SA515360895B1 - عملية لمعالجة ايونات احادية أو متعددة الشحنات لغاز لانتاج مواد زجاجية مقاومة للانعكاس - Google Patents

عملية لمعالجة ايونات احادية أو متعددة الشحنات لغاز لانتاج مواد زجاجية مقاومة للانعكاس Download PDF

Info

Publication number
SA515360895B1
SA515360895B1 SA515360895A SA515360895A SA515360895B1 SA 515360895 B1 SA515360895 B1 SA 515360895B1 SA 515360895 A SA515360895 A SA 515360895A SA 515360895 A SA515360895 A SA 515360895A SA 515360895 B1 SA515360895 B1 SA 515360895B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
ions
gas
mono
implanted
equal
Prior art date
Application number
SA515360895A
Other languages
English (en)
Inventor
بوساردو دونيس
جيرناليك فريديريك
Original Assignee
كيرتيك
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by كيرتيك filed Critical كيرتيك
Publication of SA515360895B1 publication Critical patent/SA515360895B1/ar

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/0055Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ion implantation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)

Abstract

يتعلق الاختراع الراهن بطريقة معالجة باستخدام حزمة أشعة أيونات غاز أحادية ومتعددة الشحنات beam of singly and multiply – charged gas ions منتجة بمصدر رنين سيكلوترون الكتروني electron cyclotron resonance (ECR) لمادة زجاجية حيث تـُنتقى فلطية تسارع الأيون ion acceleration voltage بين 5 كيلوفلط و 1000 كيلوفلط لتكوين طبقة مغروسة implanted layer بسمك يساوي مضاعف 100 نانومتر، تـُنقى جرعة الأيون لكل وحدة سطح في مدى بين 1012 أيون/سم2 و1018 أيون/سم2 لتكوين تركيز ذري atomic concentration للأيونات يساوي 10٪ مع مستوى عدم تحقق يبلغ (+/-) 5٪. يمكٍّن هذا بشكل مفيد الحصول على مواد مصنوعة من زجاج يكون لا انعكاسياً في المدى المرئي visible range. انظر الشكل 1ب.

