RU98103272A - Способ изготовления монокристаллов карбида кремния - Google Patents
Способ изготовления монокристаллов карбида кремнияInfo
- Publication number
- RU98103272A RU98103272A RU98103272/12A RU98103272A RU98103272A RU 98103272 A RU98103272 A RU 98103272A RU 98103272/12 A RU98103272/12 A RU 98103272/12A RU 98103272 A RU98103272 A RU 98103272A RU 98103272 A RU98103272 A RU 98103272A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solvent
- preceding paragraphs
- silicon carbide
- starting material
- silicon
- Prior art date
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 8
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
Claims (13)
1. Способ изготовления монокристаллов карбида кремния, при котором а) в прочный к давлению резервуар вводят растворитель, исходный материал в твердой форме, а также по меньшей мере один затравочный кристалл, b) в резервуаре устанавливают давление, которое лежит выше 105 Па и которое настолько высоко, что по меньшей мере один исходный материал по меньшей мере частично растворяется в растворителе, с) причем растворитель и исходный материал выбраны таким образом, что раствор из исходного материала и растворителя содержит как кремний, так и углерод и при котором d) из раствора на по меньшем мере одном затравочном кристалле растет монокристалл карбида кремния.
2. Способ по п. 1, при котором используют твердый исходный материал, который содержит только один из обоих элементов кремний и углерод.
3. Способ по п. 1, при котором используют твердый исходный материал, который содержит как кремний, так и углерод.
4. Способ по п. 3, при котором в качестве твердого исходного материала используют карбид кремния.
5. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором используют растворитель, который содержит по меньшей мере один из обоих элементов кремний и углерод.
6. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором растворитель содержит воду.
7. Способ по п. 6, при котором водородный показатель рН воды изменяют путем добавки электролита.
8. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором используют растворитель, который содержит углеводородное соединение.
9. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором для легирования наращиваемого монокристалла карбида кремния в прочный к давлению резервуар вводят по меньшей мере один легирующий материал.
10. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором давление в резервуаре устанавливают путем подвода тепла.
11. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором давление в резервуаре устанавливают по меньшей мере 107 Па.
12. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором исходный материал поддерживают при более высокой температуре, чем по меньшей мере один затравочный кристалл.
13. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором физически растворенный в растворителе кислород удаляют по меньшей мере почти полностью.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19527536.5 | 1995-07-27 | ||
| DE19527536A DE19527536A1 (de) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | Verfahren zum Herstellen von Siliciumcarbid-Einkristallen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98103272A true RU98103272A (ru) | 1999-12-20 |
| RU2157864C2 RU2157864C2 (ru) | 2000-10-20 |
Family
ID=7767971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98103272/12A RU2157864C2 (ru) | 1995-07-27 | 1996-07-17 | Способ изготовления монокристаллов карбида кремния |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5968265A (ru) |
| EP (1) | EP0840810B1 (ru) |
| JP (1) | JP4017663B2 (ru) |
| KR (1) | KR100454274B1 (ru) |
| CN (1) | CN1085746C (ru) |
| DE (3) | DE19527536A1 (ru) |
| RU (1) | RU2157864C2 (ru) |
| WO (1) | WO1997005303A1 (ru) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999005728A1 (en) | 1997-07-25 | 1999-02-04 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| KR100683877B1 (ko) | 1999-03-04 | 2007-02-15 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 레이저소자 |
| US6514338B2 (en) * | 1999-12-27 | 2003-02-04 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal |
| JP2002220299A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-09 | Hoya Corp | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法、ＳｉＣ半導体装置並びにＳｉＣ複合材料 |
| US6706114B2 (en) | 2001-05-21 | 2004-03-16 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide crystals |
