SA515360895B1 - عملية لمعالجة ايونات احادية أو متعددة الشحنات لغاز لانتاج مواد زجاجية مقاومة للانعكاس - Google Patents
عملية لمعالجة ايونات احادية أو متعددة الشحنات لغاز لانتاج مواد زجاجية مقاومة للانعكاس Download PDFInfo
- Publication number
- SA515360895B1 SA515360895B1 SA515360895A SA515360895A SA515360895B1 SA 515360895 B1 SA515360895 B1 SA 515360895B1 SA 515360895 A SA515360895 A SA 515360895A SA 515360895 A SA515360895 A SA 515360895A SA 515360895 B1 SA515360895 B1 SA 515360895B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- ions
- gas
- mono
- implanted
- equal
- Prior art date
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 title claims abstract description 118
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 28
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 title description 9
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 39
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 10
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 8
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- QHHVZFYRRDYLJB-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2-(ethylamino)propan-1-one Chemical compound CCNC(C)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 QHHVZFYRRDYLJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 241000258740 Abia Species 0.000 claims 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 241000078006 Shaka Species 0.000 claims 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- AFAUWLCCQOEICZ-UHFFFAOYSA-N helium xenon Chemical compound [He].[Xe] AFAUWLCCQOEICZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FFEARJCKVFRZRR-UHFFFAOYSA-N methionine Chemical compound CSCCC(N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940099990 ogen Drugs 0.000 claims 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 claims 1
- -1 helium ions Chemical class 0.000 description 21
- 229960001626 helium Drugs 0.000 description 14
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 13
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 210000003934 vacuole Anatomy 0.000 description 3
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- FXNSVEQMUYPYJS-UHFFFAOYSA-N 4-(2-aminoethyl)benzenesulfonamide Chemical compound NCCC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 FXNSVEQMUYPYJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100030907 Aryl hydrocarbon receptor nuclear translocator Human genes 0.000 description 1
- 101000690445 Caenorhabditis elegans Aryl hydrocarbon receptor nuclear translocator homolog Proteins 0.000 description 1
- 101100313377 Caenorhabditis elegans stip-1 gene Proteins 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 101100313382 Dictyostelium discoideum stip-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000793115 Homo sapiens Aryl hydrocarbon receptor nuclear translocator Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 101100516335 Rattus norvegicus Necab1 gene Proteins 0.000 description 1
- 244000292604 Salvia columbariae Species 0.000 description 1
- 235000012377 Salvia columbariae var. columbariae Nutrition 0.000 description 1
- 235000001498 Salvia hispanica Nutrition 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150059016 TFIP11 gene Proteins 0.000 description 1
- 206010052428 Wound Diseases 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 235000014167 chia Nutrition 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 229920000831 ionic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000002806 neon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 235000008001 rakum palm Nutrition 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/0055—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
يتعلق الاختراع الراهن بطريقة معالجة باستخدام حزمة أشعة أيونات غاز أحادية ومتعددة الشحنات beam of singly and multiply – charged gas ions منتجة بمصدر رنين سيكلوترون الكتروني electron cyclotron resonance (ECR) لمادة زجاجية حيث تـُنتقى فلطية تسارع الأيون ion acceleration voltage بين 5 كيلوفلط و 1000 كيلوفلط لتكوين طبقة مغروسة implanted layer بسمك يساوي مضاعف 100 نانومتر، تـُنقى جرعة الأيون لكل وحدة سطح في مدى بين 1012 أيون/سم2 و1018 أيون/سم2 لتكوين تركيز ذري atomic concentration للأيونات يساوي 10٪ مع مستوى عدم تحقق يبلغ (+/-) 5٪. يمكٍّن هذا بشكل مفيد الحصول على مواد مصنوعة من زجاج يكون لا انعكاسياً في المدى المرئي visible range. انظر الشكل 1ب.
Description
لا عملية لمعالجة ايونات احادية أو متعددة الشحنات لغاز لانتاج مواد زجاجية مقاومة للانعكاس Process for treatment by a beam of mono- or multicharged ions of a gas to produce antireflective glass materials الوصف الكامل خلفية الاختراع تتعلق مادة بحث الاختراع بعملية لمعالجة sale زجاجية بشعاع beam أيونات احادية ومتعددة الشحنات يوم mono- and mulficharged لغاز؛ تهدف هذه العملية الى تخفيض الانعكاس و تحسين نفاذ ضوء في طيف الاطوال الموجية spectrum of the wavelengths للمنطقة © المرئية على مدى 358 زمنية طويلة. تطبق عملية الاختراع بشكل خاص مع سطح مادة اساس substrate شفافة لعدسة أو زجاج صفحي sheet glass كي يكتسب السطح المذكور خواص مانعة للانعكاس تتميز بنفاذ ضوء مرئي يزيد عن TAA تحت هذه الظروف؛ يبدي السطح خواصاً جيدة مقاومة للانعكاس في المنطقة المرثية visible region من المعروف جيداً أن سطحاً Lala) يعكس 73000 تقريباً من الضوء الساقط» مخفضاً ٠ في الحقيقة فعالية الطاقة لخلية فلطية ضوئية photovoltaic cell أو جاعلاً من الصعب قراءة كمبيوتر أو شاشة مستوية لهاتف خلوي .cell phone Ld) هذا الانعكاس للضوء على سطح ala) اكثر ee بعلاقات فرينل Fresnel التي تقدم؛ لشعاع ضوء مار عبر ديوبتر diopter (وحدة قياس قوة العدسة) تحت زاوية سقوط تبلغ ؛ معاملات الانعكاس (R) والانفادية (T) التالية: R = ((n2-nl) / (n24n1))*; 1 4 n1*n2 / 2+7 yo حيث nl و2 تمثلان معاملات انعكاس الاوساط المنفصلة بالديوبتر. وُجد أن 1 -8+7 (بقاء الطاقة). بالنسبة للهواء )1= (nl والزجاج (02-1.54))؛ تقدم هاتان المعادلتان R=0.045 و T=1-R=0.955 (ينعكس ؛, fo فقط بينما (7a 00 Mi . daly \E لشريحة BAD (eas ghss stip daly) يكون مرتين JAa=ltoxYe ys
اب هذا الفقد للطاقة الضوئية يمثل جزءاً هاماً لتطبيق فلطي ضوئي. ثمة عمليات مقاومة للانعكاس تتألف من ترسيبات مبنية على أساس اكسيد فلزي؛ يكون استخدامها معقد و مكلف نسبياً. على سبيل Lally (JB للعدسات؛ SH العملية التي تتمثل في ترسيب»؛ في خواء ٠١( ” تورة أو باسكال (نيوتن/م") ؛ طبقات رقيقة من أكاسيد فلزية بدقة مقدار تقريبي لوحدة أنجستروم ٠١( "أم) angstrom حجرات خالية من غبار تُنظف العدسات Yo في خطوط غسيل ثم تُجفف في امواج فوق صوتية ultrasound ثوا عم في مواد حاملة supports JAN حجرات معالجة. يستخدم خواء Vacuum في الحجرات للحصول على A (تسامي (sublimation الاكسيد عند درجة حرارة منخفضة. يمكن الحصول على التبخر بظاهرة جول Joule effect (تولد الحرارة في جسم مقاوم عند مرور التيار الكهربائي عبره) بتسخين ٠ الاكسيد أو استخدام مدفعة الكترونات gun 180000©. من الضروري التحكم بشكل تام بنوعية وقياس الخواء؛ معدل التبخر وسمك الطبقات المربنّبة. ينبغي أن تكون هذه السماكات منتظمة. ثمة أنواع اخرى من ترسيبات PVD أقل تكلفة؛ Jie فلوريد مغنيسيوم 11882 (معامل (VFA وكربوليت NazAlFg (معامل 75١٠)؛ تقترب معاملات انكسارها refractive indices من المعامل المثالي بدون بلوغه مع ذلك؛ كما سيجعل ممكناً بعملية الاختراع . Yo تعني كلمة 'زجاج” مادة أوسبيكة صلبة؛ سهلة الانكسار (هشة (brittle وشفافة للضوء المرئي visible Tight عموماً يتكون الزجاج من أكسيد سليكون ( سليكا ,5:0 ) ومواد رجيعة fluxes والمكون الرئيسي عبارة عن رمل. ضمن جميع أنواع الزجاج؛ اكثرها شيوعاً هو الزجاج العادي soda-lime glass من وجهة النظر الفيزيائية؛ الزجاج مادة لابلورية amorphous (اي مادة غير متبكّرة (noncrystalline material تُظهر sala تحؤل زجاجي glass transition تحت day) ٠ حرارة تحول الزجاج؛ التي قد تكون عالية daa يوجد الزجاج في الحالة الزجاجية. يؤدي هذا الى dala لطريقة للمعالجة السطحية لمواد زجاجية لتقديم خواص مقاومة للانعكاس على مدى فترة زمنية طويلة chan بشكل مفضل طبقاً لطرق يمكن استخدامها بسهولة بمقياس صناعي للتمكن من تقديم مواد زجاجية من هذا القبيل بمقادير كبيرة وتكاليف معقولة. تبين الوثيقة الامريكية رقم 5750098 عملية للمعالجة الدائمة المانعة للانعكاس في المنطقة المرئية sold زجاجية تتكون من قصف bombardment بحزمة أيونية tion beam الأيونات المستخدمة أحادية الشحنة.
