Me‏ الأداء تمثيلي؛ تفريغ غير مستديم على نظام تهيئة مجال معكوس الحالي. تم توضيح دوال الزمن بأنها عبارة عن (الشكل 118( قطر التدفق المستبعد عند المستوى الأوسط» (الشكل 18ب) 6 أسلاك ذات كثافة خطية مدمجة من مقياس تداخل المستوى الأوسط 002؛ (الشكل 18ج) سمات قطرية لشدة محولة ‎Abel‏ من بيانات مقياس تداخل ‎«CO2‏ و(الشكل 18د) درجة حرارة البلازما الكلية من توازن الضغط. الشكل 19 يشرح احتجاز التدفق كدالة لدرجة حرارة الالكترون ‎electron temperature‏ (.1). وهي تبين تمثيل مصور لنظام قياس متفورق محدد حديثا لتفريغات نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء . 5 الشكل 20 يشرح عمر تهيئة مجال معكوس يناظر الطول النبضي لموجه غير زاوي وموجه بزاوية الآشعة المتعادلة المحقونة.
الأشكال 21« 21ب»؛ 221 21د و21ه تشرح الطول النبضي لشعاع متعادل محقون موجه
بزاوية وعمر متغيرات بلازما تهيئة مجال معكوس لقطر البلازماء شدة البلازماء درجة حرارة
البلازماء وتدفق مغناطيسي يناظر الطول النبضي لموجه بزاوية الآشعة المتعادلة المحقونة.
الأشكال 22 و22ب تشرح الطبقة الأساسية لوسيلة حقن حلقية مضغوطة ‎compact toroid‏ ‎.injector 5‏
الأشكال 23 و23ب تشرح وعاء الاحتجاز المركزي تبين وسيلة حقن حلقية مضغوطة التي تم
تركيبها عليها.
الأشكال 24 و24ب تشرح الطبقة الأساسية وفقا لنموذج بديل لوسيلة حقن حلقية مضغوطة
تتضمن أنبوب إزاحة مقترن به.
0 الشكل 25 يشرح منظر متساوي القياس لبلازما لب ‎plasma core‏ تهيئة مجال معكوس وغرفة الاحتجاز ملفات ‎cde‏ ومسار الجسيمات المشحونة المتدفقة من بلازما لب تهيئة مجال معكوس. الشكل 26 يشرح منظر متساوي القياس لمحول. الشكل 27 عبارة عن مخطط يشرح كثافة الغاز المتعادل متراكمة في المحولات الداخلية والخارجية كدالة للزمن أثناء تشغيل نظام تهيئة مجال معكوس الحالي.
الشكل 28 يشرح منظر متساوي القياس لجسم مضخة فردية في صورة مكعب وجه مفتوح ومكافئ لوح مسطح في الحجم إلى الوجه المفتوح للمكعب. الشكل 29 عبارة عن مخطط يشرح معامل الالتصاق الفعال للفتحة المريعة لجسم مضخة صندوق كدالة على نسبة عمق/عرض الصندوق لمعامل التصاق معين لأسطح مسطحة والتي تقوم بتكوين الصندوق.
0 الشكل 30 يشرح منظر متساوي القياس لمضخة إمساك ذات أسطح ذاتية التشابه يتضمن مكعب مفتوح الجانب مكون من جوانب تتضمن مصفوفة من مضخات فردية تتضمن مكعب مفتوح الوجه. الشكل 31 عبارة عن مخطط يشرح الزيادة في معامل الالتصاق الفعال لمضخة إمساك ذات أسطح ذاتية التشابه كدالة لمستويات قياس مميزة ذات تشابه ذاتي. الشكل 32 يشرح مناظر تفصيلية متناظرة تبين مستويات القياس ذات تشابه ذاتي لمضخة إمساك
5 ذات أسطح ذاتية التشابه. يجب ملاحظة أن الأشكال ليست على مقياس رسم بالضرورة وأن العناصر ذات البنيات أو
الوظائف المشابهة قد تم تمثيلها بشكل عام بواسطة الأرقام المرجعية لأغراض التوضيحية في الأشكال. تمت أيضا ملاحظة أن الأشكال يقصد بها تسهيل وصف النماذج المتعددة الموضحة هنا. لا تقوم الأشكال بالضرورة بوصف كل جانب من التعليمات المكشوف عنها ولا تقوم بتقييد منظور عناصر الحماية. الوصف التفصيلي:
تتعلق النماذج الحالية المقدمة هنا بأنظمة وطرق تسهل تكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس مع ثبات متفوق بالإضافة إلى احتجاز جسيم؛ طاقة وتدفق. تتعلق بعض النماذج الحالية بأنظمة وطرق تسهل تكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس مع استدامة محسنة باستخدام مضخة إمساك بالتفريغ من نوع متعدد القياس.
0 سوف يتم الآن وصف الأمثلة التمثيلية للنماذج الموضحة هناء والتي تعطي أمثلة على استخدام العديد من هذه الخواص الإضافية والتعليمات؛ بالمزيد من التفاصيل بالإشارة إلى الأشكال الملحقة. يقصد بهذا الوصف التفصيلي أن يعطي تفاصيل إلى الخبير في المجال لتنفيذ الجوانب المفاضلة للتعليمات الحالية ولا يقصد بها تقييد منظور الاختراع. بالتالي؛ يمكن ألا يتم الكشف عن توليفات الخواص والخطوات المكشوف عنها في الوصف التفصيلي التالي بالضرورة لممارسة الاختراع في
5 أوسع نطاق؛ ولن يتم إعطاء تعليمات تحديدا بوصف الأمثلة التمثيلية للتعليمات الحالية. علاوة على ذلك؛ يمكن دمج الخواص المتعددة للأمثلة التمثيلية وعناصر الحماية الاعتمادية بطرق غير محددة ومرقمة بشكل صريح لتوفير النماذج المفيدة على التعليمات الحالية. علاوة على ذلك؛ تمت صراحة ملاحظة أن كل الخواص المكشوف عنها في الوصف و/أو عناصر الحماية يقصد بها أن يتم الكشف عنها بشكل منفصل وبشكل مستقل من بعضها البعض لأغراض الكشف
0 الحالي؛ بالإضافة إلى أغراض تقييد موضوع الوثيقة المطلوب حمايتها والخاص بتركيبات الخواص في النماذج و/أو عناصر الحماية. وقد تمت أيضا ملاحظة أن قيم النطاق أو إشارات مجموعات الكيانات تقوم بالكشف عن كل القيم الوسيطة أو الكيانات الوسيطة لأغراض الكشف الأصلي؛ بالإضافة إلى غرض تقييد الموضوع المطلوب حمايته. قبل العودة إلى الأنظمة والطرق التي تسهل ثبات بلازما تهيئة مجال معكوس في كل من
5 الإتجاهات المحورية والقطرية والتحكم في موضع محوري لبلازما تهيئة مجال معكوس على طول محور التناظر لغرفة احتجاز بلازما تهيئة مجال معكوس ؛ تم توفير مناقشة أنظمة وطرق لتكوين
والحفاظ على تهيئة مجال معكوس عالي الأداء مع ثبات متفوق بالإضافة إلى احتجاز الجسيم الفائق؛ طاقة وتدفق في مقابل تهيئة مجال معكوس تقليدي. تقوم تهيئة مجال معكوس عالي الأداء هذا بتوفير مسار إلى تشكيلة كاملة من التطبيقات شاملة مصادر نيوترون مضغوطة (لإنتاج نمط إسوي طبي ‎dallas cmedical isotope‏ المخلفات النووية ‎cnuclear waste‏ بحث المواد؛ المخطط الإشعاعي ‎neutron radiography‏ والتوموجرافي للنيوترون ‎(tomography‏ مصادر الفوتون المضغوطة ‎compact photon sources‏ (للإنتاج والمعالجة الكيماوية)؛ الفصل الكتلي وأنظمة التخصيب؛ وألباب المفاعلات لدمج أنوية الضوء للتوليد المستقبلي للطاقة. هناك العديد من الأنظمة المساعدة وأوضاع التشغيل التي تم اكتشافها لتقييم ما إذا كان هناك نظام احتجاز متفوق في تهيئة مجال معكوس. أدت هذه الجهود إلى اختراق اكتشافات وعمليات تطوير 0 تهيئة مجال معكوس عالي الأداء الموضح هنا. وفقا لهذا المثال الجديد؛ تقوم الأنظمة والطرق الجديدة بدمج عائل للأفكار الجديدة ووسيلة لتحسين احتجاز تهيئة مجال معكوس بشكل كبير كما هو مبين في الشكل 1 بالإضافة إلى توفير التحكم في الثبات بدون الأثار الجانبية السلبية. كما هو مذكور بالمزيد من التفاصيل أدناه؛ تبين الشكل 1 جسيم احتجاز في نظام تهيئة مجال معكوس 10 الموضح أدناه (انظر الأشكال 352( تشغيل نظام تهيئة مجال معكوس ‎Me‏ الأداء لتكوين 5 والحفاظ على تهيئة مجال معكوس في مقابل تشغيل وفقا لنظام تهيئة مجال معكوس تقليدي لتكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس»؛ وفي مقابل جسيم احتجاز وفقا لأنظمة تقليدية لتكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس المستخدم في اختبارات أخرى. سوف يقوم الكشف الحالي بوصف وتفصيل المكونات الفردية الابتكارية لنظام تهيئة مجال معكوس 10 وطرق بالإضافة إلى آثارها. نظام تهيئة مجال معكوس 0 نظام تفريغ تصور الأشكال 2 و3 تخطيط لنظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10. يتضمن نظام تهيئة مجال معكوس 10 وعاء احتجاز مركزي 100 محاط باثنين من أجزاء تكوين ضاغط مجال ثيتا معكوسة متقابلة تماما 200 و» وراء أجزاء التكوين 200 اثنين من غرف محول 300 للتحكم في كثافة غرفة وتلويث بشوائب. تم تكوين نظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10 لملائمة التفريغ الفائق 5 وتعمل عند قيم ضغط أساسية مثالية بمقدار 10 * تور. تتطلب قيم ضغط التفريغ هذه استخدام الشفاة المتلاقية مزدوجة الضخ بين المكونات المتلاقية؛ حلقات ‎O‏ معدنية ‎ametal O-rings‏ جدران
داخلية عالية النقاء؛ بالإضافة إلى التهيئة السطحية الأولية المفيدة لكل أجزاء التجميعة؛ مثل التنظيف المادي والكيماوي المتبوع بخبز تحت تفريغ لمدة 24 ساعة 250 “م وتنظيف تفريغ لمعان الهيدروجين. كانت أجزاء تكوين ضاغط مجال ثيتا معكوسة 200 عبارة عن ثيتا-ضواغط معكوسة- معيارية المجال ‎¢(FRTPs) field-reversed-theta-pinches‏ على الرغم من نظام تكوين القدرة النبضية
‎pulsed power‏ المتقدم المذكور بالمزيد من التفاصيل أدناه (انظر الأشكال 4 خلال 6). يتم صنع كل قطاع تكوين 200 من أنابيب كوارتز ‎quartz‏ بدرجة صناعية معتمة والتي تبدي بطانة داخلية سمك 2 ملم من الكوراتز فائق النقاء. يتم صنع غرفة الاحتجاز 100 من الصلب المقاوم للصداً ‎stainless steel‏ للسماح بالعديد من الفتحات القطرية والتماسية؛ وهي تعمل أيضا كوسيلة حفظ
‏0 تدفق ‎flux comserver‏ على المقياس الزمني للاختبارات الموضح أدناه وتقوم بتقييد الانتقالات المغناطيسية ‎magnetic transients‏ السريعة. يتم تكوين عمليات التفريغ والحفاظ عليها داخل نظام تهيئة مجال معكوس 10 مع مجموعة من مضخات التخشين باللفائف الجافة ‎dry scroll roughing‏ ‎pumps‏ مضخات جزيئية توربينية ‎turbo molecular pumps‏ ومضخات 5 ‎.Cryo pumps‏ النظام المغناطيسي
‏5 .تم شرح النظام مغناطيسي 400 في الأشكال 2 و3. الشكل 2,؛ بين الخواص الأخرى ؛ يشرح تهيئة مجال معكوس تدفق مغناطيسي ومحيطات كثافة (كدوال على الاحداثيات القطرية والمحورية) التي تساهم في تهيئة مجال معكوس 450 القابلة للإنتاج بواسطة نظام تهيئة مجال معكوس 10. تم الحصول على هذه المحيطات بواسطة المحاكاة الرقمية ل 13211-ام اتش دي ‎MHD‏ المقاوم ثنائي الأبعاد باستخدام الكود المطور لمحاكاة أنظمة وطرق تناظر نظام تهيئة مجال معكوس 10؛
‏0 وتتوافق جيدا مع البيانات الاختبارية المقاسة. كما هو مبين في الشكل 2 يتكون تهيئة مجال معكوس 450 من طارة خطوط المجال المغلق عند الجزءٍ الداخلي 453 لتهيئة مجال معكوس 0 داخل فاصل ]45 ولطبقة حافة حلقية 456 على خطوط المجال المفتوح 452 خارج الفاصل 451. تلتقي طبقة الحافة 456 في الوحدات النفاثة 454 وراء طول تهيئة مجال معكوس؛ والتي تقوم بتوفير محول طبيعي.
‏5 يتضمن النظام المغناطيسي الأساسي 0 سلسلة من أشباه-ملفات ‎de‏ 412 414 و416 التي تمت ملائمنها عند مواضع محورية معينة على طول المكونات؛ أي» على طول غرفة الاحتجاز
0 أجزاء التكوين 200 والمحولات 300 لنظام تهيئة مجال معكوس 10. تتم تغذية أشباه - ملفات ‎de‏ 412 414 و416 بواسطة خطوط التزويد بقدرة تبديل أشباه-»ل وتنتج مجالات ميل مغناطيسية أساسية بمقدار حوالي 0.1 تسلا في غرفة الاحتجاز 100( أجزاء التكوين 200 والمحولات 300. بالإضافة إلى أشباه-ملفات ‎de‏ 412؛ 414 و416؛ يتضمن النظام المغناطيسي الأساسي 410 أشباه-ملفات ‎de‏ عاكسة 420 (المغذاة بواسطة خطوط التبديل) بين أي من أطراف غرفة الاحتجاز 100 وأجزاء التكوين المتجاورة 200. تقوم أشباه-ملفات ‎de‏ عاكسة 420 بتوفير نسب عاكسة مغناطيسية تصل إلى 5 ويمكن تزويدها بالطاقة بشكل مستقل من أجل التحكم في التشكيل المعاير. علاوة على ذلك؛ يتم تموضع السدادات العاكسة 440؛ بين كل من أجزاء التكوين 200 والمحولات 300. تتضمن السدادات العاكسة 440 أشباه-ملفات ‎de‏ عاكسة 0 مضغوطة 430 وملفات سدادية عاكسة 444. تتضمن أشباه-ملفات ‎de‏ عاكسة 430 ثلاثة ملفات 2 434 و436 (المغذاة بواسطة خطوط التبديل) التي تنتج مجالات توجيه إضافية لتركيز تمرير أسطح التدفق المغناطيسية 455 تجاه مسار القطر الصغير 442 خلال الملفات السدادية العاكسة 444. الملفات السدادية العاكسة 444؛ التي تلتف حول مسار القطر الصغير 442 وتتم تغذيتها بواسطة دارة قدرة نبضية ‎pulsed power circuitry‏ ال سي ‎(LC‏ تنتج مجالات مغناطيسية 5 عاكسة قوية تصل إلى 4 تسلا. الغرض من التجهيزة الكاملة للمف هي تجميع وتوجيه أسطح التدفق المغناطيسية 455 بشكل محكم ووحدات نفث بلازما ‎plasma jets‏ ذات تيار طرفي 454 في الغرف البعيدة 310 للمحولات 300. أخيراء يتم وضع مجموعة من "هوائيات" الملفات المرتكزة ‎saddle-coil “antennas”‏ 460 (انظر الشكل 15( خارج غرفة الاحتجاز 100( اثنين على كل جانب للمستوى المتوسط؛ وتتم تغذيتها بواسطة إمدادات قدرة ع0. يمكن تهيثة هوائيات الملفات 0 المرتكزة 460 لتوفير قطب ثنائي مغناطيسي شبه استاتيكي أو مجال ‎oly‏ القطب بمقدار حوالي 1 تسلا للتحكم في قيم عدم الثبات المنطقي و/أو التحكم في تيار الإلكترون. يمكن أن تقوم هوائيات الملفات المرتكزة 460 بشكل مرن بتوفير مجالات مغناطيسية إما متناظرة أو غير متناظرة حول المستوى الأوسط للماكينة؛ بشكل معتمد على إتجاه التيارات المسلطة. أنظمة تكوين قدرة نبضية 5 تعمل أنظمة تكوين القدرة النبضية 210 على ‎fase‏ ضاغط ثيتا المعدل ‎.modified theta-pinch‏ هناك اثنين من الأنظمة التي تقوم كل منها بتزويد القدرة إلى واحد من أجزاء التكوين 200. تشرح
الأشكال 4 إلى 6 عن كتل البناء الأساسية وتجهيز أنظمة التكوين 210. نظام التكوين 210 مكون من تجهيزة قدرة نبضية نموذجية ‎modular pulsed power‏ تتكون من الوحدات الفردية (-مزلقات) 220 والتي تقوم كلها بتوفير الطاقة إلى مجموعة ثانوية من الملفات 232 الخاصة بتجميعة شريطية 230 (-شرائط) التي تلتف حول أنابيب تكوين من الكوارتز 240. كل مزلق 220 مكون من مكثفات ‎capacitors‏ 221؛ محثات ‎inductors‏ 223« مفاتيح تيار عالية سريعة 5 ووسيلة البدء ‎trigger‏ ذات الصلة 222 ودارة تفريغ ‎dump circuitry‏ 224. إجمالاء يقوم كل نظام تكوين 210 بتخزين ما بين 400-350 كيلو جول من طاقة التكثيف؛ والتي تقوم بتوفير ما يصل إلى 35 جيجا واط من القدرة لتكوين وتسريع تهيئة مجال معكوس. يتم تحقيق التشغيل المتناسق لهذه المكونات عبر وسيلة بدء ونظام التحكم 222 و224 الخاص بالمجال الذي يسمح 0 بالتوقيت المتزامن بين أنظمة التكوين 210 على كل قطاع تكوين 200 ويقوم بتقليل تبديل وسيلة الإرسال إلى عشرات النانو ثانية. ووتمثل مزايا هذا التصميم النموذجي في التشغيل المرن: يمكن تكوين تهيئة مجال معكوس في الموقع وبالتالي يتم تسريعها وحقنها (-التكوين الاستاتيكي ‎Static‏ ‎(formation‏ أو الذي تم تكوينه وتسريعه في الوقت ذاته (-تكوين ديناميكي). وسائل حقن شعاع متعادل 5 يتم نشر الآشعة الذرية المتعادلة 600 على نظام تهيئة مجال معكوس 10 لتوفير التسخين والتشغيل الحالي بالإضافة إلى تطوير جسيم سريع الضغط ‎fast particle pressure‏ كما هو مبين في الأشكال 3؛ 3ب و8؛ تتضمن خطوط الشعاع الفردية أنظمة حقن شعاع ذري متعادل 610 و640 موضوعة حول غرفة الاحتجاز المركزية 100 وتقوم بحقن الجسيمات السربعة بشكل مماسي لبلازما تهيئة مجال معكوس (و عمودي أو عند زاوية طبيعية بالنسبة للمحور الأساسي 0 لللتناظر في وعاء الاحتجاز المركزي 100) مع متغير أثر ‎Jie‏ بحيث تقع ‎dilate‏ احتجاز الهدف ‎target trapping zone‏ داخل الفاصل 451 (انظر الشكل 2). كل نظام حاقن 610 و640 قادر على حقن ما يصل إلى 1 ميجاواط من قدرة الشعاع المتعادل في بلازما تهيئة مجال معكوس مع جسيم طاقات بين 20 و40 كيلو إلكترون فولط. تقوم الأنظمة 610 و640 على أساس مصادر استخلاص متعددة الفتحة إيجابية الأيون ‎fon‏ وتقوم باستخدام التركيز الهندسي ‎geometric‏ ‎focusing 5‏ التبريد الخامل لشبكات الاستخلاص الأيوني ‎extraction‏ 100 والضخ التمايزي ‎differential pumping‏ بعيدا عن استخدام مصادر البلازما المختلفة؛ يتم تمايز الأنظمة 610
و640 بشكل أساسي بواسطة التصميم المادي لها لتلبية مواضع التركيب المناظرة؛ والذي يؤدي إلى قدرات حقن جانبية وعلوية. تم شرح هذه المكونات المثالية لوسائل حقن شعاع متعادل هذه بشكل محدد في الشكل 7 لأنظمة الحقن الجانبية 610. كما هو مبين في الشكل 7 يتضمن كل نظام شعاع متعادل 610 فردي مصدر بلازما التردد اللاسلكي 612 عند طرف إدخال (ويتم استبدال هذا بمصدر قوس في الأنظمة 0) مع شاشة مغناطيسية ‎magnetic screen‏ 614 تقوم بتغطية الطرف ‎٠‏ يتم إقران مصدر أيون بصري ‎jon optical source‏ وشبكات تسارع ‎acceleration‏ ‎grids‏ 616 بمصدر البلازما 612 ويتم وضع صمام بوابي ‎gate valve‏ 620 بين مصدر الأيون البصري وشبكات التسارع 616 ووسيلة معادلة ‎neutralizer‏ 622. يتم وضع مغناطيس الاتحراف ‎deflection magnet‏ 624 ومخزن الأيون ‎jon dump‏ 628 بين وسيلة المعادلة 622 وجهاز 0 استهداف 630 عند طرف المخرج. يتضمن نظام تبريد اثنين من مبردات ‎cryo-refrigerators‏ ‏4 اثنين من ألواح تبريد ‎cryopanels‏ 636 وستار ‎shroud‏ ال ان 2 ‎LN2‏ 638. يسمح هذا
التصميم المرن بالعمل في مقابل نطاق واسع لمتغيرات تهيئة مجال معكوس. ثمة تهيئة بديلة لوسائل حقن الشعاع الذري المتعادل 600 هي تلك الخاصة بحقن الجسيمات السريعة بشكل مماسي لبلازما تهيئة مجال معكوس؛ ولكن مع زاوية م أقل من 290 نسبة إلى 5 المحور الأساسي للتناظر في وعاء الاحتجاز المركزي 100. تم توضيح هذه الأنواع من توجيه وسائل حقن الشعاع 615 في الشكل 3ج. علاوة على ذلك؛ يمكن توجيه وسائل حقن الشعاع 615 بحيث تقوم وسائل حقن الشعاع 615 على أي من جانبي المستوى المتوسط لوعاء الاحتجاز المركزي 100 بحقن جسيماتها تجاه المستوى المتوسط. أخيراء الموضع المحوري لأنظمة الشعاع 0 هذه بشكل أقرب للمستوى المتوسط. تقوم نماذج الحقن المشابهة بتسهيل عملية التزويد 0 بالوقود المركزية؛ والتي تقوم بتوفير إقران أفضل للآشعة واحتجاز أعلى فعالية للجسيمات السريعة المحقونة. علاوة على ذلك؛ بشكل معتمد على الزاوية والموضع المحوري؛ يسمح تجهيز وسائل حقن الشعاع 615 بالمزيد من التحكم المباشر والمستقل للإطالة المحورية وغيرها من خواص تهيئة مجال معكوس 450. ‎Ole‏ حقن الآشعة عند زاوية ‎A‏ ضحلة نسبة إلى المحور الأساسي للوعاء للتناظر وهو ما يقوم بتكوين بلازما تهيئة مجال معكوس مع تمديد محوري أطول وتقليل درجة 5 حرارة مع زاوية عمودية ‎STA‏ تؤدي إلى بلازما أقصر ولكنها أسخن بشكل محوري. بهذه الطريقة يمكن تحسين زاوية الحقن ‎A‏ وموضع وسائل حقن الشعاع 615 من أجل الأغراض المختلفة.
علاوة على ذلك» يمكن أن تسمح عملية تحديد الزاوية هذه وتموضع وسائل حقن الشعاع 615 للآشعة ذات الطاقة الأعلى (والتي تكون أفضل بشكل عام لتحديد المزيد من القدرة مع تحويل أقل للشعاع) ليتم حقنها في مجالات مغناطيسية أقل مما قد يكون ‎Lys yin‏ لاحتجاز هذه الآشعة. وسوف يكون هذا ناتجا عن حقيقة أنه هو المكون السمتي للطاقة والتي تقوم بتحديد مقياس مسار الأيون السريع ‎fast ion orbit‏ (والتي يمكن أن تكون أصغر بشكل متقدم حيث يتم تقليل زاوية الحقن ‎injection angle‏ نسبة إلى المحور أ لأساسي للوعاء للتناظر عند طاقة شعاع ثابتة ‎constant‏ ‎(beam energy‏ علاوة على ذلك؛ يقوم الحقن الموجه بزاوية تجاه المستوى المتوسط ومع مواضع أشعة محورية ‎du‏ من المستوى المتوسط بتحسين إقران شعاع-بلازما ‎<beam-plasma coupling‏
حتى تنكمش بلازما تهيئة مجال معكوس أو تتكمش محوريا أثناء فترة الحقن.
0 بالعودة إلى الأشكال 3د و3ه؛ تتضمن تهيئة بديلة أخرى لنظام تهيئة مجال معكوس 10 المحولات الداخلية 302 بالإضافة إلى وسائل حقن الشعاع الموجهة بزاوية 615. يتم تموضع المحولات الداخلية 302 بين أجزاء التكوين 200 وغرفة الاحتجاز 100( وتتم تهيئتها وتعمل أساسا بشكل مشابه للمحولات الخارجية 300. سوف تكون المحولات الداخلية 302( التي تتضمن ملفات التبديل المغناطيسي ‎switching magnetic coils‏ السريع ‎Lua‏ غير نشطة أثناء عملية التكوين للسماح
‎gil 5‏ مجال معكوس للتكوينات لتمر خلال المحولات الداخلية 302 حتى تمر تهيئة مجال معكوس للتكوينات تجاه المستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز 100. بمجرد مرور تهيئة مجال معكوس للتكوينات خلال المحولات الداخلية 302 في غرفة الاحتجاز 100 يتم تنشيط المحولات الداخلية لتعمل أساسا بشكل مشابه للمحولات الخارجية وتعزل غرفة الاحتجاز 100 من أجزاء التكوين 200.
‏20 وسيلة حقن كريات لتوفير وسيلة حقن جسيمات جديدة وجسيم تهيئة مجال معكوس ذات تحكم أفضل؛ يتم استخدام وسيلة حقن كريات ذات 12 برميل 700 (انظر ‎I.
