RU99127463A - LABELING DIAMOND - Google Patents

LABELING DIAMOND

Info

Publication number
RU99127463A
RU99127463A RU99127463/12A RU99127463A RU99127463A RU 99127463 A RU99127463 A RU 99127463A RU 99127463/12 A RU99127463/12 A RU 99127463/12A RU 99127463 A RU99127463 A RU 99127463A RU 99127463 A RU99127463 A RU 99127463A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamond
marking
paragraphs
preceding paragraphs
etched
Prior art date
Application number
RU99127463/12A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2198099C2 (en
Inventor
Джеймс Гордон Чартерс СМИТ
Кейт Барри ГАЙ
Грэхем Ральф ПАУЭЛЛ
Майкл Питер ГОКРОДЖЕР
Original Assignee
Джерсан Эстаблишмент
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB9710736A external-priority patent/GB2325439A/en
Application filed by Джерсан Эстаблишмент filed Critical Джерсан Эстаблишмент
Publication of RU99127463A publication Critical patent/RU99127463A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2198099C2 publication Critical patent/RU2198099C2/en

Links

Claims (16)

1. Способ маркирования поверхности алмаза для получения на ней маркировки, которая невидима невооруженным глазом, включающий нанесение на упомянутую поверхность слоя резиста; осуществление абляции выбранной зоны слоя резиста для формирования маски на поверхности алмаза; и травление поверхности алмаза через маску для маркирования поверхности алмаза; отличающийся тем, что перед абляцией выбранной зоны резиста на упомянутый слой резиста наносят электропроводящий слой и обеспечивают электрическое соединение с электропроводящим слоем во время травления, для предотвращения накопления заряда во время травления.1. A method of marking a diamond surface to obtain a marking on it that is invisible to the naked eye, comprising applying a resist layer to said surface; the ablation of the selected zone of the resist layer to form a mask on the surface of the diamond; and etching the surface of the diamond through a mask for marking the surface of the diamond; characterized in that before the ablation of the selected resist zone, an electrically conductive layer is applied to said resist layer and an electrical connection is made to the electrically conductive layer during etching to prevent charge accumulation during etching. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что толщина слоя резиста составляет примерно 0,5-1 мкм. 2. The method according to p. 1, characterized in that the thickness of the resist layer is about 0.5-1 microns. 3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что электропроводящий слой выполнен из металла. 3. The method according to p. 1 or 2, characterized in that the electrically conductive layer is made of metal. 4. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что слой резиста является не электропроводящим. 4. The method according to any one of paragraphs. 1-3, characterized in that the resist layer is non-conductive. 5. Способ по любому из пп. 1-4, отличающийся тем, что толщина электропроводящего слоя составляет примерно 0,1 мкм. 5. The method according to any one of paragraphs. 1-4, characterized in that the thickness of the conductive layer is approximately 0.1 μm. 6. Способ по любому одному из пп. 1-5, отличающийся тем, что выбранная зона слоя подвергается абляции, используя лазерную абляцию. 6. The method according to any one of paragraphs. 1-5, characterized in that the selected zone of the layer is ablated using laser ablation. 7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что для лазерной абляции используют примерно 20 импульсов или меньше. 7. The method according to p. 6, characterized in that for laser ablation use about 20 pulses or less. 8. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что поверхность алмаза травится на глубину примерно 15-70 нм. 8. The method according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the surface of the diamond is etched to a depth of about 15-70 nm. 9. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что поверхность алмаза травится на глубину примерно 20-50 нм. 9. The method according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the surface of the diamond is etched to a depth of about 20-50 nm. 10. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что поверхность алмаза травится путем плазменного травления. 10. The method according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the surface of the diamond is etched by plasma etching. 11. Способ по любому из пп. 1-9, отличающийся тем, что поверхность алмаза травится с использованием широкого ионного пучка. 11. The method according to any one of paragraphs. 1-9, characterized in that the surface of the diamond is etched using a wide ion beam. 12. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что на алмаз наносится информационная маркировка. 12. The method according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the diamond is applied information marking. 13. Способ по п. 1, отличающийся тем, что нанесенная маркировка невидима для глаза при использовании лупы с 10-кратным увеличением. 13. The method according to p. 1, characterized in that the applied marking is invisible to the eye when using a magnifier with a 10-fold increase. 14. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что алмаз представляет собой драгоценный камень. 14. The method according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the diamond is a gem. 15. Способ по п. 14, отличающийся тем, что маркировка наносится на отшлифованную грань драгоценного камня. 15. The method according to p. 14, characterized in that the marking is applied to the polished face of the gem. 16. Алмаз, на поверхности которого имеется маркировка, невидимая невооруженным глазом и которая нанесена с помощью способа по любому из предыдущих пунктов. 16. A diamond on the surface of which there is a marking that is invisible to the naked eye and which is applied using the method according to any of the preceding paragraphs.
RU99127463/12A 1997-05-23 1998-05-22 Diamond marking method RU2198099C2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9710736.1 1997-05-23
GB9710736A GB2325439A (en) 1997-05-23 1997-05-23 Marking diamond gemstone by plasma or ion beam etching through a laser ablated resist