سا الوصف العام للاختراع يتمثل هدف الاختراع في تقديم طريقة لمعالجة مادة زجاجية لا تكون مكلفة نسبياً وتمكّن معالجة سطوح تطابق متطلبات استخدامات عديدة. من بين هذه الاستخدامات؛ ثُذكر: شاشات لمسية couch screens عدسات نظارات Glade spectacle lenses جهاز بصري optical device © نوافذ مبان أو ألياف ضوئية optical fibers وهكذاء يزود الاختراع عملية للمعالجة الدائمة المائعة للانعكاس في المنطقة المرئية لمادة زجاجية تتكون من قصف بشعاع ايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز أنتج بمصدر رنين سيكلوترون الكتروني electron cyclotron resonance (ECR) حيث: - تكون درجة الحرارة لمعالجة المادة الزجاجية أقل من أو تساوي درجة حرارة تحول " الزجاج؛ - تُنتقى جرعة dose أيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز تُغرس لكل وحدة مساحة سطحية ضمن مدى بين "٠١ أيون/سم' و١٠" أيون/سم' للحصول على تركيز ذري لأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز بحيث معامل الانعكاس « للطبقة المغروسة يساوي تقريباً ?)12( حيث nl معامل الهواء؛ 2 معامل الزجاج . yo - تُنتقى فلطية التسارع acceleration voltage ضمن مدى بين © كيلو فلط و١٠٠٠ كيلو فلط للحصول على سمك مغروس + يساوي «*0*7/4» حيث + تمثل السمك المغروس المطابق لمنطقة غرس حيث يكون التركيز الذري لأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز أكبر من أويساوي 1 © تمثل عدداً صحيحاً؛ A تمثل الطول الموجي للشعاع الساقط و« تمثل معامل (انعكاس) الطبقة المغروسة.
(Sa 9 المخترعون من إيجاد عملية لمعالجة دائمة مقاومة للانعكاس في المنطقة المرئية تشمل قصفاً بحزمة أيونية أحادية ومتعددة الشحنات لغاز منتج بمصدر رنين سيكلوترون الكتروني (ECR) أكثر فعالية من عملية Jodi قصفاً بحزمة أيونية أحادية الشحنة للغاز.
طبقاً لتجسيد Jedi candy حزمة أيونية أحادية ومتعددة الشحنات لغاز 71٠ من أيونات متعددة الشحنات أو أكثر من١٠7 من أيونات متعددة الشحنات.
vo طبقاً لتجسيد cals تُنتقى الايونات الأحادية والمتعددة الشحنات لغاز للحزمة الايونية من
Qo _ _ أيونات غازات القائمة المكونة من :11 و 0s تُنتقى جرعة الايونات الاحادية والمتعددة الشحنات لغاز المغروسة لكل وحدة مساحة سطحية ضمن مدى بين TY أيون /سم'و Tasos "٠١ للحصول على تركيز ذري لأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز بحيث معامل الانكسار « للطبقة المغروسة يساوي تقريبا 1x02)? ©« حيثه معامل الهواء و2« معامل الزجاج؛ يُحرز انخفاض في معامل الانكسار للطبقة المغروسة نحو قيمة تساوي اساسياً الجذر التربيعي square root لحاصل ضرب معاملات الاوساط المنفصلة بديوبتر. ينعكس هذا عن المعادلة التالية: #“'(01*02 -0؛ في Ala زجاج gale (0-1.54)؛ ينبغي لمعامل الطبقة المغروسة « أن يساوي أساسياً 1.24. ٠١ طبقاً لحساباتهم؛ يقدر المخترعون أنه ينبغي وجود علاقة تناسبية بين التركيز الذري للايونات المغروسة وانخفاض المعامل الضوئي الملاحظ. تكون هذه المعادلة عندئذٍ كما يلي: 1- جل with 2*:2ه N =nl*xl+ مع x1 تطابق متوسط التركيز الذري للسليكون (الذي يمثل الغالبية العظمى من الذرات المكونة للزجاج) في الطبقة المغروسة؛ مع x2 تطابق متوسط التركيز الذري للايونات الموجودة في ١ الطبقة المغروسة. يعادل هذا كتابة: N =nl + (n2-nl) * x2 للوصول الى معامل ٠,714 = nn يلزم؛ على أساس هذه المعادلة؛ غرس 6 من الايونات تقريباً (2-0.5). Yo ثبين النتائج التجريبية للمخترعين أن 5 مرات أقل من ا لايونات ضرورية للحصول على dag) أي تركيز ذري للايونات يبلغ AR تقريباً. يعادل هذا كتابة المعادلة التجريبية التالية: N =nl+ (n2-nl) 5*2 دون الابتعاد كثيراً؛ قد يفسر هذا الفرق بين النظرية والتجربة بتكوين وتراكم فجوات YO .قد تكون إضافية لتكون فجوات دقيقة مملوءة lay مخفضة كثافة الوسط ومعززة في الحقيقة انخفاضاً في معامل الانكسار. طبقاً لتجسيد واحدء توصي العملية وفقاً للاختراع بتحقيق تركيز ذري أقصى يبلغ حوالي
Ce . من الغاز للحصول على معامل انكسار )0( قريب جداً من !(2و*01) ٠ لذا انتقيت فلطية التسارع للايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز ضمن مدى بين كيلو فلط للحصول على سمك مغروس يطابق كامل مضاعف الطول ٠٠٠١ كيلو فلط و © الموجي الساقط مقسوماً على ؛ أضعاف معامل انكسار الطبقة المغروسة. في كل ما يلي؛ سمك .7١ مغروس يشير الى منطقة غرس حيث يكون التركيز الذري للايونات اكبر من أو يساوي ©
ينعكس هذا بالمعادلة التالية :
د*4ل*وح
حيث + السمك المغروس cimplanted thickness م عدد صحيح؛ .3 الطول الموجي الساقط و « معامل الطبقة المغروسة implanted layer (يساوي (n1*n2)"” .
1" لموجة chia احادية اللون yellow monochromatic wave تمثل المنطقة المرثية (طول موجي يساوي 060 نانومتراً) ؛ ينبغي أن يساوي السمك المغروس حوالي ((0*)560/4*1.24) حيث © عدد صحيح؛ بكلمات اخرى 2*100 نانومتراً. بالنسبة الى P=1 يكون السمك المغروس مساوياً sl ٠ متراًء وبالنسبة الى 2-©؛ يكون السمك المغروس مساوياً Vor نانومتراً.