Description

لا عملية لمعالجة ايونات احادية أو متعددة الشحنات لغاز لانتاج مواد زجاجية مقاومة للانعكاس ‎Process for treatment by a beam of mono- or multicharged ions of a gas to produce‏ ‎antireflective glass materials‏ الوصف الكامل خلفية الاختراع تتعلق مادة بحث الاختراع بعملية لمعالجة ‎sale‏ زجاجية بشعاع ‎beam‏ أيونات احادية ومتعددة الشحنات يوم ‎mono- and mulficharged‏ لغاز؛ تهدف هذه العملية الى تخفيض الانعكاس و تحسين نفاذ ضوء في طيف الاطوال الموجية ‎spectrum of the wavelengths‏ للمنطقة © المرئية على مدى 358 زمنية طويلة. تطبق عملية الاختراع بشكل خاص مع سطح مادة اساس ‎substrate‏ شفافة لعدسة أو زجاج صفحي ‎sheet glass‏ كي يكتسب السطح المذكور خواص مانعة للانعكاس تتميز بنفاذ ضوء مرئي يزيد عن ‎TAA‏ تحت هذه الظروف؛ يبدي السطح خواصاً جيدة مقاومة للانعكاس في المنطقة المرثية ‎visible region‏ من المعروف جيداً أن سطحاً ‎Lala)‏ يعكس 73000 تقريباً من الضوء الساقط» مخفضاً ‎٠‏ في الحقيقة فعالية الطاقة لخلية فلطية ضوئية ‎photovoltaic cell‏ أو جاعلاً من الصعب قراءة كمبيوتر أو شاشة مستوية لهاتف خلوي ‎.cell phone‏ ‎Ld)‏ هذا الانعكاس للضوء على سطح ‎ala)‏ اكثر ‎ee‏ بعلاقات فرينل ‎Fresnel‏ التي تقدم؛ لشعاع ضوء مار عبر ديوبتر ‎diopter‏ (وحدة قياس قوة العدسة) تحت زاوية سقوط تبلغ ؛ معاملات الانعكاس ‎(R)‏ والانفادية ‎(T)‏ التالية: ‎R = ((n2-nl) / (n24n1))*; 1 4 n1*n2 / 2+7 yo‏ حيث ‎nl‏ و2 تمثلان معاملات انعكاس الاوساط المنفصلة بالديوبتر. وُجد أن 1 -8+7 (بقاء الطاقة). بالنسبة للهواء )1= ‎(nl‏ والزجاج (02-1.54))؛ تقدم هاتان المعادلتان ‎R=0.045‏ و ‎T=1-R=0.955‏ (ينعكس ؛, ‎fo‏ فقط بينما ‎(7a 00 Mi‏ . ‎daly \E‏ لشريحة ‎BAD (eas ghss stip daly)‏ يكون مرتين ‎JAa=ltoxYe ys‏
اب هذا الفقد للطاقة الضوئية يمثل جزءاً هاماً لتطبيق فلطي ضوئي. ثمة عمليات مقاومة للانعكاس تتألف من ترسيبات مبنية على أساس اكسيد فلزي؛ يكون استخدامها معقد و مكلف نسبياً. على سبيل ‎Lally (JB‏ للعدسات؛ ‎SH‏ العملية التي تتمثل في ترسيب»؛ في خواء ‎٠١(‏ ” تورة أو باسكال (نيوتن/م") ؛ طبقات رقيقة من أكاسيد فلزية بدقة مقدار تقريبي لوحدة أنجستروم ‎٠١(‏ "أم) ‎angstrom‏ حجرات خالية من غبار تُنظف العدسات ‎Yo‏ ‏في خطوط غسيل ثم تُجفف في امواج فوق صوتية ‎ultrasound‏ ثوا عم في مواد حاملة ‎supports‏ ‎JAN‏ حجرات معالجة. يستخدم خواء ‎Vacuum‏ في الحجرات للحصول على ‎A‏ (تسامي ‎(sublimation‏ الاكسيد عند درجة حرارة منخفضة. يمكن الحصول على التبخر بظاهرة جول ‎Joule effect‏ (تولد الحرارة في جسم مقاوم عند مرور التيار الكهربائي عبره) بتسخين ‎٠‏ الاكسيد أو استخدام مدفعة الكترونات ‎gun‏ 180000©. من الضروري التحكم بشكل تام بنوعية وقياس الخواء؛ معدل التبخر وسمك الطبقات المربنّبة. ينبغي أن تكون هذه السماكات منتظمة. ثمة أنواع اخرى من ترسيبات ‎PVD‏ أقل تكلفة؛ ‎Jie‏ فلوريد مغنيسيوم 11882 (معامل ‎(VFA‏ وكربوليت ‎NazAlFg‏ (معامل 75١٠)؛‏ تقترب معاملات انكسارها ‎refractive indices‏ من المعامل المثالي بدون بلوغه مع ذلك؛ كما سيجعل ممكناً بعملية الاختراع . ‎Yo‏ تعني كلمة 'زجاج” مادة أوسبيكة صلبة؛ سهلة الانكسار (هشة ‎(brittle‏ وشفافة للضوء المرئي ‎visible Tight‏ عموماً يتكون الزجاج من أكسيد سليكون ( سليكا ,5:0 ) ومواد رجيعة ‎fluxes‏ والمكون الرئيسي عبارة عن رمل. ضمن جميع أنواع الزجاج؛ اكثرها شيوعاً هو الزجاج العادي ‎soda-lime glass‏ من وجهة النظر الفيزيائية؛ الزجاج مادة لابلورية ‎amorphous‏ (اي مادة غير متبكّرة ‎(noncrystalline material‏ تُظهر ‎sala‏ تحؤل زجاجي ‎glass transition‏ تحت ‎day)‏ ‎٠‏ حرارة تحول الزجاج؛ التي قد تكون عالية ‎daa‏ يوجد الزجاج في الحالة الزجاجية. يؤدي هذا الى ‎dala‏ لطريقة للمعالجة السطحية لمواد زجاجية لتقديم خواص مقاومة للانعكاس على مدى فترة زمنية طويلة ‎chan‏ بشكل مفضل طبقاً لطرق يمكن استخدامها بسهولة بمقياس صناعي للتمكن من تقديم مواد زجاجية من هذا القبيل بمقادير كبيرة وتكاليف معقولة. تبين الوثيقة الامريكية رقم 5750098 عملية للمعالجة الدائمة المانعة للانعكاس في المنطقة المرئية ‎sold‏ زجاجية تتكون من قصف ‎bombardment‏ بحزمة أيونية ‎tion beam‏ الأيونات المستخدمة أحادية الشحنة.
سا الوصف العام للاختراع يتمثل هدف الاختراع في تقديم طريقة لمعالجة مادة زجاجية لا تكون مكلفة نسبياً وتمكّن معالجة سطوح تطابق متطلبات استخدامات عديدة. من بين هذه الاستخدامات؛ ثُذكر: شاشات لمسية ‎couch screens‏ عدسات نظارات ‎Glade spectacle lenses‏ جهاز بصري ‎optical‏ ‎device ©‏ نوافذ مبان أو ألياف ضوئية ‎optical fibers‏ وهكذاء يزود الاختراع عملية للمعالجة الدائمة المائعة للانعكاس في المنطقة المرئية لمادة زجاجية تتكون من قصف بشعاع ايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز أنتج بمصدر رنين سيكلوترون الكتروني ‎electron cyclotron‏ ‎resonance (ECR)‏ حيث: - تكون درجة الحرارة لمعالجة المادة الزجاجية أقل من أو تساوي درجة حرارة تحول " الزجاج؛ - تُنتقى جرعة ‎dose‏ أيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز تُغرس لكل وحدة مساحة سطحية ضمن مدى بين ‎"٠١‏ أيون/سم' و١٠"‏ أيون/سم' للحصول على تركيز ذري لأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز بحيث معامل الانعكاس « للطبقة المغروسة يساوي تقريباً ?)12( حيث ‎nl‏ معامل الهواء؛ 2 معامل الزجاج . ‎yo‏ - تُنتقى فلطية التسارع ‎acceleration voltage‏ ضمن مدى بين © كيلو فلط و١٠٠٠‏ كيلو فلط للحصول على سمك مغروس + يساوي «*0*7/4» حيث + تمثل السمك المغروس المطابق لمنطقة غرس حيث يكون التركيز الذري لأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز أكبر من أويساوي 1 © تمثل عدداً صحيحاً؛ ‎A‏ تمثل الطول الموجي للشعاع الساقط و« تمثل معامل (انعكاس) الطبقة المغروسة.