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99127463A true RU99127463A (en) 2002-08-20
RU2198099C2 RU2198099C2 (en) 2003-02-10

Family

ID=10812995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99127463/12A RU2198099C2 (en) 1997-05-23 1998-05-22 Diamond marking method

Country Status (17)

Country Link
US (1) US6358427B1 (en)
EP (1) EP0983152B1 (en)
JP (1) JP2001526571A (en)
KR (1) KR20010012915A (en)
CN (1) CN1140421C (en)
AT (1) ATE216322T1 (en)
AU (1) AU728923B2 (en)
CA (1) CA2291042A1 (en)
DE (1) DE69804957T2 (en)
ES (1) ES2174438T3 (en)
GB (2) GB2325439A (en)
HK (1) HK1025544A1 (en)
IL (1) IL124591A (en)
RU (1) RU2198099C2 (en)
TW (1) TW388736B (en)
WO (1) WO1998052773A1 (en)
ZA (1) ZA984375B (en)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080316171A1 (en) * 2000-01-14 2008-12-25 Immersion Corporation Low-Cost Haptic Mouse Implementations
US6593543B2 (en) * 2000-07-20 2003-07-15 David Benderly Gemstone marking system and method
GB0103881D0 (en) * 2001-02-16 2001-04-04 Gersan Ets E-beam marking
US6624385B2 (en) * 2001-12-21 2003-09-23 Eastman Kodak Company Method for marking gemstones with a unique micro discrete indicia
DE10310293A1 (en) * 2003-03-10 2004-09-23 Robert Bosch Gmbh Laser drilling or machining method using electrical field for removal of metal and/or plasma ions from machining point
EP1723086B2 (en) * 2003-12-12 2011-09-14 Element Six Limited Method of incoporating a mark in cvd diamond
US20060144821A1 (en) * 2005-01-04 2006-07-06 Academia Sinica Method for engraving irreproducible pattern on the surface of a diamond
EA016643B1 (en) * 2007-07-27 2012-06-29 Юрий Константинович НИЗИЕНКО Method for marking valuable articles
RU2427041C2 (en) * 2009-05-08 2011-08-20 Юрий Константинович Низиенко Method of making identification mark for marking valuable articles and valuable article with said mark
CN102569506B (en) * 2011-12-29 2014-06-18 广东爱康太阳能科技有限公司 Method for preparing metal electrode of solar battery from silane mask
RU2557360C2 (en) * 2012-12-20 2015-07-20 Общество с ограниченной ответственностью "Си Эн Эл Девайсез" Formation of mask for diamond films etching
AU2014273707B2 (en) * 2013-05-30 2017-12-07 Chow Tai Fook Jewellery Company Limited Method of marking material and system therefore, and material marked according to same method
HK1198858A2 (en) 2014-04-16 2015-06-12 Master Dynamic Ltd Method of marking a solid state material, and solid state materials marked according to such a method
TWI814173B (en) * 2020-12-14 2023-09-01 香港商金展科技有限公司 A method and system of forming an identifiable marking at an outer surface of a plurality of gemstones, and gemstones marked according to such a method
US11886122B2 (en) 2021-06-24 2024-01-30 Fraunhofer Usa, Inc. Deep etching substrates using a bi-layer etch mask