تؤدي dalled) الموصى بها بالعملية وفقاً للاختراع الى تخفيض ٠ aly 725 على الاقل في VO معامل الانعكاس»؛ في الحقيقة حتى 798 على (JAY) للموجة الساقطة. هذا لأنه؛ باستخدام ظروف العملية وفقاً للاختراع حيث 01-1 (هواء) )2( -« وبحساب معامل الانعكاس الادنى Rm بالمعادلة التالية Rm = 02-02(2 / (n2+n2)> ؛ قد يتوقع؛ بتعديل المعالم؛ ان تميل Rm بدلاً من ذلك نحو القيمة المثالية صفرء بكلمات اخرى لا انعكاس. على سبيل المقارنة؛ تشمل طبقة مترسبة من فلوريد مغنيسيوم (:0485) معاملاً يساوي ere ٠ (اكبر قليلاً من .)٠0١74 تخفض معالجة مقاومة الانعكاس بترسيب (:[ع14) معامل الانعكاس من 74 الى CIV أي تخفيض في معامل الانعكاس يبلغ J طبقاً لتجسيد واحد؛ تعالج sold) الزجاجية بأيونات احادية ومتعددة الشحنات lad معروف على شكل ايونات ثقيلة heavy “noble” ions "Alu تنتمي الى قائمة العناصر المكونة من هيليوم (He) Yo ¢ نيون (Ne) ارغون (Ar) ؛ كريتبون (Kr) » وزنون (Xe) الغاية من هذه المعالجة هي خلق منطقة يكون للايونات النبيلة احادية ومتعددة الشحنات
ل تأثير خلق انخفاض في AEBS الغاز. تتميز هذه الطبقة بمعامل انكسار منخفض اقل من الزجاج السليم السفلي. يجعل انتقاء الايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز والظروف لقصف بهذه الايونات طبقاً للاختراع من الممكن الحصول بشكل مفيد على انخفاض في معامل الانكسار لمادة الزجاج الذي © يُعبرٌ die بانخفاض في معامل الانعكاس وزيادة في معامل الانفاذية. هذه الخواص هامة جداً لتعزيزء على سبيل (JRA أداء خلية فلطية ضوئية أو لتخفيض الانعكاسات على شاشة لمسية مستوية. oa المخترعون من الوصول الى أن الامداء المختارة وفقاً للاختراع لفلطية تسارع وجرعة ايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة سطحية تجعل من الممكن اختيار ظروف ٠ تجريبية حيث يكون تخفيض في الانعكاسات ( ومن 8 في معامل الانعكاس) ممكناً بفضل قصف أيوني لايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز. بالاضافة الى ذلك؛ امكنهم الوصول الى أن العملية وفقاً للاختراع يمكن تنفيذها على Coll خاصة عند درجات حرارة محيطة؛ وانه من المستحسن لدرجة حرارة المادة الزجاجية ان تبقى اقل من أو تساوي قيمة التحول للمادة الزجاجية خلال الغرس للعملية. يمكن هكذا بشكل مفيد sald) pie ١5 الزجاجية من التعرض» في قوامها؛ لتعديل تبلري ضار لخواصها الميكانيكية. يمكن أن ينتج اختيار جرعة الايونات الاحادية ومتعددة الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة سطح ضمن مدى الجرعة وفقاً للاختراع من مرحلة معايرة سابقة حيث ثقصف عينة تتكون من مادة الزجاج من واحد من الايونات الاحادية والمتعددة الشحنات lal على سبيل المثال من He «Xe Kr ¢Ar «Ne 115 أو 02 يمكن تنفيذ قصف هذه المادة الزجاجية في مناطق مختلفة من ٠ المادة بمجموعة جرعات من أيونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز ضمن المدى وققاً للاختراع. تراقب المناطق المعالجة تالياً لاختيار جرعة مناسبة كدلالة للملاحظة المختلفة الاهمية لانعكاسات على السطح المعالج. وهكذا يمكن مراقبة المناطق المعالجة بتقنيات مراقبة بسيطة؛ Sie مراقبة بالعين المجردة تحت زاوية سقوط تبلغ ”٠١ لضوء منعكس (مثلاً انبوب نيون)؛ أو تقنية اكثر تعقيداً؛ متل قياس Yo التداخل الضوئي [interferometry دون الالتزام بأي نظرية علمية؛ قد يُظن أنه يمكن تفسير ظاهرة انخفاض معامل الانكسار
A
مملوءة بغازات مغروسة؛ يكون معامل "nanocavities للسمك المغروس بظهور" فجوات رقيقة هذا لان هذه الايونات خاملة كيماوياً ومذابة في الزجاج تحت عتبة تركيز .١نم Ly انكسارها تتشكل فجوات دقيقة مملوءة بغاز oda فور تجاوز عتبة التركيز .)69١ ذري معين (يقدر دون في تخفيض المعامل للطبقة المغروسة. Beale طبقاً لتجسيدات مختلفة؛ قد تُوحّد: o تكون جرعة أيونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة اكبر من أو - أيون/سم"؛ على سبيل المثال اكبر من أو تساوي أو١٠'' أيون/سم"؛ ٠١ تساوي تكون فلطية التسارع للايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز بين © كيلو فلط - كيلو فاط ؛ Yuu ١ — تشمل حزمة اشعة الايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز 2٠١ من ايونات متعددة الشحنات أو اكثر من 7٠١ من ايونات متعددة الشحنات؛ - ثنتقى فلطية التسارع للحصول على سمك مغروس يساوي 100*م نانو متراًء حيث P عدد صحيح؟؛ - تُنتقى جرعة الايونات المغروسة احادية ومتعددة الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة Vo سطحية لتحقيق تركيز ذري لايونات مغروسة يساوي 7٠ مع عدم تحقق يبلغ f+) =( 40 طبقاً لتجسيد cans يتم اختيار الجرعة وانتقاء فلطية التسارع بحساب يُجرى مسبقاً؛ يمكّن تقدير الجرعة لانجاز تركيز ذري للايونات المغروسة يساوي ٠ مع عدم تحقق يبلغ (+/-) 75 بدءاً من جانبية غرس للايون المختار كدلالة لعمق الغرس؛ 7 - تكون مادة الزجاج متحركة بالنسبة الى ded) Aga ايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز Vp James بين ١٠٠ملم/ثانية و ١٠٠٠ملم/ثانية؛ طبقاً لتجسيد واحد؛ تُحرك منطقة واحدة ذاتها من المادة الزجاجية تحت حزمة اشعة الايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز طبقاً لمجموعة؛ (N تمريرات بمعدل Vp وفقاً للاختراع aud alll الايونات الاحادية ومتعددة الشحنات لغاز بمصدر رنين YO سيكلوترون الكتروني(0208 المفيد لأنه مدمج وموفر من حيث الطاقة. كما توجّه الاختراع الراهن الى جزء زجاجي يشمل سطحاً واحداً على الاقل مع أيون
