RU98120170A - SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING IT (OPTIONS) AND METAL CONNECTED PRODUCT - Google Patents

SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING IT (OPTIONS) AND METAL CONNECTED PRODUCT

Info

Publication number
RU98120170A
RU98120170A RU98120170/02A RU98120170A RU98120170A RU 98120170 A RU98120170 A RU 98120170A RU 98120170/02 A RU98120170/02 A RU 98120170/02A RU 98120170 A RU98120170 A RU 98120170A RU 98120170 A RU98120170 A RU 98120170A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
metal
group
alloy containing
substrate
aluminum
Prior art date
Application number
RU98120170/02A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2196683C2 (en
Inventor
Есихико Цудзимура
Миюки Накамура
Ясухито Фусии
Original Assignee
Денки Кагаку Когио Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Денки Кагаку Когио Кабусики Кайся filed Critical Денки Кагаку Когио Кабусики Кайся
Publication of RU98120170A publication Critical patent/RU98120170A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2196683C2 publication Critical patent/RU2196683C2/en

Links

Claims (10)

1. Подложка, имеющая металлический контур и/или теплоизлучающую металлическую пластину, образованные на керамической подложке, отличающаяся тем, что металлический контур и/или теплоизлучающая металлическая пластина содержат соединенное изделие первый металл/второй металл (за исключением комбинации из одного вида металла в качестве первого и второго металла) и/или соединенное изделие первый металл/третий металл/второй металл, и первый металл присоединен к керамической подложке, при этом первым металлом является металл, выбранный из группы, включающей алюминий (Аl), свинец (Рb), платину (Pt) и сплав, содержащий, по меньшей мере, один из этих металлов, вторым металлом является металл, выбранный из группы, включающей медь (Сu), серебро (Ag), золото (Аu), алюминий (Аl) и сплав, содержащий, по меньшей мере, один из этих металлов, и третьим металлом является металл, выбранный из группы, включающей титан (Ti), никель (Ni), цирконий (Zr), молибден (Мо), вольфрам (W) и сплав, содержащий, по меньшей мере, один из этих металлов.1. A substrate having a metal circuit and / or a heat-radiating metal plate formed on a ceramic substrate, characterized in that the metal circuit and / or heat-radiating metal plate contain a connected first metal / second metal product (except for the combination of one type of metal as the first and the second metal) and / or the joined article is a first metal / third metal / second metal, and the first metal is attached to the ceramic substrate, the first metal being a metal selected from PP, including aluminum (Al), lead (Pb), platinum (Pt) and an alloy containing at least one of these metals, the second metal is a metal selected from the group consisting of copper (Cu), silver (Ag) , gold (Au), aluminum (Al) and an alloy containing at least one of these metals, and the third metal is a metal selected from the group comprising titanium (Ti), nickel (Ni), zirconium (Zr), molybdenum (Mo), tungsten (W), and an alloy containing at least one of these metals. 2. Подложка по п. 1, отличающаяся тем, что первый металл представляет собой алюминий, а второй металл представляет собой медь, покрытую никелем. 2. The substrate according to claim 1, characterized in that the first metal is aluminum, and the second metal is copper coated with nickel. 3. Подложка по пп.1 или 2, отличающаяся тем, что первый металл присоединен к третьему металлу через слой (а) сплава, содержащего первый металл/третий металл/металл группы 1b; слой (b) сплава, содержащего первый металл/третий металл/металл группы 4b; и слой (с) сплава из первого металла/третьего металла. 3. The substrate according to claims 1 or 2, characterized in that the first metal is attached to the third metal through the layer (a) of the alloy containing the first metal / third metal / metal of group 1b; a layer (b) of an alloy containing a first metal / third metal / metal of group 4b; and a first metal / third metal alloy layer (c). 4. Подложка по п. 3, отличающаяся тем, что первый металл представляет собой алюминий, второй металл представляет собой медь, и третий металл представляет собой никель, а металл группы 1b представляет собой медь, и металл группы 4b представляет собой кремний. 4. The substrate according to claim 3, characterized in that the first metal is aluminum, the second metal is copper, and the third metal is nickel, and the metal of group 1b is copper, and the metal of group 4b is silicon. 5. Подложка по любому из пп. 1-4, отличающаяся тем, что подложка представляет собой подложку силового модуля. 5. The substrate according to any one of paragraphs. 1-4, characterized in that the substrate is a substrate of a power module. 