Vinyar et al, “Pellet Injectors Sia‏ ‎Developed at PELIN for JET, TAE, and HL-2A,” Proceedings of the 26" Fusion‏ ‎(Science and Technology Symposium, 09/27 to 10/01 (2010)‏ على نظام تهيئة مجال
‏5 معكوس 10 يشرح الشكل 3 تصميم وسيلة حقن الكريات 700 على نظام تهيئة مجال معكوس 0. يتم حقن الكريات الاسطوانية ‎D)‏ - 1 ملم؛ ‎L‏ - 1 - 2 ملم) في تهيئة مجال معكوس مع
سرعة في ‎Glas‏ 150 - 250 كيلو متر/ثانية. تحتوي كل كرية فردية على حوالي 1075 ذرات هيدروجين ‎chydrogen‏ والتي تقارن ببيان جسيم تهيئة مجال معكوس. أنظمة امتصاص الشوائب سوف يكون معروفا أن غاز هالو متعادل عبارة عن مشكلة حرجة في كل أنظمة الاحتجاز. يمكن أن تتضمن عمليات تبديل الشحنة وإعادة التدوير (إطلاق مادة الشوائب الباردة من الجدار) أثر مدمر على طاقة وجسيم احتجاز. علاوة على ذلك سوف تؤدي أي كثافة ملحوظة للغاز المتعادل ‎neutral gas‏ عند أو بالقرب من الحافة إلى الفقد المحتمل ل أو على الأقل جسيمات المسار الكبيرة المحقونة المقطوعة بشكل حاد (عالية الطاقة) (يشير المسار الكبير إلى جسيمات تتضمن مسارات على مقياس توبولوجيا تهيئة مجال معكوس أو على الأقل أقطار مسار ولكنها أكبر من مقياس 0 طول تدريج المجال المغناطيسي المميز) -حقيقة أنها ضارة لكل تطبيقات البلازما الخاصة بالطاقة؛ شاملة انتشار عبر تسخين الشعاع الإضافي. التهيئة السطحية عبارة عن وسيلة بواسطتها يمكن التحكم في أو تقليل الأثر الضار للغاز المتعادل والشوائب في نظام الاحتجاز. يقوم هذا النظام تهيئة مجال معكوس 10 الطرفي المقدم هنا باستخدام أنظمة ترسيب تيتانيوم وليثيوم 810 و820 التي تغطي الأسطح المقابلة للبلازما لغرفة 5 الاحتجاز (أو وعاء) 100 والمحولات 300 و302 مع أغشية (بسمك عشرات الميكرومتر) من التيتانيوم و/أو الليثيوم. يتم تحقيق الطلاءات عبر تقنيات ترسيب البخار. يتم تبخير و/أو تصعيد الليثيوم و/أو التيتانيوم الصلب وترذيذها على الأسطح القرببة لتكوين الطلاءات. المصادر عبارة عن أفران ذرية ذات فوهات توجيه (في ‎Alls‏ الليثيوم) 822 أو كريات مسخنة من المادة الصلبة مع ستائر توجيه ‎guide shrouding‏ (في حالة التيتانيوم) 2. تعمل أنظمة تبخير ‎evaporator‏ ‎systems 0‏ الليثيوم بشكل مثالي في وضع مستمر بينما يتم تشغيل وسائل تصعيد ‎sublimators‏ ‏التيتانيوم بشكل مثالي بشكل متقطع بين عمليات البلازما. درجات حرارة التشغيل لهذه الأنظمة أكبر من 600 2° للحصول على معدلات الترسيب السريع. لتحقيق التغطية الجدارية الجيدة؛ هناك العديد من أنظمة التبخير/التصعيد الموضوعة بشكل استراتيجي ضرورية. يقوم الشكل 9 بتوضيح تجهيزة مفضلة ل أنظمة ترسيب لامتصاص الشوائب 810 و820 في نظام تهيئة مجال معكوس 5 10. تعمل الطلاءات كأسطح امتصاص الشوائب ويفاعلية لأنواع ضخ ذرية ‎atomic‏ وهيدروجينية
جزيئية ‎H) molecular hydrogenic‏ و0). تقوم الطلاءات أيضا بتقليل الشوائب المثالية الأخرى ‎Jie‏ مستويات الكربون ‎Carbon‏ والأوكسيجين ‎Oxygen‏ غير الملحوظة. السدادات العاكسة كما هو مذكور أعلاه؛ يقوم نظام تهيئة مجال معكوس 10 باستخدام مجموعات من الملفات العاكسة 420 430؛ و444 كما هو مبين في الأشكال 2 و3. يتم وضع مجموعة أولى من الملفات العاكسة 420 عند اثنين من الأطراف المحورية لغرفة الاحتجاز 100 ويتم تزويدها بالطاقة بشكل مستقل من ملفات محول وتكوين احتجاز دي سي ‎DC‏ 412 414 و416 من النظام المغناطيسي الأساسي 410. تساعد المجموعة الأولى من الملفات العاكسة 420 بشكل أساسي في توجيه واحتواء تهيئة مجال معكوس 450 محوريا أثناء الدمج وتقوم بتوفير التحكم في 0 تشكيل المعايرة أثناء الاستدامة. تقوم مجموعة الملف العاكسة الأولى 420 بإنتاج مجالات مغناطيسية أعلى اسميا (حوالي 0.4 إلى 0.5 تسلا) من مجال الاحتجاز المركزي الناتج بواسطة ملفات الاحتجاز المركزي 412. يتم وضع المجموعة الثانية من الملفات العاكسة 430؛ التي تضمن ثلاثة أشباه-ملفات ‎de‏ عاكسة مضغوطة 432 434 و436؛ بين أجزاء التكوين 200 والمحولات 300 وبتم تشغيلها بواسطة التبديل الشائع لمصدر القدرة مصدر قدرة. الملفات العاكسة 5 432 4365434 بالإضافة إلى أن ملفات سدادية عاكسة نبضية مضغوطة 444 (المغذاة بواسطة مصدر قدرة سعوية) والجزء المادي الضيق 442 تشكل السدادات العاكسة 440 التي تقوم بتوفير مسار توصيل غاز منخفض ضيق له مجالات مغناطيسية عالية جدا (بين 2 إلى 4 تسلا مع زيادة الأوقات بمقدار حوالي 10 إلى 20 مل ثانية). تتمتع الملفات العاكسة النبضية العكسية 4 بأبعاد قطرية مضغوطة؛ ثقب بمقدار 20 سم وطول مشابه؛ مقارنة بثقب قياس زائد متر 0 وتصميم على شكل فطيرة لملفات الاحتجاز 412 414 و416. تتم مضاعفة غرض السدادات العاكسة 440: (1) تقوم الملفات 432 434 436 و444 بشكل محكم بتجميع وتوجيه أسطح التدفق المغناطيسية 452 ووحدات نفث بلازما ذات تيار طرفي 454 في غرف المحول البعيدة 0. وهذا ما يضمن أن جسيمات العادم تصل إلى المحولات 300 بشكل مناسب والتي تكون عبارة عن أسطح التدفق 455 المستمرة التي تمتد من منطقة خط المجال المفتوح 452 لتهيئة 5 مجال معكوس المركزي 450 على طول الطريق إلى المحولات 300. (2) الأجزاء المادية الضيقة 2 في نظام تهيئة مجال معكوس 10؛ خلال هذه الملفات 432 434 436 و444 تسمح
بمرور أسطح التدفق المغناطيسية 452 ويلازما الوحدات ‎LL‏ 454؛ وتعطي معاوقة لمعادلة تدفق الغاز من مدافع البلازما 350 المتمركزة في المحولات 300. في نفس السياق؛ تقوم الأجزاء الضيقة 442 بمنع تيار الغاز العائد من أجزاء التكوين 200 إلى المحولات 300 وبالتالي تقليل عدد الجسيمات المتعادلة التي يتم إدخالها في نظام تهيئة مجال معكوس الكامل 10 عند توصيل بدء تهيئة مجال معكوس. (3) تقوم العواكس المحورية القوية الناتجة بواسطة الملفات 432 434؛ 6 و 444 بتقليل قيم الفقد في الجسيم المحوري وبالتالي تقليل انتشار الجسيم الموازي على خطوط المجال المفتوح. في التهيئة البديلة المبينة في الأشكال 3د و3ه؛ مجموعة من سمات ملفات متداخلة ‎necking‏ ‎coils‏ منخفضة 421 عبارة عن مواضع بين المحولات الداخلية 302 وقطاعات التكوين 200. 0 مدافع البلازما المحورية يقصد بتيارات البلازما من المدافع 350 التي تم تركيبها في غرف المحول 310 للمحولات 300 تطوير ثبات وأداء الشعاع. يتم تركيب المدافع 350 على محور داخل الغرفة 310 للمحولات 300 كما هو مبين في الأشكال 3 و10 وتقوم بإنتاج البلازما المتدفقة على طول خطوط التدفق المفتوح 2 في المحول 300 وتجاه مركز غرفة الاحتجاز 100. تعمل المدافع 350 عند تفريغ غاز 5 عالي الكثافة في قناة مجمعة بوردة ومصممة لتوليد العديد من الكيلو أمبير ‎kiloampere‏ من البلازما كاملة التأين لمدة 5 إلى 10 مل ثانية. تتضمن المدافع 350 ملفات مغناطيسية نبضية والتي تتوافق مع خرج تيار البلازما مع الحجم المطلوب للبلازما في غرفة الاحتجاز 100. تتسم المتغيرات التقنية للمدافع 350 بقناة تتضمن قطر خارجي 5 إلى 13 سم وما يصل إلى حوالي 10 سم قطر داخلي وتعطي تيار تفريغ بمقدار 15-10 كيلو أمبير عند 600-400 فولط مع مجال 0 مغناطيسي داخلي للمدفع بمقدار بين 0.5 إلى 2.3 تسلا. يمكن أن تقوم تيارات مدفع البلازما باختراق المجالات المغناطيسية للسدادات العاكسة 440 وتتدفق في قطاع التكوين 200 وغرفة الاحتجاز 100. تزيد فعالية نقل البلازما خلال السدادة العاكسة 0 مع تقليل المسافة بين المدفع 350 والسدادة 440 وبواسطة جعل السدادة 440 أوسع وأقصر. في الظروف المنطقية؛ يمكن أن تقوم المدافع 350 بتوصيل ‎Luis‏ تقريبا 107 فوتون/ثانية خلال 5 السدادات العاكسة 440 بقوة 2 إلى 4 تسلا مع درجات حرارة الكترونات ‎Electrons‏ عالية الأيون بمقدار حوالي 150 إلى 300 إلكترون فولط وحوالي 40 إلى 50 إلكترون فولط؛ على التوالي. تقدم
المدافع 350 إعادة التزويد بالوقود القوية لطبقة حافة تهيئة مجال معكوس 456؛ وجسيم احتجاز
تهيئة مجال معكوس الكلي المحسن.
لزيادة شدة البلازماء يمكن استخدام صندوق ‎gle‏ لنفخ الغاز الإضافي في تيار البلازما من
المدافع 350. تسمح هذه التقنية بزيادة بمقدار عدة أضعاف في شدة البلازما المحقونة. في نظام
تهيئة مجال معكوس 10( يقوم صندوق غازي تم تركيبه على جانب المحول 300 من السدادات
العاكسة 440 بتحسين إعادة التزويد بالوقود لطبقة حافة تهيئة مجال معكوس 456؛ تكوين تهيئة
مجال معكوس 450؛ وخط ربط البلازما.
باعتبار كل متغيرات التعديل المذكورة أعلاه وأيضا باعتبار أن العملية التي تتضمن واحد فقط أو
كل من المدافع ممكنة؛ من الواضح أن هناك طيف واسع من أوضاع التشغيل التي يمكن تحقيقها. 0 إلكترودات استقطاب ‎Biasing Electrodes‏
يمكن أن تقوم الإمالة الكهربية لأسطح التدفق المفتوحة بتوفير قدرات قطرية والتي تعطي حركة
8 سمتية ‎lly azimuthal‏ تعطي آلية تحكم»؛ مناظرة لحركة لف ‎(ashe‏ للتحكم في دوران خط
بلازما المجال المفتوح بالإضافة إلى لب تهيئة مجال معكوس الفعلي 450 عبر القص السريع
‎shear‏ لوازعماء». لتحقيق التحكم؛ يقوم نظام تهيئة مجال معكوس 10 باستخدام العديد من 5 إلكترودات موضوعة استراتيجيا في العديد من أجزاء الماكينة. يصور الشكل 3 إلكترودات
‏استقطاب متموضعة عند مواضع مفضلة داخل نظام تهيئة مجال معكوس 10.
‏من حيث المبداً؛ هناك 4 فئات إلكترود: )1( إلكترودات نقطية 905 في غرفة الاحتجاز 100
‏تتلامس مع خطوط المجال المفتوح 452 معينة في حافة تهيئة مجال معكوس 450 لتوفير الشحن
‏الموضعي؛ (2) إلكترودات حلقية 900 بين غرفة الاحتجاز 100 وأجزاء التكوين 200 لشحن 0 طبقات تدفق بعيدة عن الحافة ‎far-edge flux layers‏ 456 بطريقة متناظرة السمت؛ (3) طبقات
‏من إلكترودات 910 مشتركة المركز في المحولات 300 لشحن العديد من طبقات التدفق مشتركة
‏المركز 455 (بالتالي يكون اختيار الطبقات قابل للتحكم فيه بواسطة تعديل الملفات 416 لتعديل
‏المحول مجال مغناطيسي لإنهاء طبقات التدفق 456 المطلوية على الإلكترودات 910 المناسبة)؛
‏وأخيرا (4) الآنودات 920 (انظر الشكل 10) من مدافع البلازما 350 نفسها (والتي تتقاطع مع 5 أسطح التدفق الداخلية المفتوحة 455 القريبة من فاصل تهيئة مجال معكوس 450). تبين الأشكال
‏0 و11 بعض التصاميم المثالية لها.
في كل الحالات يتم تشغيل هذه الإلكترودات بواسطة المصادر النبضية أو مصادر قدرة ‎de‏ عند قيم فولطية تصل إلى حوالي 800 فولط. بشكل معتمد على حجم الإلكترود وأي أسطح التدفق ‎cdl all‏ يمكن سحب التيارات في نطاق كيلو أمبير. التشغيل غير المستديم لنظام تهيئة مجال معكوس - النظام التقليدي يقوم تكوين البلازما المعيارية على نظام تهيئة مجال معكوس 10 بإتباع تقنية ضاغط ثيتا معكوس المجال المطورة جيدا. وهي عملية مثالية لبدء تهيئة مجال معكوس والتي تبداً بواسطة تشغيل أشباه-ملفات ‎de‏ 412 414 416 420 432 434 و436 للتشغيل في الحالة الثابتة. تقوم دارات القدرة النبضية ثيتا: ضواغط معكوسة-معيارية المجال لأنظمة تكوين القدرة النبضية 210 بالتالي بتشغيل ملفات مجال المغناطيس العكسي السريع النبضي 232 لتكوين ميل عكسي مؤقت 0 ببمقدار حوالي -0.05 تسلا في أجزاء التكوين 200. عند هذه النقطة يتم حقن مقدار محدد سلفا من الغاز المتعادل عند 20-9 رطل/بوصة مريعة في اثنين من أحجام التكوين المحددة بواسطة غرف أنبوب الكوارتز 240 لأجزاء التكوين 200 (الشمالية والجنوبية) عبر مجموعة من صمامات النفخ الموجهة سمتيا عند شفاه موضوعة على الأطراف الخارجية لأجزاء التكوين 200. بعد ذلك يتم توليد مجال تردد لاسلكي صغير (- مئات الكيلو هرتز) من مجموعة من هوائيات على سطح 5 أنابيب الكوارتز 240 لتكوين التأين المسبق في صورة مناطق تأين بذرة موضعية داخل أعمدة الغاز المتعادل. وهذا متبوع بواسطة تنفيذ تضمين حلقات ثيتا على التشغيل الحالي لملفات مجال المغناطيس العكسي السريع النبضي 232؛ والذي يؤدي إلى المزيد من التأين العالمي المسبق لأعمدة الغاز. ‎chal‏ يتم تشغيل بنوك القدرة النبضية الأساسية لأنظمة تكوين القدرة النبضية 210 لتشغيل ملفات مجال مغناطيس معكوس نبضي سريع 232 لتكوين مجال موجه للأمام يصل إلى 0 04 تسلا. يمكن أن تكون هذه الخطوة عبارة عن متوالية زمنية بحيث يتم توليد المجال الموجه للأمام بشكل متجانس على طول أنابيب التكوين 240 (التكوين الاستاتيكي) أو بحيث يتم تحقيق تضمين التمعجي التتابعي ‎peristaltic field modulation‏ على طول محور أنابيب التكوين 240 (تكوين ديناميكي). في عملية التكوين كاملة؛ يتم عكس المجال الفعلي في البلازما بسرعة؛ في حوالي 5 ميكرو ثانية. 5 تقوم القدرة النبضية بقدرة عدة جيجا واط ‎multi-gigawatt‏ التي تم توصيلها لتكوين بلازما بإنتاج تهيئة مجال معكوس ساخنة والتي يتم إخراجها بالتالي من أجزاء التكوين 200 عبر تطبيق إما
التضمين المتسلسل بالزمن للمجال المغناطيسي الأمامي (التمعج المغناطيسي | ‎magnetic‏ ‎(peristalsis‏ أو التيارات الزائدة بشكل مؤقت في ‎HAT‏ ملفات من مجموعات الملفات 232 بالقرب من الأطراف الخارجية المحورية لأنابيب التكوين 210 (تكوين تدريج مجال مغناطيسي محوري والذي يشير محوريا تجاه غرفة الاحتجاز 100). يمتد اثنين من (الشمالية والجنويية) تكوينات تهيئة مجال معكوس المكونة والمسرعة وبالتالي تمتد في غرفة الاحتجاز ذات القطر الأكبر 100؛ حيث تقوم أشباه-ملفات عل 412 بإنتاج مجال موجه للأمام للتحكم في التمدد القطري وتقوم بتوفير التدفق المغناطيسي ‎magnetic flux‏ الخارجي للمعايرة. بمجرد وصول ‎lings‏ تهيئة مجال معكوس الشمالية والجنوبية بالقرب من المستوى الأوسط لغرفة الاحتجاز 100؛ تتصادم تهيئة مجال معكوس. أثناء التصادم يتم علاج طاقات الحركية المحورية 0 لتكوينات تهيئة مجال معكوس الشمالية والجنوبية حراريا حيث تندمج تهيئة مجال معكوس بشكل مطلق في تهيئة مجال معكوس 450 فردية. هناك مجموعة كبيرة من تشخيصات البلازما متاحة في غرفة الاحتجاز 100 لدراسة توازن تهيئة مجال معكوس 450. تقوم ظروف التشغيل المثالية في نظام تهيئة مجال معكوس 10 بإنتاج مركبات تهيئة مجال معكوس مع أقطار فاصل بمقدار حوالي 0.4 متر وحوالي 3 متر امتداد محوري. هناك خواص أخرى عبارة عن مجالات مغناطيسية 5 خارجية بمقدار حوالي 0.1 تسلاء قيم شدة البلازما حوالي 1075 متر * ودرجة حرارة البلازما الكلية تصل إلى 1 كيلو إلكترون فولط. بدون أي استدامة؛ أي؛ لم يقم التسخين و/أو التشغيل ‎Ja‏ عبر حقن شعاع متعادل أو وسيلة إضافية أخرى؛ تم تقييد عمر تهيئة مجال معكوس هذه بحوالي 1 مل ثانية؛ وقت تهيئة التحلل المميزة الداخلية. البيانات الاختبارية للتشغيل غير المستديم - النظام التقليدي 0 ريبين الشكل 12 نشوء الزمن المثالي لقطر التدفق المستبعد؛ ‎rae‏ والذي يقترب من قطر الفاصل؛ ‎ary‏ لشرح الخواص الديناميكية لعملية دمج ضاغط ثيتا لتهيئة مجال معكوس 450. يتم إنتاج اثنين من (الشمالية والجنوبية) البلازمويدات الفردية آنيا وبالتالي تسريع أجزاء التكوين 200 المناظرة عند سرعة فوق صوتية؛ ‎vz‏ ~ 250 كيلو ‎dnl jie‏ وتتصادم بالقرب من المستوى الأوسط عند ‎=z‏ ‏0. أثناء التصادم تنضغط البلازمويدات محوريا؛ متبوعا بالتمدد القطري والمحوري السريع؛ قبل 5 الاندماج الأخير لتكوين تهيئة مجال معكوس 450. كل من الخواص الديناميكية القطرية والمحورية
لتهيئة مجال معكوس 450 المدمجة عبارة عن أدلة تقوم عليها قياسات الكثافة المفصلة وتوموجرافيا
قائمة على أساس مقياس الإشعاع ‎-bolometer‏
تم توضيح البيانات من تفريغ تمثيلي غير مستديم لنظام تهيئة مجال معكوس 10 لدوال الزمن في
الأشكال 13 13ب؛ 13ج و13د. تم بدء تهيئة مجال معكوس عند زمن = 0. تم توضيح قطر
التدفق المستبعد عند المستوى المتوسط المحوري للماكينة في الشكل 13أ. يتم الحصول على هذه
البيانات من مصفوفة من مسابير مغناطيسية؛ موضوع فقط داخل جدار الصلب المقاوم للصداً
لغرفة الاحتجاز؛ والذي يقيس المجال المغناطيسي المحوري. الجدار الصلب عبارة عن وسيلة حفظ
تدفق جيدة على المقاييس الزمنية لهذا التفريغ.
تم توضيح قيم الشدة المدمجة خطيا في الشكل 13ب؛ من مقياس تداخل ‎NemCOx/He‏ ذو ست 0 أسلاك موضوع عند 2 = 0. باعتبار إزاحة ‎(y)‏ تهيئة مجال معكوس عمودية؛ المقاس بواسطة
توموجرافيا قياس الإشعاع ‎cbolometric tomography‏ تقوم نواتج تحويل ‎Abel‏ بإعطاء محيطات
كثافة وفقا للأشكال 3ح. بعد بعض الخض ‎sloshing‏ المحوري والقطري أثناء أول 0.1 مل ثانية؛
يستقر تهيئة مجال معكوس مع سمات منخفضة الكثافة. هذه السمات مسطحة بشكل انسيابي؛ مع
كثافة أساسية على محورء كما هو مطلوب بواسطة معايرة تهيئة مجال معكوس مثالية ثنائية 5 الأبعاد.
تم توضيح درجة حرارة البلازما الكلية في الشكل 13د؛ المشتقة من توازن الضغط وتتكون كليا
بواسطة تشتيت ‎Thomson‏ والقياسات الطيفية.
يشير تحليل مصفوفة التدفق المستبعد ‎LIS‏ إلى أن شكل تهيئة مجال معكوس فاصل (المقربة
بواسطة السماح المحورية للتدفق المستبعد) يتطور تدريجيا من مسار إلى شكل بيضاوي. هذا 0 النشوء؛ المبين في الشكل 14( متوافق مع إعادة التوصيل المغناطيسي التدريجي من تهيئة مجال
معكوس ثنائي إلى فردي. بالفعل؛ تشير التقديرات الصلبة إلى أنه في هذه الحالة المعينة حوالي
0 من اثنين من التدفقات المغناطيسية تهيئة مجال معكوس الأولية تقوم بإعادة الاتصال أثناء
التصادم .
ينكمش طول تهيئة مجال معكوس بشكل ثابت من 3 إلى حوالي 1 متر أثناء عمر تهيئة مجال 5 معكوس. يشير هذا الانكماش؛ المرئي في الشكل 14؛ إلى أن فقد طاقة الحمل بشكل أكثر احتجاز
تهيئة مجال معكوس. حيث تقل بلازما الضغط داخل الفاصل بشكل أسرع من الضغط المغناطيسي
الخارجي؛ يقوم شد خط المجال المغناطيسي في المناطق الطرفية بضغط تهيئة مجال معكوس
‎(bone‏ باستعادة المعايرة المحورية والقطرية. بالنسبة للتفريغ المذكور في الأشكال 14513( يقل
‏تدفق تهيئة مجال معكوس مغناطيسي؛ بيان جسيم؛ والطاقة الحرارية ‎thermal energy‏ (حوالي 10
‏70ه» 107 ‎clara‏ و7 كيلو جول؛ على التوالي) بواسطة حجم في المللي ثانية الأولى؛
‏5 عندما تكون هناك معايرة تهيئة مجال معكوس للانخساف.
‏عملية مستديمة - نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء
‏تقوم الأمثلة في الأشكال 12 إلى 14 بتمييز تحليل تهيئة مجال معكوس بدون أي استدامة. مع
‏ذلك؛ يتم استخدام تقنيات متعددة على نظام تهيئة مجال معكوس 10 لتحسين احتجاز تهيئة مجال
‏معكوس بشكل أكبر (لب داخلي وطبقة حافة) إلى نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء واستدامة 0 تهيئة.
‏الأآشعة المتعادلة
‏أولاء يتم حقن الذرات المتعادلة السريعة ‎(H)‏ بشكل عمودي على ‎AB,‏ آشعة من ثماني وسائل
‏حقن شعاع متعادل 600. يتم حقن آشعة الذرات المتعادلة السريعة من لحظة دمج تكوينات تهيئة
‏مجال معكوس الشمالية والجنوبية في غرفة الاحتجاز 100 في تهيئة مجال معكوس 450 واحد. تتضمن الأيونات السريعة؛ المكونة بشكل أساسي بواسطة استبدال الشحنة؛ مسارات بيتاترون
‎betatron‏ (مع أقطار أساسية على مقياس توبولوجيا تهيئة مجال معكوس أو على الأقل ولكنها
‏أكبر من مقياس طول تدريج المجال المغناطيسي المميز) التي تضيف إلى التيار السمتي
‎azimuthal current‏ لتهيئة مجال معكوس 450. بعد ‎ed‏ من التفريغ (بعد 0.5 إلى 0.8 مل ثانية
‏في الطلقة)» تقوم مجموعة أيونية سريعة كبيرة بشكل ملحوظ بتحسين ثبات تهيئة مجال معكوس الداخلي وخواص الاحتجاز (انظر مثا ‎M.W.
Binderbauer and N.
Rostoker, Plasma Phys.‏
‎part 3, 451 (1996)‏ ,56( علاوة على ذلك؛ من منظور الاستدامة؛ الآشعة من وسائل حقن
‏الشعاع المتعادل 600 هي أيضا الوسيلة الأساسية لتشغيل التيار وتسخين بلازما تهيئة مجال
‏معكوس.
‏في نظام البلازما لنظام تهيئة مجال معكوس 10( تقوم الأيونات السريعة أساسا بالإبطاء على 5 إلكترونات البلازما. أثناء الجزء المبكر للتفريغ؛ هناك أيونات سريعة لإبطاء متوسط الدوران المثالي
‏بمقدار 0.3 - 0.5 مل ثانية؛ والتي تؤدي إلى تسخين تهيئة مجال معكوس ملحوظ بشكل أساسية
بسبب الإلكترونات. تقوم الأيونات السريعة بعمل ضوضاء قطرية كبيرة خارج الفاصل بسبب مجال تهيئة مجال معكوس مغناطيسي داخلي منخفض بشكل كامن (حوالي 0.03 تسلا على متوسط مجال محوري خارجي بمقدار 0.1 تسلا). قد تكون الأيونات السريعة عرضة لشحن فقد التبادل؛ إذا كانت كثافة الغاز المتعادل عالية جدا خارج الفاصل. بالتالي؛ امتصاص شوائب الجدار وغير من التقنيات (مثل مدفع البلازما 350 والسدادات العاكسة 440 التي تساهم؛ من بين أشياء أخرى؛ في التحكم في الغاز) المستخدم على نظام تهيئة مجال معكوس 10 يميل إلى تقليل الذرات المتعادلة الطرفية وتتيح التراكم المطلوب لتيار الأيون السريع. حقن الكرية عند تراكم مجموعة الأيون السريعة الملحوظة داخل تهيئة مجال معكوس 450؛ مع إلكترونات 0 أعلى في الحرارة وعمر تهيئة مجال معكوس أطول؛ يتم حقن كريات ‎H‏ أو ‎D‏ المجمدة في تهيئة مجال معكوس 450 من وسيلة حقن الكريات 700 لاستدامة بيان جسيم تهيئة مجال معكوس لتهيئة مجال معكوس 450. المقاييس الزمنية لنزع المتوقع قصيرة بشكل مناسب لتوفير مصدر جسيم تهيئة مجال معكوس ملحوظ. يمكن زيادة هذا المعدل بواسطة تكبير مساحة سطح القطعة المحقونة بواسطة تكسير الكرية الفردية في شظايا أصغر بينما في البراميل أو أنابيب حقن وسيلة 5 حقن الكريات 700 وقبل دخول غرفة الاحتجاز 100 يمكن تحقيق خطوة بواسطة زيادة الاحتكاك بين الكرية والجدران لأنبوب الحقن بواسطة تضييق قطر الثنية للجزء الأخير لأنبوب الحقن قبل الدخول في غرفة الاحتجاز 100. بواسطة تغيير متوالية الإطلاق ومعدل 12 برميل (أنابيب الحقن) بالإضافة إلى التشظي؛ من الممكن ضبط نظام حقن الكرية 700 لتوفير المستوى المطلوب فقط من بيان استدامة الجسيم. بدوره؛ يقوم هذا بالمساعدة في الضغط الداخلي الحركي في تهيئة 0 مجال معكوس 450 وعملية مستديمة وعمر تهيئة مجال معكوس 450. بمجرد قيام الذرات المنزوعة بمواجهة البلازما الملحوظة في تهيئة مجال معكوس 450؛ سوف تكون متأينة كليا. يتم تسخين مكون البلازما البارد الناتج بالتالي بشكل تصادمي بواسطة بلازما تهيئة مجال معكوس الداخلي. يتم توفير الطاقة الضرورية اللازمة للحفاظ على درجة حرارة تهيئة مجال معكوس اللازمة بشكل مثالي بواسطة وسائل حقن الشعاع 600. في هذا المنطق وسائل 5 حقن الكرية 700 بالإضافة إلى نظام تكوين وسائل حقن الشعاع المتعادل 600 والذي يقوم بالحفاظ على حالة ثابتة وتقوم باستدامة تهيئة مجال معكوس 450.
وسيلة حقن حلقية مضغوطة كبديل لوسيلة حقن الكريات؛ يتم توفير وسيلة حقن حلقية مضغوطة؛ بشكل أساسي لإعادة تغذية الوقود إلى بلازما مجال-تهيئة معكوسة (تهيئة مجال معكوس). تتضمن وسيلة حقن حلقية مضغوطة 720 مدفع بلازما مشتركة المحور ممغنطة ‎magnetized coaxial plasma-gun‏ (4©00)؛ والتي؛ كما هو مبين في الأشكال 22 و22ب؛ إلكترودات داخلية وخارجية اسطوانية مشتركة المحور 7245722 ملف ميل متموضع ‎Jah‏ الإلكترود الداخلي 726 وفاصل كهربي ‎electrical break‏ 728 على التفريغ الطرفي المقابل لوسيلة حقن حلقية مضغوطة 720. يتم إدخال الغاز خلال فتحة حقن الغاز ‎Gas‏ 730 في فراغ بين الإلكترودات الداخلية والخارجية 722 و724 ويتم توليد بلازما شبيهة ب ‎Spheromak‏ منها بواسطة التفريغ والاندفاع من المدفع بواسطة قوة ‎Lorentz 0‏ كما هو مبين في الأشكال 23 235« يتم إقران زوج من وسائل حقن حلقية مضغوطة 0 بوعاء الاحتجاز 100 بالقرب من وعلى جوانب متقابلة من المستوى المتوسط للوعاء 100 لحقن حلقية مضغوطة في بلازما تهيئة مجال معكوس المركزي داخل وعاء الاحتجاز 100. يتم توجيه طرف التفريغ لوسائل حقن حلقية مضغوطة 720 تجاه المستوى المتوسط لوعاء الاحتجاز 0 عند زاوية إلى المحور الطولي لوعاء الاحتجاز 100 بشكل مشابه لوسائل حقن الشعاع 5 المتعادل 615. في نموذج بديل؛ تتضمن وسيلة حقن حلقية مضغوطة 720( كما هو مبين في الأشكال 24 24« أنبوب ‎drift tube dal)‏ 740 يتضمن أنبوب اسطواني مطول مقترن بطرف التفريغ لوسيلة حقن حلقية مضغوطة 720. كما هو مبين» يتضمن أنبوب الإزاحة 740 أنبوب إزاحة ملفات 742 متموضع حول ومفرغ محوريا على طول الأنبوب. تم تصوير مجموعة من الفتحات التشخيصية 744 على طول الأنبوب. مزايا وسيلة حقن حلقية مضغوطة 720 هي: (1) التحكم في وقابلية تعديل بيان جسيم لكل حلقية مضغوطة تم حقنه؛ (2) يتم ترسيب البلازما الدافئة (بدلا من الكريات المبردة)؛ (3) يمكن تشغيل النظام في وضع معدل تكاثر بحيث تسمح بإعادة تغذية الوقود المستمرة؛ (4) يمكن أن يقوم النظام باستعادة بعض التدفق المغناطيسي حيث يقوم حلقية مضغوطة المحقون بحمل مجال مغناطيسي 5 مدمج. في أحد النماذج للاستخدام الاختباري؛ يبلغ القطر الداخلي لإلكترود خارجي 83.1 ملم والقطر الخارجي لإلكترود داخلي 54.0 ملم. يتم طلاء سطح الإلكترود الداخلي 722 بشكل مفضل
مغلفة بالتنجستن ‎tungsten‏ لتقليل الشوائب القادمة من الإلكترود 722. كما هو مبين»؛ يتم تركيب ملف الميل 726 داخل الإلكترود الداخلي 722. في الاختبارات الحالية تم تحقيق سرعة تحويل حلقية مضغوطة فوق صوتية تصل إلى -100 كيلو متر/ثانية. هناك متغيرات بلازما مثالية أخرى كما هو مبين: كثافة الالكترون ‎electron density‏ ‎102Ix5~ 5‏ 3-4 درجة حرارة الالكترون -50-30 إلكترون فولط؛ وييان جسيم -0.5- 0. يسمح الضغط الحركي العالي لحلقية مضغوطة بالبلازما المحقونة لاختراق بعمق في تهيئة مجال معكوس وتقوم بترسيب جسيمات داخل الفاصل. في اختبارات حالية أدت إعادة تغذية الوقود لجسيم تهيئة مجال معكوس إلى -720-10 بيان جسيم تهيئة مجال معكوس الذي يقوم بتوفير وسائل حقن حلقية مضغوطة التي تبدي بشكل ناجح إعادة تغذية الوقود ليتم حمله بدون 10 إعاقة بلازما تهيئة مجال معكوس. ملفات الارتكاز لتحقيق حالة ثابتة التشغيل الحالي والحفاظ على تيار الأيون المطلوبة لمنع أو تقليل دوران الالكترون بسبب قوة الاحتكاك غير الالكترونية الأيونية ‎electron-ion frictional force‏ (والتي تنتج من نقل عزم الكترون الأيون التصادمي ‎electron momentum‏ 100). يقوم نظام تهيئة مجال معكوس 10 باستخدام تقنية ابتكارية لتوفير تكسير إلكترون عبر قطب ثنائي مغناطيسي استاتيكي مستخددم خارجيا أو مجال رباعي القطب. يتم تحقيق ذلك عبر ملفات الارتكاز الخارجية 460 المبينة في الشكل 15. تقوم المجال المغناطيسي القطري المستعرض المستخدم من ملفات الارتكاز 0 بحث مجال محوري كهربي في بلازما تهيئة مجال معكوس الدوار. يتفاعل تيار الإلكترون المحوري الناتج مع المجال المغناطيسي القطري لإنتاج قوة تكسير سمتية على الإلكترونات؛ حر 0 ,3ل ى7١ه.‏ بالنسبة للظروف المثالية في نظام تهيئة مجال معكوس 10؛ يحتاج القطب ثنائي المغناطيسي ‎magnetic dipole‏ المستخدم المطلوب (أو قطب رباعي ‎(quadrupole‏ مجال داخل البلازما ليكون بمقدار 0.001 تسلا لتوفير تكسير إلكترون المناسب. المجال الخارجي المناظر بمقدار حوالي 0.015 تسلا صغير بما يكفي لعدم التسبب في فقد ملحوظ في الجسيم السريع أو احتجاز الأثر السلبي. في ‎allel)‏ يساهم مجال القطب الثنائي المغناطيسي المستخدم (أو قطب 5 رباعي) في قمع حالات عدم الثبات. في توليفة مع حقن شعاع متعادل متماس وحقن بلازما
محورية؛ تقوم ملفات الارتكاز 460 بتوفير مستوى إضافي من التحكم بشكل متعلق بالحفاظ على
وثبات التيار.