q —_ _ مغروس طبقاً لعملية المعالجة؛ طبقاً لاي من التجسيدات المذكورة اعلاه حيث (mil انعكاس موجة ساقطة في المنطقة المرئية الى اقل من النصف. كما توجّه الاختراع الراهن الى استخدام عملية المعالجة؛ Yah من التجسيدات المذكورة اعلاه؛ لمعالجة جزء زجاج حجمي مُنتقى من القائمة المكونة من شاشة لمسية؛. عدسات Glan © عدسات جهاز ضوئي؛ نافذة مبنى وليف بصري .optical fibers شرح مختصر للرسومات ستظهر معالم وفؤائد مميزة للاختراع الراهن في الوصف أدناه لأمثلة تطبيقية غيرمحددة؛ Ae بالاشكال الملحقة حيث: الشكلان 01 و 72 يصفان انتشار موجة ساقطة مع وبدون طبقة مقاومة للانعكاس؛ Yo الاشكال تأ تف او 4 تمثل جانبيات غرس لايونات مختلفة كدلالة لعمق الغرس؛ الاشكال of 1 و A تمثل تغاير الكسب G (نسبة مئوية) مقاساً بعد المعالجة كدلالة لجرعة أيونات لفلطية تسارع معينة. الوصف التفصيلي: طبقاً لأمثلة الغرس وفقاً للاختراع الراهن؛ شكّلت له sale زجاج احادي موضوع دراسات مع Vo ايونات هيليوم helium أحادية ومتعددة الشحنات لبعض امثلة؛ مع ايونات ارغون argon أحادية ومتعددة الشحنات لامثلة اخرى مع امثلة ايونات Np نتروجين احادية ومتعددة الشحنات لامثلة اخرى ايضاً. ابتعثت هذه الايونات احادية ومتعددة الشحنات بمصدر ECR تضم عائلة الزجاج العادي مواد زجاجية مبنية على سليكا ,5:0 على كالسيوم calcium ٠٠ وصوديوم sodium مُدخلة عموماً في الصناعة على شكل CaO و0ره؟ هذه المواد الزجاجية هي الاكثر انتشاراً؛ تُستخدم لصناعة قوارير bottles وزجاجات glazings وتمثل 7960 من انتاج الزجاج. 33 المخترعون سلاسل اولى من اختبارات مع: - حزمة اشعة ايونات هيليوم احادية ومتعددة الشحنات بشدة ١ ملي أمبير تحوي ايونات 1167
-١- ألف الكترون فلط vo تساوي Het كيلو فلط؛ طاقة Yoo lal كانت فلطية ¢He2 xT xT بلغت جرعات المعالجة keV #70 تساوي tHe? dla (7اوا) .' مل أيون/سم
Art ملي امبير تحوي ايونات ١ حزمة اشعة ايونات ارغون احادية ومتعددة الشحنات بشدة - ؛ طاقة keV TO تساوي Ar? كيلو فلط؛ طاقة Yo كانت فلطية التسارع (APT SAP ° keV ٠١ Art .' أيون /سم TY eT eed TY بلغت جرعات المعالجة تتحرك العينات المعالجة بالنسبة الى حزمة الاشعة بمعدل حركة ١١ملم/ثانية وتقدم من قطر حزمة الاشعة؛ الذي يبلغ 560 ملم). نفذت 2٠0( جانبي عند كل عودة يبلغ ؛ ملم المعالجة في تمريرات متعددة لإنجاز الجرعة اللازمة. ٠ يمكن تقدير خواص مقاومة الانعكاس لسطح العينات نوعياً بالعين المجردة بمراقبة انعكاس صورة على سطح زجاجي او كمياً ايضاً باستخدام عملية قياس تداخل ضوئي؛ على سبيل نانو متراً عبر شريحة زجاجية 21٠ ally تحليل إسقاط ضوء احادي اللون بطول موجي 5 JU) ويحصل على الصورة على شكل Aire رقيقة معالجة على كلا السطحين؛ تحت زاوية سقوط للعدسات. يمكن استنتاج plane focal في المستوى البؤري nested rings سلسلة حلقات متداخلة Yo معامل انعكاس ديوبتر الشريحة بقياس دقة أو نقاوة الحلقات اللامعة(عند ارتفاع متوسط للشدة العظمى). neon نفذً المختزعون اختبارات نوعية بمراقبة؛ بالعين المجردة؛ انعكاس ضوء أنبوب نيون معالج بجرعات مختلفة. روقّبت الصورة المنعكسة لانبوب النيون هذا تحت Jil على سطح tube تقريباً. ٠١ زاوية Ye ower يبدو من هذه الاختبارات النوعية أن انعكاس النيون من حيث تباين منخفض لهيليوم. asf حول جرعة أ يا أيون/سمً لارغون و١٠ أيون contrast لزرع أيونات متعددة الشحنات؛ تعتمد على بيانات simulator على محاكي Aub أُجريث تحت ظروف المعالجة أعلاه؛ النتائج التالية مسجلة adi شبه تجريبية مطورة من قبل المخترعين؛ وجدول؟ لأرغون (ينظر جانبية الغرس في (YUE في جدول الهيليوم (ينظر جانبية الغرس في Yo .)3 الشكل
_— \ \ _ جدول ١ Lil My) den مقاوم BSH ذري سمك طبقة أيون هيليوم/سم') للانعكاس قابل للمراقبة | للهيليوم 7 مغروسة ١ لا 7 7٠. نانومتر لا حم .أ نانومتر Ye نعم Yeo YAR نانومتر جدول ١ جرعة يا تأثير | مقاوم SH ذري سمك أيون أرغون/سم ) للانعكاس قابل للمراقبة | للأرغون 7 مغروس ١ لا ١١ VARY: نانومتر 1 نعم ١١ ARNT نانومتر 1 لا ١١ AR نانومتر كما يوصى من قبل العملية وفقاً للاختراع» يحسب تعديل فلطية تسارع الأيونات لتعديل السمك المغروس على مدى مضاعف يبلغ ٠٠١ نانومتراً تقريباً. يمكن تعديل هذه القيم المستكملة 0 (جرعة؛ فلطية (pls بدقة أكثر خلال طور تعديل تجريبي باستخدام وسيلة تداخل ضوئي دقيق Ka تقييم التخفيض المثالي في معامل الانعكاس (ينظر الطريقة المذكورة أعلاه). يصف الشكل١أ كيف تفصل موجة ساقطة (0 خلال مرور عبر الديوبتر إلى موجة منكسرة refracted wave (1) وموجة منعكسة (R) بقوة؛ على شكل خط متصل. يصف الشكل GY كيف ترجع طبقة مقاومة للانعكاس مكونة بالعملية وفقاً للاختراع بضعف الموجة المنعكسة ((R) Ve على شكل خط منقط.
١١ أيون/سم' مشمولة مع "٠١ جرعة Gill يمثل الشكل جانبية الغرس لأيونات هيليوم
He! [He كيلوفلط. يكون توزيع أيونات7 Yo حزمة أشعة أيونات 116 و1162 وفلطية تسارع تبلغ يوجد عمق الغرس» معبراً بوحدة انجستروم؛ على الإحداثي السيني والتركيز الذري . + لأيونات هيليوم مغروسة؛ معبراً على شكل نسبة مئوية؛ على الإحداثي الصادي. يصل تركيز نانومتراً تقريباً (أي؛ Yoo تقريباً (+/-75) على مدى سمك مغروس يبلغ 7٠١ أيونات الهيليوم © يطابق السمك المغروس المنطقة حيث يكون التركيز الذري لأيونات هيليوم (Tesi ٠٠١ ضعف مانعة Bia تضفي هذه الخواص dail كما تأكد من LY مغروسة أكبر من أو يساوي للانعكاس على الطبقة المغروسة. أيون/سم" محرزة مع ٠١#" يمثل الشكل جانبية الغرس لأيونات أرغون تطابق جرعة يبلغ Ar JAPA كيلوفلط. توزيع أيونات Yo وفلطية تسارع تبلغ APT APTA حزمة أشعة ٠ معبراً بوحدة انجستروم؛ على الإحداثي السيني والتركيز cual يوجد عمق ٠١٠ الذري لأيونات الهيليوم المغروسء معبراً بنسبة مئوية؛ على الإحداثي الصادي. يصل التركيز الذري نانومتراً تقريباً (أي؛ ٠٠١ (على مدى سمك مغروس يبلغ )75-/+( 7٠١ لأيونات الأرغون حوالي نانومتراً). يطابق السمك المغروس + المنطقة حيث يكون التركيز الذري ٠٠١ ضعفاً واحداً ل كما تأكد بالتجربة أن هذه الخصائص تضفي صفاتاً TY ._للهيليوم المغروس أكبر من أو يساوي ١5 مقاومة للانعكاس على الطبقة المغروسة. فضلاً عن ذلك؛ تفذت سلسلة اختبارات ثانية لتقييم المعالجة المقاومة للانعكاس مع وسيلة تمييز لتحديد مقدار الكسب في إنفاذ الضوء؛ بدقة كبيرة؛ 6 (نسبة مثوية) المحرز بعد معالجة عبر ديوبتر مصنوع من زجاج ينتمي لعائلة الزجاج العادي. وفقاً للتعريف؛ تشير 6 للكسب؛ معبراً بنسبة (بكلمات أخرى الفرق بين dalled) مثوية؛ المطابق للزيادة في معامل إنفاذية الضوء المحرز بعد Yo معامل الإنفاذية قبل وبعد المعالجة). (AD) وأرغون (N2) استخدم نوعان من الأيونات: نتروجين كيلوفلط. Yo Ve بالنسبة للنتروجين؛ درس عمقا معالجة اثنان بتعديل فلطية التسارع إلى كيلوفلط. FO بالنسبة للأرغون؛ استخدمت فلطية تسارع واحدة فحسب بقيمة استخدمت عدة جرعات لكل نوع من الأيونات عند فلطيات تسارع مختلفة. النتائج مسجلة Yo في الجداول التالية: yp
بالنسبة للنتروجين (Np) عند ٠١0 كيلوفلط: I oe I
بالنسبة للنتروجين (No) عند YO كيلوفلط:
بالنسبة للأرغون (Ar) عند Yo كيلوفلط:
yee
يمثل الشكل of على المحور الصادي؛ الكسب G )7( مقاساً بعد معالجة مع Np عند ٠١ كيلوفلط وطبقاً لجرعات مختلفة ممثلة على المحور السيني ومعبرة عند "٠١ أيون/سم". تظهر جرعة "٠١7٠٠١١ أيون/سم”' Ae بشكل خاص لتخفيض بنصف معامل انعكاس الضوءء؛ الذي يتغير من 74 إلى AY بينما يتغير معامل إنفاذية co gual) الذي يزداد بمقدار 779؛ من 7975 إلى JAA 5 يقابل الخط المشار إليه A الجرعة التي يكون عندها التركيز الذري للأيونات المغروسة مساوياً 2٠ ويقابل الخطان 3 و © الجرعات التي يمكن أن يكون عندها التركيز للأيونات المغروسة مساوياً 75 و V0 عتبة الاشباع للمنحنى المقابلة لكسب أقصى في إنفاذية الضوء
موجودة على الخط م. يحيط الخطان 8 و © هذه العتبة. Jia الشكل 0 جانبية الغرس محاكاة بأيونات Ny تقابل جرعة "٠٠١*005 أيون/سم ٠ محرزة مع حزمة أشعة ايونات NY 1827و 1137 فلطية تسارع تبلغ Yo كيلوفلط. قَدّر توزيع أيونات “/17/2 مساوياً ل 211/771/758. يوجد سمك (Qual معبراً بوحدة انجستروم» على الإحداثي السيني والتركيز الذري لأيونات النتروجين المغروس؛ معبراً على شكل نسبة Asie على الإحداثي الصادي. يصل التركيز الذري لأيونات النتروجين 7٠١ تقريباً على مدى سمك مغروس يبلغ ٠0٠0 نانومتراً تقريباً ol) ضعفي ٠٠١ نانومتراً). يقابل السمك المغروس ؛ المنطقة حيث Ve يكون التركيز الذري لأيونات النتروجين المغروس أكبر أو مساوياً .7١ تثبت التجربة أن خصائص المعالجة هذه بلغة تركيز أقصى لأيونات مغروسة بلغة عمق معالجة تضفي خصائص مقاومة
انعكاس على الطبقة المغروسة مع أيونات نتروجين.
يمثل الشكل 76؛ على المحور الصادي الكسب 6 )7( مقاساً بعد معالجة مع Nj عند Yo كيلوفلط طبقاً لجرعات مختلفة ممثلة على المحور السيني ومعبرة على شكل ٠١ أيون/سم". هنا al ٠ تظهر جرعة "٠٠١*075 أيون/سم مبيِّنة بشكل خاص لتخفيض فعلي بمقدار نصف معامل انعكاس الضوءء؛ الذي يتغير من 74 إلى 7707 بينما يتغير معامل إنفاذية الضوء؛ الذي يزيد بمقدار 71097 من 797 إلى 799707. يقابل الخط المشار إليه A الجرعة الذي يساوي التركيز الذري baie لأيونات مغروسة 77٠١0 ويقابل الخطان 5B © الجرعات التي يساوي التركيز الذري لأيونات مغروسة 75 و WYO تكون ذروة المنحنى المقابلة للكسب الأقصى في إنفاذية الضوء
YO موجودة على الخط LA يحيط الخطان 5 و © هذه الذروة. يمثل الشكل ١7 جانبية الغرس محاكاة بأيونات نتروجين تقابل جرعة "١١0075 yoo
أيون/سم' محرزة مع حزمة أشعة لأيونات N¥*NPNY مساوياً ل 211/771/754. يوجد عمق cul معبراً بوحدة انجستروم؛ على الإحداثي السيني والتركيز الذري لأيونات Na مغروسة؛ معبرة على شكل نسبة مئوية؛ على الإحداثي الصادي. يصل التركيز الذري لأيونات 7٠١ Np تقريباً على مدى سمك مغروس Yoo aly تانومتراً تقريباً Yel) أضعاف ٠٠١ نانومتراً). يقابل السمك © المغروس + المنطقة يكون التركيز الذري لأيونات Np المغروسة أكبر من أو تساوي WY تثبت التجربة أن خصائص المعالجة هذه بلغة تركيز أقصى لأيونات مغروسة. بلغة عمق معالجة تضفي
خصائص مقاومة انعكاس على الطبقة المغروسة مع أيونات Na
يمتل الشكل oh على المحور الصادي؛ الكسب G (7) مقاساً بعد معالجة بأرغون (An)
عند Yo كيلوفلط طبقاً لجرحات مختلفة ممثلة على المحور السيني ومعبرة TY sang أيون/سم".
٠ تظهر جرعة "٠١*75 أيون/سم"؛ في الحقيقة حتى أقل؛ The بشكل خاص لتخفيض حقيقي بنصف معامل انعكاس الضوءء الذي يتغير من 74 إلى AYO) بينما يتغير معامل إنفاذية الضوء الذي يزيد بمقدار Ved من 795 إلى LAY يقابل الخط المشار إليه م الجرعة التي يساوي التركيز الذري للأيونات المغروسة عندها 775 ويقابل الخطان المشار إليهما 13 و © على التوالي ile jal التي يساوي التركيز الذري عندهما للأيونات المغروسة 7٠١0 و7760 توجد عتبة الاشباع
١ المطابقة لكسب أقصى في إنفاذية الضوء Yay من ذلك على خط A حيث يكون التركيز مساوياً Yo أكبر قليلاً من المتوقع عند .7٠١ ومع ذلك؛ سيُبين أن المنحنى عبارة عن نتاج استكمال مع رقم محدد لنتائج محرزة مع جرعات أكبر من أو تساوي ©؛0*١٠"أسم'. من الضروري AL وتنقية هذا الاستكمال مع نتائج محرزة مع جرعات منخفضة موجودة تحت Taf os TY eX VO (على سبيل GO JED 7 و "٠١765 أيون/سم'). من المحتمل جداً أنه في هذه الحالة
BF ٠ عتبة الاشباع إلى منطقة جرعات منخفضة موجودة تقريباً حول ٠١*٠5 أيون/سم" تطابق تركيزاً ذرياً لأيونات مغروسة حول 7٠١ والتي تكون أكثر طبقاً للتوقعات.