‎(Sa 9‏ المخترعون من إيجاد عملية لمعالجة دائمة مقاومة للانعكاس في المنطقة المرئية تشمل قصفاً بحزمة أيونية أحادية ومتعددة الشحنات لغاز منتج بمصدر رنين سيكلوترون الكتروني ‎(ECR)‏ أكثر فعالية من عملية ‎Jodi‏ قصفاً بحزمة أيونية أحادية الشحنة للغاز.
‏طبقاً لتجسيد ‎Jedi candy‏ حزمة أيونية أحادية ومتعددة الشحنات لغاز ‎71٠‏ من أيونات متعددة الشحنات أو أكثر من١٠7‏ من أيونات متعددة الشحنات.
‎vo‏ طبقاً لتجسيد ‎cals‏ تُنتقى الايونات الأحادية والمتعددة الشحنات لغاز للحزمة الايونية من
‎Qo _‏ _ أيونات غازات القائمة المكونة من :11 و ‎0s‏ ‏تُنتقى جرعة الايونات الاحادية والمتعددة الشحنات لغاز المغروسة لكل وحدة مساحة سطحية ضمن مدى بين ‎TY‏ أيون /سم'و ‎Tasos "٠١‏ للحصول على تركيز ذري لأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز بحيث معامل الانكسار « للطبقة المغروسة يساوي تقريبا ‎1x02)?‏ ‏©« حيثه معامل الهواء و2« معامل الزجاج؛ يُحرز انخفاض في معامل الانكسار للطبقة المغروسة نحو قيمة تساوي اساسياً الجذر التربيعي ‎square root‏ لحاصل ضرب معاملات الاوساط المنفصلة بديوبتر. ينعكس هذا عن المعادلة التالية: #“'(01*02 -0؛ في ‎Ala‏ زجاج ‎gale‏ (0-1.54)؛ ينبغي لمعامل الطبقة المغروسة « أن يساوي أساسياً 1.24. ‎٠١‏ طبقاً لحساباتهم؛ يقدر المخترعون أنه ينبغي وجود علاقة تناسبية بين التركيز الذري للايونات المغروسة وانخفاض المعامل الضوئي الملاحظ. تكون هذه المعادلة عندئذٍ كما يلي: 1- جل ‎with‏ 2*:2ه ‎N =nl*xl+‏ مع ‎x1‏ تطابق متوسط التركيز الذري للسليكون (الذي يمثل الغالبية العظمى من الذرات المكونة للزجاج) في الطبقة المغروسة؛ مع ‎x2‏ تطابق متوسط التركيز الذري للايونات الموجودة في ‎١‏ الطبقة المغروسة. يعادل هذا كتابة: ‎N =nl + (n2-nl) * x2‏ للوصول الى معامل ‎٠,714 = nn‏ يلزم؛ على أساس هذه المعادلة؛ غرس 6 من الايونات تقريباً (2-0.5). ‎Yo‏ ثبين النتائج التجريبية للمخترعين أن 5 مرات أقل من ا لايونات ضرورية للحصول على ‎dag)‏ أي تركيز ذري للايونات يبلغ ‎AR‏ تقريباً. يعادل هذا كتابة المعادلة التجريبية التالية: ‎N =nl+ (n2-nl) 5*2‏ دون الابتعاد كثيراً؛ قد يفسر هذا الفرق بين النظرية والتجربة بتكوين وتراكم فجوات ‎YO‏ .قد تكون إضافية لتكون فجوات دقيقة مملوءة ‎lay‏ مخفضة كثافة الوسط ومعززة في الحقيقة انخفاضاً في معامل الانكسار. طبقاً لتجسيد واحدء توصي العملية وفقاً للاختراع بتحقيق تركيز ذري أقصى يبلغ حوالي
Ce . ‏من الغاز للحصول على معامل انكسار )0( قريب جداً من !(2و*01)‎ ٠ ‏لذا انتقيت فلطية التسارع للايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز ضمن مدى بين‎ ‏كيلو فلط للحصول على سمك مغروس يطابق كامل مضاعف الطول‎ ٠٠٠١ ‏كيلو فلط و‎ © ‏الموجي الساقط مقسوماً على ؛ أضعاف معامل انكسار الطبقة المغروسة. في كل ما يلي؛ سمك‎ .7١ ‏مغروس يشير الى منطقة غرس حيث يكون التركيز الذري للايونات اكبر من أو يساوي‎ ©
ينعكس هذا بالمعادلة التالية :
د*4ل*وح
حيث + السمك المغروس ‎cimplanted thickness‏ م عدد صحيح؛ .3 الطول الموجي الساقط و « معامل الطبقة المغروسة ‎implanted layer‏ (يساوي ‎(n1*n2)"”‏ .
1" لموجة ‎chia‏ احادية اللون ‎yellow monochromatic wave‏ تمثل المنطقة المرثية (طول موجي يساوي 060 نانومتراً) ؛ ينبغي أن يساوي السمك المغروس حوالي ((0*)560/4*1.24) حيث © عدد صحيح؛ بكلمات اخرى 2*100 نانومتراً. بالنسبة الى ‎P=1‏ يكون السمك المغروس مساوياً ‎sl ٠‏ متراًء وبالنسبة الى 2-©؛ يكون السمك المغروس مساوياً ‎Vor‏ نانومتراً.
تؤدي ‎dalled)‏ الموصى بها بالعملية وفقاً للاختراع الى تخفيض ‎٠ aly‏ 725 على الاقل في ‎VO‏ معامل الانعكاس»؛ في الحقيقة حتى 798 على ‎(JAY)‏ للموجة الساقطة. هذا لأنه؛ باستخدام ظروف العملية وفقاً للاختراع حيث 01-1 (هواء) )2( -« وبحساب معامل الانعكاس الادنى ‎Rm‏ ‏بالمعادلة التالية ‎Rm = 02-02(2 / (n2+n2)>‏ ؛ قد يتوقع؛ بتعديل المعالم؛ ان تميل ‎Rm‏ بدلاً من ذلك نحو القيمة المثالية صفرء بكلمات اخرى لا انعكاس. على سبيل المقارنة؛ تشمل طبقة مترسبة من فلوريد مغنيسيوم (:0485) معاملاً يساوي ‎ere ٠‏ (اكبر قليلاً من ‎.)٠0١74‏ ‏تخفض معالجة مقاومة الانعكاس بترسيب (:[ع14) معامل الانعكاس من 74 الى ‎CIV‏ ‏أي تخفيض في معامل الانعكاس يبلغ ‎J‏ ‏طبقاً لتجسيد واحد؛ تعالج ‎sold)‏ الزجاجية بأيونات احادية ومتعددة الشحنات ‎lad‏ معروف على شكل ايونات ثقيلة ‎heavy “noble” ions "Alu‏ تنتمي الى قائمة العناصر المكونة من هيليوم ‎(He) Yo‏ ¢ نيون ‎(Ne)‏ ارغون ‎(Ar)‏ ؛ كريتبون ‎(Kr)‏ » وزنون ‎(Xe)‏ ‏الغاية من هذه المعالجة هي خلق منطقة يكون للايونات النبيلة احادية ومتعددة الشحنات