السدادات العاكسة
يسمح تصميم الملفات النبضية 444 داخل السدادات العاكسة 440 بالتوليد الموضعي لمجالات
مغناطيسية عالية (2 إلى 4 تسلا) مع طاقة التكثيف طفيفة (حوالي 100 كيلو جول). لتكوين
مجالات مغناطيسية مثالية من التشغيل الحالي لنظام تهيئة مجال معكوس 10؛ كل خطوط المجال
داخل ‎aaa‏ التكوين عبارة عن تمرير خلال الأجزاء الضيقة 442 عند السدادات العاكسة 440 كما
هو مقترح بواسطة خطوط المجال المغناطيسي في الشكل 2 ولا يتم تلامس جدار البلازما. علاوة
على ذلك؛ يمكن تعديل السدادات العاكسة 440 بالترادف مع أشباه محول مغناطيسي ‎de‏ 416 0 بحيث يتم توجيه خطوط المجال على محولات الإلكترود 910؛ أو خطوط تألق المجال في تهيئة
‎cusp‏ طرفية (غير مبينة). يقوم الأخير بتوفير الثبات وقمع التوصيل المتوازي للإلكترون الحراري
‎.thermal conduction
‏تساهم السدادات العاكسة 440 أيضا بنفسها في التحكم في الغاز المتعادل. تسمح السدادات
‏العاكسة 440 باستخدام أفضل لغاز الديوتيريوم المنتفخ في تكوين أنابيب الكوارتز أثناء تكوين تهيئة مجال معكوس؛ مع تقليل تيار عودة غاز في المحولات 300 بشكل ملحوظ بواسطة توصيل
‏الغاز الصغير للسدادات (مجموعة ضعيفة 500 لتر/ثانية). يتم تأين أغلب الغاز المتبقي المنتفخ
‏داخل أنابيب التكوين 210 بشكل سريع. علاوة على ذلك؛ تقوم البلازما عالية الكثافة المتدفقة
‏خلال السدادات العاكسة 440 بتوفير التأين المتعادل المناسب وبالتالي حاجز غازي فعال.
‏كنتيجة؛ أغلب الذرات المتعادلة المعاد تدويرها في المحولات 300 من طبقة حافة تهيئة مجال 0 معكوس 456 لا تعود إلى غرفة الاحتجاز 100. علاوة على ذلك؛ سوف يتم احتجاز الذرات
‏المتعادلة المرتبطة بالعملية من مدافع البلازما 350 (كما هو مذكور أدناه) بالمحولات 300.
‎opal‏ تميل السدادات العاكسة 440 إلى تحسين احتجاز طبقة حافة تهيئة مجال معكوس. مع
‏نسب عاكسة (سدادة/احتجاز مجالات مغناطيسية) في النطاق 20 إلى 40« وبطول 15 متر بين
‏السدادات العاكسة الشمالية والجنوبية 440؛ يزيد وقت احتجاز جسيم طبقة الحافة + بواسطة ما 5 يصل إلى درجة حجم. يقوم تحسين 1 بزيادة جسيم احتجاز تهيئة مجال معكوس.
بافتراض أن فقد الجسيم المنتشر القطري ‎radial diffusive‏ (0) من ‎ana‏ الفاصل 453 المتوازن بواسطة الفقد المحوري ‎axial loss‏ )11( من طبقة الحافة 456؛ قد يقوم أحدهم بالحصول على (2/يه)(ةما20) - (8/مدط)ما:2)» الذي يمكنه منه إعادة كتابة طول تدريج كثافة الفاصل بمقدار ‎(Dw)?‏ 5 . بالتالي ‎Leas‏ وو« عبارة عن قطر الفاصل؛ طول الفاصل وشدة الفاصل؛ على التوالي. يبلغ وقت جسيم احتجاز تهيئة مجال معكوس | 3 2
‎([mrlLe<n> /[Q2arL)(Dndd)] - (<n>/ng(tim)'?‏ حيث 0/ثه = + مع ‎amr‏ بشكل فيزيائي» يؤدي تحسين © إلى زيادة 5 (بتقليل تدريج شدة الفاصل ومتغير الإزاحة)؛ و؛ بالتالي؛ تقليل فقد جسيم تهيئة مجال معكوس. سوف يكون التحسين الكلي في جسيم احتجاز تهيئة مجال معكوس بشكل عام أقل من ‎oly‏ بسبب زيادة ‎ng‏ بواسطة (ج.
‏0 يتطلب التطوير الملحوظ في 1 أيضا أن طبقة الحافة 456 والتي تظل مستقرة بشكل كلي ‎nel)‏ ‏= 1 مجرى محززء خرطوم ‎(Goa‏ أو عدم ثبات ‎MHD‏ آخر للأنظمة المفتوحة). يقوم استخدام مدافع البلازما 350 بتوفير ثبات الحافة المفضلة. في هذا المنطق؛ تقوم السدادات العاكسة 440 ومدفع البلازما 350 بتكوين نظام تحكم حافة فعالة. مدافع البلازما
‏5 تقوم مدافع البلازما 350 بتحسين ثبات الوحدات النفاثة لعادم تهيئة مجال معكوس 454 بواسطة ربط خط. يتم توليد مدفع البلازما من مدافع البلازما 350 بدون العزم الزاوي السمتي ‎azimuthal‏ ‎cangular momentum‏ والذي يقوم بتحسين الفائدة في التحكم في تهيئة مجال معكوس قيم عدم الثبات المنطقي. بالتالي المدافع 350 عبارة عن وسيلة فعالة للتحكم في ثبات تهيئة مجال معكوس بدون الحاجة إلى تقنية تثبيت قطب رباعي. كنتيجة؛ تقوم مدافع البلازما 350 بإتاحة الاستفادة من
‏0 الآثار المفيدة للجسيمات السريعة أو وصول لنظام تهيئة مجال معكوس الحركي الهجين المتقدم كما هو محدد في هذا الكشف. بالتالي؛ يقوم مدافع البلازما 350 بإتاحة تشغيل نظام تهيئة مجال معكوس 10 مع تيارات ملف ارتكاز بشكل مناسب لتكسير إلكترون ولكنها أقل من القيمة الحدية التي تتسبب في عدم الثبات تهيئة مجال معكوس و/أو تؤدي إلى الانتشار السريع الكبير للجسيم. كما هو مذكور في مناقشة السدادة العاكسة أعلاه؛ إذا كان من الممكن تحسين © بشكل ملحوظ؛ قد
‏5 تتم مقارنة مدفع البلازما الذي تم توفيره مقارنة بمعدل فقد جسيم طبقة الحافة (- 107 /ث). يبلغ ‎jee‏ البلازما الناتجة بالمدفع في نظام تهيئة مجال معكوس 10 في نطاق مللي ثانية. بالفعل»
باعتبار مدفع البلازما مع كثافة ‎ne‏ ~ 107 سم * ودرجة حرارة أيون بمقدار حوالي 200 إلكترون فولط»ء محددة بين السدادات العاكسة الطرفية 440. يبلغ طول المحبس ‎L‏ ونسبة العاكس ‎R‏ حوالي متر 205 على التوالي. المسار الحر المتوسط للأيون بسبب تصادم ‎Coulomb‏ هو :نر( ~ 6 سم وء؛ ‎(D> 3108/1 Cus‏ يتم احتجاز الأيونات في النظام الديناميكي للغاز. يبلغ وقت 5 احتجاز البلازما في هذا النظام ‎Tg‏ - .81/217 - 2 مل ثانية؛ ‎Cua‏ .7 عبارة عن سرعة صوت الأيون. للمقارنة؛ وقت احتجاز الأيون التقليدي لهذه المتغيرات الخاصة بالبلازما والتي قد تكون عبارة عن (1018(035) + ‎0.5%i(InR‏ - »> - 0.7 مل ثانية. يمكن أن يقوم انتشار المستعرض الذاتي ‎canomalous transverse diffusion‏ من حيث المبداء بتقصير وقت احتجاز البلازما. مع ذلك؛ في نظام تهيئة مجال معكوس 10( إذا افترضنا أن معدل انتشار ‎(Bohm diffusion rate‏ يبلغ وقت 0 الاحتجاز المستعرض المقدر لمدفع البلازما .> > يي - 2 مل ثانية. بالتالي؛ قد يقوم المدافع بتوفير إعادة التزويد بالوقود القوية لطبقة حافة تهيئة مجال معكوس 456؛ وجسيم احتجاز تهيئة مجال معكوس الكلي المحسن. علاوة على ذلك؛ يمكن تشغيل مدفع تيارات البلازما في حوالي 150 إلى 200 ميكروثانية؛ والتي تسمح باستخدام في بدء تهيئة مجال معكوس؛ التحول؛ والدمج في غرفة الاحتجاز 100. عند 5 التشغيل حوالي تسلا - 0 (بدء بنك تهيئة مجال معكوس الساسي)؛ يساعد مدفع البلازما في استدامة تهيئة مجال معكوس 450 الحالية المكونة والمدمج. سوف يكون الجسيم المدمج من تهيئة مجال معكوس للتكوينات ومن المدافع مناسب لإمساك شعاع متعادل؛ تسخين بلازماء واستدامة طويلة. عند التشغيل عند تسلا في النطاق -1 إلى 0 مل ثانية؛ يمكن أن يقوم مدفع البلازما بلمء أنابيب الكوارتز 210 مع بلازما أو تأين الغاز المنفوخ في أنابيب الكوارتز؛ ‎lg‏ تسمحبتكوين 0 تهيئة مجال معكوس مع غاز منفضخ صفري أو منخفض. يمكن أن تتطلب الأخيرة بلازما تكوين باردة مناسبة للسماح بالانتشار السريع لالمجال المغناطيسي المائل المعكوس. عند التشغيل عند زمن > -2 مل ثانية؛ يمكن أن تقوم تيارات البلازما بملء حوالي 1 إلى 3 م حجم خطي للمجال لأنظمة التكوين والاحتجاز لأجزاء التكوين 200 وغرفة احتجاز 100 مع شدة البلازما بمقدار 107 سم *؛ بشكل مناسب للسماح لتراكم شعاع متعادل قبل وصول تهيئة مجال معكوس. يمكن 5 بالتالي تكوين وتحويل تهيئة مجال معكوس للتكوينات في وعاء احتجاز البلازما الناتجة. بهذه الطريقة تسمح مدافع البلازما 350 بتشكيلة واسعة من ظروف التشغيل والأنظمة المتغيرة.
الإمالة الكهربية ‎Electrical Biasing‏ يفيد التحكم في سمات المجال الكهربي القطري في طبقة الحافة 456 في العديد من طرق تثبيت واحتجاز تهيئة مجال معكوس. بواسطة مكونات الإمالة الابتكارية المستخدمة في نظام تهيئة مجال معكوس 10 من الممكن تطبيق تشكيلة من التوزيعات المتعمدة للقدرة الكهربية إلى مجموعة من أسطح التدفق المفتوحة خلال الماكينة من مناطق خارج منطقة الاحتجاز المركزي في غرفة الاحتجاز 100. بهذه الطربقة يمكن توليد المجالات الكهربية القطرية عبر طبقة الحافة 456 خارج تهيئة مجال معكوس 450. وهذه المجالات الكهربية القطرية بالتالي تقوم بتعديل الدوران السمتي لطبقة الحافة 456 ويتمثل تأثيرها في الاحتجاز عبر سرعة قص 5*5. يمكن إرال أي دوران متمايز بين طبقة الحافة 456 ولب تهيئة مجال معكوس 453 بالتالي إلى داخل بلازما تهيئة مجال 0 معكوس بواسطة القص. كنتيجة؛ يؤثر التحكم في طبقة الحافة 456 مباشرة على لب تهيئة مجال معكوس 453. علاوة على ذلك» حيث الطاقة الحرة في دوران البلازما يمكن أن تكون مسئولة عن حالات عدم الثبات؛ تقوم هذه التقنية بتوفير وسيلة للتحكم في بدء ونمو حالات عدم الثبات. في نظام تهيئة مجال معكوس 10( تقوم إمالة الحافة المناسبة بتوفير التحكم الفعال في نقل ودوران خط المجال المفتوح بالإضافة إلى دوران اللب تهيئة مجال معكوس. يسمح موضع وشكل العديد 5 من الإلكترودات المقدمة 900 905؛ 910 و920 بالتحكم في مجموعات مختلفة من أسطح التدفق 455 وعند احتمالات مختلفة ومنفصلة. بهذه الطريقة يمكن تحقيق تشكيلة واسعة من مجالات التهيئة الكهربية المختلفة ‎(Sang‏ تحقيق القوى؛ وكل منها له أثر مميز مختلف على أداء البلازما. ثمة ميزة أساسية لكل تقنيات الإمالة الابتكارية وهي أنه يمكن التأثير على سلوك بلازما اللب 0 والحافة من خارج بلازما تهيئة مجال معكوس؛ أي لا حاجة إلى جعل أي مكونات تتلامس مع البلازما المركزية الساخنة (والتي قد يكون لها تأير ضار على الطاقة؛ وفقد في التدفق والجسيم). وهذا أثر مفيد أساسا على الأداء والتطبيقات المحتملة لمفهوم نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء . 5 البيانات الاختبارية - تشغيل نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء
يلعب حقن الجسيمات السريعة عبر آشعة من مدافع الشعاع المتعادل 600 دورا مهما في نظام نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء. تشرح الأشكال 16أ؛ 16ب؛ 16ج و16د هذه الحقيقة. تم توضيح مجموعة من المنحنيات التي تبين كيفية ارتباط عمر تهيئة مجال معكوس بطول نبضات الآشعة. يتم الحفظ على ظروف التشغيل الأخرى ثابتة لكل التفريغات التي تتضمن هذه الدراسة. يتم عمل متوسط البيانات في مقابل العديد من الطلقات وء بالتالي؛ تمثل سلوكا مثاليا. من الواضح أن مدة الشعاع الأطول تعطي تهيئة مجال معكوس أطول عمرا. باعتبار هذا الدليل بالإضافة إلى التشخيصات الأخرى أثناء هذه الدراسة؛ يتضح أن الآشعة تزيد من الثبات وتقلل الفقد. ‎AD‏ بين الطول النبضي للشعاع وعمر تهيئة مجال معكوس غير مثالية حيث يصبح احتجاز الشعاع غير مناسب أقل من حجم بلازما معين؛ أي؛ حيث ينكمش تهيئة مجال معكوس 450 في الحجم المادي
0 ولا تتم مقاطعة واحتجاز كل الآشعة المحقونة. ينتج انكماش تهيئة مجال معكوس أساسا عن حقيقة أن الفقد الصافي في الطاقة (- 4 ميجاواط بحلول منتصف عملية التفريغ) من بلازما تهيئة مجال معكوس أثناء التفريغ أكبر من القدرة الكلية المغذاة في تهيئة مجال معكوس عبر الآشعة المتعادلة (-2.5 ميجاواط) للضبط الاختباري المحدد. قد يميل تموضع الآشعة عند موضع أقرب إلى المستوى المتوسط للوعاء 100 إلى تقليل الفقد ومد عمر تهيئة مجال معكوس.
5 تشرح الأشكال 17 7« 17ج و17د آثار المكونات المختلفة لتحقيق نظام نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء. وهي تبدي عائلة من المنحنيات المثالية التي تصور عمر تهيئة مجال معكوس 450 كدالة للزمن. في كل الحالات يتم حقن مقدار ثابت طفيف من قدرة الشعاع (حوالي 5 ميجاواط) على طول المدة الكاملة لكل عملية تفريغ. يمثل كل منحنى توليفة مختلفة من المكونات. على سبيل المثال؛ يؤدي تشغيل نظام تهيئة مجال معكوس 10 بدون أي سدادات
0 عاكسة 440؛ مدافع البلازما 350 أو امتصاص الشوائب من الأنظمة امتصاص الشوائب 800 إلى بدء سريع في عدم ثبات الدوران وفقد في تويولوجيا تهيئة مجال معكوس. تقوم إضافة السدادات العاكسة 440 فقط إلى تأجيل بدء حالات عدم الثبات وزيادة الاحتجاز. باستخدام توليفة السدادات العاكسة 440 ومدفع البلازما 350 أيضا بتقليل حالات عدم الثبات وتزبد من ‎yee‏ تهيئة مجال معكوس. وأخيرا تقوم إضافة امتصاص الشوائب (التيتانيوم في هذه الحالة) فوق المدفع 350
5 والسدادات 440 بإعطاء أفضل نتيجة- ويكون تهيئة مجال معكوس الناتج خالي من حالات عدم
الثبات ‎(sans‏ عمر أطول. من الواضح من هذا الاختبار أن التوليفة الكاملة للمكونات يقوم بإنتاج
أفضل أثر وبقوم بتزويد الآشعة بالظروف المستهدفة الأفضل. كما هو مبين في الشكل 1؛ يبدي نظام ‎dings‏ مجال معكوس عالي الأداء المكتشف حديثا سلوك نقل محسن بشكل كبير. يشرح الشكل 1 التغير في وقت احتجاز الجسيم في نظام تهيئة مجال معكوس 10 بين النظام التقليدي ونظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء. كما هو مبين؛ تم تحسينه بمعامل بمقدار 5 في مقابل نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء. علاوة على ذلك؛ يبين الشكل 1 زمن احتجاز الجسيم في نظام تهيئة مجال معكوس 10 نسبة إلى زمن احتجاز الجسيم في اختبارات تهيئة مجال معكوس تقليدية السابقة. فيما يتعلق بهذه الآليات ‎(GAY‏ قام نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء لنظام تهيئة مجال معكوس 10 بتحسين الاحتجاز بمعامل بمقدار بين 0 5 وقريب من 20. أخيرا وبشكل ‎cage‏ تختلف طبيعة قياس الاحتجاز لنظام تهيئة مجال معكوس 0 في نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء بشكل كبير عن كل القياسات. قبل تكوين نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء في نظام تهيئة مجال معكوس 10 تم اشتقاق العديد من قوانين القياس التجريبية من البيانات الخاصة بتوقع أزمنة الاحتجاز في اختبارات تهيئة مجال معكوس السابقة. تعتمد قوانين القياس هذه في الأغلب على نسبة ‎(Rp;‏ حيث ‎R‏ عبارة عن قطر المجال 5 المغناطيسي المتلاشي (قياس الفقد في المقياس الفيزيائي للماكينة) ‎pig‏ عبارة عن قطر لارمور للأيون ‎jon larmor radius‏ المقيم في المجال المستخدم خارجيا (قياس الفقد في منفذ المجال المغناطيسي). من الواضح من الشكل 1 أن الاحتجاز الطويل في تهيئة مجال معكوس تقليدي فقط بشكل محتمل عند حجم ماكينة كبير و/أو مجال مغناطيسي عالي. يميل تشغيل نظام تهيئة مجال معكوس 10 في نظام تهيئة مجال معكوس تقليدي إلى تتبع هذه القوانين الخاصة بالقياس؛ كما هو مشار إليه في الشكل 1. مع ذلك؛ نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء متفوق بشكل واسع ‎sang‏ أن هناك الكثير من الاحتجاز الأفضل القابل للحصول عليه بدون حجم ماكينة كبير أو مجالات مغناطيسية عالية. بشكل أهم؛ قد يكون من الواضح من الشكل 1 أن نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء يؤدي إلى زمن احتجاز محسن مع حجم بلازما منخفض مقارنة بنظام تهيئة مجال معكوس تقليدي. هناك ميول مشابهة لأزمنة التدفق وطاقة الاحتجازء كما هو موضح أدناه؛ 5 والذي زائد بمعامل 8-3 في نظام تهيئة مجال معكوس 10 أيضا. يقوم الفاصل خلال نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء؛ بالتالي» بإتاحة استخدام قدرة شعاع طفيفة؛ مجالات مغناطيسية أقل
وحجم أصغر لاستدامة والحفاظ على توازنات تهيئة مجال معكوس في نظام تهيئة مجال معكوس 0 وآليات طاقة عالية الطاقة. يتزامن مع هذه التحسينات تكاليف تشغيل وبناء أقل بالإضافة إلى للمزيد من المقارنة؛ تبين الأشكال 118( 18ب؛ 18ج و18د البيانات من نظام تفريغ نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء تمثيلي في نظام تهيئة مجال معكوس 10 كدالة للزمن. يصور الشكل 8 قطر التدفق المستبعد عند المستوى المتوسط. بالنسبة لهذه المقاييس الزمنية لم يتم تثبيت الجدار الصلب الموصل جيدا بنفس مقدار وسيلة حفظ التدفق والمسابير المغناطيسية داخل الجدار مع مسابير خارج الجدار لاعتبار انتشار التدفق المغناطيسي خلال الصلب ‎steel‏ مقارنة بالأداء المثالي في نظام تهيئة مجال معكوس تقليدي؛ كما هو مبين في الأشكال ‎(M13‏ 13« 13ج 0 و13د؛ يقوم وضع تشغيل نظام تهيئة مجال معكوس ‎le‏ الأداء بإبداء عمر أطول بمقدار 2400 تم توضيح سلك تمثيلي لأثر الكثافة الخطلية المدمجة في الشكل 18ب مع مكمل ‎Abel‏ محول؛ محيطات الكثافة؛ في الشكل 18ج. مقارنة بنظام تهيئة مجال معكوس لنظام تهيئة مجال معكوس تقليدي؛ كما هو مبين في الأشكال 13( 13ب؛ 13ج و13د؛ البلازما أكثر خمولا في النبضة؛ 5 وهو مايشير إلى التشغيل المستقر جدا. الكثافة القمية أقل بشكل طفيف ‎Load‏ في طلقات نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء - وهي نتيجة لدرجة حرارة البلازما ‎ISH‏ الأسخن (بمعامل يصل إلى 2) كما هو مبين في الشكل 18د. بالنسبة للتفريغ المناظر في الأشكال 18 18ب؛ 18ج و18د؛ تبلغ أوقت تدفق الطاقة؛ واحتجاز الجسيم 0.5 مل ثانية؛ 1 مل ثانية و1 مل ثانية؛ على التوالي. عند وقت مرجعي ل 1 مل ثانية في 0 التفريغ؛ تبلغ طاقة البلازما المخزنة 2 كيلو جول ‎Lain‏ يكون الفقد حوالي 4 ميجاواط؛ وهو ما يجعله هدفا مناسبا جدا للاستدامة الشعاع المتعادل. يقوم الشكل 19 بتلخيث كل مزايا نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء في صورة قياس احتجاز التدفق نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء الاختباري المحدد. كما هو مبين في الشكل 19؛ بناء على القياسات المأخوذة قبل وبعد زمن = 0.5 مل ثانية؛ أي؛ زمن > 0.5 مل ثانية و > 5 0.5 مل ثانية؛ قياسات احتجاز التدفق (و بشكل مشابه؛ جسيم احتجاز وطاقة احتجاز) مع مريع درجة حرارة الالكترون )70( لقطر الفاصل المحدد ‎(rg)‏ وهذا القياس القوي بالقدرة الإيجابية ل ‎Te‏ (و
ليس القدرة السلبية) على العكس ‎LIS‏ مما تم توضيحه بواسطة ‎(adil tokomaks‏ حيث يكون الاحتجاز متناسب بشكل مثالي مع بعض قدرة درجة حرارة الالكترون. أعراض متتالية هذا القياس هي حالة نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء ومجموعة أيون المسار الكبير (أي مسارات على مقياس توبولوجيا تهيئة مجال معكوس و/أو على الأقل مقياس طول تدريج المجال المغناطيسي المميز). بشكل أساسي؛ يقوم هذا القياس الجديد بتفضيل درجات حرارة التشغيل العالية وتسمح لمفاعلات ذات حجم خفيف نسبيا. تقدم مزايا نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء؛ استدامة تهيئة مجال معكوس أو حالة ثابتة تم تشغيلها بواسطة آشعة متعادلة قابلة للتحقيق؛ وهو ما يعني متغيرات بلازما عالمية مثل بلازما الطاقة الحرارية؛ العدد الكلي للجسيم؛ يستديم قطر وطول البلازما بالإضافة إلى تدفق مغناطيسي 0 عند مستويات منطقية بدون التحلل الأساسي. للمقارنة؛ يبين الشكل 20 البيانات في مخطط ‎A‏ من نظام تفريغ نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء تمثيلي في نظام تهيئة مجال معكوس 10 كدالة للزمن وفي مخطط ‎B‏ لنظام تفريغ نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء تمثيلي بارز في نظام تهيئة مجال معكوس 10 كدالة للزمن حيث يستديم تهيئة مجال معكوس 450 بدون تحلل خلال مدة نبضة الشعاع المتعادل. بالنسبة لمخطط ‎A‏ تم حقن آشعة متعادلة مع القدرة الكلية في نطاق 5 حوالي 2.9-2.5 ميجاواط في تهيئة مجال معكوس 450 للطول النبضي للشعاع النشط بمقدار حوالي 6 مل ثانية. كان ‎jee‏ البلازما ضعيفة النفاذية المغناطيسية المصور في المخطط ‎A‏ حوالي 2 مل ثانية. تبين البيانات الحالية عمر بلازما ضعيفة النفاذية المغناطيسية بمقدار حوالي 7.2 مل ثانية قابل للإتاحة مع الطول النبضي للشعاع النشط بمقدار حوالي 7 مل ثانية. كما هو مطلوب أعلاه ‎Lad‏ يتعلق بالأشكال 16 16ب؛ 16ج و16د. العلاقة بين الطول النبضي 0 ا للشعاع وعمر تهيئة مجال معكوس غير مثالي حيث يكون احتجاز الشعاع غير مناسب تحت حجم بلازما معين؛ أي؛ حيث ينكمش تهيئة مجال معكوس 450 في حجم فيزيائي وولا تتم مقاطعة واحتجاز الآشعة المحقونة. ينتج انكماش أو تحلل لتهيئة مجال معكوس بشكل أساسي بسبب حقيقة أن فقد الطاقة الصافي (- 4 ميجاواط لحين انتهاء منتصف التفريغ) من بلازما تهيئة مجال معكوس أثناء التفريغ إلى حد ما أكبر من القدرة الكلية المغذاة في تهيئة مجال معكوس عبر 5 الآشعة المتعادلة (-2.5 ميجاواط) للوضع الاختباري المحدد. كما هو ملحوظ ‎Lad‏ يتعلق بالشكل 3ج؛ يقوم الحقن الموجه بزاوية الشعاع من مدافع الشعاع المتعادل 600 تجاه المستوى المتوسط