"١١00975 الشكل 9؛ جانبية الغرس محاكاة مع أيونات أرغون تطابق جرعة i كيلوفلط. قَدّر Yo وفلطية تسارع تبلغ APT 5 APTA أيون/سم' محرزة مع حزمة أشعة أيونات معبراً بوحدة coal يوجد عمق .2٠/77 5/7175 مساوياً ل APY APTA توزيع أيونات
YO أنجستروم؛ على الإحداثي السيني والتركيز الذري لأيونات أرغون مغروسة؛ معبراً بنسبة مثوية؛ على الإحداثي الصادي. يصل التركيز الذري لأيونات الأرغون 715 تقريباً على مدى سمك مغروس yo نانومتر). يقابل السمك المغروس ؛ المنطقة ٠٠١ نانومتر تقريباً (أي؛ ضعفاً واحداً ل ٠٠١ aly مغروسة أكبر من أو يساوي 77. تثبت التجربة أن Ny حيث يكون التركيز الذري لأيونات خصائص هذه المعالجة بلغة تركيز ذري أقصى لأيونات مغروسة وبلغة عمق معالجة تضفي argon خصائص مقاومة للانعكاس على طبقة مغروسة بأيونات أرغون من حملة هذه المعالجة؛ يظهر أن النتروجين يمكّن إحراز صفات مقاومة انعكاس مقارنة 5 هذاء Ld) قد BAS هيليوم أو أرغون. دون الابتعاد Jie بتلك المحرزة مع أيونات نبيلة (أو خاملة) تظهر دراسات (No كما في حالة الغازات النبيلة؛ بتكون فجوات دقيقة مملوءة بجزيئات نتروجين 0; أكسجين Jie apd تمهيدية أن نفس التأثيرات أحرزت مع غاز آخر ثنائي
Claims (8)
- -١١- عناصر الحمابة لمادة زجاجية؛ تتميز في أنها A jal) عملية للمعالجة الدائمة المقاومة للانعكاس في المنطقة -١ beam of بحزمة أشعة لأيونات أحادية ومتعددة الشحنات bombardment تتكون من قصف electron cyclotron بمصدر رنين سيكلوترون الكتروني id لغاز mono- and multicharged حيث: resonance (ECR) تحول الزجاج sha تكون درجة الحرارة لمعالجة مادة الزجاج أقل من أو تساوي درجة = 0 ¢glass transition تتتقى جرعة الأيونات أحادية أو متعددة الشحنات لغاز المغروسة لكل وحدة مساحة - أيون/سم' للحصول على تركيز ذري "٠١ Taos "٠١ سطحية ضمن مدى بين refractive index للأيونات أحادية أو متعددة الشحنات بحيث يكون معامل الاتكسار م يمثل المعامل للهواء nl مساوياً تقريباً ل 001*02(1/2؛ حيث implanted layer للطبقةالمغروسة ١ يمثل المعامل للزجاج؛ n2 و كيلوفلط ٠٠٠١ ضمن مدى بين 0 كيلوفلط و acceleration voltage التسارع lla sis - يساوي «*0*1/4؛ حيث + تمثل السمك t implanted thickness للحصول على سمك مغروس المغروس المقابل لمنطقة غرس حيث يكون التركيز الذري لأيونات أحادية ومتعددة الشحنات صحيحاً؛ .1 تمثل طول موجة ساقطة (أو fae م تمثل ١ مغروسة لغاز أكبر من أو يساوي Vo واردة) و« تمثل المعامل للطبقة المغروسة. العملية وفقاً لعنصر الحماية ١؛ تتميز في أن الأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز لحزمة -" (Ne) نيون chelum(He) أشعة الأيون تثتقى من أيونات عناصر القائمة المكونة من هيليوم xenon(Xe) وزنون Krypton(Kr) كريبتون cargon (Ar) أرغون «neon العملية ووفقاً لعنصر الحماية )0 تتميز في أن الأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز لحزمة -* ٠ وأكسجين nitrogen (Nz) أشعة الأيون تنتقى من أيونات غازات القائمة المكونة من نتروجين oxygen (و0) أيونات أحادية beam ؟- العملية وفقاً لأي من عناصر الحماية السابقة؛ تتميز في أن حزمة أشعة من 7٠0 من أيونات متعددة الشحنات أو أكثر من 7٠0 ومتعددة الشحنات لغاز تحتوي على أيونات متعددة الشحنات. Yo العملية وفقاً لأي من عناصر الحماية السابقة؛ تتميز في أن فلطية التسارع تنتقى للحصول —0 على سمك مغروس يساوي 100*م نانومتراً» حيث م تمثل عدداً صحياً.
- A A- لأيونات مغروسة dose العملية وفقاً لأي من عناصر الحماية السابقة؛ تتميز في أن الجرعة -7 أحادية ومتعددة الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة سطحية تثنتقى لتحقيق تركيز ذري لأيونات .75 )-/+( مع عدم تحقق يبلغ 7٠١ مغروسة يساوي العملية وفقاً لعنصر الحماية السابق؛ تتميز في أن اختيار الجرعة لأيونات أحادية ومتعددة —V الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة سطحية واختيار فلطية التسارع 23 بحساب؛ أجري مسبقاً > تقدير الجرعة لأيونات مغروسة أحادية ومتعددة الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة سطحية Ka )-/+( مع عدم تحقق يبلغ 17٠١ يساوي implanted dons لتحقيق تركيز ذري لأيونات مغروسة للأيون المختار كدلالة للعمق المغروس implantation profile بدءاً من جانبية غرس 70 .implantation depth العملية وفقاً لأي من عناصر الحماية السابقة؛ تتميز في أن مادة الزجاج متحركة بالنسبة إلى -8+ ٠ و ةيناث/ملم٠ 0٠ بين VO (Jame حزمة أشعة الأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز عند .ةيناث/ملم٠ ٠ العملية وفقاً لعنصر الحماية السابق؛ تتميز في أن منطقة واحدة بذاتها من المادة الزجاجية -4 passes تمريرات (N تحت الأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز طبقاً لمجموعة؛ alas Vp بالمعدل yo الزجاجية تنقى من قائمة sald) العملية وفقاً لأي من عناصر الحماية السابقة؛ تتميز في أن -٠ .soda-lime glasses gale زجاج يشمل سطحاً واحداً على الأقل مع أيون مغروس وققاً لأي من glass part جزء زجاجي -١ عناصر الحماية السابقة؛ يتميز في أن انعكاس موجة ساقطة في المنطقة المرئية يخفض إلى أقل من النصف. Y.
- ! N\ / R 2 بلا I AR fy الشكل ١ب الشكل
- ولا ١١ > = م : & 2 0 0 \ 0 3 ) ار \ 1 g 3 : ل = 2 3 . 4 : . J y A y 3 : 5 7 01 / \ ١ e : 6 تت * Biro — 0 ب
- . 4 > 9 تح ع a «2 5 we > - TEE SSL AA م RE A SEE . a — > eT ها زمه اس > ا Ke i 0 سو اي سي and. 71 + & ny nA 3 r «>» 0 <a ف 3 . for 7 المستروم ل 3 > سو > 2 ا ل ا : ص x yo © 0% iA 1 0: 1 5 1 7 1
- §
- I. { 4 ! 1 0": ٍ ٍ أ 0 0 ¥ gr i e ES SN « 4 Bec 3 . بر وب a} +2 - ب - I's ~ x 3 حو الي pe Se . ص ف = 3 ao 3 x > سج = wo - SC 3 fod 7 1 - سح ao ع = ب حي > د - wi صر = - 3 a po . I. NT) bod 2 4 nde} -— Fad م -— Pon > pos 3~ \ اا ب 8 5 1 بين
- 8 A C i i i i { i ماي ِ i i¥.o i i i JI وود ل i . Pa H ا : i ~ i 2 ا ًٍ ! م i LI i nd ! الام ا ِْ ٍ : #1 : Fy ل i ] 7 ’ i { Fh & 5 0 3 1 vs ioe 1 i i 0 1 i 1 ل : 1 )ا7د7لددادا5اؤجن6اوااادااادرءاإ<دا“داااط”ل”“آ©( 7">ا7©7ا7ا6707ا7<ل6٠87”6دئ5ظد٠ا7ا#دداالاج<ؤ>سداا”ااو>اماااوهم>وواا7”#”اط”ا<ا©او_3لم”7©7داةلاال7لاااا[اليسل ‘ 9 Vk Wl RIS ١ 1 الشكا ؛ ابيا١ . ا أ ااانا الا لاا اللا له اننا ااا 10 ا الما ع اا ان 1 " gO : i FH i 0 8 : ١ 8 4 2 1 iF 0 Lo 5 HI % FI 1 Eo 1 HE] 8 % م 1 Hr KN Ha: > TSE. الما ¥ ل ا 1 ااا ب تو ماما ااا لاا ا مم ا ادا محلا لل حم nm واه ااه ا ٠0 .5 1 : i 2 8 = 8 0 = : © 2 4 - ‘ ب - ع م ب م ب ع kd « 8 > < 2 - = w - > يي R كع bd £ 2 - > ب « 3 > 0 oh « > ~ م" - . 3 ب 1 2 .3 الي وم ص & -— "8 سل ~ ص Pa rs fod LAL ب ad > - ~3 0 4 - + ~~ id - > - Ea َه م - wi - I > Id] = —- » حل 3 a > و IN - LH امو x 7 ~ - - 2 2 0 4 -3 2 ha i > ب << ال و > wi . ٍ 2 كاي كه Jo Fg مر الي ال _ P. ey H A | a Ld orBAG ؛ eo] ! | ( EE Co H ! : I 8 ااا تالف Toad 1 اي إ ا _ 1 0 إٍْ أ reife لاا لاا ااا + للا الات امات نا Ry / NG ال ا |, SPS TO TV — "1 | ١# ا 0 i / 1 ki + ٠ SE 00 ل 0 ١ Nie م x 4 > : Co Pd 1 الم EE 1 0١ ١ #“كظاتااللتار[3والتأاكًذداأألللأ2ةلةللةرل3أأأكا م - Wont ) الجا— \ اج [94 8] a = 3 2 0% 1 سا : i) 8 2 3 % 0 3 - 2 0 ل H + سي : % x Sh ; y 0 يا؟ he & ا 3 bo 3 8 x, 7 i ay Rv 0 Tabi 0 بجا سسا 1 لله ها ال |» TE 4 4 سر 0 > ا IE TE م ابه اك جد ”ل > b 8 م ال لد بين > , سم - ; - 3 3- > a > Ed Le . إل ا ل حل يي 2 م 0 8: w < LE - a EE Tact wi ب ~ > ow - ب ا لد 7 خ . BS Ld 2 2 » v » 0 « . “ 3 8 « م ’ > 3: Ll > Ie . ~~ 2X ب bs 0 Eos os 8 » a N 5 2 ا جمد اج EE 8 4 - سي » + > hd at 0 0 و 7 0 ٠ KEA . oC | 8 1 ! H ! § ! t ! 1 ! H ! ب تت ; إ i اا جك ا سس a : JR SE : Yq |p : ¥ : " ان هيا - ا A إ Ae 4 i 0 Fa ‘ ا 1 . " 0 3 ' ا : " 23 سس : : #84" y Ve . a : + . الشكل Aا ا UO [ERE Sm الال ER i § 1 WARE 8 0 ما .+ ا اس ا HE IF] 5 3 3{ ا + ب vi Be 8 1 i SE Rtg . وجتحج ج2001 لانن لل بلس لل ل ل ل ل للست ١ : را ب د نا ww a > فا ب o 4 . [RM ا 2 or : < a سو الي ow - انب ص 2 < oN 4 [EE pA SN EE A TE SE 0 ل 234 . 0 2 حر ال << 0 * i سر - be ب ا ا ل سس ow” 3 Ww ل ص ب SE S ا ا د ا ا ا a t- = و ا يب ~ < هي 3 ا ع rg Fo wd > v م سج يز 3 a ب 3 ل oo مرا احلا - — - حي = a = الشكا 4 نبمدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب TAT الرياض 57؟؟١١ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: patents @kacst.edu.sa
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1300336A FR3002240B1 (fr) | 2013-02-15 | 2013-02-15 | Procede de traitement par un faisceau d'ions pour produire des materiaux en verre antireflet durable |
PCT/FR2014/050272 WO2014125211A2 (fr) | 2013-02-15 | 2014-02-12 | Procede de traitement par un faisceau d'ions pour produire des matériaux en verre antireflet durable |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SA515360895B1 true SA515360895B1 (ar) | 2016-06-30 |
Family
ID=48407649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SA515360895A SA515360895B1 (ar) | 2013-02-15 | 2015-08-13 | عملية لمعالجة ايونات احادية أو متعددة الشحنات لغاز لانتاج مواد زجاجية مقاومة للانعكاس |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9988305B2 (ar) |
EP (1) | EP2956423B1 (ar) |
JP (1) | JP6491111B2 (ar) |
KR (1) | KR102176055B1 (ar) |
CN (1) | CN105121380B (ar) |
BR (1) | BR112015019538A2 (ar) |
CA (1) | CA2898990A1 (ar) |
EA (1) | EA029422B9 (ar) |
FR (1) | FR3002240B1 (ar) |
PH (1) | PH12015501621A1 (ar) |
SA (1) | SA515360895B1 (ar) |
SG (1) | SG11201506330PA (ar) |
UA (1) | UA115165C2 (ar) |
WO (1) | WO2014125211A2 (ar) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201202128D0 (en) | 2012-02-08 | 2012-03-21 | Univ Leeds | Novel material |
FR3002240B1 (fr) * | 2013-02-15 | 2015-07-10 | Quertech Ingenierie | Procede de traitement par un faisceau d'ions pour produire des materiaux en verre antireflet durable |
FR3003857B1 (fr) * | 2013-03-28 | 2015-04-03 | Quertech | Procede de traitement par un faisceau d'ions pour produire des materiaux en verre superhydrophiles. |
FR3027120B1 (fr) * | 2014-10-09 | 2016-12-23 | Quertech | Dalle tactile capacitive a haute transmission dans le domaine visible et inrayable |
EA034838B1 (ru) * | 2014-10-24 | 2020-03-26 | Агк Гласс Юроп | Применение имплантированной ионами стеклянной подложки |
EP3181533A1 (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-21 | AGC Glass Europe | Glass substrate for chemical strengthening and method for chemically strengthening with controlled curvature |
TWI632119B (zh) * | 2016-02-19 | 2018-08-11 | 因特瓦克公司 | 以離子植入法製作的抗污、防刮擦、耐磨玻璃 |
CA3019259A1 (en) * | 2016-04-12 | 2017-10-19 | Agc Glass Europe | Blue reflective glass substrate and method for manufacturing the same |
WO2017178171A1 (en) * | 2016-04-12 | 2017-10-19 | Agc Glass Europe | Antireflective glass substrate and method for manufacturing the same |
EP3442923A1 (en) * | 2016-04-12 | 2019-02-20 | AGC Inc. | Glass substrate with reduced internal reflectance and method for manufacturing the same |
KR102325574B1 (ko) * | 2016-04-12 | 2021-11-15 | 에이쥐씨 글래스 유럽 | 반사 방지, 내스크래치성 유리 기판 및 그의 제조 방법 |
CA3019255A1 (en) * | 2016-04-12 | 2017-10-19 | Agc Glass Europe | Heat treatable antireflective glass substrate and method for manufacturing the same |
SG11201808096PA (en) * | 2016-04-12 | 2018-10-30 | Agc Glass Europe | Neutral color antireflective glass substrate and method for manufacturing the same |
US10612129B2 (en) | 2016-06-28 | 2020-04-07 | Corning Incorporated | Thin glass based article with high resistance to contact damage |
FR3062658B1 (fr) * | 2017-02-03 | 2022-06-24 | Sa Quertech | Procede de traitement antireflectif et resistant a la rayure dans un saphir synthetique |
EP3389078A1 (fr) * | 2017-04-13 | 2018-10-17 | The Swatch Group Research and Development Ltd | Procédé d'implantation d'ions multichargés sur une surface d'un objet à traiter et installation pour la mise en oeuvre de ce procédé |
US20210087106A1 (en) * | 2018-03-05 | 2021-03-25 | Agc Glass Europe | Anti-glare glass sheet |
EP3556911A1 (fr) * | 2018-04-19 | 2019-10-23 | Comadur S.A. | Procédé de structuration d'un motif décoratif ou technique dans un objet réalisé en un matériau amorphe, semi-cristallin ou cristallin au moins partiellement transparent |
CN112533882A (zh) * | 2018-06-14 | 2021-03-19 | 旭硝子欧洲玻璃公司 | 降低用于透射红外光的基板的反射率 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE214369C (ar) | ||||
US4001049A (en) * | 1975-06-11 | 1977-01-04 | International Business Machines Corporation | Method for improving dielectric breakdown strength of insulating-glassy-material layer of a device including ion implantation therein |
US4465337A (en) * | 1982-03-05 | 1984-08-14 | Westinghouse Electric Corp. | Reduced reflectivity member and ion implantation method of fabrication |
DD214369A1 (de) * | 1983-03-17 | 1984-10-10 | Akad Wissenschaften Ddr | Verfahren zur herstellung duenner opalglasoberflaechen |
IT1211939B (it) * | 1987-11-27 | 1989-11-08 | Siv Soc Italiana Vetro | Procedimento per la fabbricazione di vetri con caratteristiche energetiche modificate e prodotto cosi'ottenuto |
JPH0323238A (ja) | 1989-06-19 | 1991-01-31 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ガラス基材の表面改質法 |
US5250098A (en) * | 1992-07-27 | 1993-10-05 | Ford Motor Company | Thermally durable anti-reflective glass |
JPH06100334A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-12 | Nikon Corp | イオンビームを用いたガラスの表面処理方法 及びガラス部材 |