ل تأثير خلق انخفاض في ‎AEBS‏ الغاز. تتميز هذه الطبقة بمعامل انكسار منخفض اقل من الزجاج السليم السفلي. يجعل انتقاء الايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز والظروف لقصف بهذه الايونات طبقاً للاختراع من الممكن الحصول بشكل مفيد على انخفاض في معامل الانكسار لمادة الزجاج الذي © يُعبرٌ ‎die‏ بانخفاض في معامل الانعكاس وزيادة في معامل الانفاذية. هذه الخواص هامة جداً لتعزيزء على سبيل ‎(JRA‏ أداء خلية فلطية ضوئية أو لتخفيض الانعكاسات على شاشة لمسية مستوية. ‎oa‏ المخترعون من الوصول الى أن الامداء المختارة وفقاً للاختراع لفلطية تسارع وجرعة ايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة سطحية تجعل من الممكن اختيار ظروف ‎٠‏ تجريبية حيث يكون تخفيض في الانعكاسات ( ومن 8 في معامل الانعكاس) ممكناً بفضل قصف أيوني لايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز. بالاضافة الى ذلك؛ امكنهم الوصول الى أن العملية وفقاً للاختراع يمكن تنفيذها على ‎Coll‏ خاصة عند درجات حرارة محيطة؛ وانه من المستحسن لدرجة حرارة المادة الزجاجية ان تبقى اقل من أو تساوي قيمة التحول للمادة الزجاجية خلال الغرس للعملية. يمكن هكذا بشكل مفيد ‎sald) pie ١5‏ الزجاجية من التعرض» في قوامها؛ لتعديل تبلري ضار لخواصها الميكانيكية. يمكن أن ينتج اختيار جرعة الايونات الاحادية ومتعددة الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة سطح ضمن مدى الجرعة وفقاً للاختراع من مرحلة معايرة سابقة حيث ثقصف عينة تتكون من مادة الزجاج من واحد من الايونات الاحادية والمتعددة الشحنات ‎lal‏ على سبيل المثال من ‎He‏ ‎«Xe Kr ¢Ar «Ne‏ 115 أو 02 يمكن تنفيذ قصف هذه المادة الزجاجية في مناطق مختلفة من ‎٠‏ المادة بمجموعة جرعات من أيونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز ضمن المدى وققاً للاختراع. تراقب المناطق المعالجة تالياً لاختيار جرعة مناسبة كدلالة للملاحظة المختلفة الاهمية لانعكاسات على السطح المعالج. وهكذا يمكن مراقبة المناطق المعالجة بتقنيات مراقبة بسيطة؛ ‎Sie‏ مراقبة بالعين المجردة تحت زاوية سقوط تبلغ ‎”٠١‏ لضوء منعكس (مثلاً انبوب نيون)؛ أو تقنية اكثر تعقيداً؛ متل قياس ‎Yo‏ التداخل الضوئي ‎[interferometry‏ ‏دون الالتزام بأي نظرية علمية؛ قد يُظن أنه يمكن تفسير ظاهرة انخفاض معامل الانكسار
A
‏مملوءة بغازات مغروسة؛ يكون معامل‎ "nanocavities ‏للسمك المغروس بظهور" فجوات رقيقة‎ ‏هذا لان هذه الايونات خاملة كيماوياً ومذابة في الزجاج تحت عتبة تركيز‎ .١نم‎ Ly ‏انكسارها‎ ‏تتشكل فجوات دقيقة مملوءة بغاز‎ oda ‏فور تجاوز عتبة التركيز‎ .)69١ ‏ذري معين (يقدر دون‎ ‏في تخفيض المعامل للطبقة المغروسة.‎ Beale ‏طبقاً لتجسيدات مختلفة؛ قد تُوحّد:‎ o ‏تكون جرعة أيونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة اكبر من أو‎ - ‏أيون/سم"؛ على سبيل المثال اكبر من أو تساوي أو١٠'' أيون/سم"؛‎ ٠١ ‏تساوي‎ ‏تكون فلطية التسارع للايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز بين © كيلو فلط‎ - ‏كيلو فاط ؛‎ Yuu ‎١‏ — تشمل حزمة اشعة الايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز ‎2٠١‏ من ايونات ‏متعددة الشحنات أو اكثر من ‎7٠١‏ من ايونات متعددة الشحنات؛ ‏- ثنتقى فلطية التسارع للحصول على سمك مغروس يساوي 100*م نانو متراًء حيث ‎P‏ عدد صحيح؟؛ ‏- تُنتقى جرعة الايونات المغروسة احادية ومتعددة الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة ‎Vo‏ سطحية لتحقيق تركيز ذري لايونات مغروسة يساوي ‎7٠‏ مع عدم تحقق يبلغ ‎f+)‏ =( 40 طبقاً لتجسيد ‎cans‏ يتم اختيار الجرعة وانتقاء فلطية التسارع بحساب يُجرى مسبقاً؛ يمكّن تقدير الجرعة لانجاز تركيز ذري للايونات المغروسة يساوي ‎٠‏ مع عدم تحقق يبلغ (+/-) 75 بدءاً من جانبية غرس للايون المختار كدلالة لعمق الغرس؛ ‏7 - تكون مادة الزجاج متحركة بالنسبة الى ‎ded) Aga‏ ايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز ‎Vp James‏ بين ١٠٠ملم/ثانية‏ و ١٠٠٠ملم/ثانية؛‏ طبقاً لتجسيد واحد؛ تُحرك منطقة واحدة ذاتها من المادة الزجاجية تحت حزمة اشعة الايونات احادية ومتعددة الشحنات لغاز طبقاً لمجموعة؛ ‎(N‏ تمريرات بمعدل ‎Vp‏ ‏وفقاً للاختراع ‎aud alll‏ الايونات الاحادية ومتعددة الشحنات لغاز بمصدر رنين ‎YO‏ سيكلوترون الكتروني(0208 المفيد لأنه مدمج وموفر من حيث الطاقة. كما توجّه الاختراع الراهن الى جزء زجاجي يشمل سطحاً واحداً على الاقل مع أيون
‎q —_‏ _ مغروس طبقاً لعملية المعالجة؛ طبقاً لاي من التجسيدات المذكورة اعلاه حيث ‎(mil‏ انعكاس موجة ساقطة في المنطقة المرئية الى اقل من النصف. كما توجّه الاختراع الراهن الى استخدام عملية المعالجة؛ ‎Yah‏ من التجسيدات المذكورة اعلاه؛ لمعالجة جزء زجاج حجمي مُنتقى من القائمة المكونة من شاشة لمسية؛. عدسات ‎Glan‏ ‏© عدسات جهاز ضوئي؛ نافذة مبنى وليف بصري ‎.optical fibers‏ شرح مختصر للرسومات ستظهر معالم وفؤائد مميزة للاختراع الراهن في الوصف أدناه لأمثلة تطبيقية غيرمحددة؛ ‎Ae‏ بالاشكال الملحقة حيث: الشكلان 01 و 72 يصفان انتشار موجة ساقطة مع وبدون طبقة مقاومة للانعكاس؛ ‎Yo‏ الاشكال تأ تف او 4 تمثل جانبيات غرس لايونات مختلفة كدلالة لعمق الغرس؛ الاشكال ‎of‏ 1 و ‎A‏ تمثل تغاير الكسب ‎G‏ (نسبة مئوية) مقاساً بعد المعالجة كدلالة لجرعة أيونات لفلطية تسارع معينة. الوصف التفصيلي: طبقاً لأمثلة الغرس وفقاً للاختراع الراهن؛ شكّلت له ‎sale‏ زجاج احادي موضوع دراسات مع ‎Vo‏ ايونات هيليوم ‎helium‏ أحادية ومتعددة الشحنات لبعض امثلة؛ مع ايونات ارغون ‎argon‏ أحادية ومتعددة الشحنات لامثلة اخرى مع امثلة ايونات ‎Np‏ نتروجين احادية ومتعددة الشحنات لامثلة اخرى ايضاً. ابتعثت هذه الايونات احادية ومتعددة الشحنات بمصدر ‎ECR‏ ‏تضم عائلة الزجاج العادي مواد زجاجية مبنية على سليكا ,5:0 على كالسيوم ‎calcium‏ ‎٠٠‏ وصوديوم ‎sodium‏ مُدخلة عموماً في الصناعة على شكل ‎CaO‏ و0ره؟ هذه المواد الزجاجية هي الاكثر انتشاراً؛ تُستخدم لصناعة قوارير ‎bottles‏ وزجاجات ‎glazings‏ وتمثل 7960 من انتاج الزجاج. 33 المخترعون سلاسل اولى من اختبارات مع: - حزمة اشعة ايونات هيليوم احادية ومتعددة الشحنات بشدة ‎١‏ ملي أمبير تحوي ايونات 1167
-١- ‏ألف الكترون فلط‎ vo ‏تساوي‎ Het ‏كيلو فلط؛ طاقة‎ Yoo lal ‏كانت فلطية‎ ¢He2 xT xT ‏بلغت جرعات المعالجة‎ keV #70 ‏تساوي‎ tHe? dla ‏(7اوا)‎ ‎.' ‏مل أيون/سم‎