| JP4453348B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2010-04-21 | トヨタ自動車株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| KR100806999B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2008-02-25 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 탄화규소（ＳｉＣ） 단결정의 제조 방법 및 이에 의해얻어진 탄화규소（ＳｉＣ）단결정 |
| KR20060094769A (ko) * | 2005-02-26 | 2006-08-30 | 네오세미테크 주식회사 | 대구경 탄화규소 단결정 성장 장치 |
| US8980445B2 (en) * | 2006-07-06 | 2015-03-17 | Cree, Inc. | One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed |
| RU2495163C2 (ru) * | 2007-12-12 | 2013-10-10 | Доу Корнинг Корпорейшн | Способ получения больших однородных кристаллов карбида кремния с использованием процессов возгонки и конденсации |
| JP4697235B2 (ja) | 2008-01-29 | 2011-06-08 | トヨタ自動車株式会社 | ｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたｐ型ＳｉＣ半導体単結晶 |
| TWI362769B (en) | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
| JP5355533B2 (ja) | 2010-11-09 | 2013-11-27 | 新日鐵住金株式会社 | ｎ型ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
| US20230212402A1 (en) * | 2020-05-26 | 2023-07-06 | Unm Rainforest Innovations | Two dimensional silicon carbide materials and fabrication methods thereof |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5815479B2 (ja) * | 1980-08-28 | 1983-03-25 | 藤井 隆 | 炭化硅素単結晶の製造方法 |
| US4753787A (en) * | 1986-07-18 | 1988-06-28 | Pieter Krijgsman | Method and structure for forming a reaction product |
| US4866005A (en) * | 1987-10-26 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide |
| US5069744A (en) * | 1989-10-26 | 1991-12-03 | Borodin Vadim L | Process for producing single crystals of optical calcite |
-
1995
- 1995-07-27 DE DE19527536A patent/DE19527536A1/de not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-07-17 CN CN96195700A patent/CN1085746C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-17 DE DE59602288T patent/DE59602288D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-17 RU RU98103272/12A patent/RU2157864C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1996-07-17 WO PCT/DE1996/001299 patent/WO1997005303A1/de active IP Right Grant
- 1996-07-17 DE DE19680622T patent/DE19680622D2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-17 KR KR10-1998-0700459A patent/KR100454274B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-07-17 EP EP96924741A patent/EP0840810B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-17 JP JP50708297A patent/JP4017663B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-01-27 US US09/013,990 patent/US5968265A/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU98103272A (ru) | Способ изготовления монокристаллов карбида кремния | |
| JP3318002B2 (ja) | ダイヤモンド合成用反応容器 | |
| IE881372L (en) | Synthesizing diamond | |
| WO2005049511A1 (ja) | リン酸マグネシウムアンモニウムの生成・回収方法及び装置 | |
| USRE31347E (en) | Procedure for separating and recovering marsh gas | |
| KR100454274B1 (ko) | 탄화규소단결정의생성방법 | |
| CA2345624A1 (en) | Crystal of diuridine tetraphosphate or salt thereof and method for preparing the same, and method for producing said compound | |
| Marco et al. | Asymmetric Synthesis IX1: Preparation of Chiral α-Substituted Phenethylamines | |
| ES8500228A1 (es) | Procedimiento para desdoblar mezclas racemicas de esteres de acidos imino- -carboxilicos biciclicos | |
| JPS56133247A (en) | Production of 2-chloroethylamine hydrochloride | |
| ATE236989T1 (de) | Verfahren zur herstellung von l-carnitin aus crotonobetain | |
| CA2236117A1 (en) | Process for producing optically active cyanohydrins | |
| US4613688A (en) | Optical resolution process for DL-cysteine | |
| JPH0214315B2 (ru) | ||
| ATE178051T1 (de) | Verfahren zur herstellung einer physikalisch stabilen, kristallinen gamma-modifikation von para-aminobenzolsulfonamid | |
| US4187148A (en) | Procedure for separating and recovering marsh gas | |
| SU1244097A1 (ru) | Способ очистки сточных вод производства пентаэритрита | |
| HUP9800167A2 (hu) | Eljárás granulált szerves anyagok előállítására | |
| MD990158A (ru) | Способ приготовления хлоргидрата 2-хлор-4-диметил-амидосульфонил-феноксиацетат N,N-диметиламиноэтанола | |
| JPS5228258A (en) | Method for growth of crystals from liquid phase | |
| JP2005007296A (ja) | 脱窒装置 | |
| EP0090866B1 (en) | Optical resolution process for dl-cysteine | |
| JPS5722199A (en) | Method for growing single crystal | |
| SU1629613A1 (ru) | Способ охлаждени сжимаемого газа в винтовом компрессоре | |
| RU95108562A (ru) | Способ синтеза монокристаллов алмаза и реактор для его реализации |