6. Способ получения подложки по пп.1-3, включающий присоединение образца контура из первого металла и/или образца теплоизлучающей металлической пластины к образующей металлический контур поверхности и/или образующей теплоизлучающую пластину поверхности керамической подложки с помощью метода пайки активным металлом, отличающийся тем, что затем осуществляют присоединение к ним образца из второго металла, отличающегося от первого металла, с введением или без введения между ними третьего металла. 6. A method of producing a substrate according to claims 1 to 3, comprising attaching a sample of a contour from the first metal and / or a sample of a heat-emitting metal plate to a surface forming a metal contour and / or forming a heat-emitting plate of a ceramic substrate surface using the active metal brazing method, characterized in that then they carry out the attachment to them of a sample of a second metal different from the first metal, with or without the introduction of a third metal between them. 7. Способ получения подложки по пп. 1-3, который включает присоединение твердой металлической пластины из первого металла к образующей металлический контур поверхности и/или образующей теплоизлучающую пластину поверхности керамической подложки с помощью метода пайки активным металлом, отличающийся тем, что затем осуществляют присоединение к ней твердой металлической пластины из второго металла, отличающегося от первого металла, с введением или без введения между ними третьего металла, с последующим травлением с получением металлического контура и/или теплоизлучающей металлической пластины. 7. The method of obtaining the substrate according to paragraphs. 1-3, which includes attaching a solid metal plate of a first metal to a surface forming a metal contour and / or forming a heat-emitting plate of a ceramic substrate surface using an active metal brazing method, characterized in that they then attach a solid metal plate of a second metal to it, different from the first metal, with or without the introduction of a third metal between them, followed by etching to obtain a metal circuit and / or heat-emitting etallicheskoy plate. 8. Способ получения подложки по п. 6 или 7, отличающийся тем, что первый металл представляет собой алюминий, и второй металл представляет собой покрытую никелем медь. 8. A method of producing a substrate according to claim 6 or 7, characterized in that the first metal is aluminum and the second metal is nickel plated copper. 9. Металлическое соединенное изделие, отличающееся тем, что оно получено путем присоединения следующего первого металла к следующему третьему металлу через слой (а) сплава, содержащего первый металл/третий металл/металл группы 1b; слоя (b) сплава, содержащего первый металл/третий металл/металл группы 4b: и слоя (с) сплава из первого металла/третьего металла, при этом первым металлом является металл, выбранный из группы, включающей алюминий (Al), свинец (Рb), платину (Pt) и сплав, содержащий, по меньшей мере, один из этих металлов, и третьим металлом является металл, выбранный из группы, включающей титан (Ti), никель (Ni), цирконий (Zr), молибден (Mo), вольфрам (W), и сплав, содержащий, по меньшей мере, один из этих металлов. 9. A metallic joint product, characterized in that it is obtained by attaching the next first metal to the next third metal through an alloy layer (a) containing the first metal / third metal / metal of group 1b; layer (b) of the alloy containing the first metal / third metal / metal of group 4b: and layer (c) of the alloy of the first metal / third metal, the first metal being a metal selected from the group consisting of aluminum (Al), lead (Pb ), platinum (Pt) and an alloy containing at least one of these metals, and the third metal is a metal selected from the group consisting of titanium (Ti), nickel (Ni), zirconium (Zr), molybdenum (Mo) , tungsten (W), and an alloy containing at least one of these metals. 10. Металлическое соединенное изделие по п.9, отличающееся тем, что третий металл также присоединен к следующему второму металлу, и тем, что вторым металлом является металл, выбранный из группы, включающей медь (Cu), серебро (Ag), золото (Au), алюминий (Al) и сплав, содержащий, по меньшей мере, один из этих металлов. 10. The metallic joint product according to claim 9, characterized in that the third metal is also attached to the next second metal, and the second metal is a metal selected from the group consisting of copper (Cu), silver (Ag), gold (Au ), aluminum (Al) and an alloy containing at least one of these metals.
RU98120170/02A 1997-11-07 1998-11-06 Substrate, method for its production (versions) and metallic compound of articles RU2196683C2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP9-305634 1997-11-07
JP30563497 1997-11-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98120170A true RU98120170A (en) 2000-09-10
RU2196683C2 RU2196683C2 (en) 2003-01-20

Family

ID=17947501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98120170/02A RU2196683C2 (en) 1997-11-07 1998-11-06 Substrate, method for its production (versions) and metallic compound of articles