Art ‏ملي امبير تحوي ايونات‎ ١ ‏حزمة اشعة ايونات ارغون احادية ومتعددة الشحنات بشدة‎ - ‏؛ طاقة‎ keV TO ‏تساوي‎ Ar? ‏كيلو فلط؛ طاقة‎ Yo ‏كانت فلطية التسارع‎ (APT SAP ° keV ٠١ Art .' ‏أيون /سم‎ TY eT eed TY ‏بلغت جرعات المعالجة‎ ‏تتحرك العينات المعالجة بالنسبة الى حزمة الاشعة بمعدل حركة ١١ملم/ثانية وتقدم‎ ‏من قطر حزمة الاشعة؛ الذي يبلغ 560 ملم). نفذت‎ 2٠0( ‏جانبي عند كل عودة يبلغ ؛ ملم‎ ‏المعالجة في تمريرات متعددة لإنجاز الجرعة اللازمة.‎ ٠ ‏يمكن تقدير خواص مقاومة الانعكاس لسطح العينات نوعياً بالعين المجردة بمراقبة‎ ‏انعكاس صورة على سطح زجاجي او كمياً ايضاً باستخدام عملية قياس تداخل ضوئي؛ على سبيل‎ ‏نانو متراً عبر شريحة زجاجية‎ 21٠ ally ‏تحليل إسقاط ضوء احادي اللون بطول موجي‎ 5 JU) ‏ويحصل على الصورة على شكل‎ Aire ‏رقيقة معالجة على كلا السطحين؛ تحت زاوية سقوط‎ ‏للعدسات. يمكن استنتاج‎ plane focal ‏في المستوى البؤري‎ nested rings ‏سلسلة حلقات متداخلة‎ Yo ‏معامل انعكاس ديوبتر الشريحة بقياس دقة أو نقاوة الحلقات اللامعة(عند ارتفاع متوسط للشدة‎ ‏العظمى).‎ ‎neon ‏نفذً المختزعون اختبارات نوعية بمراقبة؛ بالعين المجردة؛ انعكاس ضوء أنبوب نيون‎ ‏معالج بجرعات مختلفة. روقّبت الصورة المنعكسة لانبوب النيون هذا تحت‎ Jil ‏على سطح‎ tube ‏تقريباً.‎ ٠١ ‏زاوية‎ Ye ower ‏يبدو من هذه الاختبارات النوعية أن انعكاس النيون من حيث تباين منخفض‎ ‏لهيليوم.‎ asf ‏حول جرعة أ يا أيون/سمً لارغون و١٠ أيون‎ contrast ‏لزرع أيونات متعددة الشحنات؛ تعتمد على بيانات‎ simulator ‏على محاكي‎ Aub ‏أُجريث‎ ‏تحت ظروف المعالجة أعلاه؛ النتائج التالية مسجلة‎ adi ‏شبه تجريبية مطورة من قبل المخترعين؛‎ ‏وجدول؟ لأرغون (ينظر جانبية الغرس في‎ (YUE ‏في جدول الهيليوم (ينظر جانبية الغرس في‎ Yo .)3 ‏الشكل‎
_— \ \ _ جدول ‎١‏ ‎Lil My) den‏ مقاوم ‎BSH‏ ذري سمك طبقة أيون هيليوم/سم') للانعكاس قابل للمراقبة | للهيليوم 7 مغروسة ‎١‏ لا 7 ‎7٠.‏ ‏نانومتر ‏لا حم .أ نانومتر ‎Ye‏ نعم ‎Yeo YAR‏ نانومتر جدول ‎١‏ ‏جرعة يا تأثير | مقاوم ‎SH‏ ذري سمك أيون أرغون/سم ) للانعكاس قابل للمراقبة | للأرغون 7 مغروس ‎١‏ لا ‎١١ VARY:‏ نانومتر 1 نعم ‎١١ ARNT‏ نانومتر 1 لا ‎١١ AR‏ نانومتر كما يوصى من قبل العملية وفقاً للاختراع» يحسب تعديل فلطية تسارع الأيونات لتعديل السمك المغروس على مدى مضاعف يبلغ ‎٠٠١‏ نانومتراً تقريباً. يمكن تعديل هذه القيم المستكملة 0 (جرعة؛ فلطية ‎(pls‏ بدقة أكثر خلال طور تعديل تجريبي باستخدام وسيلة تداخل ضوئي دقيق ‎Ka‏ تقييم التخفيض المثالي في معامل الانعكاس (ينظر الطريقة المذكورة أعلاه). يصف الشكل١أ‏ كيف تفصل موجة ساقطة (0 خلال مرور عبر الديوبتر إلى موجة منكسرة ‎refracted wave‏ (1) وموجة منعكسة ‎(R)‏ بقوة؛ على شكل خط متصل. يصف الشكل ‎GY‏ ‏كيف ترجع طبقة مقاومة للانعكاس مكونة بالعملية وفقاً للاختراع بضعف الموجة المنعكسة ‎((R)‏ ‎Ve‏ على شكل خط منقط.
١١ ‏أيون/سم' مشمولة مع‎ "٠١ ‏جرعة‎ Gill ‏يمثل الشكل جانبية الغرس لأيونات هيليوم‎
He! [He ‏كيلوفلط. يكون توزيع أيونات7‎ Yo ‏حزمة أشعة أيونات 116 و1162 وفلطية تسارع تبلغ‎ ‏يوجد عمق الغرس» معبراً بوحدة انجستروم؛ على الإحداثي السيني والتركيز الذري‎ . + ‏لأيونات هيليوم مغروسة؛ معبراً على شكل نسبة مئوية؛ على الإحداثي الصادي. يصل تركيز‎ ‏نانومتراً تقريباً (أي؛‎ Yoo ‏تقريباً (+/-75) على مدى سمك مغروس يبلغ‎ 7٠١ ‏أيونات الهيليوم‎ © ‏يطابق السمك المغروس المنطقة حيث يكون التركيز الذري لأيونات هيليوم‎ (Tesi ٠٠١ ‏ضعف‎ ‏مانعة‎ Bia ‏تضفي هذه الخواص‎ dail ‏كما تأكد من‎ LY ‏مغروسة أكبر من أو يساوي‎ ‏للانعكاس على الطبقة المغروسة.‎ ‏أيون/سم" محرزة مع‎ ٠١#" ‏يمثل الشكل جانبية الغرس لأيونات أرغون تطابق جرعة‎ ‏يبلغ‎ Ar JAPA ‏كيلوفلط. توزيع أيونات‎ Yo ‏وفلطية تسارع تبلغ‎ APT APTA ‏حزمة أشعة‎ ٠ ‏معبراً بوحدة انجستروم؛ على الإحداثي السيني والتركيز‎ cual ‏يوجد عمق‎ ٠١٠ ‏الذري لأيونات الهيليوم المغروسء معبراً بنسبة مئوية؛ على الإحداثي الصادي. يصل التركيز الذري‎ ‏نانومتراً تقريباً (أي؛‎ ٠٠١ ‏(على مدى سمك مغروس يبلغ‎ )75-/+( 7٠١ ‏لأيونات الأرغون حوالي‎ ‏نانومتراً). يطابق السمك المغروس + المنطقة حيث يكون التركيز الذري‎ ٠٠١ ‏ضعفاً واحداً ل‎ ‏كما تأكد بالتجربة أن هذه الخصائص تضفي صفاتاً‎ TY ‏._للهيليوم المغروس أكبر من أو يساوي‎ ١5 ‏مقاومة للانعكاس على الطبقة المغروسة.‎ ‏فضلاً عن ذلك؛ تفذت سلسلة اختبارات ثانية لتقييم المعالجة المقاومة للانعكاس مع وسيلة‎ ‏تمييز لتحديد مقدار الكسب في إنفاذ الضوء؛ بدقة كبيرة؛ 6 (نسبة مثوية) المحرز بعد معالجة عبر‎ ‏ديوبتر مصنوع من زجاج ينتمي لعائلة الزجاج العادي. وفقاً للتعريف؛ تشير 6 للكسب؛ معبراً بنسبة‎ ‏(بكلمات أخرى الفرق بين‎ dalled) ‏مثوية؛ المطابق للزيادة في معامل إنفاذية الضوء المحرز بعد‎ Yo ‏معامل الإنفاذية قبل وبعد المعالجة).‎ (AD) ‏وأرغون‎ (N2) ‏استخدم نوعان من الأيونات: نتروجين‎ ‏كيلوفلط.‎ Yo Ve ‏بالنسبة للنتروجين؛ درس عمقا معالجة اثنان بتعديل فلطية التسارع إلى‎ ‏كيلوفلط.‎ FO ‏بالنسبة للأرغون؛ استخدمت فلطية تسارع واحدة فحسب بقيمة‎ ‏استخدمت عدة جرعات لكل نوع من الأيونات عند فلطيات تسارع مختلفة. النتائج مسجلة‎ Yo ‏في الجداول التالية:‎ yp
بالنسبة للنتروجين ‎(Np)‏ عند ‎٠١0‏ كيلوفلط: ‎I‏ ‎oe‏ ‎I‏
بالنسبة للنتروجين ‎(No)‏ عند ‎YO‏ كيلوفلط:
بالنسبة للأرغون ‎(Ar)‏ عند ‎Yo‏ كيلوفلط:
yee