بتحسين إقران شعاع-بلازماء حتى مع انكماش بلازما تهيئة مجال معكوس أو الانكماش محوريا أثناء فترة الحقن. علاوة على ذلك؛ تقوم ‎sale)‏ تغذية الوقود الحبيبي المناسبة بالحفاظ على شدة البلازما الضرورية. مخطط 3 هو ناتج دورات الحث باستخدام الطول النبضي للشعاع النشط بمقدار حوالي 6 مل ثانية وقدرة الشعاع الكلية من مدافع الشعاع المتعادل 600 أكثر بقليل من حوالي 10 ميجاواطء حيث تقوم الآشعة المتعادلة بحقن الذرات ‎H‏ (أو ©) المتعادلة مع جسيم طاقة بمقدار حوالي 15 كيلو إلكترون فولط. يبلغ التيار المكافئ المحقون بواسطة كل من الآشعة حوالي 110 أمبير. بالنسبة للمخطط ‎(B‏ كانت زاوية حقن الشعاع على محور الجهاز حوالي 20 القطر المستهدف 0.19 م. يمكن تغيير زاوية الحقن داخل النطاق 915 - 025 سيتم حقن الآشعة في إتجاه سمت التيار 0 المشترك . سوف يتم تقليل قوة الجانب الصافية بالإضافة إلى القوة المحورية الصافية من حقن عزم الشعاع المتعادل. مع مخطط ‎(A‏ يتم حقن ذرات ‎(H)‏ السريعة المتعادلة من وسائل حقن الشعاع المتعادل 600 من لحظة دمج تكوينات تهيئة مجال معكوس الشمالية والجنوبية في غرفة الاحتجاز 0 في تهيئة مجال معكوس 450 واحد. عمليات الحث حيث المجموعة الخاصة بمخطط 33 تستخدم وسائل حل ‎Hall- MHD‏ متعددة الأبعاد 5 للبلازما الخلفية والمعايرة» وسائل الحل القائمة على أساس ‎Monte-Carlo‏ الحركية الكلية لمكونات الشعاع الخاصة بالطاقة وكل عمليات التشتيت؛ بالإضافة إلى عائل معادلات ‎Jal)‏ المقترنة لكل أنواع بلازما لنمذجة العمليات الخاصة بالفقد التفاعلي. تتم معايرة مكونات النقل بشكل تجريبي ويتم تعليمها بشكل ممتد ضد قاعدة البيانات الاختبارية. كما هو مبين بواسطة مخطط ‎B‏ سوف تكون الحالة الثابتة ضعيفة النفاذية المغناطيسية عمر 0 تهيئة مجال معكوس 450 هي طول نبضة الشعاع. مع ذلك؛ من المهم ملاحظة أنالعلاقة الأساسية لمخطط 3 يبين أن عند إطفاء الآشعة تبداً البلازما أو تهيئة مجال معكوس بالتحلل في هذا الوقت؛ ولكن ليس قبل ذلك. سوف يكون التحلل مشابه للذلك الملحوظ في حالات التفريغ التي تتم مساعدتها بشكل محتمل بمقدار 1 مل ثانية بعد وقت إطفاء الشعاع - وهي بشكل بسيط عبارة عن انعكاس لزمن التحلل المميز للبلازما المفعلة بواسطة عمليات الفقد الكامنة. 5 العودة إلى الأشكال ‎R21‏ 21« 21ج 21 و21ه؛ تشير النتائج الاختبارية الموضحة في الأشكال إلى تحقيق استدامة تهيئة مجال معكوس أو حالة ثابتة تم تفعيلها بواسطة موجه بزاوية
آشعة متعادلة؛ ‎«sh‏ متغيرات البلازما العالمية مثل قطر البلازماء شدة البلازماء درجة حرارة البلازما بالإضافة إلى التدفق المغناطيسي قابلة للاستدامة عند مستويات ثابتة بدون تحلل في ارتباط مع مدة نبض ‎NB‏ على سبيل ‎Jal‏ يتم الحفاظ على متغيرات البلازما ثابتة أساسا ل -5+ مل ثانية. يتضمن أداء البلازما هذاء شاملا خاصية الاستدامة؛ وله ارتباط قوي طوال مدة نبض ‎(NB‏ مع نزع مغناطيسية مستديمة بمقدار عدة مللي ثواني بعد إنهاء ‎NB‏ بسبب تراكم الأيونات السريعة. كما هو مبين» يتم تقييد أداء البلازما فقط بواسطة قيود طول النبضة الناشئة من الطاقات المطلقة المخزنة في قيم تزويد القدرة ذات الصلة للعديد من الأنظمة الحرجة؛ ‎Jie‏ وسائل حقن ‎NB‏ بالإضافة إلى مكونات نظام أخرى. مضخات تفريغ من نوع تفريغ متعدد القياس 0 كما هو مطلوب أعلاه ‎Led‏ يتعلق بالأشكال 3 3« 3ج؛ 3 3ه و8؛ يتم نشر الآشعة الذرية المتعادلة 600 على نظام تهيئة مجال معكوس 10 لتوفير التسخين والتشغيل الحالي بالإضافة إلى تطوير جسيم سريع الضغط. تتضمن خطوط الشعاع الفردية أنظمة حقن شعاع ذري متعادل 600 موضوع حول غرفة الاحتجاز المركزية 100 ‎cy‏ كما هو مبين في الأشكال 3ج؛ 3د و3ه؛ بشكل مفضل موجه بزاوية لحقن الجسيمات المتعادلة تجاه المستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز 100. 5 لزيادة درجة حرارة البلازما وطاقات نظام ‎dle‏ يتضمن نظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10 نظام وسيلة حقن شعاع متعادل 600 لقدرة زائدة والطول النبضي الممتد؛ ‎lie‏ للأغراض المثالية فقطء قدرة بمقدار حوالي 20+ ميجاواط مع ما يصل إلى 30 مل ثانية الطول النبضي. لتحسين استدامة تهيئة مجال معكوس وإظهار زيادة تهيئة مجال معكوس تصل إلى درجة حرارة البلازما العالية وطاقات نظام مرتفعة؛ يتضمن نظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10 أيضا 0 مضخات تفريغ من نوع إمساك متعدد القياسفي المحولات الخارجية والداخلية 300 و302 لمنع تراكم الغاز المتعادل في المحولات 300 و302. كما هو مبين في الشكل 25؛ خلال العديد من الآليات؛ يتم فقد جسيمات البلازما المشحونة (مثل؛ ‎lia‏ هيدروجين وديوتيريوم ‎¢(deuterium‏ كما هو مشار إليه بواسطة الأسهم ‎(A‏ من الجزءٍ الداخلي أو اللب 453 لبلازما تهيئة مجال معكوس 0 إلى خط بلازما المجال المفتوح. من هناء تتدفق الجسيمات المشحونة؛ كما هو مشار ‎ad)‏ ‏5 بواسطة الأسهم ‎B‏ على طول خطوط المجال المغناطيسي المفتوحة 452 خارج وعاء الاحتجاز
المركزي 100 إلى كل من المحولات الأربعة 300 و 302 على أي من جوانب وعاء الاحتجاز 100. بمجرد دخول المحولات 300 و302؛ سوف تقوم الجسيمات المشحونة بضرب الأسطح داخل غرف المحول 310؛ مثل؛ ‎Die‏ إلكترودات ميل 910 في المحولات 300 و302 (الأشكال 3ا؛ 3< 10 و26)» تصبح متعادلة متعادلة وتخرج كغاز متعادل. يعتبر الحفاظ على كثافة هذا الغاز المتعادل بفاعلية منخفضا أمرا ضروريا بفاعلية من أجل استدامة تهيئة مجال معكوس وزيادة تصل إلى درجة حرارة البلازما العالية وطاقات نظام مرتفعة بسبب إلكترونات في البلازما على طول خطوط المجال المفتوح 452 والتي سوف تستخدم الغاز المتعادل في المحولات 300 و302 و؛ بالتالي؛ تفقد الطاقة (التبريد) في العملية. تقوم الإلكترونات الباردة جدا بالتسبب في الإعاقة 0 المفرطة وإبطاء أيونات الطاقة التي تدور حول لب البلازما لبلازما تهيئة مجال معكوس 450. في كثافة الغاز المتعادل المحددة؛ تبريد الإلكترون من ميول التأين غير ملحوظ. لتجنب تراكم هذا الغاز المتعادل في المحولات 300 و302؛ يجب ضخ الغاز المتعادل لمنع مستوى كثافة الغاز 18 من تخطي أقصى مستوى محدد سلفا ل 0 ‎Nl‏ < لا م . على سبيل ‎oJ)‏ في نماذج معينة؛ لا يتخطى تراكم هذا الغاز مستوى كثافة ‎N‏ بمقدار !10 م 3 (10«*3 5 5 مكافئ ضغط تور عند 300 كالفين) في المحولات الداخلية 302؛ و10*2؟! م * (10*6 " مكافئ ضغط تور عند 300 كالفين) في المحولات الخارجية 300. يتم تحديد مستوى الضخ المطلوب لمنع تخطي هذا الحد الأقصى الخاص بالكثافة/الضغط بواسطة معدل الجسيمات المشحونة المتدفقة في كل من المحولات الأربعة 300 و302. يناظر مستوى الضخ المطلوب الماء المسكوب في دلو مسرب يتضمن واحد أو أكثر من الثقوب. وكلما تم الصب أسرع في الوعاء؛ كلما زاد 0 مستوى ارتفاع الماء. في وجود تسريب أكبرء أي؛ كلما زاد الحجم و/أو عدد الفتحات؛ كلما انخفض المستوى الذي ينخفض ‎ad)‏ الماء. مع تسريب كبير كافي (أي؛ مضخة) يمكن الحفاظ على مستوى الماء (أي؛ جسيم كثافة/الضغط) تحت حد مستوى الماء (أي؛ حد جسيم كثافة/الضغط المحدد سلفا؛ مثلاء حوالي 10" م *) مع صب الماء في الدلو (أي؛ تدفق جسيمات الشحنة في المحولات 0 و302). 5 في تشغيل نظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10؛ كما هو مبين في الشكل 27 يتوقع أن تتدفق كل جسيمات البلازما المشحونة تجاه الجسيمات تجاه المحولات 300 و302 للتدفق أوليا في اثنين
من المحولات الخارجية 300 مع أقصى معدل بمقدار حوالي 10221.25 #/ث؛ والتي تبلغ في أكثر وحدات التفريغ المعروفة حوالي 400 تور-لتر/ثانية. تتم تهيئة نماذج نظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10 لتتغير إلى مجالات مغناطيسية بشكل قصير بعد تكوين تهيئة مجال معكوس؛ مثلاء في حوالي 5 ملل ثانية؛ للتبديل 775 من تدفق الجسيم الكلي من المحولات الخارجية 300 إلى المحولات الداخلية 302. على سبيل ‎(JU‏ سوف يبلغ معدل التدفق الأولي في المحولات الداخلية 302 حوالي 300 تور -لتر/ثانية. في مدة قصيرة؛ ‎Mia‏ حوالي 10-5 ملل ثانية؛ بعد تحويل تدفق الجسيم من المحولات الخارجية 300 إلى المحولات الداخلية 302؛ سوف يقوم احتجاز بلازما في تهيئة مجال معكوس 450 بتحسين معدلات تدفق الجسيم المتوقعة للهبوط من 4 إلى 5 أضعاف» ‎Ole‏ نزولا إلى حوالي 60 تور-لتر/ثانية. أبدى نموذج المحاكاة البسيط صفري الأبعاد 0 أن هناك توليفة من مضخة تفريغ 2 مليون لتر/ثانية زائد 15 م من الضخ الحجمي (والذي يدع الغاز ليتمدد في حجم فارغ) أنه كان مطلويا في كل من المحولات الأريعة 300 و302 للحفاظ على كثافة غاز الهيدروجين إلى أقل من الحدود القصوى المفضلة. يتطلب الديوتيريوم ضخ بمقدار 5 مليون لتر/ثانية. للتعامل مع أحمال هذه الجسيمات مع الحفاظ على كثافة الغاز منخفضة بما يكفي يتطلب الأمر مقدارا بما يكفي من الضخ. لن تكون محاليل الضخ التقليدية غير قادرة على توفير مقدار ضروري من الضخ داخل القيود المرتبطة بالمحولات 300 و302 لنظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10؛ والذي يتضمن ولكنه غير مقيد ب» على سبيل ‎(JU‏ التكلفة؛ بالإضافة إلى الفراغ الحجمي المقيد ‎Dia)‏ حوالي 15 ‎(Pa‏ والمساحة السطحية ‎Die)‏ حوالي 10 ‎(3a‏ داخل كل محول 300 و302. كانت الطريقة الأقل تكلفة لضخ الجسيمات مثل؛ ‎Ole‏ هيدروجين وديوتيريوم» هي استخدام أغشية 0 تيتانيوم مرسبة على أسطح الغرف 310 للمحولات 300 و302 لجعل الجسيمات تلتصق بأسطح الغرف 310 في صورة مضخة تفريغ من نوع إمساك (المذكور بالمزيد من التفاصيل أدناه). حوالي 2 لتر ‎Pan‏ من الضخ القابل للإتاحة عند درجة حرارة الغرفة؛ والذي يناظر احتمالية التصاق جسيمات الهيدروجين وبتم إمساكها بواسطة غشاء 75. ‎anny‏ هذا معامل الالتصاق؛ والذي يمكن أن يتفاوت من 0 إلى 7100. باستخدام المساحة السطحية المحددة بمقدار حوالي 10 م2 من 5 المساحة التي ستعطي سرعة صخ كلية بمقدار 22000 لتر/ثانية عند معامل الالتصاق هذا. تبلغ
سرعة الضخ هذا حوالي 100 أضعاف أقل مما هو مطلوب للتعامل مع أحمال جسيمات نظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10 مع الحفاظ على كثافة الغاز أقل من الحد الأقصى المحدد سلفا. لتلبية احتياجات الضخ الخاصة بالنظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10( يتم استخدام توليفة من اثنين من محاليل الضخ. أولا؛ يتم وضع غشاء تيتانيوم على لتبريد الأسطح؛ ‎lie‏ الأسطح التي يتم ‎bays‏ إلى حوالي 77 كالفين. يميل التبريد إلى زيادة معامل الالتصاق إلى حوالي 4 أضعاف؛ ‎lie‏ من حوالي 75 إلى حوالي ‎L720‏ ثانياء تتم تهيئة أسطح الضخ في مجموعة من الأسطح ذاتية التشابه متعددة القياس لزيادة معامل الالتصاق حوالي 3 إلى 4 أضعاف؛ ‎lie‏ من حوالي 0 إلى حوالي 270. مع هذه الزيادة في معامل الالتصاق؛ تكون هناك زيادة بمقدار 100 ضعف في سرعة المضخة. على سبيل المثال؛ بالنسبة للهيدروجين يتم تحقيق سرعة مضخة 0 بمقدار 2400000 لتر/ثانية وبالنسبة للديوتيريوم يتم تحقيق سرعة مضخة بمقدار 1500000 لتر/ثانية باستخدام 7.3 م2 من المساحة السطحية المتاحة؛ والتي تتلائم داخل 15م تفريغ وعاء للمحولات 300 و302. يمكن أن تتلائم هذه المضخات مع حجم الغاز الكلي (السعة) المولدة من طلقة البلازما على نظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10. تقوم المضخة بالحفاظ على 795 من سرعة المضخة من مقدار الغازء ويمكن توليده إلى 7100 بواسطة ترسيب المزيد من التيتانيوم. 5 مضخة تفريغ من نوع إمساك يمكن إمساك جزيئات الغاز على سطح اللوح المسطح 312 (الشكل 28) بواسطة الالتصاق بسطح اللوح 312. يمكن أن يحدث إمساك جزيئات الغاز عبر العديد من العمليات الفيزبائية مثل ‎cad‏ بالإضافة إلى الامتزاز الفيزيائي أو الكيميائي على أسطح يمكن أن تتكون من العديد من أنواع المواد. في كل مرة ترتطم فيها جزيئات الغاز بهذا السطح يمكن إمساكها باحتمالية التصاق بين 0 إلى 2100 واحتمالية الالتصاق على السطح المسطح من صدمة واحدة بالسطح تسمى معامل الالتصاق (58). إذا كان جزيء الغاز لا يلتصق سوف يقوم بشكل مثالي بترك هذا السطح في إتجاه عشوائي إتجاه وفقا لقانون جيب التمام. معامل الالتصاق لسطح مسطح بشكل مستقل عن حجم السطح المسطح. مع ذلك؛ تعتمد سرعة الضخ الكلية للمضخة على مساحة ‎land)‏ معامل التصاق ومتوسط سرعة جزيئات الغاز؛ ويتم تحديدها بالمعادلة (1): ‎Speed = 1 {(vi8F x drea‏ 0 "
يمكن زيادة معامل الالتصاق الفعال؛ وبالتالي سرعة المضخة؛ بواسطة دمج اثنين أو أكثر من الأسطح معا حيث تتضمن الأسطح مناظر من بعضها البعض. على سبيل المثال؛ كما هو مبين في الشكل 28؛ ‎(Sa‏ دمج خمس جدران مريعة مسطحة 322؛ 324؛ 326؛ 328 و325 لتكوين خمس جوانب لمكعب 320 مع وجود جانب مفتوح بحيث تتضمن الأسطح الداخلية للجدران 322؛ 324؛ 326؛ 328 و325 مسقط لبعضها البعض. سوف يقوم جزيء غاز بالدخول في هذا المكعب 320 على الجانب المفتوح ويرتطم بواحد من الأسطح الخمس والالتصاق باحتمالية ‎SF‏ ‏إذا كان جزيء الغاز لا يلتصق بالسطح الذي يرتطم به؛ يمكن أن يعود جزيء الغاز خارج الجانب المفتوح من المكعب 320 جزيء الغاز الذي دخل توا أو يمكن أن يرتطم جزيء الغاز بواحد من الأسطح الأربعة للمكعب 320 وهي تتضمن منظر له فرصة أخرى للالتصاق بالسطح بواسطة 0 احتمالية ‎WSF‏ يمكن أن يقفز جزيء الغاز حول أسطح المكعب 320 ‎sae‏ مرات قبل الالتصاق بواحد من الأسطح أو الخروج خلال الجانب المفتوح من المكعب 320. يزيد هذا من احتمالية لصق جزيء الغاز بالسطح في المكعب 320 مقارنة بالسطح المسطح ‎gyal)‏ 312 من نفس الحجم كفتحة للمكعب 320. يتعادل المكعب 320 بفاعلية مع السطح المسطح 312؛ ولكنه يتضمن ‎SF‏ أعلى فعالية من السطح المسطح 312 حيث يتضمن السطح المسطح نفس مساحة 5 الجانب المفتوح من المكعب 320. عند دمج اثنين أو أكثر من الأسطح معا بحيث تتضمن الأسطح مناظر من بعضها البعض؛ ولا يحتاج الشكل الناتج بالضرورة إلى تكوين شكل المكعب. يمكن أن يتضمن الشكل الناتج العديد من أسطح تشكل أكثر من مجرد سطح مسطح مثل غرفة مفتوحة الجانب؛ تجويف أو قناة. على سبيل ‎JU)‏ كما هو مبين في الشكل 29 يمكن تكوين صندوق ذو فتحة مربعة مثل المكعب 320 0 المبين في الشكل 28 ولكن بعمق مختلف. يقدم الشكل 29 مخطط ل ‎SF‏ الفعال للفتحة المريعة للصندوق كدالة لنسبة عمق/عرض الصندوق ل ‎SF‏ معين لأسطح مسطحة ‎lly‏ تقوم بتكوين الصندوق. صندوق بعمق صفر (عمق/عرض - 0 أيضا) عبارة عن سطح مسطح 312؛ بحيث تكون ‎SF‏ الفعالة هي نفس ‎SF‏ المحددة للأسطح المسطحة للصندوق. تم توضيح ‎SFs due‏ لسطح مسطح بحيث تتضمن 0.05 0.10< 0.20 و0.50. بالنسبة لعمق/عرض نسبة عمق/عرض-1؛ 5 الصندوق 1)320( عبارة عن مكعب. تتضمن الصناديق 2(320)» 3)320(¢ 4(320) و5320) نسب عمق/عرض 2:1 3:1؛ 4:1 و5:1؛ على التوالي.
بالإضافة إلى نسبة العمق/العرض المتغيرة؛ يمكن أن يختلف الشكل وعدد الجوانب المفتوحة. لا تحتاج الجوانب المفتوحة إلى أن تكون مربعة؛ ولكن يمكن أن تكون بأي شكل. شاملة؛ ولكنها غير مقيدة بالشكل السداسيء الدائري؛ المريع؛ المثلث؛ النجمي؛ إلخ.؛ ‎Lalla‏ أن هناك اثنين أو أكثر من الأسطح الداخلية تتضمن مسقط لبعضها البعض. لا يجب صنع الشكل من عدد من الأسطح المسطحة المميزة. يمكن أن يكون عبارة عن سطح منحنى كأن يكون شبه كروي. لحساب ‎SF‏ ‏الفعال لشبه الكرة؛ يتم افتراض السطح المنحني بكونه مكون من عدد معين من أسطح مسطحة الصغيرة بشكل مطلق. مضخات الإمساك المسطحة ذاتية التشابه يمكن اعتبار الشكل الأساسي لبناء بنيات ذاتية التشابه على العديد من مستويات القياس التي ستزيد 0 من ‎SF‏ الفعال. على سبيل ‎(JU‏ يمكن تجميع جسم المضخة الفردية في صورة مكعب خماسي الجوانب 320 الموضح أعلاه (الأشكال 28 و29)؛ مع مجموعة من مكعبات 320 في مصفوفة 0 من مكعبات لتكوين لوح أو جدار 330. يمكن بالتالي استخدام مصفوفة مكعبات 330 بالتالي لتكوين خمس جدران (5) 342؛ 344؛ 345؛ 346 و348 ذات خمس مكعبات (5) أكبر 340. يمكن تكرار هذه العملية مرارا وتكرارا لزيادة ‎SF‏ وبالتالي زيادة سرعة وسعة المضخة. على سبيل ‎(Jal‏ كما هو مبين في الأشكال 31 و32؛ إذا تم استخدام لوح مريع مسطح 312 يتضمن ‎SF‏ ‏بمقدار 75 لتكوين مكعب خماسي الجوانب 320 سوف يزيد ‎SF‏ لفتحة المكعب 320 إلى 720. يمكن تجميع المكعب 320 مع مجموعة من مكعبات 320 في مصفوفة ‎10X10‏ من مكعبات لتكوين مستوى 'مسطح” مريع أو جدار 330 مع ‎SF‏ مساوي ل 720. إذا تم استخدام مصفوفة 0 جدار المكعبات 330 تتضمن ‎SF‏ بمقدار 720 لتكوين مكعب خماسي الجانب 340 مع جوانب 342( 344( 345( 346 5 348( سوف يزيد ‎SF‏ لفتحة المكعب 340 إلى 750 بالتالي يمكن تجميع المكعب 340 مع مجموعة من مكعبات 340 في مصفوفة ‎10X10‏ لمكعبات لتكوين مستوى مريع 'مسطح” أو جدار 360 مع ‎SF‏ يساوي 7250. إذا كانت مصفوفة جدار المكعبات 0 تتضمن 88 بمقدار 750 لتكوين مكعب خماسي الجانب 380؛ مع جوانب 382 384؛ 5 385 386 و388؛ سوف يزيد ‎SF‏ لفتحة المكعب 380 إلى 780. يمكن تكررا هذه العملية حسب الرغبة للوصول إلى مستوى ‎SF‏ الأمثل.
كما هو مبين في الشكل 26 يتم تموضع مجموعة من الصناديق الأكبر 380 حول الجزء الداخلي
للغرفة 310 للمحولات 300 و302.
لا يعتمد ‎SF‏ على الحجم. يمكن تحقيق زيادة في ‎SF‏ المرتبط بالمكعبات من المثال السابق بواسطة
مكعبات من نفس حجم الفتحة بدلا من جعل الفتحة أكبر. بصيغة أخرى؛ بواسطة الانتقال من
تهيئة المكعب الأول 320 إلى تهيئة المكعب الثالث 380 مع الحفاظ على فتحة المكعبات الأولى
والثالثة 320 و380 بنفس الحجم؛ ويزيد بمقدار أريعة أضعاف في ‎SF‏ وء بالتالي؛ يتم تحقيق
سرعة المضخة نسبة إلى ‎SF‏ للوح مسطح يناظر مساحة الفتحة. وهذا مثال على مستويات قياس
مميزة ذات تشابه ذاتي. المكعب الأول 320 عبارة عن مكعب أحدي القياس؛ أي؛ تتضمن الأسطح
الداخلية للجدران للمكعب 320 أسطح مسطحة. مع ذلك؛ الأسطح الداخلية للجدران من المكعب 0 الثاني 340 غير مسطحة ولكنها تتضمن أيضا مصفوفة من المكعبات الأولى 320. بشكل مشابه؛
تتضمن الأسطح الداخلية للمكعب الثالث 380 مصفوفة من المكعبات الثانية 340.
مع زيادة ‎SF‏ للمضخة؛ وسرعتها وسعتهاء لا توجد حاجة إلى استخدام أجسام مضخة فردية لتحويل
سطح مسطح في سطح ثلاثي الأبعاد (3) ليكون لها نفس الشكل أو الأحجام. يجب أن تتضمن
أجسام المضخة الفردية شكل يمكنه زيادة ‎SF‏ نسبة إلى لوح مسطح يناظر فتحة أجسام المضخة 5 الفردية. في الأمثلة المقدمة أعلاه؛ يتم استخدام نسبة 10:1 في أحجام القياس للمكعبات ذاتية
التشابه؛ ولكن هذه النسبة يمكن أن تكون عبارة عن أي شيء. عدد مستويات القياس؛ يمكن
تحسين الشكل والحجم لكل موقف.
كما هو مذكور أعلاه؛ تم استخدام توليفة من أسطح مبردة وأشكال ذاتية التشابه في نظام تهيئة
مجال معكوس الحالي 10 لتحقيق معامل التصاق بمقدار حوالي 780 أو أكثر. في مواقف معينة؛ 0 .يتم تقليل ‎SF‏ إلى 770 من بعض الدروع التي تقي التيتانيوم من الترسيب خلال فتحة المضخات
الفردية.
هناك طرق لإنتاج هذه الأنواع من البنيات ذاتية التشابه. سوف تنتج أغشية التيتانيوم النامية على
السطح المبرد (77 كالفين) تحت قيم ضغط أرجون لتنتج بنيات أقل من الميكرون والتي تبدي
تشابه ذاتي وتزيد معامل التصاق السطح. مع ذلك؛ البنيات ذاتية التشابه؛ مثل؛ ‎Sle‏ المكعبات 5 320 340 3805 عبارة عن بنيات ذاتية التشابه المصممة بشكل محدد الغرض أنها لا تنمو من
الأغشية المرسبة والتي يمكن استخدامها بشكل مرتبط مع الأغشية المرسبة.