US5342690A (en) * | 1992-11-20 | 1994-08-30 | Ford Motor Company | Reticular glass surface |
US5965629A (en) | 1996-04-19 | 1999-10-12 | Korea Institute Of Science And Technology | Process for modifying surfaces of materials, and materials having surfaces modified thereby |
US20060210783A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Seder Thomas A | Coated article with anti-reflective coating and method of making same |
FR2889745B1 (fr) * | 2005-08-10 | 2007-12-21 | Commissariat Energie Atomique | Revetement anti-reflet, en particulier pour cellules solaires, et procede de fabrication de ce revetement |
KR20110033769A (ko) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | (주)엘지하우시스 | 저방사 유리 및 이의 제조방법 |
EP2588639B1 (fr) * | 2010-07-02 | 2016-09-07 | Aptar France SAS | Procede de traitement de surface d'un dispositif de distribution de produit fluide. |
FR2962135B1 (fr) * | 2010-07-02 | 2013-11-29 | Valois Sas | Procede de traitement de surface d'un dispositif de distribution de produit fluide. |
US20130171334A1 (en) * | 2010-07-02 | 2013-07-04 | Aptar France Sas | Method for the surface treatment of a fluid product dispensing device |
CN103097573A (zh) * | 2010-07-02 | 2013-05-08 | 阿普塔尔法国简易股份公司 | 流体产品的分配设备的表面处理方法 |
FR3002240B1 (fr) * | 2013-02-15 | 2015-07-10 | Quertech Ingenierie | Procede de traitement par un faisceau d'ions pour produire des materiaux en verre antireflet durable |
-
2013
- 2013-02-15 FR FR1300336A patent/FR3002240B1/fr active Active
-
2014
- 2014-02-12 UA UAA201508079A patent/UA115165C2/uk unknown
- 2014-02-12 EA EA201500839A patent/EA029422B9/ru not_active IP Right Cessation
- 2014-02-12 CA CA2898990A patent/CA2898990A1/fr not_active Abandoned
- 2014-02-12 WO PCT/FR2014/050272 patent/WO2014125211A2/fr active Application Filing
- 2014-02-12 JP JP2015557498A patent/JP6491111B2/ja active Active
- 2014-02-12 US US14/768,177 patent/US9988305B2/en active Active
- 2014-02-12 KR KR1020157021287A patent/KR102176055B1/ko active IP Right Grant
- 2014-02-12 CN CN201480009009.7A patent/CN105121380B/zh active Active
- 2014-02-12 SG SG11201506330PA patent/SG11201506330PA/en unknown
- 2014-02-12 EP EP14708625.0A patent/EP2956423B1/fr active Active
- 2014-02-12 BR BR112015019538A patent/BR112015019538A2/pt active Search and Examination
-
2015
- 2015-07-22 PH PH12015501621A patent/PH12015501621A1/en unknown
- 2015-08-13 SA SA515360895A patent/SA515360895B1/ar unknown
-
2018
- 2018-05-10 US US15/976,686 patent/US11078113B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
UA115165C2 (uk) | 2017-09-25 |
US9988305B2 (en) | 2018-06-05 |
CA2898990A1 (fr) | 2014-08-21 |
SG11201506330PA (en) | 2015-09-29 |
KR102176055B1 (ko) | 2020-11-09 |
EP2956423A2 (fr) | 2015-12-23 |
EA029422B9 (ru) | 2018-04-30 |
EA201500839A1 (ru) | 2015-12-30 |
KR20150125650A (ko) | 2015-11-09 |
US11078113B2 (en) | 2021-08-03 |
US20180265404A1 (en) | 2018-09-20 |
FR3002240A1 (fr) | 2014-08-22 |
CN105121380A (zh) | 2015-12-02 |
US20150376058A1 (en) | 2015-12-31 |
EA029422B1 (ru) | 2018-03-30 |
EP2956423B1 (fr) | 2019-09-04 |
FR3002240B1 (fr) | 2015-07-10 |
JP2016511736A (ja) | 2016-04-21 |
WO2014125211A3 (fr) | 2014-11-20 |
CN105121380B (zh) | 2017-11-28 |
WO2014125211A2 (fr) | 2014-08-21 |
JP6491111B2 (ja) | 2019-03-27 |
BR112015019538A2 (pt) | 2017-07-18 |
PH12015501621A1 (en) | 2015-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SA515360895B1 (ar) | عملية لمعالجة ايونات احادية أو متعددة الشحنات لغاز لانتاج مواد زجاجية مقاومة للانعكاس | |
Tohmon et al. | Correlation of the 5.0-and 7.6-eV absorption bands in SiO 2 with oxygen vacancy | |
JP6878009B2 (ja) | 防眩サファイア材料を製造するための一価及び/又は多価ガスイオンビーム処理方法 | |
Baubekova et al. | Accumulation of radiation defects and modification of micromechanical properties under MgO crystal irradiation with swift 132Xe ions | |
Zhang et al. | Silver nanoclusters formation in ion-exchanged glasses by thermal annealing, UV-laser and X-ray irradiation | |
You et al. | Enhanced photochromic response in oxygen-containing yttrium hydride thin films transformed by an oxidation process | |
SA515370141B1 (ar) | غشاء واقي، عضو عاكس، وطريقة لإنتاج غشاء واقي | |
Khor et al. | Optical properties of ultraphosphate glasses containing mixed divalent zinc and magnesium ions | |
Alzahrani et al. | A synergistic effect of heavy metal oxides to enhance the physical, optical, and radiation-absorption properties of TeO2-Li2O-BaO glasses | |
Sallam et al. | Impact of molybdenum on optical, structure properties and gamma radiation shielding parameters of bor-ophosphate glass: Intensive experiment investigations | |
Shaaban et al. | Radiation attenuation and optical behaviors of glass system: 21SiO2–49B2O3–13ZnO-(17-x) Na2O-xWO3 | |
Topić et al. | Analysis of Medieval and Post‐Medieval Glass Fragments from the Dubrovnik Region (Croatia) | |
Osuwa et al. | Study of physical properties of ternary Cu11Cd40S49 thin film glasses | |
Mazzoldi | Modifications induced by irradiation in glasses | |
Battaglin et al. | Gold nanocluster formation in silicate glasses by low fluence ion implantation and annealing | |
US20190352770A1 (en) | Method for anti-reflective and scratch- resistant treatment of synthetic sapphire | |
Altowyan et al. | Fabrication, structure, physical and optical features of the 50B2O3+ 25Bi2O3+(25-x) Li2O+ xSrO2 glasses | |
Xia et al. | Diffusion of methyl red and its photoexcited isomer in poly (ethylene glycol) | |
Malinský et al. | The Characterisation of Silicate Glasses Implanted with Ag+ Ions | |
Wang et al. | A comparative study of the influence of different post-treatment methods on the properties of HfO2 single layers | |
Cooper-Jensen et al. | " m= 1" coatings for neutron guides | |
Ming et al. | Formation and characterization of ZnO: Tm+ optical waveguides fabricated by Tm+ and O+ ion implantation | |
Doğan et al. | Optical and solar parameters of irradiated lead–alkali–silicate glass | |
Theelen et al. | The influence of glass substrates on the damp heat degradation of ZnO: Al films | |
Höche et al. | Cross-sectional TEM investigation of tin-implanted SiO2 glass |