يمثل الشكل ‎of‏ على المحور الصادي؛ الكسب ‎G‏ )7( مقاساً بعد معالجة مع ‎Np‏ عند ‎٠١‏ ‏كيلوفلط وطبقاً لجرعات مختلفة ممثلة على المحور السيني ومعبرة عند ‎"٠١‏ أيون/سم". تظهر جرعة ‎"٠١7٠٠١١‏ أيون/سم”' ‎Ae‏ بشكل خاص لتخفيض بنصف معامل انعكاس الضوءء؛ الذي يتغير من 74 إلى ‎AY‏ بينما يتغير معامل إنفاذية ‎co gual)‏ الذي يزداد بمقدار 779؛ من 7975 إلى ‎JAA 5‏ يقابل الخط المشار إليه ‎A‏ الجرعة التي يكون عندها التركيز الذري للأيونات المغروسة مساوياً ‎2٠‏ ويقابل الخطان 3 و © الجرعات التي يمكن أن يكون عندها التركيز للأيونات المغروسة مساوياً 75 و ‎V0‏ عتبة الاشباع للمنحنى المقابلة لكسب أقصى في إنفاذية الضوء
موجودة على الخط م. يحيط الخطان 8 و © هذه العتبة. ‎Jia‏ الشكل 0 جانبية الغرس محاكاة بأيونات ‎Ny‏ تقابل جرعة ‎"٠٠١*005‏ أيون/سم ‎٠‏ محرزة مع حزمة أشعة ايونات ‎NY‏ 1827و 1137 فلطية تسارع تبلغ ‎Yo‏ كيلوفلط. قَدّر توزيع أيونات “/17/2 مساوياً ل 211/771/758. يوجد سمك ‎(Qual‏ معبراً بوحدة انجستروم» على الإحداثي السيني والتركيز الذري لأيونات النتروجين المغروس؛ معبراً على شكل نسبة ‎Asie‏ على الإحداثي الصادي. يصل التركيز الذري لأيونات النتروجين ‎7٠١‏ تقريباً على مدى سمك مغروس يبلغ ‎٠0٠0‏ نانومتراً تقريباً ‎ol)‏ ضعفي ‎٠٠١‏ نانومتراً). يقابل السمك المغروس ؛ المنطقة حيث ‎Ve‏ يكون التركيز الذري لأيونات النتروجين المغروس أكبر أو مساوياً ‎.7١‏ تثبت التجربة أن خصائص المعالجة هذه بلغة تركيز أقصى لأيونات مغروسة بلغة عمق معالجة تضفي خصائص مقاومة
انعكاس على الطبقة المغروسة مع أيونات نتروجين.
يمثل الشكل 76؛ على المحور الصادي الكسب 6 )7( مقاساً بعد معالجة مع ‎Nj‏ عند ‎Yo‏ ‏كيلوفلط طبقاً لجرعات مختلفة ممثلة على المحور السيني ومعبرة على شكل ‎٠١‏ أيون/سم". هنا ‎al ٠‏ تظهر جرعة ‎"٠٠١*075‏ أيون/سم مبيِّنة بشكل خاص لتخفيض فعلي بمقدار نصف معامل انعكاس الضوءء؛ الذي يتغير من 74 إلى 7707 بينما يتغير معامل إنفاذية الضوء؛ الذي يزيد بمقدار 71097 من 797 إلى 799707. يقابل الخط المشار إليه ‎A‏ الجرعة الذي يساوي التركيز الذري ‎baie‏ لأيونات مغروسة ‎77٠١0‏ ويقابل الخطان ‎5B‏ © الجرعات التي يساوي التركيز الذري لأيونات مغروسة 75 و ‎WYO‏ تكون ذروة المنحنى المقابلة للكسب الأقصى في إنفاذية الضوء
‎YO‏ موجودة على الخط ‎LA‏ يحيط الخطان 5 و © هذه الذروة. يمثل الشكل ‎١7‏ جانبية الغرس محاكاة بأيونات نتروجين تقابل جرعة ‎"١١0075‏ yoo
أيون/سم' محرزة مع حزمة أشعة لأيونات ‎N¥*NPNY‏ مساوياً ل 211/771/754. يوجد عمق ‎cul‏ معبراً بوحدة انجستروم؛ على الإحداثي السيني والتركيز الذري لأيونات ‎Na‏ مغروسة؛ معبرة على شكل نسبة مئوية؛ على الإحداثي الصادي. يصل التركيز الذري لأيونات ‎7٠١ Np‏ تقريباً على مدى سمك مغروس ‎Yoo aly‏ تانومتراً تقريباً ‎Yel)‏ أضعاف ‎٠٠١‏ نانومتراً). يقابل السمك © المغروس + المنطقة يكون التركيز الذري لأيونات ‎Np‏ المغروسة أكبر من أو تساوي ‎WY‏ تثبت التجربة أن خصائص المعالجة هذه بلغة تركيز أقصى لأيونات مغروسة. بلغة عمق معالجة تضفي
خصائص مقاومة انعكاس على الطبقة المغروسة مع أيونات ‎Na‏
يمتل الشكل ‎oh‏ على المحور الصادي؛ الكسب ‎G‏ (7) مقاساً بعد معالجة بأرغون ‎(An)‏
عند ‎Yo‏ كيلوفلط طبقاً لجرحات مختلفة ممثلة على المحور السيني ومعبرة ‎TY sang‏ أيون/سم".
‎٠‏ تظهر جرعة ‎"٠١*75‏ أيون/سم"؛ في الحقيقة حتى أقل؛ ‎The‏ بشكل خاص لتخفيض حقيقي بنصف معامل انعكاس الضوءء الذي يتغير من 74 إلى ‎AYO)‏ بينما يتغير معامل إنفاذية الضوء الذي يزيد بمقدار ‎Ved‏ من 795 إلى ‎LAY‏ يقابل الخط المشار إليه م الجرعة التي يساوي التركيز الذري للأيونات المغروسة عندها 775 ويقابل الخطان المشار إليهما 13 و © على التوالي ‎ile jal‏ التي يساوي التركيز الذري عندهما للأيونات المغروسة ‎7٠١0‏ و7760 توجد عتبة الاشباع
‎١‏ المطابقة لكسب أقصى في إنفاذية الضوء ‎Yay‏ من ذلك على خط ‎A‏ حيث يكون التركيز مساوياً ‎Yo‏ أكبر قليلاً من المتوقع عند ‎.7٠١‏ ومع ذلك؛ سيُبين أن المنحنى عبارة عن نتاج استكمال مع رقم محدد لنتائج محرزة مع جرعات أكبر من أو تساوي ©؛0*١٠"أسم'.‏ من الضروري ‎AL‏ ‏وتنقية هذا الاستكمال مع نتائج محرزة مع جرعات منخفضة موجودة تحت ‎Taf os TY eX VO‏ (على سبيل ‎GO JED‏ 7 و ‎"٠١765‏ أيون/سم'). من المحتمل جداً أنه في هذه الحالة
‎BF ٠‏ عتبة الاشباع إلى منطقة جرعات منخفضة موجودة تقريباً حول ‎٠١*٠5‏ أيون/سم" تطابق تركيزاً ذرياً لأيونات مغروسة حول ‎7٠١‏ والتي تكون أكثر طبقاً للتوقعات.
‎"١١00975 ‏الشكل 9؛ جانبية الغرس محاكاة مع أيونات أرغون تطابق جرعة‎ i ‏كيلوفلط. قَدّر‎ Yo ‏وفلطية تسارع تبلغ‎ APT 5 APTA ‏أيون/سم' محرزة مع حزمة أشعة أيونات‎ ‏معبراً بوحدة‎ coal ‏يوجد عمق‎ .2٠/77 5/7175 ‏مساوياً ل‎ APY APTA ‏توزيع أيونات‎
‎YO‏ أنجستروم؛ على الإحداثي السيني والتركيز الذري لأيونات أرغون مغروسة؛ معبراً بنسبة مثوية؛ على الإحداثي الصادي. يصل التركيز الذري لأيونات الأرغون 715 تقريباً على مدى سمك مغروس yo ‏نانومتر). يقابل السمك المغروس ؛ المنطقة‎ ٠٠١ ‏نانومتر تقريباً (أي؛ ضعفاً واحداً ل‎ ٠٠١ aly ‏مغروسة أكبر من أو يساوي 77. تثبت التجربة أن‎ Ny ‏حيث يكون التركيز الذري لأيونات‎ ‏خصائص هذه المعالجة بلغة تركيز ذري أقصى لأيونات مغروسة وبلغة عمق معالجة تضفي‎ argon ‏خصائص مقاومة للانعكاس على طبقة مغروسة بأيونات أرغون‎ ‏من حملة هذه المعالجة؛ يظهر أن النتروجين يمكّن إحراز صفات مقاومة انعكاس مقارنة‎ 5 ‏هذاء‎ Ld) ‏قد‎ BAS ‏هيليوم أو أرغون. دون الابتعاد‎ Jie ‏بتلك المحرزة مع أيونات نبيلة (أو خاملة)‎ ‏تظهر دراسات‎ (No ‏كما في حالة الغازات النبيلة؛ بتكون فجوات دقيقة مملوءة بجزيئات نتروجين‎ 0; ‏أكسجين‎ Jie apd ‏تمهيدية أن نفس التأثيرات أحرزت مع غاز آخر ثنائي‎