— 4 5 — هناك العديد من الطرق حيث يتم احتجاز الغاز على أسطح مجاورة للتيتانيوم. تعتبر وسائل نزع activated charcoal ‏والفحم المنشط‎ ((NEGs) Non-Evaporable Getters ‏الغاز غير المبخرة‎ بالتبريد عبارة عن اثنين من أكثر الوسائل شيوعا. يتم استخدام مضخات وسائل نزع الغاز غير المبخرة (وسائل نزع الغاز غير المبخرة) بشكل شائع بواسطة وسائل تسريع الجسيم ‎.accelerators‏ يتم تنفيذ ذلك من خلطات مساحيق سبائق تيتانيوم ‘
Jron ‏والحديد‎ Zirconium ‏زركونيوم‎ ¢Aluminum ‏ألومنيوم‎ «Vanadium a alld بشكل مثالي؛ يتم تلبد مسحوق وسيلة نزع الغاز غير المبخرة في أقراص مجهزة متراصة ‎clad‏ أو على شريط سخان معدني؛ والذي يتم ثنيه إلى أشكال بعد ذلك. بحيث تقوم باستخدام أشكال لزيادة معامل الالتصاق؛ ولكن فقط عند مستوى قياس واحد. ولا يتم تشكيلها في بنيات ذاتية التشابه على 0 العديد من أحجام القياس المتعدد على. يجب تلبيد مساحيق وسيلة نزع الغاز غير المبخرة في بنيات ذاتية لزيادة معاملات ‎١‏ لالتصاق المنخفضة وبالتالي سرعة المضخة بدون زيادة حجم المضخة. قد تساعد سرعة مضخة وسيلة نزع الغاز غير المبخرة في تحسين أداء تفريغ وسائل تسريع الجسيم . يمكن أن يقوم الفحم المنشط المبرد إلى 10 كالفين مع غاز هيدروجين وتبريده إلى 4 كالفين 5 1 بإمساك غاز الهيليوم ‎Helium‏ وهو واحد من الطرق القليلة لضخ غاز الهيليوم . ويتم استخدمه كمضخة في أجهزة انتشار مثل أجهزة اندماج حراري وآشعة متعادلة. يقوم لصق فحم منشط بمسحوق على بنية ذاتية التشابه والتي تزيد من معاملات الالتصاق وسرعات المضخة. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ طريقة لتوليد والحفاظ على مجال مغناطيسي مع تهيئة مجال معكوس يتضمن تكوين تهيئة مجال معكوس حول بلازما في غرفة احتجازء حقن مجموعة من ‎dail 0‏ متعادلة في بلازما تهيئة مجال معكوس عند زاوية تجاه المستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز ضخ جزبئات غاز متعادلة متراكمة في المحولات الأولى والثانية المقترنة قطريا المقترنة بغرفة الاحتجاز مع مضخات إمساك بالتفريغ أولى وثانية متموضعة في المحولات الأولى والثانية ويتضمن اثنين أو أكثر من جوانب مع أسطح تتضمن مسقط لبعضها البعض وجانب مفتوح؛ حيث تتضمن مضخات الإمساك بالتفريغ الأولى والثانية معامل التصاق أكثر من أربعة )4( أضعاف 5 أكبر من معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من مضخات الإمساك الأولى والثانية.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن على الأقل واحد من الاثنين أو الأكثر من جوانب
مضخات الإمساك بالتفريغ الأولى والثانية مصفوفة من مضخات إمساك بالتفريغ فردية.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية اثنين أو أكثر
من جوانب مع أسطح تتضمن مسقط لبعضها البعض وجانب مفتوح؛ حيث كل من مضخات
الإمساك بالتفريغ الفردية تتضمن معامل التصاق أكبر من معامل التصاق للوح مسطح يحدد
مساحة تكافئ الجانب المفتوح من كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ على الأقل واحد من الاثنين أو الأكثر من جوانب تتضمن كل
من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية مصفوفة ثانية من مضخات إمساك بالتفريغ فردية.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية من المصفوفة 0 الثانية اثنين أو أكثر من جوانب مع أسطح تتضمن مسقط لبعضها البعض وجانب مفتوح؛ حيث
كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية من المصفوفة الثانية تتضمن معامل التصاق أكبر من
معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من كل من مضخات الإمساك
بالتفريغ الفردية من المصفوفة الثانية.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن مضخات الإمساك بالتفريغ الأولى والثانية معامل 5 التصاق التي تكون أكبر بمقدار 17 أضعاف من معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ
الجانب المفتوح من مضخات الإمساك الأولى والثانية؛ حيث ‎N‏ عبارة عن 16<<1<4.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن أسطح اللوح المسطح ومضخات التفريغ الأولى والثانية
غشاء من تيتانيوم موضوع عليه.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة أيضا الحفاظ على تهيئة مجال معكوس عند أو 0 حوالي قيمة ثابتة بدون تحلل بواسطة حقن أشعة لذرات سريعة متعادلة من وسائل حقن شعاع
متعادل في بلازما تهيئة مجال معكوس عند زاوية تجاه المستوى البيني الأوسط لغرفة الاحتجاز.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة أيضا توليد مجال مغناطيسي داخل غرفة
الاحتجاز مع أشباه ملفات ‎do‏ ممتدة حول غرفة الاحتجاز ومجال مغناطيسي عاكس داخل
الأطراف المتقابلة لغرفة الاحتجاز مع أشباه ملفات ع0 عاكسة ممتدة حول الأطراف المتقابلة لغرفة 5 الاحتجاز.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة أيضا توليد مجال مغناطيسي داخل غرفة الاحتجاز مع أشباه ملفات ‎do‏ ممتدة حول غرفة الاحتجاز ومجال مغناطيسي عاكس داخل الأطراف المتقابلة لغرفة الاحتجاز مع أشباه ملفات ع0 عاكسة ممتدة حول الأطراف المتقابلة لغرفة الاحتجاز.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن تكوين تهيئة مجال معكوس تكوين تهيئة مجال معكوس تكوين في أجزاء التكوين الأولى والثانية المتقابلة المقترنة بغرفة الاحتجاز وتسريع تهيئة مجال معكوس للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والثانية تجاه المستوى البيني الأوسط لغرفة الاحتجاز حيث يندمج اثنين من تهيئة مجال معكوس تكوين لتكوين تهيئة مجال معكوس. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن تكوين تهيئة مجال معكوس واحد من تكوين تهيئة مجال
0 معكوس تكوين أثناء تسريع تهيئة مجال معكوس للتكوين تجاه المستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز وتكوين تهيئة مجال معكوس تكوين بالتالي تسريع تهيئة مجال معكوس للتكوين تجاه المستوى البيني الأوسط لغرفة الاحتجاز. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن تسريع تهيئة مجال معكوس للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والثانية تجاه المستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز تمرير تهيئة مجال معكوس للتكوين من 5 أجزاء التكوين الأولى والثانية خلال المحولات الداخلية الأولى والثانية المقترنة بأطراف متقابلة لغرفة الاحتجاز متداخلة مع غرفة الاحتجاز وأجزاء التكوين الأولى والثانية. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن تمرير تهيئة مجال معكوس للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والثانية خلال المحولات الداخلية الأولى والثانية والتي تثبط المحولات الداخلية الأولى والثانية حيث يمر تهيئة مجال معكوس للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والثانية خلال المحولات الداخلية 0 الأولى والثانية. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة أيضا توجيه أسطح التدفق المغناطيسية لتهيئة مجال معكوس في المحولات الداخلية الأولى والثانية. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة ‎Load‏ توجيه أسطح التدفق المغناطيسية لتهيئة مجال معكوس في المحولات الخارجية الأولى والثانية المقترنة بأطراف أجزاء التكوين.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة ‎Load‏ توليد مجال مغناطيسي داخل ‎shal‏
التكوين والمحولات الخارجية الأولى والثانية مع أشباه-ملفات ‎de‏ ممتدة حول أجزاء التكوين
والمحولات.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة ‎Load‏ توليد مجال مغناطيسي داخل ‎shal‏
التكوين والمحولات الداخلية الأولى والثانية مع أشباه-ملفات ‎de‏ ممتدة حول أجزاء التكوين
والمحولات.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة أيضا توليد مجال مغناطيسي عاكس بين أجزاء
التكوين الأولى والثانية والمحولات الخارجية الأولى والثانية مع أشباه-ملفات عل عاكسة.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة أيضا توليد مجال مغناطيسي سدادي عاكس 0 داخل جزءِ ضيق بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات الخارجية الأولى والثانية مع أشباه
ملفات عاكسة سدادية ‎de‏ ممتدة حول ‎gall‏ الضيق بين أجزاء التكوين والمحولات.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة أيضا توليد مجال مغناطيسي عاكس بين غرفة
الاحتجاز والمحولات الداخلية الأولى والثانية مع أشباه-ملفات ‎de‏ عاكسة وتوليد مجال مغناطيسي
متداخل بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات الداخلية الأولى والثانية مع ملفات متداخلة 5 ذات سمات عل منخفضة.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة أيضا توليد واحد من مجال مغناطيسي ثنائي
القطب ومجال مغناطيسي ‎ely‏ القطب داخل الغرفة مع ملفات الارتكاز المقترنة بالغرفة.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة أيضا تهيئة الأسطح الداخلية للغرفة والأسطح
الداخلية لأجزاء التكوين الأولى والثانية؛ المحولات الأولى والثانية متداخلة مع غرفة الاحتجاز 0 وأجزاء التكوين الأولى والثانية؛ والمحولات الخارجية الأولى والثانية المقترنة بأجزاء التكوين الأولى
والثانية مع نظام امتصاص الشوائب.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن نظام امتصاص الشوائب ‎daly‏ من نظام ترسيب تيتانيوم
ونظام ترسيب ليثيوم.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة أيضا حقن البلازما محوريا في تهيئة مجال 5 معكوس من مدافع البلازما التي تم تركيبها محوريا.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة ‎Load‏ التحكم في سمات المجال الكهربي القطري في طبقة حافة لتهيئة مجال معكوس. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن التحكم في سمات المجال الكهربي القطري في طبقة حافة لتهيئة مجال معكوس تنفيذ توزيع القدرة الكهربية إلى مجموعة من أسطح التدفق المفتوحة لتهيئة
مجال معكوس مع إلكترودات استقطاب.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة أيضا حقن بلازما حلقية مضغوطة من وسائل حقن حلقية مضغوطة أولى وثانية في بلازما تهيئة مجال معكوس عند زاوية تجاه المستوى المتوسط لغرفة الاحتجازء حيث وسائل حقن حلقية مضغوطة الأولى والثانية متقابلين تماما على الجوانب المتقابلة للمستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز.
0 وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ مضخة إمساك بالتفريغ يتضمن اثنين أو أكثر من جوانب مع أسطح تتضمن مسقط لبعضها البعض وجانب مفتوح؛ حيث مضخة إمساك بالتفريغ تتضمن معامل التصاق أكثر من أربعة (4) أضعاف أكبر من معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من مضخة الإمساك. ‎Lady‏ لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن على الأقل واحد من الاثنين أو الأكثر من جوانب
5 مضخات الإمساك بالتفريغ الأولى والثانية مصفوفة من مضخات إمساك بالتفريغ فردية. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية اثنين أو أكثر من جوانب مع أسطح تتضمن مسقط لبعضها البعض وجانب مفتوح؛ حيث كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية تتضمن معامل التصاق أكبر من معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية.
0 وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ على الأقل واحد من الاثنين أو الأكثر من جوانب تتضمن كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية مصفوفة ثانية من مضخات إمساك بالتفريغ فردية. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية من المصفوفة الثانية اثنين أو أكثر من جوانب مع أسطح تتضمن مسقط لبعضها البعض وجانب مفتوح؛ حيث كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية من المصفوفة الثانية تتضمن معامل التصاق أكبر من
معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من كل من مضخات الإمساك بالتفريغ الفردية من المصفوفة الثانية.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن مضخات الإمساك بالتفريغ الأولى والثانية معامل
التصاق التي تكون أكبر بمقدار 17 أضعاف من معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ
الجانب المفتوح من مضخات الإمساك الأولى والثانية؛ حيث ‎N‏ عبارة عن 16<<1<4.
‎Uy‏ لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن أسطح اللوح المسطح ومضخات التفريغ الأولى والثانية
‏5 غشاء من تيتانيوم موضوع عليه.
‏وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ نظام لتوليد والحفاظ على مجال مغناطيسي مع تهيئة مجال
‏معكوس يتضمن غرفة احتجاز؛ أجزاء تكوين تهيئة مجال معكوس أولى وثانية متقابلة تماما
‏المقترنة بغرفة الاحتجاز وشاملة مضخات إمساك بالتفريغ أولى وثانية متموضعة داخل المحولات
‏الأولى والثانية ويتضمن اثنين أو أكثر من جوانب مع أسطح تتضمن مسقط لبعضها البعض 0 وجانب مفتوح؛ حيث تتضمن مضخات الإمساك بالتفريغ الأولى والثانية معامل التصاق ‎AST‏ من
‏أربعة (4) أضعاف أكبر من معامل التصاق للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من
‏مضخات الإمساك الأولى والثانية؛ واحد أو أكثر من مجموعة من مدافع البلازماء واحد أو أكثر من
‏إلكترودات استقطاب وسدادات عاكسة أولى وثانية؛ حيث تتضمن مجموعة مدافع البلازما مدافع
‏البلازما المحورية الأولى والثانية المقترنة تشغيليا بالمحولات الأولى والثانية؛ أجزاء التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجاز» حيث واحد أو أكثر من إلكترودات الاستقطاب متموضعة داخل واحد أو
‏أكثر من غرفة الاحتجازء أجزاء التكوين الأولى والثانية؛ والمحولات الخارجية الأولى والثانية؛
‏وحيث السدادات العاكسة الأولى والثانية متموضعة بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات
‏الأولى والثانية؛ نظام امتصاص الشوائب المقترنة بغرفة الاحتجاز والمحولات الأولى والثانية؛
‏مجموعة من وسائل حقن شعاع ذري متعادل مقترنة بغرفة الاحتجاز وموجه بزاوية تجاه مستوى 0 متوسط لغرفة الاحتجاز.
‏وفقا لأحد نماذج الكشف ‎Jal‏ النظام مهياً لتوليد تهيئة مجال معكوس والحفاظ على ‎dings‏ مجال
‏معكوس بدون تحلل أثناء حقن الآشعة المتعادلة في.
‏وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن المحولات الأولى والثانية المحولات الداخلية الأولى
‏والثانية متداخلة مع أجزاء التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجازء وتتضمن أيضا المحولات 5 الخارجية الأولى والثانية المقترنة بأجزاء التكوين الأولى والثانية» حيث أجزاء التكوين الأولى والثانية
‏متداخلة مع المحولات الداخلية الأولى والثانية والمحولات الخارجية الأولى والثانية.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ النظام تتضمن أيضا مدافع البلازما المحورية الأولى والثانية المقترنة تشغيليا بالمحولات الداخلية والخارجية الأولى والثانية» أجزاء التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجاز.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ النظام تتضمن ‎Load‏ اثنين أو أكثر من ملفات الارتكاز المقترنة
بغرفة الاحتجاز.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن قطاع التكوين أنظمة تكوين تم تضمينها لتوليد تهيئة مجال معكوس وتحويلها تجاه مستوى أوسط لغرفة الاحتجاز.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ ‎the‏ تتضمن إلكترودات الاستقطاب واحد أو أكثر من واحد أو أكثر من إلكترودات نقطية متموضعة داخل غرفة الاحتواء لملامسة خطوط المجال المفتوح؛
0 مجموعة من إلكترودات حلقية بين غرفة الاحتجاز وأجزاء التكوين الأولى والثانية لشحن طبقات تدفق بعيدة عن الحافة بطريقة متناظرة السمت»؛ مجموعة من إلكترودات متراصفة مشتركة المركز متموضعة في المحولات الأولى والثانية لشحن العديد من طبقات التدفق مشتركة المركز؛ وآنودات من مدافع البلازما لمقابلة التدفق المفتوح. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ النظام تتضمن ‎Load‏ وسائل الحقن الحلقية المضغوطة الأولى
5 والثانية المقترنة بغرفة الاحتجاز عند زاوية تجاه المستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز؛ حيث وسائل حقن الحلقية المضغوطة الأولى والثانية متقابلين تماما على الجوانب المتقابلة للمستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز. يقصد بالنماذج المثالية المقدمة ‎(Lin‏ مع ذلك؛ أن تكون للتوضيح فقط ولن يتم بها تقييد الاختراع بأي طريقة.
0 يقصد بكل ‎(pals dl‏ العناصرء المكونات؛ الوظائف؛ والخطوات الموضحة بالنسبة للنماذج الموضحة أن تكون قابلة للدمج والاستبدال مع تلك الخاصة بأي نموذج. في حالة ما إذا كانت من الخواص؛ العناصر؛ المكونات؛ الوظائف؛ والخطوات قد تم وصفها بالنسبة فقط إلى نموذج واحد؛ بالتالي يجب فهم أن هذه الخاصية أو العنصر أو المكون أو الوظيفة أو الخطوة يمكن استخدامها مع كل نموذج آخر موضع هنا ما لم يذكر غير ذلك صراحة. تعمل هذه الفقرة بالتالي كأساس
5 كتابي للتقديم لعناصر الحماية؛ في أي وقت حيث تقوم بدمج الخواص؛ العناصر؛ المكونات؛ الوظائف؛ والخطوات من مختلف النماذج؛ أو تقوم باستبدال الخواص؛ العناصر؛ المكونات؛
الوظائف؛ والخطوات من أي نموذج ‎isc AL‏ ولو كان الوصف التالي لا يشير صراحة إلى ذلك؛ في حالة معينة؛ بحيث تكون عمليات التوليف والاستبدال ممكنة. يمثل الذكر الصريح لكل عملية توليف واستبدال صعوية؛ خصوصا بعد اعتبار أن كل من هذه العمليات معروفة جيدا للخبير في المجال عن قراءة هذا الوصف.
في العديد من الحالات تم توضيح الكيانات بكونها مقترنة بكيانات أخرى. يجب فهم أن المصطلحات 'مقترن" وامتصل' (أو أي صورة منها) يتم استخدامها بالتبادل هنا و؛ في كل الحالات؛ ستكون شاملة الإقران المباشر لاثنين من الكيانات (بدون أي كيانات غير صغيرة ‎Oli)‏ ‏ملحقة) متداخلة) والإقران غير المباشر لاثنين من الكيانات (مع واحد أو أكثر من الكيانات غير الصغيرة المتداخلة). حيث تم توضيح الكيانات بأنها مقترنة مباشرة معا أو مقترنة بدون وصف أي
0 كيان تمداخل» يجب فهم أن هذه الكيانات مقترنة بشكل غير مباشر معا أيضا ما لم يبين السياق غير ذلك صراحة. بينما تكون النماذج قابلة للعديد من عمليات التعديل والتغيير؛ هناك أمثلة معينة عليها في الأشكال وقد تم وصفها هنا بالتفاصيل. مع ذلك؛ يجب فهم أن النماذج غير مقيدة بالصورة المكشوف عنها هنا ولا بعكسها ولا بالنماذج لتغطية كل التعديلات والمكافئات والبدائل التي تقع داخل منظور 5 الكشف. علاوة على ذلك»؛ يمكن ذكر أو إضافة أي من ‎(pals all‏ الوظائف؛ الخطوات؛ أو العناصر للنماذج في عناصر الحماية؛ بالإضافة إلى القيود السلبية التي تحدد المنظور الابتكاري لعناصر الحماية بواسطة الخواص؛ الوظائف؛ الخطوات؛ أو العناصر غير الموجودة في هذا المنظور. قائمة التتابع ‎١ 0‏ نظام ‎C2HPF‏ ‏ب" ‎HPF‏ ‏نج ‎CR‏ ‏د" نظام تقليدي في ‎C2‏ ‏"هه" ‎FRCs‏ التقليدي السابق 5 ١و"‏ وقت احتجاز الجسيم؛ (مل ثانية) 'ز” ‏ قياس وقت الاحتجاز السابق ‎do)‏ ثانية)
'ح" | ‎(FRX-B (Los Alamos‏ ‎(FRX-C (Los Alamos ~~ 'L'‏ يي" ‎(LSM (Los Alamos‏ لك" | ‎(LSX (U.Washington‏ ل ‎(FIX Japan‏ ‎(NUCTE (Japan "a‏ ‎(C-2(TAE "J‏ 0 ميل ‎PI 2‏ 0 اف" عكسي اساسي ‎"a‏ الى ‎FRC‏ ‎GF‏ وسيلة تفريغ شعاع متحايدة )9 مصعد 11 ‎"UE‏ مصعد ‎Ti‏ قابل للانكماش ات" مضخة تفريغ مبردة اث" .الى غرفة التكوين ‎JE‏ مركز انبوب التكوين 3" الى مركز غرفة الاحتجاز ‎To‏ وسيلة تركيب الكترود عازل 0 17" ميكروثانية 'ب1"_قطر تدفق مستبعد (متر) ‎"lg‏ مسافة محورية (متر) 14" شدة خطية ‎"la‏ شدة 5 و1 درجة الحرارة الكلية (الكترون فولط) "ح1" (م) ‎rAd‏ قطر تدفق مستبعد
‎IE‏ (م) 2» موضع محوري ي1" ملفات عاكسة ‎DC‏ ودعامات "ك1" لا توجد اشعة 'ل1” 5 تشغيل الاشعة لمدة 0.5 مل ثانية "م1" .تم تشغيل الاشعة ‎sad‏ 1 مل ثانية 'ان1” تم تشغيل الاشعة لمدة 2 مل ثانية ‎"Tw‏ الزمن ‎da)‏ ثانية) ‎"lg!‏ قطر بلازما (سم) ‎YT‏ توجد سدادات/مدافع 0 "ص1" تم تشغيل الاشعة ‎sad‏ 3 مل ثانية 'ق1' سدادات 1" سدادات + مدفع بلازما ‎"TE‏ سدادات + مدفع + امتصاص شوائب 'ت1" الزمن (مل ثانية) 5 "ث1" _قطر تدفق مستبعد (سم) ‎de IE‏ ثانية 13 20 (مل ثانية) ‎Ters "1"‏ (الكترون فولطم) 7" قدرة الاشعة [مل واط] ‎Jk 2 0‏ بلازما ‎"2g‏ نبضة اشعة نيوترونية 24 اداء ‎fre‏ - اشعة زاوية "2.4 اداء ‎fre‏ - اشعة غير زاوية 24 درجة حرارة البلازما ‎Y3->N 23 5‏ ‎"2p‏ كثافة الغاز في المحولات
'ط2" محول خارجي 2 محول داخلي "ك2" كتثافة الغاز (م-3) ‎2d‏ مكافئ م2" ‎SFe>SE‏ ‎SF 2‏ معامل الالتصاق لس 2" وظيفة تبديل "ع2" _مفاعل التصاق فعال للشكل الصندوقي للسطح المسطح المختلف ‎SF‏ ‏24 مفاعل التصاق فعال (518)عند مدخل المضخة ‎20a" 0‏ صندوق 3ق نسبة عمق عرض ‎le 2‏ ‎phe 208‏ مسطح 2" 588 محسن للشكل المكعب ذاتي التشابه من 75 إلى 780 ‎Separatrix 451 5‏ 6 طبقة ‎Als‏ ‏4 نافثة ‎ale‏ ‏3 1166 داخلي 0 مدادة عاكسة 0 412 ملف احتجاز ‎DC‏ ‏5 الكترود نقطة انحياز 6 ملفات محلول ‎DC‏ ‏0 انبوب تكوين كوارتز 0 ملفات عاكسة 5 610 حاقن شعاع نيوترزني جانبي 0 حاقن شعاع نيوترزني علوي
0 حاقن حبيبات 0 الكترود ميل حلقي 2 ملفات سريعة تكوين نبضي 414 ملفات تكوين ‎D-C‏ ‏5 350 مدفع بلازما 0 الكترود محلول 0 شرائط تكوين انبوبي 2 توقيت البدء 0 تكوين منزلق مكثفات (ميل عكسي اساسي) مفاتيح لوح تفريغ|شحن 0 224 لوح شحن مؤقت خطوط امداد القدرة وسائل التحكم في الترحيل 3 اداة حث 4 وسيلة البدء ودارة وسيلة التفريغ مفاتيح التيار العالي السريع 1 مكثفات ‎cent 240 5‏ كوراتز 0 شريط 232 ملف سريع لتكوين نبضي 6 الواح مضخة تبريد 0 صمام بوابي 612 مصدر ‎RF LPL‏ 4 شاشة مغناطيسية 6 مصدر ايون وشبكات تسارع 2 وسيلة تحييد 4 مغناطيس انحراف 5 628 وسيلة تفريغ ايون 4 ثلاجة باردة
630 جهاز توجيه 610 حاقن شعاع محايد جانبي 0 غرفة احتجاز 0 حاقن شعاع محايد علوي 812 مصعدات ‎xLi2‏ ‏310 غرفة محرف 6 ملفات محرفة ‎DC‏ ‏2 وسيل تبخير تيتانيوم 0 تجميعة سدادة عاكسة مغناطيسية 0 110 جدار ‎dae‏ الاحتجاز 0 ملف ارتكاز علوي 0 فتحة حقن غازي 4 الكترود خارجي 8 فاصل كهربائي 5 726 ملف ميل 2 الكترود داخلي 0 حاقن حلقي مضغوط 5 حاقن شعاعي محايد 4 فتحة تشخيصية 0 742 ملف انبوب ازاحة 0 انبوب ازاحة 663« 662 ايونات

Claims (1)

  1. عناصر الحماية 1 ترتيب لمضخة إمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pump‏ أولى ومضخة إمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pump‏ ثانية؛ تتضمن كل من مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ غرفة مفتوحة من جانب ‎open sided chamber‏ )320( تتضمن:
    اثتين أو أكثر من الألواح )322 324 326 328( مع أسطح تطل على بعضهما البعض؛ ويشتمل اللوحان أو أكثر على لوح جانبي ‎plate‏ علن: واحد أو أكثر مرتبط بلوح طرفي ‎end plate‏ (312) في الطرف الأول من اللوح الجانبي ‎side plate‏ الواحد أو أكثر ويمتد إلى فتحة محددة بواسطة طرف ثاني من اللوح الجانبي ‎side plate‏ الواحد أو أكثرء وتحدد الفتحة مساحة تكافئ سطح اللوح الطرفي ‎plate‏ 000 بطول اللوح الجانبي ‎side‏
    ‎plate 0‏ الواحد أو أكثر وتحدد عمق (د) من مضخة الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum‏ ‎pump‏ واللوحين أو أكثر مع الأسطح التي تطل على الفتحة؛ يتم وضع غشاء من التيتانيوم ‎titanium‏ على أسطح الألواح»؛ حيث تتمتع الأسطح المغلفة بالغشاء ‎film deposited surfaces‏ بمعامل التصاق ‎sticking factor‏ يتوافق مع احتمال التصاق جزيء غاز فردي ‎individual gas molecule‏ بالسطح المغلف بالغشاء ‎film‏ ‎deposited surface 5‏ بسبب ضرية مفردة من جزيء الغاز الفردي | ومع ‎individual‏ ‎molecule‏ على بالسطح المغلف باتغشاء ‎film deposited surface‏ عند تعرض بالسطح المغلف بالغشاء ‎film deposited surface‏ للغازء؛ حيث تتمتع مضخة الإمساك بالتفريغ مسيم ‎capture vacuum‏ بمعامل التصاق ‎factor‏ عدطناعن: أكبر من معامل التصاق ‎sticking factor‏ الخاص بالسطح المغلف بالغشاء ‎film deposited surface‏ للوح الطرفي ‎end plate 0‏ بمفرده؛ و حيث يشتمل واحد على الأقل من اللوحين أو أكثر لمضخة الإمساك بالتفريغ ‎capture‏ ‎vacuum pump‏ الأولى والثانية )340( على مصفوفة أولى (330) من مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ الفردية )320( حيث تشتمل كل مضخة إمساك بالتفريغ ‎vacuum pump‏ عسادمه فردية في المصفوفة الأولى (330) من مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ الفردية على لوحين أو أكثر
    )322 324؛ 326 328( مع أسطح تطل على بعضها البعض» وشتمل اللوحان أو أكثر على لوح جانبي ‎plate‏ عل1: واحد أو أكثر مرتبط بلوح طرفي ‎end plate‏ )312( في الطرف الأول من اللوح الجانبي ‎plate‏ عل0:» الواحد أو أكثر ويمتد إلى فتحة محددة بواسطة طرف ثاني من اللوح الجانبي ‎side plate‏ الواحد أو أكثرء وتحدد الفتحة مساحة تكافئ سطح اللوح الطرفي ‎plate‏ ل« بطول اللوح الجانبي ‎side plate‏ الواحد أو أكثر وتحدد عمق (د) من مضخة الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pump‏ الفردية واللوحين أو أكثر مع الأسطح التي تطل على الفتحة. 2 الترتيب وفقا لعنصر الحماية 1 حيث واحد على الأقل من اللوحين أو أكثر من 00 كل مضخة إمساك بالتفريغ ‎vacuum pump‏ عسادهه فردية (380) في مصفوفة مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ الفردية يشتمل على مصفوفة ثانية من مضخات إمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ فردية (340)؛ حيث تكون كل كل مضخة إمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pump‏ فردية في المصفوفة الثانية من مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ الفردية مضخة إمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pump 5‏ تتضمن لوحين أو أكثر مع أسطح تطل على بعضها البعض؛ ويشتمل اللوحان أو أكثر على لوح جانبي ‎plate‏ 0ن واحد أو أكثر مرتبط بلوح طرفي ‎Send plate‏ الطرف الأول من اللوح الجانبي ‎side plate‏ الواحد أو أكثر ويمتد إلى فتحة محددة بواسطة طرف ثاني من اللوح الجانبي ‎side plate‏ الواحد أو أكثر؛ وتحدد الفتحة مساحة تكافئ سطح اللوح الطرفي ‎plate‏ 600 بطول اللوح الجانبي ‎side plate‏ 0 الواحد أو أكثر وتحدد عمق (د) من مضخة الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pump‏ الفردية واللوحين أو أكثر مع الأسطح التي تطل على الفتحة.
    3. الترتيب ‎Lag‏ لأي من عناصر الحماية 1 ‎Qo‏ حيث تتضمن مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ الأولى والثانية معامل التصاق ‎sticking factor‏ التي 5 تكون أكبر بمقدار 17 أضعاف من معامل التصاق ‎sticking factor‏ للوح مسطح يحدد
    مساحة تكافئ الجانب المفتوح من مضخات الإمساك ‎capture pumps‏ الأولى والثانية؛
    حيث ‎N‏ عبارة عن ‎J6>N>4‏
    4 نظام لتوليد والحفاظ على مجال مغناطيسي مع تهيئة مجال معكوس | ‎field‏ ‎reversed configuration 5‏ يتضمن
    )100( confinement chamber ‏غرفة احتجاز‎
    أجزاء تكوين تهيئة مجال معكوس ‎field reversed configuration‏ أولى وثانية متقابلة
    تماما )200( مقترنة بالمحولات ‎divertors‏ الداخلية الأول والثاني المتقابلة قطرياً؛
    المحولات ‎divertors‏ الأولى والثانية (300» 302( المقترنة بأجزاء التكوين الأولى
    0 والثانية؛ حيث تتضمن المحولات ‎divertors‏ الأولى والثانية ترتيب لمضخات إمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ أولى وثانية متموضعة داخل المحولات ‎divertors‏ ‏الأولى والثانية ويتضمن لوحين جانبين أو أكثر مع أسطح تتضمن مسقط لبعضها البعض وجانب مفتوح؛ حيث تتضمن مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum‏ ‎pumps‏ (320؛ 340« 380( الأولى والثانية معامل التصاق ‎sticking factor‏ أكبر من
    معامل التصاق ‎sticking factor‏ #5 مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ الأولى والثانية؛ حيث يشتمل واحد على الأقل من اللوحين أو أكثر (322؛ 324؛ 326؛ 328( لمضخة الإمساك بالتفريغ مسيم ‎capture vacuum‏ الأولى والثانية على مصفوفة (330) من مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ الفردية؛
    0 حيث تشتمل كل من مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ الفردية على لوح طرفي ‎plate‏ ل0ه له سطح ولوحين جانبيين ‎side plates‏ أو أكثر مع أسطح تطل على بعضها البعض مرتبطة باللوح الطرفي ‎Send plate‏ الطرف الأول من اللوحين الجانبيين ‎side plates‏ الواحد أو أكثر ويمتد إلى فتحة محددة بواسطة طرف ثاني من اللوحين الجانبيين ‎side plates‏ أو ‎«ST‏ وتحدد الفتحة مساحة تكافئ سطح اللوح الطرفي
    ‎plate 5‏ ل0؛ وحيث تتضمن كل من مضخات الإمساك ‎capture vacuum pumps gall‏
    معامل التصاق ‎sticking factor‏ أكبر من معامل التصاق ‎sticking factor‏ للوح مسطح
    يحدد مساحة تكافئ إلى الفتحة لكل من مضخات الإمساك ‎«capture pumps‏
    واحد أو أكثر من مجموعة من مدافع البلازما ‎plasma guns‏ (350)» واحد أو أكثر من
    إلكترودات استقطاب ‎biasing electrodes‏ )900 905 910 920( وسدادات عاكسة
    ‎mirror plugs 5‏ )440( أولى وثانية؛ حيث تتضمن مجموعة مداقع البلازما ‎plasma guns‏
    ‏المحورية الأولى والثانية المقترنة تشغيليا بالمحولات ‎divertors‏ الأولى والثانية؛ أجزاء
    ‏التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجاز ‎cconfinement chamber‏ حيث واحد أو أكثر
    ‏من إلكترودات الاستقطاب ‎biasing electrodes‏ متموضعة داخل واحد أو أكثر من غرفة
    ‏الاحتجاز ‎confinement chamber‏ أجزاء التكوين الأولى والثانية؛ والمحولات ‎divertors‏ ‏0 الأولى والثانية؛ وحيث السدادات العاكسة ‎mirror plugs‏ الأولى والثانية متموضعة بين
    ‏أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات ‎divertors‏ الأولى والثانية؛
    ‏نظام امتصاص الشوائب ‎gettering system‏ )800( المقترنة بغرفة الاحتجاز
    ‎confinement chamber‏ والمحولات ‎divertors‏ الأولى والثانية؛
    ‏مجموعة من وسائل حقن ‎injectors‏ شعاع ذري متعادل ‎neutral atom beam‏ (600؛ 615) مقترنة بغرفة الاحتجاز ‎confinement chamber‏ وموجه بزاوية تجاه مستوى
    ‏متوسط لغرفة الاحتجاز ‎confinement chamber‏ بزاوية بدرجات من 15 إلى 25 من
    ‏الوضع الطبيعي إلى المحور الطولي لغرفة الاحتجاز ‎«confinement chamber‏ و
    ‏نظام مغناطيسي ‎magnetic ~~ system‏ )400< 410( يتضمن مجموعة من أشباه-ملفات
    ‎«confinement chamber ‏متموضعة حول غرفة الاحتجاز‎ (416 414 412) de ‏الأولى والثانية»؛ ومجموعة أولى‎ divertors ‏أجزاء التكوين الأولى والثانية؛ والمحولات‎ 20
    ‏وثانية من أشباه-ملفات عاكسة ‎de mirror coils‏ )420( متموضعة بين أجزاء التكوين
    ‏الأولى والثانية والمحولات ‎divertors‏ الأولى والثانية.
