RU99118605A - Микромеханический прибор и способ его изготовления - Google Patents

Claims (3)

1. Микромеханический прибор, содержащий тензорезисторный чувствительный элемент, выполненный в полупроводниковой структуре легированного карбида кремния на подложке с диэлектрической поверхностью, отличающийся тем, что в качестве полупроводниковой структуры используют карбид кремния, легированный из расчета соотношения активных и дефектных примесных центров 1:(2-20), при этом в полупроводниковой структуре дополнительно сформирован терморезисторный чувствительный элемент.

2. Способ изготовления микромеханического прибора, предусматривающий осаждение на подложку полупроводникового слоя, содержащего легирующую примесь, под управляющим воздействием по парциальному давлению или скорости подачи газа с последующим нанесением слоя диэлектрика и формированием чувствительных элементов в полученной полупроводниковой структуре с помощью избирательного травления, отличающийся тем, что осаждают полупроводниковый слой на основе карбида кремния, при этом управляющее воздействие осуществляют из расчета соотношения активных и дефектных примесных центров в полупроводниковом слое 1:(2-20), а чувствительные элементы формируют не содержащими потенциальных барьеров.

3. Способ по п.2, отличающийся тем, что для его осуществления в оптимальном режиме отбирают образцы промежуточного продукта - полупроводниковой структуры легированного карбида кремния, полученной при различных значениях режимных параметров, определяют удельное сопротивление, тензо- и термочувствительность образцов и устанавливают значения управляющих воздействий на стадии осаждения полупроводникового слоя из условия максимума обобщенной функции оптимальности Харрингтона

где Q - обобщенная функция оптимальности Харрингтона;
y₁, y₂ и y₃ - удельное сопротивление (Ом•см), тензочувствительность и термочувствительность (К^-1) образца соответственно.