Claims (8)

  1. -١١- ‏عناصر الحمابة‎ ‏لمادة زجاجية؛ تتميز في أنها‎ A jal) ‏عملية للمعالجة الدائمة المقاومة للانعكاس في المنطقة‎ -١ beam of ‏بحزمة أشعة لأيونات أحادية ومتعددة الشحنات‎ bombardment ‏تتكون من قصف‎ electron cyclotron ‏بمصدر رنين سيكلوترون الكتروني‎ id ‏لغاز‎ mono- and multicharged ‏حيث:‎ resonance (ECR) ‏تحول الزجاج‎ sha ‏تكون درجة الحرارة لمعالجة مادة الزجاج أقل من أو تساوي درجة‎ = 0 ¢glass transition ‏تتتقى جرعة الأيونات أحادية أو متعددة الشحنات لغاز المغروسة لكل وحدة مساحة‎ - ‏أيون/سم' للحصول على تركيز ذري‎ "٠١ Taos "٠١ ‏سطحية ضمن مدى بين‎ refractive index ‏للأيونات أحادية أو متعددة الشحنات بحيث يكون معامل الاتكسار م‎ ‏يمثل المعامل للهواء‎ nl ‏مساوياً تقريباً ل 001*02(1/2؛ حيث‎ implanted layer ‏للطبقةالمغروسة‎ ١ ‏يمثل المعامل للزجاج؛‎ n2 ‏و‎ ‏كيلوفلط‎ ٠٠٠١ ‏ضمن مدى بين 0 كيلوفلط و‎ acceleration voltage ‏التسارع‎ lla sis - ‏يساوي «*0*1/4؛ حيث + تمثل السمك‎ t implanted thickness ‏للحصول على سمك مغروس‎ ‏المغروس المقابل لمنطقة غرس حيث يكون التركيز الذري لأيونات أحادية ومتعددة الشحنات‎ ‏صحيحاً؛ .1 تمثل طول موجة ساقطة (أو‎ fae ‏م تمثل‎ ١ ‏مغروسة لغاز أكبر من أو يساوي‎ Vo ‏واردة) و« تمثل المعامل للطبقة المغروسة.‎ ‏العملية وفقاً لعنصر الحماية ١؛ تتميز في أن الأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز لحزمة‎ -" (Ne) ‏نيون‎ chelum(He) ‏أشعة الأيون تثتقى من أيونات عناصر القائمة المكونة من هيليوم‎ xenon(Xe) ‏وزنون‎ Krypton(Kr) ‏كريبتون‎ cargon (Ar) ‏أرغون‎ «neon ‏العملية ووفقاً لعنصر الحماية )0 تتميز في أن الأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز لحزمة‎ -* ٠ ‏وأكسجين‎ nitrogen (Nz) ‏أشعة الأيون تنتقى من أيونات غازات القائمة المكونة من نتروجين‎ oxygen ‏(و0)‎ ‏أيونات أحادية‎ beam ‏؟- العملية وفقاً لأي من عناصر الحماية السابقة؛ تتميز في أن حزمة أشعة‎ ‏من‎ 7٠0 ‏من أيونات متعددة الشحنات أو أكثر من‎ 7٠0 ‏ومتعددة الشحنات لغاز تحتوي على‎ ‏أيونات متعددة الشحنات.‎ Yo ‏العملية وفقاً لأي من عناصر الحماية السابقة؛ تتميز في أن فلطية التسارع تنتقى للحصول‎ —0 ‏على سمك مغروس يساوي 100*م نانومتراً» حيث م تمثل عدداً صحياً.‎
  2. A A- ‏لأيونات مغروسة‎ dose ‏العملية وفقاً لأي من عناصر الحماية السابقة؛ تتميز في أن الجرعة‎ -7 ‏أحادية ومتعددة الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة سطحية تثنتقى لتحقيق تركيز ذري لأيونات‎ .75 )-/+( ‏مع عدم تحقق يبلغ‎ 7٠١ ‏مغروسة يساوي‎ ‏العملية وفقاً لعنصر الحماية السابق؛ تتميز في أن اختيار الجرعة لأيونات أحادية ومتعددة‎ —V ‏الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة سطحية واختيار فلطية التسارع 23 بحساب؛ أجري مسبقاً‎ > ‏تقدير الجرعة لأيونات مغروسة أحادية ومتعددة الشحنات لغاز لكل وحدة مساحة سطحية‎ Ka )-/+( ‏مع عدم تحقق يبلغ‎ 17٠١ ‏يساوي‎ implanted dons ‏لتحقيق تركيز ذري لأيونات مغروسة‎ ‏للأيون المختار كدلالة للعمق المغروس‎ implantation profile ‏بدءاً من جانبية غرس‎ 70 .implantation depth ‏العملية وفقاً لأي من عناصر الحماية السابقة؛ تتميز في أن مادة الزجاج متحركة بالنسبة إلى‎ -8+ ٠ ‏و‎ ةيناث/ملم٠‎ 0٠ ‏بين‎ VO (Jame ‏حزمة أشعة الأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز عند‎ .ةيناث/ملم٠‎ ٠ ‏العملية وفقاً لعنصر الحماية السابق؛ تتميز في أن منطقة واحدة بذاتها من المادة الزجاجية‎ -4 passes ‏تمريرات‎ (N ‏تحت الأيونات أحادية ومتعددة الشحنات لغاز طبقاً لمجموعة؛‎ alas Vp ‏بالمعدل‎ yo ‏الزجاجية تنقى من قائمة‎ sald) ‏العملية وفقاً لأي من عناصر الحماية السابقة؛ تتميز في أن‎ -٠ .soda-lime glasses gale ‏زجاج‎ ‏يشمل سطحاً واحداً على الأقل مع أيون مغروس وققاً لأي من‎ glass part ‏جزء زجاجي‎ -١ ‏عناصر الحماية السابقة؛ يتميز في أن انعكاس موجة ساقطة في المنطقة المرئية يخفض إلى‎ ‏أقل من النصف.‎ Y.
  3. ! N\ / R 2 ‏بلا‎ I AR fy ‏الشكل ١ب الشكل‎
  4. ولا ‎١١‏ ‏> ‏= م : & 2 0 0 \ 0 3 ) ار \ 1 ‎g 3‏ : ل = 2 3 . 4 : . J y A y 3 : 5 7 01 / \ ١ e : 6 ‏تت‎ * Biro — 0 ‏ب‎
  5. ‎. 4 > 9 ‏تح ع‎ a «2 5 we > - TEE SSL AA ‏م‎ RE A SEE . a — > eT ‏ها زمه اس > ا‎ Ke i 0 ‏سو اي سي‎ and. 71 + & ny nA 3 r «>» 0 <a ‏ف‎ 3 . for 7 ‏المستروم‎ ‏ل 3 > سو > 2 ا ل‎ ‏ا : ص‎ x yo © 0% iA 1 0: 1 5 1 7 1
  6. §
  7. I. { 4 ! 1 0": ٍ ٍ ‏أ‎ ‎0 0 ¥ gr i e ES SN « 4 Bec 3 . ‏بر وب‎ a} +2 - ‏ب‎ ‎- I's ~ x 3 ‏حو الي‎ pe Se . ‏ص ف‎ = 3 ao 3 x > ‏سج‎ = wo - SC 3 fod 7 1 - ‏سح‎ ao ‏ع = ب حي > د‎ - wi ‏صر‎ = - 3 a po . I. NT) bod 2 4 nde} -— Fad ‏م‎ -— Pon > pos 3~ \ ‏اا‎ ‏ب‎ 8 5 1 ‏بين‎
  8. 8 A C i i i i { i ‏ماي‎ ِ i i
    ¥.o i i i JI ‏وود ل‎ i . Pa H ‏ا‎ ‎: i ~ i 2 ‏ا‎ ‎ًٍ ! ‏م‎ ‎i LI i nd ! ‏الام ا‎ ِْ ٍ : #1 : Fy ‏ل‎ i ] 7 ’ i { Fh & 5 0 3 1 vs ioe 1 i i 0 1 i 1 ‏ل‎ : 1 ‏)ا7د7لددادا5اؤجن6اوااادااادرءاإ<دا“داااط”ل”“آ©(‎ 7">ا7©7ا7ا6707ا7<ل6٠87”6دئ5ظد٠ا7ا#دداالاج<ؤ>سداا”ااو>اماااوهم>وواا7”#”اط”ا<ا©او_3لم”7©7داةلاال7لاااا[اليسل‎ ‘ 9 Vk Wl RIS ١ 1 ‏الشكا ؛‎ ‏ابيا‎
    ‎١ .‏ ا أ ااانا الا لاا اللا له اننا ااا 10 ا الما ع اا ان 1 " ‎gO‏ : ‎i FH‏ ‎i 0 8‏ : ‎١ 8‏ 4 2 1 ‎iF 0‏ ‎Lo 5‏ ‎HI %‏ ‎FI 1 Eo 1‏ ‎HE] 8‏ % م 1 ‎Hr KN‏ ‎Ha: >‏ ‎TSE.‏ ‏الما ¥ ل ا 1 ااا ب تو ماما ااا لاا ا مم ا ادا محلا لل حم ‎nm‏ واه ااه ا ‎٠‏
    ‏0 .5 1 : ‎i 2 8 = 8‏ 0 = : © 2 4 - ‘ ب - ع م ب م ب ع ‎kd « 8 > < 2 - = w - >‏ يي ‎R‏ كع ‎bd‏ £ 2 - > ب « 3 > 0 ‎oh‏ « > ~ م" - . 3 ب 1 2 .3 الي وم ص & -— "8 سل ~ ص ‎Pa‏ ‎rs fod LAL‏ ب ‎ad‏ > - ~3 0 4 - + ~~ ‎id - > - Ea‏ َه م - ‎wi - I‏ > ‎Id] = —- »‏ حل 3 ‎a‏ > و ‎IN - LH‏ امو ‎x‏ 7 ~ - - 2 2 0 4 -3 2 ‎ha i >‏ ب << ال و > ‎wi‏ . ٍ 2 كاي كه ‎Jo Fg‏ مر الي ال _ ‎P. ey‏ ‎H A |‏ ‎a Ld‏ ‎or‏
    BAG ‏؛‎ eo] ! | ( EE Co H ! : I 8 ‏ااا تالف‎ Toad 1 ‏اي إ‎ ‏ا _ 1 0 إٍْ‎ ‏أ‎ reife ‏لاا لاا ااا + للا الات امات نا‎ Ry / NG ‏ال ا‎ |, SPS TO TV — "1 | ١# ‏ا‎ ‎0 i / 1 ki + ٠ SE 00 ‏ل‎ ‎0 ١ Nie ‏م‎ x 4 > : Co Pd 1 ‏الم‎ ‎EE ‎1 0١ ١ ‏#“كظاتااللتار[3والتأاكًذداأألللأ2ةلةللةرل3أأأكا م‎ - Wont ) ‏الجا‎
    — \ ‏اج‎ ‎[94 ‎8] ‎a = 3 2 0% 1 ‏سا‎ : i) 8 2 3 % 0 3 - 2 0 ‏ل‎ ‎H + ‏سي‎ ‎: % x Sh ; y 0 ‏يا؟‎ he & ‏ا‎ ‎3 bo 3 8 x, 7 i ay Rv 0 Tabi 0 ‏بجا سسا‎ 1 ‏لله ها ال‎ |» TE 4 4 ‏سر‎ 0 > ‏ا‎ IE TE ‏م ابه اك جد ”ل‎ > b 8 ‏م ال لد بين > , سم‎ - ; - 3 3- > a > Ed Le . ‏إل ا ل حل يي‎ 2 ‏م‎ 0 8: w < LE - a EE Tact wi ‏ب‎ ~ > ow - ‏ب ا لد‎ 7 ‏خ‎ . BS Ld 2 2 » v » 0 « . “ 3 8 « ‏م‎ ’ > 3: Ll > Ie . ~~ 2X ‏ب‎ bs 0 Eos os 8 » a N 5 2 ‏ا جمد اج‎ EE 8 4 - ‏سي‎ » + > hd at 0 0 ‏و‎ ‎7 0 ٠ KE
    ‎A . oC‏ | 8 1 ! ‎H‏ ! § ! ‎t‏ ! 1 ! ‎H‏ ! ب تت ; إ ‎i‏ ‏اا جك ا سس ‎a‏ : ‎JR SE‏ : ‎Yq |p‏ : ¥ : " ان هيا - ا ‎A‏ إ ‎Ae‏ 4 ‎i‏ 0 ‎Fa ‘‏ ا 1 . " 0 3 ' ا : " 23 سس : : #84" ‎y Ve . a :‏ + . الشكل ‎A‏
    ا ا ‎UO‏ ‎[ERE Sm‏ الال ‎ER‏ ‎i § 1‏ ‎WARE 8‏ 0 ما .+ ا اس ا ‎HE‏ ‎IF] 5‏ 3 3{ ا + ب ‎vi‏ ‎Be‏ 8 1 ‎i SE Rtg .‏ وجتحج ج2001 لانن لل بلس لل ل ل ل ل للست ‎١‏ ‏: ‏را ب د نا ‎ww a‏ > فا ب ‎o‏ 4 . ‎[RM‏ ا 2 ‎or : < a‏ سو الي ‎ow -‏ انب ص 2 < ‎oN 4 [EE‏ ‎pA SN EE A TE SE 0‏ ل 234 . 0 2 حر ال << 0 * ‎i‏ سر - ‎be‏ ب ا ا ل سس ‎ow” 3 Ww‏ ل ص ب ‎ SE S‏ ا ا د ا ا ا ‎a t-‏ = و ا يب ~ < هي 3 ا ع ‎rg Fo wd > v‏ م سج يز 3 ‎a‏ ب 3 ل ‎oo‏ مرا احلا - — - حي = ‎a‏ = الشكا 4 نب
    مدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب ‎TAT‏ الرياض 57؟؟١١‏ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: ‎patents @kacst.edu.sa‏
SA515360895A 2013-02-15 2015-08-13 عملية لمعالجة ايونات احادية أو متعددة الشحنات لغاز لانتاج مواد زجاجية مقاومة للانعكاس SA515360895B1 (ar)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1300336A FR3002240B1 (fr) 2013-02-15 2013-02-15 Procede de traitement par un faisceau d'ions pour produire des materiaux en verre antireflet durable
PCT/FR2014/050272 WO2014125211A2 (fr) 2013-02-15 2014-02-12 Procede de traitement par un faisceau d'ions pour produire des matériaux en verre antireflet durable