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6197435B1 (en)
EP (1) EP0915512B1 (en)
KR (1) KR100374379B1 (en)
DE (1) DE69840062D1 (en)
RU (1) RU2196683C2 (en)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000349085A (en) * 1999-06-01 2000-12-15 Nec Corp Semiconductor device and its manufacture
US6468439B1 (en) * 1999-11-01 2002-10-22 Bmc Industries, Inc. Etching of metallic composite articles
US6365057B1 (en) 1999-11-01 2002-04-02 Bmc Industries, Inc. Circuit manufacturing using etched tri-metal media
US6409930B1 (en) 1999-11-01 2002-06-25 Bmc Industries, Inc. Lamination of circuit sub-elements while assuring registration
JP4756200B2 (en) * 2000-09-04 2011-08-24 Dowaメタルテック株式会社 Metal ceramic circuit board
JP4811756B2 (en) * 2001-09-28 2011-11-09 Dowaメタルテック株式会社 Method for manufacturing metal-ceramic bonding circuit board
KR100475079B1 (en) * 2002-06-12 2005-03-10 삼성전자주식회사 High power Ball Grid Array Package, Heat spreader used in the BGA package and method for manufacturing the same
JP3868854B2 (en) * 2002-06-14 2007-01-17 Dowaホールディングス株式会社 Metal-ceramic bonded body and manufacturing method thereof
TWI335792B (en) * 2007-02-09 2011-01-01 Univ Nat Taiwan Method of manufacturing ceramic/metal composite structure
US9586382B2 (en) 2008-01-24 2017-03-07 National Taiwan University Ceramic/metal composite structure
JP2010126801A (en) * 2008-12-01 2010-06-10 Hitachi Cable Ltd Tin-coated aluminum material
MD249Z (en) * 2009-04-29 2011-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Process for manufacturing a thermoelectric cooler for the Chip substrate
JP5807221B2 (en) * 2010-06-28 2015-11-10 アユミ工業株式会社 Bonded structure manufacturing method, heat-melt treatment method, and system thereof
JP6384112B2 (en) 2014-04-25 2018-09-05 三菱マテリアル株式会社 Power module substrate and power module substrate with heat sink

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3607379A (en) * 1968-01-22 1971-09-21 Us Navy Microelectronic interconnection substrate
JPS5626687A (en) * 1979-08-07 1981-03-14 Furukawa Electric Co Ltd:The Production for copper-aluminum composite material
US4463059A (en) * 1982-06-30 1984-07-31 International Business Machines Corporation Layered metal film structures for LSI chip carriers adapted for solder bonding and wire bonding
JPH0697671B2 (en) * 1984-02-24 1994-11-30 株式会社東芝 Method for manufacturing power semiconductor module substrate
US4965659A (en) 1987-06-30 1990-10-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Member for a semiconductor structure
EP0480038B1 (en) 1990-04-16 1997-07-09 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Ceramic circuit board
DE4017181C2 (en) 1990-05-29 1998-08-27 Daimler Benz Aerospace Ag Electrical component
US5561321A (en) 1992-07-03 1996-10-01 Noritake Co., Ltd. Ceramic-metal composite structure and process of producing same
DE4315272A1 (en) 1993-05-07 1994-11-10 Siemens Ag Power semiconductor component with buffer layer
DE29514012U1 (en) 1994-08-03 1995-11-02 Anceram Gmbh & Co Kg Semi-finished product made of an aluminum nitride ceramic as a carrier with a conductive layer applied to at least one of its surfaces
JP4077888B2 (en) 1995-07-21 2008-04-23 株式会社東芝 Ceramic circuit board
AT405039B (en) 1996-02-08 1999-04-26 Electrovac COMPOSITE COMPONENT

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU98120170A (en) SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING IT (OPTIONS) AND METAL CONNECTED PRODUCT
KR900701038A (en) Semiconductor Package
JP6494802B2 (en) Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device
JPH08111484A (en) Lead frame
DE60214572D1 (en) HARD SOLDER METALLIZATIONS FOR DIAMOND COMPONENTS
EP0915512A3 (en) Ceramic substrate having a metal circuit
CN111146155B (en) Microwave power amplifier chip carrier and preparation method thereof
EP0756325A3 (en) Semiconductor device having a base
JPH06125026A (en) Terminal structure and input-output terminal member and wiring board using it
JP2001298136A (en) Heat sink and wiring board with the heat sink
JP2858196B2 (en) Lead frame for semiconductor device
NL8200561A (en) METHOD FOR DEPOSITING A METAL
JP3725960B2 (en) Ceramic substrate and manufacturing method thereof
JP2602161B2 (en) High heat dissipation integrated circuit package
JPS6331394Y2 (en)
JP3463790B2 (en) Wiring board
JPS62122157A (en) Electrode structure of heat sink for photosemiconductor
JP2555898B2 (en) Method for metallizing diamond thin film and method for forming pattern
JPH0238378A (en) Method for soldering ceramics
JPH05190727A (en) Lead frame for integrated circuit
JPH10330949A (en) Production of low-stress electroless deposited nickel layer
JPS634710B2 (en)
JPS63164326A (en) Semiconductor device package
JPH01147087A (en) Pretreatment of copper-tungsten alloy before plating
JPS58151039A (en) Hybrid integrated circuit substrate