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4018938A (en) 1975-06-30 1977-04-19 International Business Machines Corporation Fabrication of high aspect ratio masks
US4117301A (en) * 1975-07-21 1978-09-26 Rca Corporation Method of making a submicrometer aperture in a substrate
JPS5290372A (en) * 1976-01-23 1977-07-29 Okuda Kazumi Patter embossed diamond
JPS5812234B2 (en) 1976-12-24 1983-03-07 一實 奥田 Manufacturing method for labeled diamonds
EP0064780A1 (en) * 1981-05-07 1982-11-17 Maurice Hakoune Process for treating a gem, and gem so treated
US4632898A (en) 1985-04-15 1986-12-30 Eastman Kodak Company Process for fabricating glass tooling
US4675273A (en) 1986-02-10 1987-06-23 Loctite (Ireland) Limited Resists formed by vapor deposition of anionically polymerizable monomer
JPS6334927A (en) 1986-07-29 1988-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Working of diamond
US4786358A (en) 1986-08-08 1988-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a pattern of a film on a substrate with a laser beam
US5045150A (en) 1986-09-11 1991-09-03 National Semiconductor Corp. Plasma etching using a bilayer mask
JPS63220525A (en) 1987-03-09 1988-09-13 Sumitomo Electric Ind Ltd Method of etching diamond semiconductor
JP2542608B2 (en) 1987-03-09 1996-10-09 住友電気工業株式会社 Diamond semiconductor etching method
JPS63237531A (en) 1987-03-26 1988-10-04 Toshiba Corp Fine processing method
JPH07113774B2 (en) 1987-05-29 1995-12-06 株式会社日立製作所 Pattern formation method
US4873176A (en) 1987-08-28 1989-10-10 Shipley Company Inc. Reticulation resistant photoresist coating
US4756794A (en) 1987-08-31 1988-07-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Atomic layer etching
US4842677A (en) 1988-02-05 1989-06-27 General Electric Company Excimer laser patterning of a novel resist using masked and maskless process steps
US4780177A (en) 1988-02-05 1988-10-25 General Electric Company Excimer laser patterning of a novel resist
DE3903421A1 (en) * 1989-02-06 1990-08-09 Hoechst Ag ELECTRICALLY CONDUCTIVE RESISTANT, METHOD FOR THEIR PRODUCTION AND THEIR USE
JPH03261953A (en) * 1990-03-13 1991-11-21 Fujitsu Ltd Formation of fine pattern
JP2763172B2 (en) 1990-03-19 1998-06-11 株式会社神戸製鋼所 Diamond thin film etching method
US5196376A (en) 1991-03-01 1993-03-23 Polycon Corporation Laser lithography for integrated circuit and integrated circuit interconnect manufacture
US5397428A (en) 1991-12-20 1995-03-14 The University Of North Carolina At Chapel Hill Nucleation enhancement for chemical vapor deposition of diamond
JP3104433B2 (en) 1992-10-16 2000-10-30 住友電気工業株式会社 Diamond etching method
US5269890A (en) 1992-12-31 1993-12-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electrochemical process and product therefrom
JP3651025B2 (en) 1994-08-09 2005-05-25 住友電気工業株式会社 Marked diamond and method for forming the same
GB9514558D0 (en) * 1995-07-17 1995-09-13 Gersan Ets Marking diamond
US5591480A (en) 1995-08-21 1997-01-07 Motorola, Inc. Method for fabricating metallization patterns on an electronic substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU99127463A (en) LABELING DIAMOND
CN104797087B (en) The method and apparatus for repairing printed circuit traces
JP3346614B2 (en) IC card marking method
CA2416911A1 (en) Using laser etching to improve surface contact resistance of conductive fiber filler polymer composites
US4139409A (en) Laser engraved metal relief process
GB2339727B (en) Diamond marking
KR960021534A (en) Manufacturing method of plastic mask for paste printing, Plastic mask and paste printing method for paste printing
GB2339726B (en) Marking diamond
RU99128055A (en) LABELING DIAMOND
EP0403851A3 (en) Excimer induced topography of flexible interconnect structures
MY134252A (en) Method for forming a magnetic pattern in a magnetic recording medium, magnetic recording medium, magnetic recording device and photomask
DK1218248T3 (en) Laser-etched pull tab for container opening device and method of manufacture thereof
DE50000836D1 (en) METHOD FOR PUTTING CONTACT HOLES INTO AN ELECTRICALLY INSULATING BASE MATERIAL PROVIDED ON TWO-SIDED METAL LAYERS
HK1057129A1 (en) Metal pattern formation.
CN106226994A (en) A kind of marking method based on ion beam etching and application
JPS61195791A (en) Carving method by laser beam
JPH11235898A (en) Engraving mask and method for processing it
ATE302997T1 (en) METHOD FOR BREAKING METAL WIRES
SE8500483L (en) PROCEDURE TO APPLY A METAL LAYER TO COPPER
JP2003105519A (en) Method of manufacturing object for thermal spraying embedded with metallic character by thermal spraying using metal spraying machine
TH36716A (en) Marking on diamonds