RU96103332A - Способ эпитаксиального выращивания монокристаллов нитридов металлов 3а группы химических элементов - Google Patents
Способ эпитаксиального выращивания монокристаллов нитридов металлов 3а группы химических элементовInfo
- Publication number
- RU96103332A RU96103332A RU96103332/25A RU96103332A RU96103332A RU 96103332 A RU96103332 A RU 96103332A RU 96103332/25 A RU96103332/25 A RU 96103332/25A RU 96103332 A RU96103332 A RU 96103332A RU 96103332 A RU96103332 A RU 96103332A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- source
- substrate
- metal
- single crystal
- nitride
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims 7
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 title claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 6
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (9)
1. Способ эпитаксиального выращивания монокристалла нитрида по меньшей мере одного металла, принадлежащего к подгруппе А третьей группы химических элементов, из паровой фазы, включающий размещение параллельно напротив друг друга испаряющей поверхности источника металла, задаваемого в составе выращиваемого монокристалла, и ростовой поверхности подложки, образующих ростовую зону, создание в ростовой зоне потока аммиака, нагрев источника и подложки до температур, обеспечивающих рост монокристалла на подложке, при этом температуру источника поддерживают выше температуры подложки, отличающийся тем, что в качестве материала источника используют смесь, содержащую металлический компонент, включающий по меньшей мере один свободный металл, задаваемый в составе выращиваемого монокристалла, и нитридный компонент, включающий по меньшей мере один нитрид по меньшей мере одного металла, задаваемого в составе выращиваемого монокристалла.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что доля металлического компонента составляет 8 - 30% от веса материала источника.
3. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что в процессе роста монокристалла источник пополняют.
4. Способ по пп. 1 - 3, отличающийся тем, что в ростовую зону вводят поток аммиака, направленный между подложкой и источником и поток аммиака, направленный к подложке сквозь материал источника.
5. Способ по пп. 1 - 4, отличающийся тем, что источник и подложку нагревают раздельно.
6. Способ по пп. 1 - 5, отличающийся тем, что в качестве материала источника используют смесь расплава галлия с порошком поликристаллического нитрида галлия.
7. Способ по пп. 1 - 5, отличающийся тем, что в качестве материала источника используют смесь расплава галлия с порошком поликристаллического нитрида алюминия.
8. Способ по пп. 1 - 5, отличающийся тем, что в качестве материала источника используют смесь расплава галлия с порошком поликристаллического нитрида индия.
9. Способ по пп. 1 - 8, отличающийся тем, что в состав источника вводят дополнительно легирующие примеси.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96103332A RU2097452C1 (ru) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | Способ эпитаксиального выращивания монокристаллов нитридов металлов 3а группы химических элементов |
| PCT/RU1997/000031 WO1997031140A1 (en) | 1996-02-22 | 1997-02-11 | Method of epitaxial growth of monocrystalline '3a' group metal nitrides |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96103332A RU2097452C1 (ru) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | Способ эпитаксиального выращивания монокристаллов нитридов металлов 3а группы химических элементов |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU96103332A true RU96103332A (ru) | 1997-10-27 |
| RU2097452C1 RU2097452C1 (ru) | 1997-11-27 |
Family
ID=20177191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU96103332A RU2097452C1 (ru) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | Способ эпитаксиального выращивания монокристаллов нитридов металлов 3а группы химических элементов |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2097452C1 (ru) |
| WO (1) | WO1997031140A1 (ru) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2323209A (en) * | 1997-03-13 | 1998-09-16 | Sharp Kk | Molecular beam epitaxy apparatus and method |
| GB2331307A (en) | 1997-11-15 | 1999-05-19 | Sharp Kk | Growth of buffer layer by molecular beam epitaxy |
| RU2158789C1 (ru) * | 1999-08-04 | 2000-11-10 | Водаков Юрий Александрович | Способ эпитаксиального выращивания монокристаллического нитрида алюминия и ростовая камера для осуществления способа |
| US7585772B2 (en) | 2006-07-26 | 2009-09-08 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Process for smoothening III-N substrates |
| WO2008017320A1 (de) * | 2006-08-09 | 2008-02-14 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zur herstellung eines dotierten iii-n-massivkristalls sowie eines freistehenden dotierten iii-n-substrates und dotierter iii-n-massivkristall sowie freistehendes dotiertes iii-n-substrat |
| US8778078B2 (en) | 2006-08-09 | 2014-07-15 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Process for the manufacture of a doped III-N bulk crystal and a free-standing III-N substrate, and doped III-N bulk crystal and free-standing III-N substrate as such |
| RU2468128C1 (ru) * | 2011-06-15 | 2012-11-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Комплектующие и Материалы" (ООО "КИМ") | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА AlN И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ |
| RU2730315C1 (ru) * | 2019-08-30 | 2020-08-21 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ получения монокристаллов органо-неорганического комплексного галогенида |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4382837A (en) * | 1981-06-30 | 1983-05-10 | International Business Machines Corporation | Epitaxial crystal fabrication of SiC:AlN |
-
1996
- 1996-02-22 RU RU96103332A patent/RU2097452C1/ru not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-02-11 WO PCT/RU1997/000031 patent/WO1997031140A1/en active Application Filing
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY121858A (en) | Production of bulk single crystals of aluminum nitride, silicon carbide and aluminum nitride: silicon carbide alloy | |
| US3634149A (en) | Method of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices | |
| SE9503428D0 (sv) | A method for epitaxially growing objects and a device for such a growth | |
| US4897149A (en) | Method of fabricating single-crystal substrates of silicon carbide | |
| SE9502288D0 (sv) | A device and a method for epitaxially growing objects by CVD | |
| RU98120936A (ru) | Монокристаллический sic и способ его получения | |
| RU96103332A (ru) | Способ эпитаксиального выращивания монокристаллов нитридов металлов 3а группы химических элементов | |
| RU99105847A (ru) | Монокристалл sic и способы его получения | |
| RU99103350A (ru) | Монокристаллический карбид кремния и способ его получения | |
| RU97111854A (ru) | Способ и устройство для изготовления монокристаллов карбида кремния путем сублимационного выращивания | |
| CA1102013A (en) | Molecular-beam epitaxy system and method including hydrogen treatment | |
| Kasai et al. | PbTe and Pb0. 8Sn0. 2Te epitaxial films on cleaved BaF2 substrates prepared by a modified hot‐wall technique | |
| Laasch et al. | Growth of twin-free CdTe single crystals in a semi-closed vapour phase system | |
| Chen et al. | DIRECT OBSERVATION OF C 3 N 4 SINGLE CRYSTAL BY SCANNING ELECTRON MICROSCOPY. | |
| JPH0645519B2 (ja) | ｐ型ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| SE9503427D0 (sv) | A method for epitaxially growing objects and a device for such a growth | |
| JPH0442911Y2 (ru) | ||
| JPH0380197A (ja) | 半導体ＳｉＣ単結晶の製造法 | |
| JPS6385097A (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| JPH0323287A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の液相エピタキシャル成長方法 | |
| JPH0465400A (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| JPH04300298A (ja) | 炭化珪素単結晶の液相エピタキシャル成長方法 | |
| Hauttmann et al. | SiC formation and influence on the morphology of polycrystalline silicon thin films on graphite substrates produced by zone melting recrystallization | |
| RU96113676A (ru) | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката | |
| Franzosi et al. | Process of Deposition of Single-Crystal Silicon Directly From the Vapor Phase |