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA515360895B1 true SA515360895B1 (ar) 2016-06-30

Family

ID=48407649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA515360895A SA515360895B1 (ar) 2013-02-15 2015-08-13 عملية لمعالجة ايونات احادية أو متعددة الشحنات لغاز لانتاج مواد زجاجية مقاومة للانعكاس

Country Status (14)

Country Link
US (2) US9988305B2 (ar)
EP (1) EP2956423B1 (ar)
JP (1) JP6491111B2 (ar)
KR (1) KR102176055B1 (ar)
CN (1) CN105121380B (ar)
BR (1) BR112015019538A2 (ar)
CA (1) CA2898990A1 (ar)
EA (1) EA029422B9 (ar)
FR (1) FR3002240B1 (ar)
PH (1) PH12015501621A1 (ar)
SA (1) SA515360895B1 (ar)
SG (1) SG11201506330PA (ar)
UA (1) UA115165C2 (ar)
WO (1) WO2014125211A2 (ar)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201202128D0 (en) 2012-02-08 2012-03-21 Univ Leeds Novel material
FR3002240B1 (fr) * 2013-02-15 2015-07-10 Quertech Ingenierie Procede de traitement par un faisceau d'ions pour produire des materiaux en verre antireflet durable
FR3003857B1 (fr) * 2013-03-28 2015-04-03 Quertech Procede de traitement par un faisceau d'ions pour produire des materiaux en verre superhydrophiles.
FR3027120B1 (fr) * 2014-10-09 2016-12-23 Quertech Dalle tactile capacitive a haute transmission dans le domaine visible et inrayable
EA034838B1 (ru) * 2014-10-24 2020-03-26 Агк Гласс Юроп Применение имплантированной ионами стеклянной подложки
EP3181533A1 (en) * 2015-12-18 2017-06-21 AGC Glass Europe Glass substrate for chemical strengthening and method for chemically strengthening with controlled curvature
TWI632119B (zh) * 2016-02-19 2018-08-11 因特瓦克公司 以離子植入法製作的抗污、防刮擦、耐磨玻璃
CA3019259A1 (en) * 2016-04-12 2017-10-19 Agc Glass Europe Blue reflective glass substrate and method for manufacturing the same
WO2017178171A1 (en) * 2016-04-12 2017-10-19 Agc Glass Europe Antireflective glass substrate and method for manufacturing the same
EP3442923A1 (en) * 2016-04-12 2019-02-20 AGC Inc. Glass substrate with reduced internal reflectance and method for manufacturing the same
KR102325574B1 (ko) * 2016-04-12 2021-11-15 에이쥐씨 글래스 유럽 반사 방지, 내스크래치성 유리 기판 및 그의 제조 방법
CA3019255A1 (en) * 2016-04-12 2017-10-19 Agc Glass Europe Heat treatable antireflective glass substrate and method for manufacturing the same
SG11201808096PA (en) * 2016-04-12 2018-10-30 Agc Glass Europe Neutral color antireflective glass substrate and method for manufacturing the same
US10612129B2 (en) 2016-06-28 2020-04-07 Corning Incorporated Thin glass based article with high resistance to contact damage
FR3062658B1 (fr) * 2017-02-03 2022-06-24 Sa Quertech Procede de traitement antireflectif et resistant a la rayure dans un saphir synthetique
EP3389078A1 (fr) * 2017-04-13 2018-10-17 The Swatch Group Research and Development Ltd Procédé d'implantation d'ions multichargés sur une surface d'un objet à traiter et installation pour la mise en oeuvre de ce procédé
US20210087106A1 (en) * 2018-03-05 2021-03-25 Agc Glass Europe Anti-glare glass sheet
EP3556911A1 (fr) * 2018-04-19 2019-10-23 Comadur S.A. Procédé de structuration d'un motif décoratif ou technique dans un objet réalisé en un matériau amorphe, semi-cristallin ou cristallin au moins partiellement transparent
CN112533882A (zh) * 2018-06-14 2021-03-19 旭硝子欧洲玻璃公司 降低用于透射红外光的基板的反射率

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE214369C (ar)
US4001049A (en) * 1975-06-11 1977-01-04 International Business Machines Corporation Method for improving dielectric breakdown strength of insulating-glassy-material layer of a device including ion implantation therein
US4465337A (en) * 1982-03-05 1984-08-14 Westinghouse Electric Corp. Reduced reflectivity member and ion implantation method of fabrication
DD214369A1 (de) * 1983-03-17 1984-10-10 Akad Wissenschaften Ddr Verfahren zur herstellung duenner opalglasoberflaechen
IT1211939B (it) * 1987-11-27 1989-11-08 Siv Soc Italiana Vetro Procedimento per la fabbricazione di vetri con caratteristiche energetiche modificate e prodotto cosi'ottenuto
JPH0323238A (ja) 1989-06-19 1991-01-31 Nippon Sheet Glass Co Ltd ガラス基材の表面改質法
US5250098A (en) * 1992-07-27 1993-10-05 Ford Motor Company Thermally durable anti-reflective glass
JPH06100334A (ja) * 1992-09-22 1994-04-12 Nikon Corp イオンビームを用いたガラスの表面処理方法 及びガラス部材
US5342690A (en) * 1992-11-20 1994-08-30 Ford Motor Company Reticular glass surface
US5965629A (en) 1996-04-19 1999-10-12 Korea Institute Of Science And Technology Process for modifying surfaces of materials, and materials having surfaces modified thereby
US20060210783A1 (en) * 2005-03-18 2006-09-21 Seder Thomas A Coated article with anti-reflective coating and method of making same
FR2889745B1 (fr) * 2005-08-10 2007-12-21 Commissariat Energie Atomique Revetement anti-reflet, en particulier pour cellules solaires, et procede de fabrication de ce revetement
KR20110033769A (ko) * 2009-09-25 2011-03-31 (주)엘지하우시스 저방사 유리 및 이의 제조방법
EP2588639B1 (fr) * 2010-07-02 2016-09-07 Aptar France SAS Procede de traitement de surface d'un dispositif de distribution de produit fluide.
FR2962135B1 (fr) * 2010-07-02 2013-11-29 Valois Sas Procede de traitement de surface d'un dispositif de distribution de produit fluide.
US20130171334A1 (en) * 2010-07-02 2013-07-04 Aptar France Sas Method for the surface treatment of a fluid product dispensing device
CN103097573A (zh) * 2010-07-02 2013-05-08 阿普塔尔法国简易股份公司 流体产品的分配设备的表面处理方法
FR3002240B1 (fr) * 2013-02-15 2015-07-10 Quertech Ingenierie Procede de traitement par un faisceau d'ions pour produire des materiaux en verre antireflet durable

Also Published As

Publication number Publication date
UA115165C2 (uk) 2017-09-25
US9988305B2 (en) 2018-06-05
CA2898990A1 (fr) 2014-08-21
SG11201506330PA (en) 2015-09-29
KR102176055B1 (ko) 2020-11-09
EP2956423A2 (fr) 2015-12-23
EA029422B9 (ru) 2018-04-30
EA201500839A1 (ru) 2015-12-30
KR20150125650A (ko) 2015-11-09
US11078113B2 (en) 2021-08-03
US20180265404A1 (en) 2018-09-20
FR3002240A1 (fr) 2014-08-22
CN105121380A (zh) 2015-12-02
US20150376058A1 (en) 2015-12-31
EA029422B1 (ru) 2018-03-30
EP2956423B1 (fr) 2019-09-04
FR3002240B1 (fr) 2015-07-10
JP2016511736A (ja) 2016-04-21
WO2014125211A3 (fr) 2014-11-20
CN105121380B (zh) 2017-11-28
WO2014125211A2 (fr) 2014-08-21
JP6491111B2 (ja) 2019-03-27
BR112015019538A2 (pt) 2017-07-18
PH12015501621A1 (en) 2015-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SA515360895B1 (ar) عملية لمعالجة ايونات احادية أو متعددة الشحنات لغاز لانتاج مواد زجاجية مقاومة للانعكاس
Tohmon et al. Correlation of the 5.0-and 7.6-eV absorption bands in SiO 2 with oxygen vacancy
JP6878009B2 (ja) 防眩サファイア材料を製造するための一価及び/又は多価ガスイオンビーム処理方法
Baubekova et al. Accumulation of radiation defects and modification of micromechanical properties under MgO crystal irradiation with swift 132Xe ions
Zhang et al. Silver nanoclusters formation in ion-exchanged glasses by thermal annealing, UV-laser and X-ray irradiation
You et al. Enhanced photochromic response in oxygen-containing yttrium hydride thin films transformed by an oxidation process
SA515370141B1 (ar) غشاء واقي، عضو عاكس، وطريقة لإنتاج غشاء واقي
Khor et al. Optical properties of ultraphosphate glasses containing mixed divalent zinc and magnesium ions
Alzahrani et al. A synergistic effect of heavy metal oxides to enhance the physical, optical, and radiation-absorption properties of TeO2-Li2O-BaO glasses
Sallam et al. Impact of molybdenum on optical, structure properties and gamma radiation shielding parameters of bor-ophosphate glass: Intensive experiment investigations
Shaaban et al. Radiation attenuation and optical behaviors of glass system: 21SiO2–49B2O3–13ZnO-(17-x) Na2O-xWO3
Topić et al. Analysis of Medieval and Post‐Medieval Glass Fragments from the Dubrovnik Region (Croatia)
Osuwa et al. Study of physical properties of ternary Cu11Cd40S49 thin film glasses
Mazzoldi Modifications induced by irradiation in glasses
Battaglin et al. Gold nanocluster formation in silicate glasses by low fluence ion implantation and annealing
US20190352770A1 (en) Method for anti-reflective and scratch- resistant treatment of synthetic sapphire
Altowyan et al. Fabrication, structure, physical and optical features of the 50B2O3+ 25Bi2O3+(25-x) Li2O+ xSrO2 glasses
Xia et al. Diffusion of methyl red and its photoexcited isomer in poly (ethylene glycol)
Malinský et al. The Characterisation of Silicate Glasses Implanted with Ag+ Ions
Wang et al. A comparative study of the influence of different post-treatment methods on the properties of HfO2 single layers
Cooper-Jensen et al. " m= 1" coatings for neutron guides
Ming et al. Formation and characterization of ZnO: Tm+ optical waveguides fabricated by Tm+ and O+ ion implantation
Doğan et al. Optical and solar parameters of irradiated lead–alkali–silicate glass
Theelen et al. The influence of glass substrates on the damp heat degradation of ZnO: Al films
Höche et al. Cross-sectional TEM investigation of tin-implanted SiO2 glass