    ‎LS‏ النظام وفقا لعنصر الحماية ‎of‏ حيث واحد على الأقل من الجانبين أو أكثر 5 يتضمن كل من مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ الفردية مصفوفة
    ‏ثانية من مضخات إمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ فردية.
    6 النظام وفقا لعنصر الحماية 5؛ حيث تتضمن كل من مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ الفردية من المصفوفة الثانية الجانبين أو أكثر مع أسطح تطل على بعضها البعض وجانب مفتوح؛ حيث كل من مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture‏ ‎vacuum pumps 5‏ الفردية من المصفوفة الثانية تتضمن معامل التصاق ‎sticking factor‏ أكبر من معامل التصاق ‎sticking factor‏ للوح مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من كل من مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ الفردية من المصفوفة الثانية. 0 27 النظام وفقا لعنصر الحماية ‎of‏ حيث تتضمن مضخات الإمساك بالتفريغ ‎capture vacuum pumps‏ الأولى والثانية معامل التصاق ‎sticking factor‏ التي تكون أكبر بمقدار 17 أضعاف من معامل التصاق ‎sticking factor‏ #9 مسطح يحدد مساحة تكافئ الجانب المفتوح من مضخات الإمساك ‎capture pumps‏ الأولى والثانية؛ حيث ‎N‏ ‏عبارة عن ‎J6>N>4‏ 8 النظام وفقا لعنصر الحماية ‎of‏ حيث تتضمن أسطح مضخات التفريغ ‎vacuum‏ ‎pumps‏ الأولى والثانية غشاء من تيتانيوم ‎titanium‏ موضوع عليه.
    9. النظام وفقا لعنصر الحماية ‎of‏ حيث النظام مهياً لتوليد تهيئة المجال المعكوس ‎field reversed configuration 0‏ والحفاظ على تهيئة المجال المعكوس ‎field reversed‏ ‎configuration‏ بدون تحلل ‎US‏ حقن الأشعة المتعادلة ‎neutral | beams‏ في البلازما
    ‎.plasma‏
    ‏0. النظام وفقا لعنصر الحماية ‎of‏ حيث تتضمن المحولات ‎divertors‏ الأولى ‏5 والثانية المحولات ‎divertors‏ الداخلية الأولى والثانية متداخلة مع أجزاء التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجاز ‎confinement chamber‏ وتتضمن أيضا المحولات ‎divertors‏ ‏الخارجية الأولى والثانية المقترنة بأجزاء التكوين الأولى والثانية؛ حيث أجزاء التكوين
    الأولى والثانية متداخلة مع المحولات ‎divertors‏ الداخلية الأولى والثانية والمحولات ‎divertors‏ الخارجية الأولى والثانية.
    ‏1. النظام وفقا لعنصر الحماية 10( تتضمن ‎Lad‏ مداقع البلازما ‎plasma guns‏ المحورية الأولى والثانية المقترنة تشغيليا بالمحولات ‎divertors‏ الداخلية والخارجية الأولى ‏والثانية» أجزاء التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجاز ‎.confinement chamber‏
    ‏2. النظام وفقا لعنصر الحماية 10؛ تتضمن أيضا اثنين أو أكثر من ملفات
    ‎.confinement chamber ‏المقترنة بغرفة الاحتجاز‎ saddle coils ‏الارتكاز‎ ‏10
    ‏3. النظام وفقا لعنصر الحماية ‎of‏ حيث يتضمن قطاع التكوين أنظمة تكوين تم تضمينها لتوليد تهيئة مجال معكوس ‎field reversed configuration‏ وتحويلها تجاه مستوى أوسط لغرفة الاحتجاز ‎.confinement chamber‏ ‏5 14. النظام ‎Lag‏ لعنصر الحماية ‎of‏ حيث تتضمن إلكترودات الاستقطاب | ‎biasing‏ ‎electrodes‏ واحد أو أكثر من واحد أو أكثر من إلكترودات نقطية ‎point electrodes‏ متموضعة داخل غرفة الاحتواء ‎containment chamber‏ لملامسة خطوط المجال المفقوح» مجموعة من إلكترودات حلقية ‎electrodes‏ 7 بين غرفة الاحتجاز ‎confinement chamber‏ وأجزاء التكوين الأولى والثانية لشحن طبقات تدفق بعيدة عن ‏0 الحافة ‎far-edge flux layers‏ بطريقة متناظرة السمت»؛ مجموعة من إلكترودات متراصفة مشتركة المركز ‎concentric stacked electrodes‏ متموضعة في المحولات ‎divertors‏ ‏الأولى والثانية لشحن العديد من طبقات التدفق مشتركة المركز ‎«concentric flux layers‏ وآنودات ‎anodes‏ من مدافع البلازما ‎plasma‏ لمقابلة التدفق المفتوح.
    — 6 4 — ‏ااا 3 ا‎ ne °° \ ‏خخ ؟‎ DD) woo x Tae rr ———— . : Nie i a ‏ض‎ i vo 0 0 4 | = 4: ‏اط‎ ‏اوم إ‎ ‏تو يا ِْ "و‎ Nah ِ | » i J ‏إٍْ م‎ Yak 0 Po ٍ EE TIT, i» : » : ‏ماب إٍْ‎ boot { ‏دبي‎ i 3 ‏ج‎ & A lin 1 . ‏بي‎ ‎+ ‏المي & 2 ااي‎ ْ } ‏الم م ل‎ wn gL Teg i ‏ع‎ ‎0 ‏م حجر‎ 4 ٠ % «, ¥ x ky ¥. § *. 8 A 3 ١لكش‎
    — 6 5 — ‏و‎ ‎1 4# ١ £8 ‏يجيت و‎ . £¥e / Sey
    1647 \ ‏ل“‎ / aa £45 Too
    * as \ i FRR gaa 7 1 1 ‏م)]‎ 8 | : CR LT rete Yoo oo ‏واا لد تسل سكل‎ Ahyeg NW en ly, B10 DUNE Lerma nT NI tame dd ‏سان اط‎ Sed Smee RE ‏ل اي ل ل لي‎ Sv ‏ل الاي أن وا‎ i er vse eee RR i i TT Re A Er ‏ا مت ين ا‎ TR ‏ال‎ ‏الا‎ = ". EEE pS uy COE Nir Nag WEEE ; NN ES 1 1 ‏الإ ا ا جلا ب‎ ¥yey ‏لمتحت‎
    ‎Se ) §‏ & } : مك اف 17 :0 ؛ ‎١! 3 Wea | PRE EN‏ ؟ ‎LE‏ في ص _ إيواءة ‎tae yo ERY‏ أ ‎bos‏ نر 44 2*0 ‎wv‏ & § \ 1 6 سل للب_سست ايها .تت 74 ‎x‏ 3 £ + $ شكل ؟
    — 6 6 — Ya es = rd EAA ‏ااا قد‎ Yea ‏ا ليسا‎ rd 8 ¥ * 0 r as \ | 0 ; > X x Tew N, 0 rd £ { FR ‏الي اي من كيبا‎ ً : 8 ‏ل 8 # _ § أ‎ alle ‏ال‎ aha” ‏لا‎ v8 g J ‏ات‎ pies ‏إٍْ لومخ ممت اله ااا ا ل‎ iy RR an? 5% 3 PR ‏ال‎ 3 ‏ل ل لق @ ا‎ : ‏ال‎ 8 47 TER prepreg BE Ril 1 § 8: 8# Bid ae iss a § 3% 8 ‏أ‎ ‎1 1 ‏إْ ل ْ ل اج‎ ‏نا لال‎ ; { ‏لودج د‎ £38 F r ¥ 4 \ \ Cra £Y « ¥ 4 * 1 jy ‏شكل‎
    —_ 6 7 —_ yas ١ \ x 6٠ @¥ ‏شكل‎ ‎١ Tye Ta \ ‏با‎ Lo TTT A TT 7 ‏مسح لك‎ 7/8 ‏ا‎ Twe ‏شكل "ج‎
    —_ 6 8 —_ % x 7 4 x ‏الشقك‎ 78 / ire ‏ب‎ | A 14 4 oa 7 ‏ب ا‎ You, \ £7 ‏ال‎ FE Ya. \ 4 Yi i ‏م‎ ٠ ay 3 VoL \ 3 ry gry No iN oF ‏تيع‎ I
    ‎Hd‏ ل ده © «» مايه 0 ‎ERAN INA TAIN‏ { أ از 3 ع كك ‎cde‏ 0 ل ‎Sy‏ لكك هلق تنما تجبيعات ‎Fe Bhim Fenn Es‏ تلام ‎A ’‏ 8 لمتحي و ‎SN CATERER PEs‏ ينوت ‎ge EINE‏
    ‎yi LOR pw om ow AFL ‏ا ا‎ NT TTT A PNR ow » ‏وين‎ A Hg
    ‎1 ‏ا‎ 0 1 3:39 3 1 2 uo 3 bg LE fe TARY ‏يل‎ 7 Wy wom ms i / ‏م‎ 1 [EON Lad PE ‏راي انا‎ Jo 8)
    ‎i Li ‏ا‎ \ i Pee 41 ‏اي‎ | § 3 3 8 i ‏أ‎ { £7 J i veo o [LAAT Foo =r +41 9 Sy 1 ‏د 5 4 0 م إ ليا‎ ‏بك‎ 7 Yes ‏ا‎ 4 > ¥ ‏مج‎ bh 3 & YF ‏شكل‎
    ¥ ‏ب‎ ‎+ ‏ا‎ ‏لق‎ ‏م‎ N x 4 SE Gel Sr 1 ‏الا بج‎ A £4 ‏بابق صن‎ ‏ال ال ال‎ ‏الح ا ا‎ eA “4 : A ‏ل‎ at ‏م :م‎
    ‏.اج‎ SA ‏يي‎ a A poe 3 8:1 ‏م" + حل ا‎ : ary RE Sue dae SMS 3 i 5 0 ‏تت ا ا‎ SN > Cw ‏بي ال احا حي‎ 5 Ned = Ea Mong hi Fe : : >< ‏م ا‎ 2 TERE IN ANN NE Saige | Se MY EE a SRE Ra Bria ala SN » ‏تك ارا مخ‎ Re San a SIA ‏ب الم‎ *.Y Noel Sah URN Ae TERR a NE Sd RET SRI ‏!سر‎ ‏اا ال ل 0ن‎ Sea ed FE LIE SNe > EX OR 3 a DI ¥ aa Nl RRR ‏ا ا‎ RANA ie 0 1 TA 1 ‏ل‎ HES 3 saa Ey 1 » > ‏ل ل م الما ا‎ SEF Sk aX Ld { bx ‏ال‎ LTENR ‏ا ا‎ SE ‏ا الا‎ ‏اما ال راي ا‎ RBI ‏ا وم‎ 8 os 8 / i FREER SW SRN a SH So BE Sed 3 ‏ا‎ / 3 ٠ ‏ل‎ 3 HER RY YAR LN ‏ان الا ا‎ re a,
    gp. TYG oF ‏او ا ا ا مي ا‎ SR Sree + Wan i Shae ES outa ra a SRR ‏الح‎ NE NAN Bo SF 3 POLE Es NRE RR i SY ERR IES Sn RN a AN 5 ‏الا اكاب‎ J ie Ha ay ad yd tn RENE . RX Foo A Sel p FEY ‏ا ا م ا‎ “ie oe FU AAS ey NRE ‏لوا ا الدج ا‎ Php PRE TREE THANE sed Fu 1 ‏تيا المي ا‎ ً fas SEER URE Fen ‏د الخ‎ 1 ‏جحي ل‎ Rt Sra 3 wy oat TNR <> ‏ام لح‎ ya ‏ا ال م‎ i ARIE x aw % xX % ‏مي‎ Bg any Sid [pe HX ‏امت‎ Ae SE ‏شكل ' ب‎
    — 0 7 — ‎ES, » »‏ حت و ٍ : ‎Pood‏ سي ‎١‏ :ْ 8 ;
    ‎TY.‏ أ ‎١‏ 7 /
    ‎ty. _—‏ ‎oo]‏ ٍ 1 سي مسي مسي ست بو ين : ِ: ‎ow‏ : ٍ 7م لاقف : سما
    الي من > تم ‎Sx‏ أي ‎Ra a [FO vy‏ اتات تتلا ديد تيج 5 1 2 ا ‎i‏ ‎YY, TYE LT LaF a‏ ‎it i Fa‏ با ‎i‏ جر" ‎i Snag § fares, o‏ $ ; اي م ‎i i‏ ‎i, { NN ve.‏ > م 0 الك ب | “ا ‎i {ARERR 3‏ ‎i i ERY No OR, wn Be)‏ ‎Xe‏ * 70 م ‎i ii ers oni‏ ; ‎Lif Fes Shel 2 pm‏ { ‎S$‏ الما ال لأسي ا ا : ب ‎i eh SURES TEE‏ ; ان نه ‎i Hl SE BOR‏ ‎TIE Dita ARS RA‏ 3 ‎i idee or ARERR Rede See RAS‏ ‎i HE QE Bode fo od Bo‏ + ال و اج ال ا ‎i a‏ ‎i HERIN 8 8 PR SRR ae RA‏ سأي 3 ‎i‏ م 8 2 4 ‎NS‏ : إ ‎A‏ موا ‎BOW odd BF‏ ا ‎a LEN i : ag HE‏ 08 الحا ‎oa i XN pa lit vi 1‏ ‎A‏ ال ‎eal‏ ‏ا ل إٍْ ٍْ الح لي ‎NE‏ ال ‎i RR‏ ا ا 7 ‎SONNE =<‏ ‎ee‏ اللا ‎Rg eid‏ ‎RY‏ ‏= ) شكل 3
    EA a 5 ‏يجا‎ ‏الحم كالما ا‎ Fe ‏الس‎ ‏حي ااا مد ا ا م‎ ‏الحا محم و ات ور را‎ ‏ا ال 1 اح ا‎ i RHR Nr PETER Fe Fig iF AEE FI, SNARES Ae TT Hol SHER ‏بسك | الل ل ا‎ oT, ‏ممم أ الب ا‎ ‏ل ا‎ ERE IRN pc ‏المي‎ ‎Hae RR RR SEEING ‏حت‎ SER EA EE ‏ا تأ ا‎ Fs ‏ا‎ pu ‏ا‎ ‏ا مي ل ا ا لالت‎ ram <2. WT ‏ا ما << حي‎ SEEING RN « » BR ¥ i? Seiten THEE A OE SE bi ‏ا‎ 3 5 1 1 AR BIRR A IRE REA SRY FEN 2 1 > ‏حا ا ا‎ STR ‏ل مال‎ Tee ey 3 NER Te SRE 5 ‏ل‎ ty Fr Ra E ‏الج يا‎ ee ‏الت‎ Somes © ‏اتج ™ ىن‎ ‏ا 8 اي يو لا ا الم ال لم را‎ ‏ب‎ SiR ot NER Ta 5 - PRE TR SoH i iH Hi io § 8 ِ 1 ‏لا ا ا ا “لح ااا‎ il - Po Yar “EU A aN i 3 §F od —_— ORE ‏اماد‎ SURE <١ & : RIE & So SREY ‏لمجا جا‎ ١ i & id PR ‏ما 1 ا ات الا لمك لوي و‎ { i <> SER ‏ب د الح اللي ساد‎ i oF » ‏م‎ ‎i 3 ‏ا‎ + 8 . Ne i of + ‏ب‎ ‎ْ = SRT TT & { ETN HEN oh ‏برأ كال اه‎ 1 ‏اا‎ ‎‘ 4 : . > TE» R SN “Ne Ne “ ‏شكل‎
    ‎wr‏ ب ‎oA 1 3M‏ ‎PUT LR‏ ‎Loomis %‏ ‎EET ¥3‏ ال 5 ‎NIT RTE ER HN‏ اماي وى 1010 ‎cE ONY‏ ا فى لخ :1 ا ا ‎Dei 48 NE iY .‏ ‎ES The coi, ATR Drie - TY a :‏ ال ان ‎Sh TT‏ ا ا ا ل عي ا ‎re HE MEY HE‏ 1“ ال ا ‎PERI‏ الال ال 1 ااا ل 1 ‎DV AREER EL boa SON‏ * ‎oer IES RRR ER RE‏ — ‎fra i SEN eld | ERNST Be a‏ ‎Bale See a‏ > أ ‎RR iY BI RSRSS RSI pd oN y‏ ‎The‏ ب ال جا ا الا ‎Fr‏ ‎AL‏ من ‎Srl NRE aR‏ لجح جع عجعج عع عع ا 3 ‎HE NRE : LEI Bolla UR‏ ا ود ا الأ التي ‎Pog I SER & 3 ~‏ ل ‎fn, EET‏
    ‎ir. STN eR ee‏ ال ل ‎ianET‏ اح الت 1 | ‎SNE‏ ‎RG i‏ الا ‎EYE‏ ان ‎ed i UY Aw a SEINE 3 B‏ الا 7 1 ‎afi LI : SUN EEN VY LT SOIREE a‏ ‎i ETRE RG NSE TERE Ny oe‏ 11% مه حا الى ال لي ‎STEERER SE‏ 1 م سا ‎ANE,‏ ا ل ‎BO er SUT‏ لي ا ‎a pA PNET i‏ ‎fail, La VERT 7 UN § 1‏ { ا ا ‎RY‏ الس ل ُ ‎ry‏ = ات يا التصليد : الست 5 ‎Id aa‏ ‎We BREE ERE 3 ee Sg‏ ‎EIR a EL Sap ledeBEE eT 0‏ 1¥¢ #وي اح ابي ‎IRE‏ الى ‎J‏ ا ممعم ‎ee La‏ الا ‎i EA LAREN a‏ ب ل ل ا 0 تل ‎SEER‏ م ‎si‏ 1 اميه الو ‎x » aa FE i ay J‏ ‎EET ha (at ETT ٠‏ ين تي ‎n= Son | URN‏ التي | ‎EE‏ تتح رض ‎oe San‏ ‎Ls =‏ لمي ‎eS‏ كي ‎SENATE ET‏ ‎ee‏ مول هياب مي رح ‎EERE‏ اا ‎١‏ ال ‎SALE‏ ‎en 1‏ ا ل ا الاك ‎ne er” * ¥ A‏ ايخ الحا ‎eR‏ ا ا سن الي تمي ‎Li BER re‏ لل م اا اي ‎Hy‏ لمي ‎Te oa‏ حي ا ‎dd PET een ee‏ حل المي 0 ‎a‏ مقي ‎fe i‏ اليد شكل ‎٠‏
    The Ny Nee ‏م‎ ‎I - ‏ض‎ ‎boo 2 Ln = i Pos 7 4 ed iB 3 : bas og SAL ¥ © ow 8 6 ‏ملام 8 و‎ Ne i ‏ب ل ب‎ 0 3 ‏ل‎ J 8 oR A DERN SOS 8 “I st 1 ‏اا ا لمج ل‎ ‏الل‎ IND “Pde 38 J a & Sk : Ee SORE SRN Th, : Pore “Fe Tel» CIR ees 8 : ora TUN, RR Sed RL 8 ‏ححا‎ 5 ees STAY Nw FRC Re b Ney ry EA od 5 Neer » Jogi RS SLT FER see CRIN ey ee 3 jor 8 5 5 " ARR =A 1 ‏ال‎ Se ee 5 ‏اين‎ ‏الا 0 ا ب‎ SRT 5 gam ‏ا‎ 1 ٍ ETT NS I ‏ض = ا ا ل ل يي‎ 6 ‏تل‎ 8 SY SIN i Bw SRL EE ; BAY XN Sm ‏ا‎ 4 Re i & Rg : ‏ا‎ 7 ْ 3 “0 3 ‏ا اا‎ | 8 1 = 3 ) SX = Bey 0 ‏ا ا ا ا‎ ‏ماي | الخال‎ x ome 0% i AES 8 eta? 5 0 ‏و ا ا ا 1 الال ا‎ 4 ‏لح‎ § 31 SE ENE FP = peo vod 3 EEE SRG 0 ‏اك را ا‎ ‏ص‎ » | Ee ‏ا‎ 3 SY i SE 3 3 Re 0 ‏امم أ لصي‎ TR EEE EVAL © LE is pe = LI k 0 L ‏م‎ JHE ‏ل‎ ‎so ee 0 ‏م اث 7 ل ب‎ ‏ال الا ص ع‎ Sahl i : Wd SERRATE = 0 > =e § 8 4 ‏ال‎ ‎0 ‏ا‎ ‏اميه‎ ‏تنيت‎ — > ‏ل‎ ‎+ ‏شكل‎
    — 7 5 — ‏م‎ VEN Ww am FLY f * 0 : Ww EY KONE won fo / / / , § i AYY ? 3 } : ‏25خ‎ AY ‏كم‎ ’ 5 ary ALYY SA «5 ‏ل‎ Loh fy A {lh pred? ][( ‏شال اال ممه‎ © TT ‏مسح‎ 0 Nis + til © FOE © - bey TER NALS ‏ب الس أ‎ WT PHL Tk i J EA 2 0 ‏جيم اج ل‎ a "i i | ‏ل‎ 1 i Fe A 1 TE 588 19) (ftom Ue 7 xg SH ; i 6 4" 0 ‏أ ال‎ Meal SLL i ATY 4 \ , 0» x ©» Yr J J \ Xo wr, ‏شكل ؟‎
    —_ 7 6 —_ EAR \ 0 Kw 27 AY Ney fer SHENG = ‏وال ري ريا ال سم‎ ra. SNE TRS 0 SES ‏الي‎ 2 : ‏ايا ريس الج اا‎ ‘ w ‏هن‎ SA se ‏ار ال‎ Seok ‏ل‎ NE \ ONO fa EN \ aT ft ia > 0 § 0 ‏ل‎ \ 3 3 cme I ETSY Sh 1 1 i 1 ji ‏ا "0 1 | مس‎ | 1 hay) IAS ceil Tile LE ‏ل‎ ‏ترق‎ 3 Xk 8 REY Ske i i HL =: i ‏مد‎ : 3 = 4 - ‏عر 0 الما‎ TEI ‏لود‎ ‎X Ge AT FUN AH J RIT ‏ارا ال بن‎ ‏ا ا 0 8 سسا‎ = 1 ‏رار موصي من‎ 4 ‏ال الل جح ار ام‎ “et ‏مل‎ ‎4 F | AE J AT AE ‏ا بط‎ 0 EAT ‏الا‎
    ‎ry. ‎٠١ ‏شكل‎
    £5 ge TT ‏ا بي‎ 3 0 Ry 1 ¥ 3 A i= 3 3 § Nd 3 0 ‏سس ا ل ص ل‎ Po | ‏ألم‎ dil i i { 1 ْ 1 ‏إْ‎ ! 3 i SRR 3 { 3 i ee p : 3 i g i ‏يي‎ |] O Nd t : i i ‏...تت ؟‎ ‏ع‎ : 3 3 0 | N 3 { i 5 Big: 3 BE ‏قا ; ؟‎ i T i : Pp } 1 : t : 3 A, 3 A ‏ا«‎ ‎i» a 3 1 QA Syed 3 3 + JS RR ’ Tia Le Lo eh ٍْ 1 op ‏مج ارات ال و2‎ : & oo BLIP 34 ‏بح‎ ‎i & { ” ‏اا‎ ‎3 pr 4 ‏إٍ ألا‎ > od ! ¥ . ah ‏ل‎ J ‏مسسسسسسسية‎ ‎“ ‏اجا‎ ‎١ Js ‏ا‎
    + A ‏د 83 5 ل‎ i “ 1 « © 5 y «UY . 8 ‏لطي مص ا مخ‎ ١ . na Hon Yo + ‏يي‎ . ‘ «SIT : i = td OER 3 oy 33 Ne ry 8 8 ‏ا‎ yi g Cel Red ee PRE ve - ma ِ ٠ hoa Seo ea T : obo ccd op ‏ا ا‎ 01 8 AR “yin vy . I. ~4 ‏لأا‎ ‎« ١ ‏ب‎ Vat ‏تا‎ . TT <n ‏ب‎ <<. Rae NA ent ‏ا الما امات سس أ أ أ‎ WR eee ١ ‏الي اا‎ Rae YT ‏ب 8 1 احا اذ‎ y § ® x v4 ‏ااه اس ع ايه‎ ‏مأك‎ 2 ay A ‏ال‎ ‎< ee CR HR ‏سكا لأ أ ل الا وي‎ ate REI Daan . ‏سي‎ ٠٠٠٠٠: ‏ل ااا 00 © ححا اا اا ذل‎ ‏بن كت "لت ل ا ا‎ SLEREL ‏ا اد‎ STs CN, BR ., ¥ = & NU : + ‏لأسا اا ا لس ا اساسا‎ En EE nbn] ‏و‎ 1 - 1 7 0" wy I 18 ss 8 ‏اا با سن ب ا‎ eg ‏لا‎ 8 A 1 : . 5 % 0 ‏اا اليا‎ 1 Ld Rid Te HI ‏ل‎ x ¥ £ 1 4 % o> 2 ‏ب‎ ‎VY ‏شكل‎ ‎IE
    ا ا ل ا ل ا ا ل لا لا ‎i 4 ; : Ld‏ ا : ‎oP te‏ ‎ik‏ : : ل ‎Tie‏ 1 ل * أ ا ‎TT‏ { ا الما ااا ناي 1 4 : : ‎i‏ ‎eee ll NR‏ | :0 ‎eux vA OT GA to.
    AY‏ أن اا دان الا الا الا اها ‎“x RN «0 v‏ ‎i y i : 1 Ld‏ ال يل : بز ‎pe ee fe ence‏ ال لات لاو في : ا 5 ‎i § : i i : Lo‏ شكل ¥ 3 يبب ليسا مستا ‎ons‏ مرا ىن + ا ل لها ممما جما ‎a LY iF rb enn hm‏ لشت ا د اد أل د ل الل و يك ‎v3 vA‏ #خ + ‎aX‏ ا يا لوحي ‎ERY ey‏ ‎i oad‏ ب ما > وا ‎pn pase BY 2‏ 1110 1 لالت انا ‎Sa? HR > NH TISAI‏ شب ل ‎HR RE TR RRR 1 11‏ يإ ات أل : ‎NE Rea BY‏ ++ بلا ‎B «‏ ( د سيق شكل ‎VY‏ & ‎NANG a,‏ ‎RR RRR Ree A ~ 82 2‏ م ‎A os ry‏ ان % > لآرة ا« اللا ا ل لي ‎oa LT ET‏ اط تتام وجا ‎wr te‏ ‎i i t : : : 1 Po‏ 3 ‎Ff andmmag nde den d BIR‏ ‎oo‏ ? : م ا 0 3[ % اا ‎Te po‏ ااا ار 7 ‎ty‏ ‏!ملتست ؟ لاا يت و اا اا ا كم جك ‎AA‏ حمر ارد حرق لجيه ‎fy AM‏ زا
    4 ‏ا‎ ‎h Lo wy Is syd af J Sy) or ‏يي‎ ‎or A Ye Ya A > > + + a ‏مشا الالح‎ ‏يع ماع‎ YF =" yl 7 33 : RTT ‏ل‎ ‏م مز‎ 1° FET as ‏ا تتم‎ ‏ا الصا ال ب ا‎ ‏و‎ Te fa . 1 7 5 « \ ‏سييست > سسحتت حت ا دا‎ ~ : ١ : ‏ب‎ (ARRAN, * § | Tet [a eo eens ‏محم‎ ‏ب‎ Xs Sx x § ¥ v i at ‏ل‎ ‎rw ‎7 ; . Ya ir ٠ t ¥ > ib ay jr ‏ان‎ ‏للحا ا ا‎ : yl Ad i ‏تميس‎ i 7 ‏بن‎ Ya 7 x * ” w ‏ل‎ A A A A AN AA AA AAA AAA Se ‏امام‎ ‎iin . 0» iT : Td Se Rr ‏ب‎ 7 te ‘ 1 ¥ * mw » th ١ ‏شكل‎
    _— 1 8 _— ‎(HE 25 -‏ ل 2 ا ل م f Re 0 ; 3 B - ' ‏ال ير‎ Bs &
    م * ‎ay‏ 4 ا 51 §
    FET 8 © Tue ‏ناد‎ i ٍ : 3 ١ | | 2 TB & OAT on 25 1 Pa
    امح الح ور 50 ‎LA Qe‏
    % BE 13 4 fH pt Fo a Roa 4 SR
    ل ا ا ‎S‏ ع © 1 4 ‎ng‏ مي“ ولا 3 % ‎Xd‏ 7 3
    : 1 7 | a | 0 ‏ار‎ Ye 8 5 J © ot “sis FF 7 1 4 ١
    ‎=A & Den { Sa FA Seat i‏ 7 و 1 ليد
    ‎Neds 9 CX ‏لاا الي‎ 1 FR J 1 ’ “PELL RoC Se HH 6 7 of : i 1 8 IN . 0 0 1 ‏را‎ \ 1 ‏ب‎ Pp el LE ‏و‎ ‎i A NN I HC a) oY Pa WS | ‏اذا 0 أ‎ 0 ً | ‏ا‎ HHA ‏سم ل‎ £1. wr “© y 3 32 ١١ ‏شكل‎
    اح ب ‎i‏ + ‎mp <‏ شكل ١١أ‏ ‎Xs i Y‏ رذ ‎١‏ ٍ راغ سس - ب ‎Hy JT‏ 1 . 0 - : ‎١ '‏ نكر لبا ض ‎١١ dd LT‏ إ "م دج تم 1 . ع باتو ‎Ys‏ < شكل بي ‎i‏ 3 و ‎Be Feed‏ ‎arf‏ ‎RE Rn‏ ‎[RTE‏ ‏:© * شكل ١٠د‏ ال ‎ve‏ الل سييست ّ 7س 3 4
    —_ 8 3 —_ Fe “Ye” spat
    5 . £ af ‏محا‎ » ne hy ‏شكل‎ vd ‏ل‎ 3 = » ¥ > + Ya i ; ho ’ Me «9 1. ‏هذ‎ Yo. ‏ف‎
    ‎2. ‏تي‎ “y A” [8 1 FS be ‏أب‎ V ‏ا شكل‎ i he ‏و«‎ ‏لع“ و‎ 2 «8 Yoo ‏ها‎ La ¥.e TTT TT Sy TTT TT ‏ل‎ ‎£ x ! ‏صا‎ Sh) ‏لاي وخر‎ i na } ‏برج‎ REE Te of 3 " No eed « » 0 4 55 ‏م7 .ل‎ ‏ات‎ 1 ١ ‏إٍْ 1 . ص‎ £ ‏ا‎ TT ‏سن‎ <, } ‏شكل د‎ Ser TY ‏ب الك‎ i
    1. he > ‏م 1 م‎ x. ‏؟‎
    اال اال ‎TTT‏ الل حك اا ‎HTT i : { i‏ 8 * ام ب شيع ا حاف يها الست ‎Ne‏ شتات اتا و« > ‎i} A te‏ لاطا ويا ةا ا ال شكل ‎I 0 i Tt‏ 3 كد اج و4 ‎Yi ; | | 1 TNR i i‏ ا اساي سل مه زات ‎a bode Fi‏ § ا م ‎Ya‏ ان ‎AL Ye YL XS‏ ملم ‎er‏ ‎Ny‏ ‎fend ee « cmp renee eee resid‏ ا ‎evar edn‏ ات لامج اج ونه 0 ; : ا : ‎i‏ ٍ 1 3 صصص ا ب ف ‎t‏ ب ‎a‏ ‏ا شكل أ ‎tt‏ ‎i i Lo i‏ ل ل ‎٠‏ ‏ام ل أ ‎Crm‏ ‎in wd‏ ل ا ‎on ERR‏ امسا سات ات 4 ‎fit‏ 5 ‎Seep fe pa ey‏ ‎beh had‏ لد انا ‎١‏ لد ‎Seid‏ ‎ove‏ هم مت مغ مك مز اه ال ‎ON . ey‏ . ‎Nn 4 Bn Te He hn ren Std ‘‏ :م ‎TA‏ مهم ‎i‏ ; ل تله ‎orien 0 ©‏ ~ ‎FOOTER TEE be‏ : ‎z VA JL Xo. = 8‏ ‎NY‏ لأ ل ل ا ا ا ة 4 8 ا ا 0 ‎OB #‏ مي ب ‎ahead‏ وه تو ا ا ‎ml,‏ ا ‎ve SBIR TT linn‏ ‎Ye Nz Tove‏ لمكا ‎rove Ye‏ ‎San i BE‏ ‎wg IY : TET‏ ‎ec d ss bdi ded‏ وا ‎on i‏ ا ‎A . J 3 ev ag‏ 3 3 ‎Ea bd aia ate‏ ’ ‎redo TTR‏ ‎Sa ae i. ve x.
    Xs vive‏ ‎as “ 2‏ ل أ 5
    — 8 5 —
    2-7. ‏رد‎ A ٍ Ngee a \ A A “yy i £ - a A sot aw E&Y 4 ٍْ ‏الى‎ 8# ; Y do * & Ye ‏.ء؟ و2‎ Xo +5١. Yo £0 3 oo V4 Js
    ‎EE‏ أن ب“ 0 ¥ ‎a ae Y i i . =‏ ” «& 8 ا لا ا ‎Sd Se : “yn‏ ا له ‎WN ne a‏
    1 . ا ‎ol So Non i‏ ملم ‎Ne on el‏ للم لم ‎SANT on‏ حم الماح يانم مام ‎Pn SII‏ ‎a ®‏ ب ‎a “a‏ ال ‎te EN Tai‏ ا ا ا ‎Ng‏ ا 80 ‎Te‏ ام بوم ‎x‏ : الم ‎Yo‏ 3 م 0 ‎ol To TILL‏ ا ا 5 3 & % ا ا اا لا ا ا ا ا ا ا ات ا ا ان لا تق ‎a‏ ‎Ld » Ngee I‏ + نب ‎x‏ ¥ ~ > ا ا ا ‎TT Ne‏ ا ات ا ني ا ‎t ¥ = TT LT‏ ‎Repl a ed‏ ار ال تا ‎NE‏ الا ايا ا را ال ا ا ا ا ا اا بح > ا هه ل ‎Th‏ ‎A RRR i 1 ٠‏ ‎x £ & “%‏ 3 <
    ‎ro. ¢ ١ ¥‏ ‎Ys‏ ‏» ¥ ‎TY og‏ ‎AY‏ ايبيلل ‎LL‏ ‎Re x‏ | اليه داع اعم عه ‎AR UR‏ الاك ‎AAT EE RRA A LL = LAA LR A TA A AR AR‏ حي ‎A LLU AAA‏ تاك ‎i‏ ‎yn oR 0 53 8 i i‏ 3 م ب ‎x i +‏ ات ا د ‎LE Fey TE‏ كر جم 3 ‎i ¥ 3% Jad ad‏ ‎i‏ : 8 8 5 5 مجية العو ‎CRE TRE‏ 3 1
    3 . . ل ا اله ااا و2 ‎w nowt { : BR desing i, ME TE‏ ‎NE Eo . 3‏ ا 8 ‎Yoo iy : J i TTT NE‏ بحبح ياتتحبحبتححبحباتححييبحتحةحبحبحفحعمتحعيدححةحةحةحعةحةحتبجع متحبةتفحيتح عيمح 8 2 ‎UO: pS x‏ جاتحت تتا ال ‎YRS SE Ts - i‏ اا ‎aA be‏ حا ‎dnl LED‏ ا ‎J‏ ل ‎LAY : oe . TUN RN Tn NN‏ 1 ا ‎en nr ; i Egg CE ed CT TTI‏ ‎wry JB ab i 0 : A 5 Se TORT ET ly :‏ ‎Noo md i TN x 1‏ ا ا 2 . ; 2 3 ‎ty‏ كر ?9 ‎Hy,‏ * ‎Ya oe bassin 8 8 To 3 = nt 8 Nl :‏ ‎ee TTT‏ ا ان الا ‎oer‏ اد ‎SE‏ ا ا ا ا ‎on‏ ‎Eo “EE we er on nA Corr ks ms TT wn ey El "gy Re ١ i‏ ‎Tn i i i 1‏ ا ااا ااا المح اااي : { ‎i { Sak ol‏ ¥ & ‎i 0" Fo : i‏ 58 ات ب ‎Ee‏ 3 ايت لسلس اات(اسال الللللسس ‎errr rr reer‏ 8 ¥ ال ا ل ل ل ل ل ل ا ‎i = i‏ 2 2 1 اا ا ‎wd‏ ‎oS cn i LL = :‏ بج اك ‎wd ON NM‏ * ‎a :‏ ا ‎RR I‏ : 3 11د ‎ER ET TT EE e N‏ ‎eee eee eee eee ee eee eee ee EE ee Eee een E‏ الات يسم .© ‎«IT 8 1 oN 3 ol 0: i +‏ ©« ‎a Re oy 5 7‏ ا اال ‎CAAA‏ تي م ‎uN NA‏ 2 ‎i i‏ اتا ات ااا ا تم ا اتا ا زا شكل % ¥ ‎al‏ ‎x Tey INN i :‏ بي كرد ول 1 ‎x Te my any TITY‏ ‎i‏ ا شاي ا الع ااا يتا ا ااا ال أ ا ا قا ا اط ااا لأ ‎Se ESR 7 en IA ILL i‏ 8 3 4 مسمس ‎vt Lianarranaisrnarararsarararsarsaiannararassararassaiivaaarassararass assassin at Raa a aaa a ER IR‏ ‎Yo « ١ Y ¥ 8 2 5 7 A‏ ‎yo 2:‏ ©“ ‎tad‏
    الا ب 3 3 : :0 : م ‎i:‏ ‎Toa‏ :م ؟ 5 3 ‎pod 3 Tee‏ 8 ~ ‎J ted Hand‏ 3 ‎Fy I‏ 3 © — ‎EE‏ اح 5 ‎pv pay‏ مسحت لا 5 ب ‎TTY‏ : ‎FRE‏ امس ‎$d i Pond‏ يج 1 اح ‎k‏ ‎NCEE‏ ل 5 د ‎if N BLS‏ الال مسا 3 3 حب = : ‎Fe hsm Rated‏ ‎Wi i 5 hare 3 3 : B® 8 3‏ 3 1 ‎i i 3 RE i - Po 1 : ] i i‏ ب 1 ‎NE 1 ُ i‏ : ‎HRS‏ 3 1 أ ا ا ا و ا ال لاا ‎if}:‏ ® للا 3 8254 ‎NE‏ § ‎ane MARE‏ ين ‎a ane aaa‏ § ‎i i SN x‏ ل ‎(nimi‏ ا ‎i‏ 3 ‎i Voy 1 IE i‏ ‎FI bE‏ 5 3 } 3 3 % ‎i 3 8 } 3 I Lendl it‏ أ ا حا اح لاا أ ‎i i B12‏ 3 3 ا 3 ‎i‏ ‎EE RE LEER E aac‏ م ‎i i Eh‏ المي جوج ‎i i SOS SS‏ لج ‎Aa : 9 333 1 © WV‏ 4 ‎FT ETE fh pssst assesses 1H § i‏ ‎RA 3 5 ! 5‏ : ‎oi Poy : PEE ] i‏ 8 1 > ؟: 2 + 2 ‎i‏ اي“ : ةج ‎Pd ; 3 Sn my i‏ لمر ات ا لأسا 3 8 “الو : 1 3 : ; ل 7 ‎Pan? x I‏ ‎mend‏ الست ا ‎ES ! EE‏ الةة لا ‎i‏ ‎n‏ الخ > ‎Revers Sordid § ¥ 5 3 eva‏ ‎LE | PR‏ ل ووب مس : 1 ‎v + Fad‏ ‎Ly 0: Pods‏ ‎id EE‏ : ‎Pd‏ 13 ‎id ood‏ ‎i 3 ; : 0:‏ ‎fond ¥YA LL‏ ‎Eg‏ ‎i 3 i 3 3 ! 2‏ ‎MY‏ ب 4 ,~ ‎YY‏ 5 ا ا 8 اي ‎Ss BN‏ يال يض 1 ان 3 1 ان ا ا > اليد ‎Sa RR‏ اموي الا يم ‎wow‏ اا لح ل الال بحام خا 1 ‎TERE‏ ال رد 8 ‎NR‏ الاي 1 ‎EY‏ ا 1 تخ 0 5[ لح ال ‎NEE Sd‏ ْ ا 1 إل 0 ‎SEAS: SEE‏ ا ؟ الج ‎FLA 1 VEE‏ !8 للا الح اوتا : ادا ا اا م الحا الا ب ‎dd‏ ال ا سنا 1 ‎NY‏ لجسي نالحد تت با ل 1 اا ل مد ا ا الس ‎ae‏ ل الك ‎i‏ ‏لي ‎TED mma TT.
    Ra PTET fy‏ ُ ‎PERRY TEL 0‏ و اله ‎J P11 SN‏ ‎ce 0 [OE‏ اخ . - الم ‎yi NE SRE‏ 3 § + الا ‎XY YD‏ ا 53 ‎EE ae eS‏ 018 9 0 © الك ‎3d NAN yas Ana [A TEE‏ ا 9 & حك 5 4 ؟؛ كي ‎FELON LI A NR‏ 9 ‎Rad,‏ الا ا لالت ‎Sa Noman‏ لا قر ‎Eine‏ ‎NRT, FF Nod Savane. 0 SN SIRO RR :‏ لي 1 1 ل ل ‎FF AEN: Svs 5 ag A‏ ل ‎FF eet‏ ا ا ا ا ا امح ا ‎Sl‏ اا ل ‎yew‏ ثم وذ ال لجاع ‎A‏ ا الاح ا ل ا لحلا تا ححا 0 ‎AN‏ لمحا الع ل ‎NRA Re, SVR ah Ny 3 y‏ : ؟: لي ائ_ا الم ‎Baie‏ الحم الل اح ميحد جد 9 ‎FIRE oF ior LF ae NN‏ ‎RA‏ ارح ‎Re sa SRR TINEA‏ مع : ي؟ ‎TORS Ten‏ ا اميه ا ‎LF ean ETRE FLY 5 SEN‏ ‎naa, a, SNM, REN‏ 1 ا 1 ل م ل سن ارج ‎RAN‏ الي ححا 0 ‎FOF ONS‏ ‎SENSOR RRR FATT‏ 0 الزن اانا ال ل م الث ة 1 3 1 $ ال 3 ع للم : « ¥ ¥ ب دج 8 4 5 ا ‎ET‏ م * ‎olde nnd dF 5‏ . - ‎Soa RY wy 8 5‏ : ‎bed‏ ل مت ا ‎Pt‏ + # لمح اياي لاسا 979 و السو ليق ‎Had‏ ‏أ ‎ET {aad‏ م ‎LN {od‏ 2 ‎i: EE {i‏ ‎NEE‏ ا م ‎Ra Youd‏ ‎i‏ 8 4 ; ‎VEYA Li‏ *
    3 5 15 ow ‏م مي تت‎ % 1 a 0 1 0 Sma ow | ‏ف لم‎ Smt 3 NE ‏ال‎ SAY ‏ديه‎ 0 > FW 5 8 ‏الل‎ es ATEN Ye Fhe Re & ‏ا‎ ‎i 5 ‏ال‎ RS SRN Re a, Sel 00 3 ‏ال‎ peg ‏ا ا > اج‎ i so Ye Poy ‏ال ا ير اا لاسي‎ ‏لاج 5 ا‎ Sx ARS 0 ‏الح‎ ng ONES Xo 0 2 oe BETES Cp TTR a ‏لبي‎ ‎& “8 § wT “mR 8 ‏ست‎ sg) SE Re I Nem L 8 Sess ¥ oo. Waid <> WY Se NR FY ER S50 § wi Sty Nm Tal ‏ل‎ i ME NAS Sh i 8 ES ss ren Sd) 5 ‏الاي‎ + 8 ER: 5 ‏الي‎ 7 ORR + 3 ‏اما ا لغ« الا ا ا سي وان #* | * ل‎ wih Le 8 ‏الال ب أ تج‎ TRY pay SER BBE ERS 1 : ‏ا الى ا و‎ >< SR SFR Bd ERB ‏الت عم‎ ot SR RE ‏ا“ الحا ل مجنت جم‎ Xx ‏ا‎ aN 5 & ‏ب ابيا اي‎ Be rc TER 58 3 1 ARR Ye wd i FS SN RAR ‏“الو‎ ‎3 wo ‏ال الا ا ا ا ال‎ RBS Lo : LRT R 0 § of ‏ةا‎ RRR b: I B® + FF sew 2 ‏خم جا ا 8 8 اليا 8 الا الا‎ > 2 SoH ‏الى‎ EE ‏ااي‎ Te i ‏صا‎ SRE ‏م‎ 8 A AR owe ‏ا‎ RE ‏نحط يد‎ ‏بو‎ i i RE IB ‏امح‎ 3 er Rs TR Ape a RE, =) a il a HRY le ¥. 35 oi RR A SY N i RO { { i 1 33 ¥ +: : = 3 3 1 Sow Lon RR Ld SNRs ‏ا‎ ‏سس‎ Ww oa 1 if
    Ea . vy. Ya 0 K ; 1 2 #8 A : oi, 3; aI ‏ب‎ ‏ا ا‎ on Eo a 3 ‏يجا‎ 5 _ firs Caled Fa 8 ‏ا‎ SN ; ‏اا ا ا‎ {) ny J 7 TN {#7 Loud OWE ead WH ‏اح‎ 2 3 hs SS WL IRR ENE oe 7 need 3 & SEH 1 N 3 > I ha SN ha A Ress 38 3 i 3 RIS EE NBN ‏ل حي‎ Poo ‏ا‎ Sa ¥ Lr SER RNR LR 5 1 ‏اج‎ JA » § rede WRIT RR : LR Nigh 8 en OE 7 7 ‏ال ل‎ RE RR 3% ‏الموج‎ << . ‏ا‎ 1 3 8 8 1 ER 3 HRY % JiR YE 2X Sa 1 ‏ا ا ا‎ 3 IRS a PR RAN aE LAR ‏ا‎ NES Mp FREE ‏مه‎ di NA & 3 v a : ‏ا ل 8 و ل الهف يا ال يي‎ ‏روصو وح‎ BN ‏م لي و ال‎ 8 DSR NRE 1%: RRR BN Sel 8 Ra EEN ‏اللي ومسي‎ “iia an TE Ny oven 5 J Roose Ral o oN a ee BY Se Pe £3 ‏جع‎ REALS RR ‏ل مااي و ا‎ feng dn 0 #7 ‏الوا‎ ‎i Noah dR 1 0 88 RR nn Yous ’ ¢ d 8 & vd . bts 1 ¥ 3 1 ‏ال هلي‎ Yoo oy i : - S$ 3 ; Hn 3 1 3 ٍ 9 wd | ‏افيد‎ i a ‏ب‎ ‎Sa coats * 1 ‏الم تفخ‎ WE ee 8 x fd ¥ ; ‏بن‎ ‎»
    ف ‎Via‏ ‏ا ‎viv‏ ض ‎a ih‏ - }3 ‎Bo NU ™‏ ‎od SY 0 7 .‏ لا 8 2 + 8 5 8 ‎SB a : ;‏ ا الل ب 0 8 0 ‎TEE Th‏ : ] ‎i ESS IR i. WY 0 4‏ 4 1 ل ‎i fel‏ ل اللو وجا : 2 حي 0 0 ‎ER‏ ‏ا "0 ; منج ‎ES LEE PSS ii‏ ‎SSI hey re TE i ds Ra 1‏ ل ‎SY‏ لمم ال المت ل حا ‎RTT oN SMS pg‏ 3 8 اسح امس ’ . : ‎ad o‏ ا ‎a i} Fo) Ha SER‏ ‎Fa TR LL 3 3 =‏ = ‎IL NA Su‏ : ٍ 0 ® ‎Ww LER‏ : ض ال ‎i i‏ 0 ‎Y¥Yy‏
    ‏. & شكل ؛ ؟أ ‎FE Yin ¥i¥ v 2‏ ‎Oy 'ً‏ ا ’ عي ‎ERD‏ ‏| £3 ل الخ ‎ald]‏ ‎SL $a AAT Ww 0‏ ‎OF‏ الت الى ‎Hadi,‏ 0 ‎ES :‏ لمق لا 3 لض 8 ‎nn She :‏ : ُْ ا ‎EWE‏ ال لاي كمي ا ‎We HA POR ٍ re‏ ب ‎eb BR RI RESON‏ ‎SEY SENET‏ ا م مج ’ اح 10 ‎TE oy 1 Ryo‏ ‎SOR il‏ مسا ‎١‏ : مسي 7 ا 5 ‎Ly oy hd HE a SRLS SIs 77‏ ‎Sd Seb wn Ho = Sal *‏ الا ‎wy Ted Sd HH wo‏ ‎a pi Fa SUSI HE NA A‏ 8 ا ‎BEE Ee ATI Av Beg‏ حي ‎S200‏ = : ; ‎ey‏ لاا ‎Oy WE ER‏ £ ا لل ‎RN!‏ ‎Co SET‏ « ‎Ln Se‏ ‎Lo SEY ray So‏ ب ‎EVE SEE‏ ‎wey oo 3‏ ا ٍ
    7 1 & ¥ ok 3 ¥ [LC / ‏امن‎ 0 9 3 | Gg le : ١ 2 ‏مم‎ WT ‏مو - صل‎ ZK ‏هه‎ TE SR FTE ‏يك‎ TT NY Le er Hy of ‏نل‎ re. ‏#ج ا‎ or SE \ J \ Ny - oF ‏ل‎ co. ivy vo ‏شكل‎
    ٠ ‏تنك‎ ‏تمت‎ HIER 3 SET Ne 0: NE.
    Ne Jor TEIN TOES es ‏ا ا . ما ات ب‎ ‏ل‎ ATR ‏يك اماي ا الم‎ ‏ال حت ات الم ا‎ EAT LY ‏ا ا‎ rN 8 ‏ا‎ ein SER 0 ‏مستا الخ الا ا اص‎ a a 8 + ‏الم أ ل الله‎ : Th ee RE BE : nN ‏ا احا ا اعم ليع‎ ; Cy ‏الت تا الحا له‎ ; pe ; EEE ‏م‎ ‎J ‏ب‎ i Se ‏حم ا‎ EN 1 ‏جا المت ار ا‎ : ta ‏الجا الا‎ Say ‏ولاق الم‎ Sait J IE i ‏و اليف اا ا 8 لي تي اا‎ ٠ 8 ‏ل‎ FTN ERAS : temp ‏ا ا ال‎ ‏ا ا‎ ER ‏مد‎ ‏ا اوت‎ El ‏ا‎ ‎: ‏الج ال ا 1 الم ا‎ : Ro ‏الما ال 07 الالح‎ ‏ته ا‎ ae BRE 111747 ‏م‎ Rr : OVINE ‏و‎ HE HE : sve FEE A PH FE 3 1 ‏ال[ ا‎ 1 fm : CRAFT Row ny 8 : SFY EE ‏كاد‎ ag 4 } F008 BALL Ry : HE Rua SR 1 ‏بالخ‎ ROW RR RRS) 3 1 ‏اا يا أل‎ VS AR \ AR ORE Gy al NRE AR Hed ‏ا ا‎ Ald ‏حا‎ CN : ‏رز حك المت الحا‎ 8 ‏اا‎ TEN ‏تت ار اح‎ i Sen Ee OL Fie LE SR NE RN Bail - Fa ‏ا الي‎ EE gh : ‏ا م 8 ال‎ Lhe el 3 i vow Rp RR ET 1 2 ‏وح ل *#+ 1ل ل‎ 6 ‏ريح وا 8 ا ااا‎ 2 ‏ال ا ا‎ Ry i SB \ ‏ا لاحي‎ i SA 1 SF er RN 5 Ae 3 SpE and Ee LN 1 TIN 33 5 ‏الف ا الل م اا‎ . ‏الخ‎ A oe TE Yee TTR, 1 ‏اا لا > اا ا‎ a WY 3 EEE ee REF Fe ! x ANE * 1 ‏مخ‎
    مات اا م ع ع ع ءا ااا م جح <©<>َ>َ»>> >< - --><ِ---<<-ء-ء0- »ل ©«لل#«١٠»٠ِْ©«0ل#4ل«سكِشلَ>»|-»0-0»0‏ ل«4-ا««ا»اي ا مج ا ‎EE‏ | ض ض
    ‎a. Pod ob |‏ 3 : ا : ‎a‏ > : : ‎hag ree Reed‏ اقلق ‎SA‏ : ' | ياه ويد ‎df‏ : ‎Lay tw : ; TING Te i‏ ‎me [eS‏ لست هه اناا ف اا ‎VAs EY‏ 3 الي 3 ؟ م : : ‎i : Ra‏ م : : ‎i‏ ‎i‏ : الم : 1 ممه : { ‎i‏ م 1 ; ‎“ey‏ : ; # : : : ‎i : :‏ 0 ٍْ : : ‎RENE of‏ ; : _ ِْ ; :ْ : : ا : ‎i ! i ; :‏ ‎vs vo Ye‏ 0 ‘ ! ‎i Wa ١‏ ‎Yo‏ : ١ ‏شكل‎
    YY YY - ‏نس‎ > rei . . ‏ض‎ ‎1 > ‏و ل .سيم‎ ik eA 3 i i es I 8 3 oo RARE ne i ; i a eg 1 i Tern WL { i 1 owes : iB | 0 | -& 3 FE i 5 7 0 \ 1 i HE ty » 1 ny nid 4 me \ a Hw 3 3: J 3 C4 EE ‏ل من من‎ \ . i 13 TU ; 5 Hy 8 5 ‏ا‎ ‏مز نل‎ i 1§1 38 \ 4 TH 3 EH NE \ i 8 7 i 3 ‏ا‎ ‎1 id ‏جا‎ 1 : 1 ' ‏تي ا‎ MAN BH i ¥ 3 w, { 1» ‏و ا 1# ب‎ i HIN Hag «IE 133 \ ‏د"‎ ‎3 ii . + ‏نب 0 شا‎ Ny 11a x EE A ; i id ‏الل‎ : HE 0 ‏ل‎ \ A x IA ASR ‏ححا‎ , - Se LA ede SR ‏ض‎ ‏ل بحي ا‎ ‏را‎ EE 1 ‏لح ا‎ 1 & © ‏ين‎ & » ¥ A ‏شكل‎
    1 By 2 fl iol : ; id ley EA nf ee nt ‏سو‎ ‎: : 3: : * : «A ‏ل‎ Av SRN ESR ‏تت‎ A SE TAN TR SANA ‏اعم ال‎ Ys bua CU EN : i Pog Lob : 3 : : i I FT TRE : a a ‏لنالم ناما مايا‎ A RR RR RRR ‏اراي‎ Sinn 2878 uy ght ‏ل‎ Lemme ‏ا‎ : : : ْ ‏ا “مي‎ a ‏أ حل ل عي الع لحلا ال سر م م الل عل لعو له ا يس‎ « § Greener dae a ‏ا‎ nd 1 oF JE : : : : Ry ‏يي“‎ : by rr nie RRA, TX ’ 3 ana = 3 : : er : sos : ; E ‏يي‎ : : : LE SS : : : : wo ‏إٍْ‎ : : : : os Yo Yo RE ke ‏تقل‎ ‎2 © ‏هع لي لل امم‎ By ~~ mas, ‏الاج‎ 3 mL ‏اسه‎ { 3 Fax OY SE ‏بجر‎ NN (FY NSE Oy ITE we ‏ال د‎ aN Y 1 a ny an ra TY al yey Hy i {ook HY u ; : fed ‏رأ‎ byt ‏ب‎ ٠0١ 7 ١! ‏مر‎ 057 gm ١8 Yat i 5 3 1 ‏شكل 4 ؟‎
    FE > ‏ل‎ we ~~ * ‏له + الغو ري مجح ما ل‎ ‏يا‎ HT TH TELAT ‏الح‎ ‎TORE EARS 23 Ben oo ssa en ‏لمح‎ ‏ا 0 ال ا تمي‎ : $a a +E 3 "118 ‏م‎ » Na 1 ‏م‎ dade * i “a on Lie oy LS Til] 3 “a = Tis . . TE Lidge : NTR YEA FI Fade Til 3 Y pee 8 ‏كا‎ ARES fe { 3 8 HRN aE ° 3X ‏يي ا الح ؟‎ + § pa EET a ‏الا تال ا‎ 0 {8 Fodder ; ial ‏ا ا‎ Hi ‏مر‎ ‎¥y FETT a 3d 21 i EHR NL 2 yi Ea iN: ETE aaa d ai ' ‏ل ْ لس ا ل‎ LAR Mam Pere id ‏بيبا‎ # CLARET : ‏ا بمج ميج مهم ا‎ he 0 ‏الس اا‎ ot ‏جيجبيبيب‎ 3 INERT WON TIE dete # i EE SRR EAs the ‏ا‎ i bed eT bY id 5 3 DORSETT TR MN fap 8 : ‏ل‎ RA NER PRE nid ‏ا‎ ery We 3 ER MUIR Fae) YR Ed ¥ ‏ا الس‎ Lhd HEN No PITA FL SN Tos 3 nan; ‏ا ا‎ IR 1 ‏الت بت امي شد حي‎ 2 eb SLR ALE SEY TL 3 2 RA - 3 mf Bd a3 3 TaN 3 ; 3 Na BER Se ATEN © Xe i { A BERS i * ‏ل ل به‎ ! ee Tay RR i
    ~~. WA oh ne ‏الج‎ ¥ ‏ل‎ ENE Nea ed ‏م‎ ‏ال ال‎ ‏و‎ + | A 5 ¥ ¥ . Ny § 7
    ‏ا‎ 1 Y ce ‏ل7ْ©0 رذ‎ ‏مم8 ا ل ا ان‎ "© ‏م‎
    ‎1 . : el Cd a ‏ض‎ ‎+ : esd ‏رياد‎ ٍْ 1 caren ER FERN a ‏ض ض‎ ‏ل‎ 4% o Ro : : ‏لعا يم لماعم : ل‎ ; 0 " 0 0 ‏ا‎ oF ot : Do EREEEEY ERRATA AS i \ ‏م امه يي‎ : : TRAE, PRAT / RE wo ; : 1 ‏بي ها‎ ; REN ‏تي‎
    ‎. pd es : Ea 4 1 ‏ان‎ Ao : ‏عسي ة‎ Yel & ° A RK NE : 1 Re : ; 0 21 Ee oo ot : Nae : ! aa eed oT : Le Ter i \ Ee NEES ‏س0‎ 3 ANA Sa ‏ا م‎ "١ ٍْ ‏ض ض‎ NRE Sa SOP ‏ا ب‎ SEER OB : : 5 : ATR FE : pe ed ‏مسا | اب‎ SAREE WR ‏مد‎ a Sa ; han me a SR, er aa ‏أ اجا عد هيو يه‎ En 08 5958030 1 ‏لي‎ ERR Pe ‏ض ٍ 0 ٍ ا ب اليا‎ ‏ل الاي و‎ ; CEE on ; | 3 ‏ض‎ ٍ ‏من ا الله«‎ Ce LPN | 0 7 ٍ ‏ض‎ | a eee - | 1 3 on 0 : , 5 ‏الت [آ الله‎ ri. EE ‏م‎ us 0 0 ‏ض ا ْ ّ" يم م‎ fe AN Fw | oo ‏ا‎ 0 a ST 5 | ‏ض ل‎ ARE ao ee TT : : 0 ‏ل‎ oF | ‏ض ل‎ 7 ‏ا‎ 3 | Si ERR “8 | ِ ‏ص سس‎ Has # Sh ‏اد‎ A ‏اح حلي‎ : Ce — a a : hl rg a : Tn ‏ض >" ْ ّ ا‎ ‏ا ال‎ fee 7 ‏ا‎ ١ | ‏أ‎ ‎ٍ 1 ; BLL deren : 0 ١ ee go RE ‏ض‎ ‎| } Cd 1 i ‏ا : الا‎ I Gin Ve Bh Tl : 3 yr : ‏ا الا زا‎ nnn : | " ‏ا : ل‎ ; ’ . 2 0 9 X 1% x ١ ‏شكل‎
    — 9 7 — Fi vs . - « ¥ vat ~The SN ey ‏ج ونا و َه ¥ ل‎ ‏م الي ام‎ 0 YY 3 YE rd ‏م ل ا ا مج ل ب‎ ; ‏ين الج ل اال‎ TE ‏اليا أ اا اح نات الاك ا‎ : LEE ‏و ال‎ ١ ‏الت ااي‎ or ‏وي‎ ١ ‏الاو‎ ae ‏الأ ا‎ : ‏شرو و‎ PAA RSH Saline dd ; ANTE LUST ‏ل حسم‎ Wa : 41414 1 1 ad SEE ‏وج ال‎ ‏إٍْ‎ AR ‏امس‎ Rinne IRE I i 8 Eat EE ‏ا‎ ‎, DEINE oe NUDE RAINE i 5 Hod 8 1 TAL LIN IN ‏و ا ال ا ا © ا الت‎ Wo EDGED, BA RARE 3 ‏اج ا الأ‎ * ie AEE Fig Ln : aan 0 | fei EEN RY rAd Tf ‏تت‎ aN ad om, i EAN
    ) ‏.و‎ TEE " wen) hss *AY Fee ١:30 ‏.جم‎ wy, ¥Y. ٠ ‏شكل ؟‎
    الحاضهة الهيلة السعودية الملضية الفكرية ‎Swed Authority for intallentual Property pW‏ ‎RE‏ .¥ + \ ا 0 § ام 5 + < ‎Ne‏ ‎ge‏ ”بن اج > عي كي الج دا لي ايام ‎TEE‏ ‏ببح ةا ‎Nase eg‏ + ‎Ed - 2 -‏ 3 .++ .* وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها ‎of‏ سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. »> صادرة عن + ب ب ‎٠.‏ ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > ”+ ص ب ‎101١‏ .| لريا ‎1*١ uo‏ ؛ المملكة | لعربية | لسعودية ‎SAIP@SAIP.GOV.SA‏
SA519401705A 2016-11-04 2019-05-01 أنظمة وطرق لاستدامة محسنة لتهيئة مجال معكوس عالي الأداء مع ضخ بالتفريغ من نوع إمساك متعدد القياس SA519401705B1 (ar)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662418119P 2016-11-04 2016-11-04
PCT/US2017/060255 WO2018085798A1 (en) 2016-11-04 2017-11-06 Systems and methods for improved sustainment of a high performance frc with multi-scaled capture type vacuum pumping

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA519401705B1 true SA519401705B1 (ar) 2023-02-19

Family

ID=62076452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA519401705A SA519401705B1 (ar) 2016-11-04 2019-05-01 أنظمة وطرق لاستدامة محسنة لتهيئة مجال معكوس عالي الأداء مع ضخ بالتفريغ من نوع إمساك متعدد القياس

Country Status (15)

Country Link
US (3) US11211172B2 (ar)
EP (1) EP3535763B1 (ar)
JP (2) JP7365693B2 (ar)
KR (1) KR20190073544A (ar)
CN (1) CN110100287B (ar)
AU (2) AU2017355652B2 (ar)
BR (1) BR112019009034A2 (ar)
CA (1) CA3041862A1 (ar)
EA (1) EA201991117A1 (ar)
IL (1) IL266359B2 (ar)
MX (1) MX2019005262A (ar)
SA (1) SA519401705B1 (ar)
SG (1) SG11201903447WA (ar)
UA (1) UA127712C2 (ar)
WO (1) WO2018085798A1 (ar)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11515050B1 (en) * 2019-11-22 2022-11-29 X Development Llc Mitigating plasma instability
US11049619B1 (en) * 2019-12-23 2021-06-29 Lockheed Martin Corporation Plasma creation and heating via magnetic reconnection in an encapsulated linear ring cusp
CN116034629A (zh) * 2020-09-02 2023-04-28 雪崩能量设计公司 轨道约束聚变装置

Family Cites Families (164)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3120470A (en) 1954-04-13 1964-02-04 Donald H Imhoff Method of producing neutrons
US3170841A (en) 1954-07-14 1965-02-23 Richard F Post Pyrotron thermonuclear reactor and process
US2855696A (en) * 1957-04-15 1958-10-14 Malcolm R Griswold Magnetic compasses
US3071525A (en) 1958-08-19 1963-01-01 Nicholas C Christofilos Method and apparatus for producing thermonuclear reactions
US3036963A (en) 1960-01-25 1962-05-29 Nicholas C Christofilos Method and apparatus for injecting and trapping electrons in a magnetic field
NL287706A (ar) 1960-02-26
US3182213A (en) 1961-06-01 1965-05-04 Avco Corp Magnetohydrodynamic generator
US3132996A (en) 1962-12-10 1964-05-12 William R Baker Contra-rotating plasma system
US3339106A (en) * 1965-05-28 1967-08-29 Canadian Patents Dev Ionization vacuum pump of the orbitron type having a porous annular grid electrode
US3386883A (en) 1966-05-13 1968-06-04 Itt Method and apparatus for producing nuclear-fusion reactions
US3530036A (en) 1967-12-15 1970-09-22 Itt Apparatus for generating fusion reactions
US3530497A (en) 1968-04-24 1970-09-22 Itt Apparatus for generating fusion reactions
US3527977A (en) 1968-06-03 1970-09-08 Atomic Energy Commission Moving electrons as an aid to initiating reactions in thermonuclear devices
US3577317A (en) 1969-05-01 1971-05-04 Atomic Energy Commission Controlled fusion reactor
US3621310A (en) 1969-05-30 1971-11-16 Hitachi Ltd Duct for magnetohydrodynamic thermal to electrical energy conversion apparatus
US3664921A (en) 1969-10-16 1972-05-23 Atomic Energy Commission Proton e-layer astron for producing controlled fusion reactions
AT340010B (de) 1970-05-21 1977-11-25 Nowak Karl Ing Einrichtung zur erzielung einer nuklearen reaktion mittels kunstlichem plasma vorzugsweise zur kontrollierten atomkernfusion
US3668065A (en) 1970-09-15 1972-06-06 Atomic Energy Commission Apparatus for the conversion of high temperature plasma energy into electrical energy
US3663362A (en) 1970-12-22 1972-05-16 Atomic Energy Commission Controlled fusion reactor
LU65432A1 (ar) 1972-05-29 1972-08-24
US4233537A (en) 1972-09-18 1980-11-11 Rudolf Limpaecher Multicusp plasma containment apparatus
US3811794A (en) * 1972-11-22 1974-05-21 Bell Telephone Labor Inc Ultrahigh vacuum sublimation pump
US4182650A (en) 1973-05-17 1980-01-08 Fischer Albert G Pulsed nuclear fusion reactor
US5041760A (en) 1973-10-24 1991-08-20 Koloc Paul M Method and apparatus for generating and utilizing a compound plasma configuration
US5015432A (en) 1973-10-24 1991-05-14 Koloc Paul M Method and apparatus for generating and utilizing a compound plasma configuration
US4010396A (en) 1973-11-26 1977-03-01 Kreidl Chemico Physical K.G. Direct acting plasma accelerator
FR2270733A1 (en) 1974-02-08 1975-12-05 Thomson Csf Magnetic field vehicle detector unit - receiver detects changes produced in an emitted magnetic field
US4098643A (en) 1974-07-09 1978-07-04 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Dual-function magnetic structure for toroidal plasma devices
US4057462A (en) 1975-02-26 1977-11-08 The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration Radio frequency sustained ion energy
US4054846A (en) 1975-04-02 1977-10-18 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Transverse-excitation laser with preionization
US4065351A (en) 1976-03-25 1977-12-27 The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration Particle beam injection system
US4166760A (en) 1977-10-04 1979-09-04 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Plasma confinement apparatus using solenoidal and mirror coils
US4347621A (en) 1977-10-25 1982-08-31 Environmental Institute Of Michigan Trochoidal nuclear fusion reactor
US4303467A (en) 1977-11-11 1981-12-01 Branson International Plasma Corporation Process and gas for treatment of semiconductor devices
US4274919A (en) 1977-11-14 1981-06-23 General Atomic Company Systems for merging of toroidal plasmas
US4202725A (en) 1978-03-08 1980-05-13 Jarnagin William S Converging beam fusion system
US4189346A (en) 1978-03-16 1980-02-19 Jarnagin William S Operationally confined nuclear fusion system
US4246067A (en) 1978-08-30 1981-01-20 Linlor William I Thermonuclear fusion system
US4267488A (en) 1979-01-05 1981-05-12 Trisops, Inc. Containment of plasmas at thermonuclear temperatures
US4397810A (en) 1979-03-16 1983-08-09 Energy Profiles, Inc. Compressed beam directed particle nuclear energy generator
US4314879A (en) 1979-03-22 1982-02-09 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Production of field-reversed mirror plasma with a coaxial plasma gun
US4416845A (en) 1979-08-02 1983-11-22 Energy Profiles, Inc. Control for orbiting charged particles
JPS5829568B2 (ja) 1979-12-07 1983-06-23 岩崎通信機株式会社 2ビ−ム1電子銃陰極線管
US4548782A (en) 1980-03-27 1985-10-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Tokamak plasma heating with intense, pulsed ion beams
US4390494A (en) 1980-04-07 1983-06-28 Energy Profiles, Inc. Directed beam fusion reaction with ion spin alignment
US4350927A (en) 1980-05-23 1982-09-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Means for the focusing and acceleration of parallel beams of charged particles
US4317057A (en) 1980-06-16 1982-02-23 Bazarov Georgy P Channel of series-type magnetohydrodynamic generator
US4434130A (en) 1980-11-03 1984-02-28 Energy Profiles, Inc. Electron space charge channeling for focusing ion beams
US4584160A (en) 1981-09-30 1986-04-22 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Plasma devices
US4543231A (en) 1981-12-14 1985-09-24 Ga Technologies Inc. Multiple pinch method and apparatus for producing average magnetic well in plasma confinement
US4560528A (en) 1982-04-12 1985-12-24 Ga Technologies Inc. Method and apparatus for producing average magnetic well in a reversed field pinch
JPH06105597B2 (ja) 1982-08-30 1994-12-21 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ源
US4512721B1 (en) * 1982-08-31 2000-03-07 Babcock & Wilcox Co Vacuum insulated steam injection tubing
JPS5960899A (ja) 1982-09-29 1984-04-06 株式会社東芝 イオン・エネルギ−回収装置
US4618470A (en) 1982-12-01 1986-10-21 Austin N. Stanton Magnetic confinement nuclear energy generator
US4483737A (en) 1983-01-31 1984-11-20 University Of Cincinnati Method and apparatus for plasma etching a substrate
US4601871A (en) 1983-05-17 1986-07-22 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Steady state compact toroidal plasma production
USH235H (en) 1983-09-26 1987-03-03 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy In-situ determination of energy species yields of intense particle beams
US4650631A (en) 1984-05-14 1987-03-17 The University Of Iowa Research Foundation Injection, containment and heating device for fusion plasmas
US4639348A (en) 1984-11-13 1987-01-27 Jarnagin William S Recyclotron III, a recirculating plasma fusion system
US4615755A (en) 1985-08-07 1986-10-07 The Perkin-Elmer Corporation Wafer cooling and temperature control for a plasma etching system
US4826646A (en) 1985-10-29 1989-05-02 Energy/Matter Conversion Corporation, Inc. Method and apparatus for controlling charged particles
US4630939A (en) 1985-11-15 1986-12-23 The Dow Chemical Company Temperature measuring apparatus
SE450060B (sv) 1985-11-27 1987-06-01 Rolf Lennart Stenbacka Forfarande for att astadkomma fusionsreaktioner, samt anordning for fusionsreaktor
US4687616A (en) 1986-01-15 1987-08-18 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method and apparatus for preventing cyclotron breakdown in partially evacuated waveguide
US4894199A (en) 1986-06-11 1990-01-16 Norman Rostoker Beam fusion device and method
DK556887D0 (da) 1987-10-23 1987-10-23 Risoe Forskningscenter Fremgangsmaade til fremstilling af en pille og injektor til injektion af saadan pille
JP2512129B2 (ja) * 1989-01-20 1996-07-03 株式会社日立製作所 クライオポンプ
US5083445A (en) 1989-01-20 1992-01-28 Hitachi, Ltd. Cryopump
ATE137880T1 (de) 1990-01-22 1996-05-15 Steudtner Werner K Dipl Ing Kernfusionsreaktor
US5160695A (en) 1990-02-08 1992-11-03 Qed, Inc. Method and apparatus for creating and controlling nuclear fusion reactions
US5311028A (en) 1990-08-29 1994-05-10 Nissin Electric Co., Ltd. System and method for producing oscillating magnetic fields in working gaps useful for irradiating a surface with atomic and molecular ions
US5122662A (en) 1990-10-16 1992-06-16 Schlumberger Technology Corporation Circular induction accelerator for borehole logging
US5206516A (en) 1991-04-29 1993-04-27 International Business Machines Corporation Low energy, steered ion beam deposition system having high current at low pressure
US6488807B1 (en) 1991-06-27 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode
US5207760A (en) 1991-07-23 1993-05-04 Trw Inc. Multi-megawatt pulsed inductive thruster
US5323442A (en) 1992-02-28 1994-06-21 Ruxam, Inc. Microwave X-ray source and methods of use
US5301511A (en) * 1992-06-12 1994-04-12 Helix Technology Corporation Cryopump and cryopanel having frost concentrating device
US5502354A (en) 1992-07-31 1996-03-26 Correa; Paulo N. Direct current energized pulse generator utilizing autogenous cyclical pulsed abnormal glow discharges
RU2056649C1 (ru) 1992-10-29 1996-03-20 Сергей Николаевич Столбов Способ управляемого термоядерного синтеза и управляемый термоядерный реактор для его осуществления
US5339336A (en) 1993-02-17 1994-08-16 Cornell Research Foundation, Inc. High current ion ring accelerator
FR2705584B1 (fr) 1993-05-26 1995-06-30 Commissariat Energie Atomique Dispositif de séparation isotopique par résonance cyclotronique ionique.
US5473165A (en) 1993-11-16 1995-12-05 Stinnett; Regan W. Method and apparatus for altering material
EP0660372B1 (en) 1993-12-21 1999-10-13 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Plasma beam generating method and apparatus which can generate a high-power plasma beam
US5537005A (en) 1994-05-13 1996-07-16 Hughes Aircraft High-current, low-pressure plasma-cathode electron gun
US5420425A (en) 1994-05-27 1995-05-30 Finnigan Corporation Ion trap mass spectrometer system and method
US5656519A (en) 1995-02-14 1997-08-12 Nec Corporation Method for manufacturing salicide semiconductor device
US5653811A (en) 1995-07-19 1997-08-05 Chan; Chung System for the plasma treatment of large area substrates
US20040213368A1 (en) 1995-09-11 2004-10-28 Norman Rostoker Fusion reactor that produces net power from the p-b11 reaction
US20020080904A1 (en) * 1995-09-11 2002-06-27 The Regents Of The University Of California Magnetic and electrostatic confinement of plasma in a field reversed configuration
WO1997012372A1 (en) 1995-09-25 1997-04-03 Koloc Paul M A compound plasma configuration, and method and apparatus for generating a compound plasma configuration
JP3385327B2 (ja) 1995-12-13 2003-03-10 株式会社日立製作所 三次元四重極質量分析装置
US5764715A (en) 1996-02-20 1998-06-09 Sandia Corporation Method and apparatus for transmutation of atomic nuclei
KR100275597B1 (ko) 1996-02-23 2000-12-15 나카네 히사시 플리즈마처리장치
US6000360A (en) 1996-07-03 1999-12-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US5811201A (en) 1996-08-16 1998-09-22 Southern California Edison Company Power generation system utilizing turbine and fuel cell
US5923716A (en) 1996-11-07 1999-07-13 Meacham; G. B. Kirby Plasma extrusion dynamo and methods related thereto
JP3582287B2 (ja) 1997-03-26 2004-10-27 株式会社日立製作所 エッチング装置
JPH10335096A (ja) 1997-06-03 1998-12-18 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US6894446B2 (en) 1997-10-17 2005-05-17 The Regents Of The University Of California Controlled fusion in a field reversed configuration and direct energy conversion
US6628740B2 (en) 1997-10-17 2003-09-30 The Regents Of The University Of California Controlled fusion in a field reversed configuration and direct energy conversion
US6271529B1 (en) 1997-12-01 2001-08-07 Ebara Corporation Ion implantation with charge neutralization
US6390019B1 (en) 1998-06-11 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Chamber having improved process monitoring window
FR2780499B1 (fr) 1998-06-25 2000-08-18 Schlumberger Services Petrol Dispositifs de caracterisation de l'ecoulement d'un fluide polyphasique
US6335535B1 (en) 1998-06-26 2002-01-01 Nissin Electric Co., Ltd Method for implanting negative hydrogen ion and implanting apparatus
US6255648B1 (en) 1998-10-16 2001-07-03 Applied Automation, Inc. Programmed electron flux
US6248251B1 (en) 1999-02-19 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for electrostatically shielding an inductively coupled RF plasma source and facilitating ignition of a plasma
WO2000077398A1 (en) * 1999-06-11 2000-12-21 Whelan Francis J Baffles for cryopump
US6755086B2 (en) 1999-06-17 2004-06-29 Schlumberger Technology Corporation Flow meter for multi-phase mixtures
US6322706B1 (en) 1999-07-14 2001-11-27 Archimedes Technology Group, Inc. Radial plasma mass filter
US6452168B1 (en) 1999-09-15 2002-09-17 Ut-Battelle, Llc Apparatus and methods for continuous beam fourier transform mass spectrometry
DE10060002B4 (de) 1999-12-07 2016-01-28 Komatsu Ltd. Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung
US6593539B1 (en) 2000-02-25 2003-07-15 George Miley Apparatus and methods for controlling charged particles
US6408052B1 (en) 2000-04-06 2002-06-18 Mcgeoch Malcolm W. Z-pinch plasma X-ray source using surface discharge preionization
US6593570B2 (en) 2000-05-24 2003-07-15 Agilent Technologies, Inc. Ion optic components for mass spectrometers
CZ305458B6 (cs) * 2001-02-01 2015-10-07 The Regents Of The University Of California Přístroj a způsob pro vytváření magnetického pole s topologií s obráceným polem
CN101018444B (zh) * 2001-02-01 2011-01-26 加州大学评议会 场反向配置中的等离子体的磁和静电约束
US6664740B2 (en) 2001-02-01 2003-12-16 The Regents Of The University Of California Formation of a field reversed configuration for magnetic and electrostatic confinement of plasma
US6611106B2 (en) 2001-03-19 2003-08-26 The Regents Of The University Of California Controlled fusion in a field reversed configuration and direct energy conversion
GB0131097D0 (en) 2001-12-31 2002-02-13 Applied Materials Inc Ion sources
US6923625B2 (en) * 2002-01-07 2005-08-02 Integrated Sensing Systems, Inc. Method of forming a reactive material and article formed thereby
US6911649B2 (en) 2002-06-21 2005-06-28 Battelle Memorial Institute Particle generator
US7313922B2 (en) * 2004-09-24 2008-01-01 Brooks Automation, Inc. High conductance cryopump for type III gas pumping
US8031824B2 (en) 2005-03-07 2011-10-04 Regents Of The University Of California Inductive plasma source for plasma electric generation system
CA2600421C (en) 2005-03-07 2016-05-03 The Regents Of The University Of California Plasma electric generation system
SI1856702T1 (sl) * 2005-03-07 2012-11-30 Univ California Plazemski sistem za generiranje elektrike
US9607719B2 (en) * 2005-03-07 2017-03-28 The Regents Of The University Of California Vacuum chamber for plasma electric generation system
US7115887B1 (en) 2005-03-15 2006-10-03 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for generating extreme ultraviolet with mather-type plasma accelerators for use in Extreme Ultraviolet Lithography
US20080226011A1 (en) 2005-10-04 2008-09-18 Barnes Daniel C Plasma Centrifuge Heat Engine Beam Fusion Reactor
CN101320599A (zh) 2007-06-06 2008-12-10 高晓达 通过极限环螺旋扇形注入区的束流连续注入方法
US8368636B2 (en) 2007-09-21 2013-02-05 Point Somee Limited Liability Company Regulation of wavelength shift and perceived color of solid state lighting with intensity variation
WO2010031169A1 (en) 2008-09-18 2010-03-25 E Craftsmen Corporation Configurable led driver/dimmer for solid state lighting applications
RU2503159C2 (ru) 2009-02-04 2013-12-27 Дженерал Фьюжен, Инк. Устройство для сжатия плазмы и способ сжатия плазмы
US8569956B2 (en) 2009-06-04 2013-10-29 Point Somee Limited Liability Company Apparatus, method and system for providing AC line power to lighting devices
US8193738B2 (en) 2009-08-07 2012-06-05 Phihong Technology Co., Ltd. Dimmable LED device with low ripple current and driving circuit thereof
US20110142185A1 (en) 2009-12-16 2011-06-16 Woodruff Scientific, Inc. Device for compressing a compact toroidal plasma for use as a neutron source and fusion reactor
US8760078B2 (en) 2010-10-04 2014-06-24 Earl W. McCune, Jr. Power conversion and control systems and methods for solid-state lighting
US8587215B2 (en) 2011-05-05 2013-11-19 General Electric Company Self-dimming OLED lighting system and control method
JP2015501918A (ja) * 2011-11-09 2015-01-19 ブレント フリーゼ, プラズマを高エネルギー状態に圧縮するための方法および装置
CA2855698C (en) * 2011-11-14 2020-03-10 The Regents Of The University Of California Systems and methods for forming and maintaining a high performance frc
US9078327B2 (en) 2012-03-05 2015-07-07 Luxera, Inc. Apparatus and method for dimming signal generation for a distributed solid state lighting system
US20130249431A1 (en) 2012-03-05 2013-09-26 Luxera, Inc. Dimmable Hybrid Adapter for a Solid State Lighting System, Apparatus and Method
US9767925B2 (en) 2012-03-23 2017-09-19 The Trustees Of Princeton University Method, apparatus, and system to reduce neutron production in small clean fusion reactors
CN104768285B (zh) 2012-05-17 2017-06-13 昂宝电子(上海)有限公司 用于利用系统控制器进行调光控制的系统和方法
JP6258951B2 (ja) 2012-11-06 2018-01-10 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 回路装置及び回路装置を備えるledランプ
CN103024994B (zh) 2012-11-12 2016-06-01 昂宝电子(上海)有限公司 使用triac调光器的调光控制系统和方法
US9192002B2 (en) 2012-11-20 2015-11-17 Isine, Inc. AC/DC conversion bypass power delivery
WO2014114986A1 (en) 2013-01-25 2014-07-31 L Ferreira Jr Moacir Multiphase nuclear fusion reactor
WO2014124465A2 (en) 2013-02-11 2014-08-14 The Regents Of The University Of California Fractional turn coil winding
US9591740B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Tri Alpha Energy, Inc. Negative ion-based neutral beam injector
PL3312843T3 (pl) 2013-09-24 2020-05-18 Tae Technologies, Inc. Układy do tworzenia i utrzymywania wysokosprawnej FRC
US10145371B2 (en) * 2013-10-22 2018-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Ultra high vacuum cryogenic pumping apparatus with nanostructure material
CN104751902A (zh) 2013-12-25 2015-07-01 核工业西南物理研究院 一种用于核聚变真空系统强力吸气混合丝
KR102154893B1 (ko) * 2014-06-26 2020-09-11 사에스 게터스 에스.페.아. 게터 펌핑 시스템
WO2016007126A1 (en) 2014-07-07 2016-01-14 Intel Corporation Spin-transfer torque memory (sttm) devices having magnetic contacts
CN104066254B (zh) 2014-07-08 2017-01-04 昂宝电子(上海)有限公司 使用triac调光器进行智能调光控制的系统和方法
KR20160014379A (ko) 2014-07-29 2016-02-11 주식회사 실리콘웍스 조명 장치
JP6133821B2 (ja) * 2014-08-08 2017-05-24 有限会社真空実験室 非蒸発型ゲッター及び非蒸発型ゲッターポンプ
KR102257718B1 (ko) 2014-10-01 2021-05-28 매그나칩 반도체 유한회사 발광 다이오드 구동 회로 및 이를 포함하는 발광 다이오드 조명 장치
RS63672B1 (sr) 2014-10-30 2022-11-30 Tae Technologies Inc Sistemi za formiranje i održavanje frc visokih performansi
TWI629916B (zh) 2014-12-10 2018-07-11 隆達電子股份有限公司 發光裝置與發光二極體電路
CN105185417B (zh) * 2015-09-29 2017-05-10 北京应用物理与计算数学研究所 磁化等离子体聚变点火装置
JP7007730B2 (ja) 2015-11-13 2022-01-25 ティーエーイー テクノロジーズ, インコーポレイテッド Frcプラズマ位置安定性のためのシステムおよび方法
US10326370B2 (en) 2016-06-02 2019-06-18 Semiconductor Components Industries, Llc Controlling output voltage for power converter

Also Published As

Publication number Publication date
AU2017355652B2 (en) 2022-12-15
UA127712C2 (uk) 2023-12-13
CN110100287B (zh) 2024-05-17
CA3041862A1 (en) 2018-05-11
IL266359B2 (en) 2023-11-01
EP3535763A1 (en) 2019-09-11
SG11201903447WA (en) 2019-05-30
CN110100287A (zh) 2019-08-06
AU2023201218A1 (en) 2023-04-06
WO2018085798A1 (en) 2018-05-11
US20220208398A1 (en) 2022-06-30
US11482343B2 (en) 2022-10-25
US20230178258A1 (en) 2023-06-08
JP2019537001A (ja) 2019-12-19
MX2019005262A (es) 2019-06-24
US11894150B2 (en) 2024-02-06
AU2017355652A1 (en) 2019-05-23
US11211172B2 (en) 2021-12-28
EP3535763A4 (en) 2020-05-13
BR112019009034A2 (pt) 2019-07-09
IL266359A (en) 2019-06-30
IL266359B1 (en) 2023-07-01
US20190318832A1 (en) 2019-10-17
JP2022107774A (ja) 2022-07-22
EP3535763B1 (en) 2023-08-16
KR20190073544A (ko) 2019-06-26
EA201991117A1 (ru) 2019-09-30
JP7365693B2 (ja) 2023-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2021200748B2 (en) Systems and methods for forming and maintaining a high performance FRC
SA519401656B1 (ar) أنظمة وطرق لاستدامة محسنة لطاقات مرتفعة لتهيئة مجال معكوس عالي الأداء باستخدام وسائل حقن شعاع متعادل مع طاقات شعاع قابلة للضبط
SA519401705B1 (ar) أنظمة وطرق لاستدامة محسنة لتهيئة مجال معكوس عالي الأداء مع ضخ بالتفريغ من نوع إمساك متعدد القياس
JP6876435B2 (ja) 高性能frcを形成し維持するシステムおよび方法
US11929182B2 (en) Systems and methods for improved sustainment of a high performance FRC and high harmonic fast wave electron heating in a high performance FRC
Gotchev et al. Laser-driven magnetic-flux compression in high-energy-density plasmas
ES2900489T3 (es) Sistemas y métodos para la estabilidad de posición de plasma de FRC
La Rana et al. Need for new physics in statistical models of nuclear de-excitation
BR112014011619B1 (pt) Sistema para gerar e manter um campo magnético com uma configuração reversa
Royer et al. Entrance channels and alpha decay half-lives of the heaviest elements
Morrissey Status of the FRIB project with a new fragment separator
Møller et al. High efficiency bending of 450 GeV protons using channeling
Fang et al. Systematic study of isoscaling behavior in projectile fragmentation by the statistical abrasion–ablation model
Dhawan et al. Multifragmentation at the energy of vanishing flow in central heavy-ion collisions
Yuan et al. First results of Ne shattered pellet injection for mitigating plasma disruption with full metal wall in EAST tokamak
Cappa et al. Second harmonic ECRH breakdown experiments in the TJ-II stellarator
Tókési et al. Calculation of cross sections for positron-Ar collisions
Rumolo et al. Vacuum and electron cloud issues at the GSI present and future facilities
Varella et al. On the Contribution of Polarization-Correlation Forces to High Annihilation Rates in Positronmolecule Collisions
Peterson et al. Evaluation of instability growth mitigation and stabilization techniques in magnetized liner inertial fusion targets.
Maas et al. Optics of the Amsterdam Pulse Stretcher project