RU95110393A - Способ получения пучка ионов и устройство для его осуществления - Google Patents

Способ получения пучка ионов и устройство для его осуществления

Info

Publication number
RU95110393A
RU95110393A RU95110393/07A RU95110393A RU95110393A RU 95110393 A RU95110393 A RU 95110393A RU 95110393/07 A RU95110393/07 A RU 95110393/07A RU 95110393 A RU95110393 A RU 95110393A RU 95110393 A RU95110393 A RU 95110393A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ion
plasma
current
sources
accelerated
Prior art date
Application number
RU95110393/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2082255C1 (ru
Inventor
Б.Н. Маков
Original Assignee
Б.Н. Маков
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Б.Н. Маков filed Critical Б.Н. Маков
Priority to RU95110393A priority Critical patent/RU2082255C1/ru
Publication of RU95110393A publication Critical patent/RU95110393A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2082255C1 publication Critical patent/RU2082255C1/ru

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

Техническим результатом изобретения является повышение диссоциативно-ионизационных процессов в газовом разряде, интенсивности тока в пучке ускоренных ионов, содержания в нем атомарных одно/многозарядных ионов при неизменной мощности и газовом разряде и сохранение срока службы катода источника иоенов, повышение интенсивности тока ионов бора B+ в пучке ускоренных ионов на облучаемой мишени имплантора при доминирующем пике B+ в спектре пучка ионов, повышение стабильности тока в пучке ускоренных ионов вследствие устранения ротационной неустойчивости в источнике ионов без конструктивных изменений в импланторах. Технический результат достигается тем, что в способе получения пучка ионов нет ограничений в методе образования плазмы в магнитном поле. Для егo использования в плазму помещают дополнительный электрод с малой рабочей поверхностью по сравнению с поверхностью стенок разрядной камеры и подают на него положительный потенциал по отношению к разрядной камере, чем сосредотачивают на его рабочей поверхности полный ток разряда и повышают концентрацию плазмы и температуру электронов. Одновременно с этим в объеме плазмы образуют дрейфовый поток всех видов заряженных частиц плазмы в скрещенных Е х B полях к экстракционной щели поперек силовых линий магнитного поли вдоль стационарного двойного электрического слоя, образующегося в плазме без нарушения ее квазинейтральности, вызывая повышение концентрации плазмы у экстракционной щели и плотности тока в пучке ускоренных ионов при неизменном режиме разряда. Способ может быть осуществлен с помощью источника ионов с введенным в него дополнительным электрод

Claims (1)

  1. Техническим результатом изобретения является повышение диссоциативно-ионизационных процессов в газовом разряде, интенсивности тока в пучке ускоренных ионов, содержания в нем атомарных одно/многозарядных ионов при неизменной мощности и газовом разряде и сохранение срока службы катода источника иоенов, повышение интенсивности тока ионов бора B+ в пучке ускоренных ионов на облучаемой мишени имплантора при доминирующем пике B+ в спектре пучка ионов, повышение стабильности тока в пучке ускоренных ионов вследствие устранения ротационной неустойчивости в источнике ионов без конструктивных изменений в импланторах. Технический результат достигается тем, что в способе получения пучка ионов нет ограничений в методе образования плазмы в магнитном поле. Для егo использования в плазму помещают дополнительный электрод с малой рабочей поверхностью по сравнению с поверхностью стенок разрядной камеры и подают на него положительный потенциал по отношению к разрядной камере, чем сосредотачивают на его рабочей поверхности полный ток разряда и повышают концентрацию плазмы и температуру электронов. Одновременно с этим в объеме плазмы образуют дрейфовый поток всех видов заряженных частиц плазмы в скрещенных Е х B полях к экстракционной щели поперек силовых линий магнитного поли вдоль стационарного двойного электрического слоя, образующегося в плазме без нарушения ее квазинейтральности, вызывая повышение концентрации плазмы у экстракционной щели и плотности тока в пучке ускоренных ионов при неизменном режиме разряда. Способ может быть осуществлен с помощью источника ионов с введенным в него дополнительным электродом с протяженной рабочей поверхностью, закрепленной параллельно оси разрядной камеры. Электрод выполнен из тугоплавкого материала. Это в приложении к ионным источникам, работающим на импланторах, становится значительным в связи с получением существенно увеличенных токов в пучках ускоренных ионов при сохранении времени жизни их катодов.
RU95110393A 1995-06-20 1995-06-20 Способ получения пучка ионов и устройство для его осуществления RU2082255C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95110393A RU2082255C1 (ru) 1995-06-20 1995-06-20 Способ получения пучка ионов и устройство для его осуществления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95110393A RU2082255C1 (ru) 1995-06-20 1995-06-20 Способ получения пучка ионов и устройство для его осуществления

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU95110393A true RU95110393A (ru) 1996-08-10
RU2082255C1 RU2082255C1 (ru) 1997-06-20

Family

ID=20169135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU95110393A RU2082255C1 (ru) 1995-06-20 1995-06-20 Способ получения пучка ионов и устройство для его осуществления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2082255C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110798958A (zh) * 2019-11-04 2020-02-14 合肥杰硕真空科技有限公司 一种圆腔体内环形电极等离子体放电的装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2151438C1 (ru) * 1999-09-23 2000-06-20 Бугров Глеб Эльмирович Плазменный источник ионов с ленточным пучком (варианты)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110798958A (zh) * 2019-11-04 2020-02-14 合肥杰硕真空科技有限公司 一种圆腔体内环形电极等离子体放电的装置

Also Published As

Publication number Publication date
RU2082255C1 (ru) 1997-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5212760B2 (ja) イオン注入装置用のイオン源およびそのためのリペラ
US8357912B2 (en) Techniques for providing a multimode ion source
US8153993B2 (en) Front plate for an ion source
Gavrilov et al. Development of technological sources of gas ions on the basis of hollow-cathode glow discharges
JPS5843861B2 (ja) イオン・ビ−ム衝撃装置
US20130287963A1 (en) Plasma Potential Modulated ION Implantation Apparatus
US7223984B2 (en) Helium ion generation method and apparatus
Gavrilov et al. High-current pulse sources of broad beams of gas and metal ions for surface treatment
US6501081B1 (en) Electron flood apparatus for neutralizing charge build up on a substrate during ion implantation
CA1252581A (en) Electron beam-excited ion beam source
RU95110393A (ru) Способ получения пучка ионов и устройство для его осуществления
Ehlers et al. Increasing the efficiency of a multicusp ion source
JP2000048734A (ja) 高周波イオン源
Lee et al. Axial energy spread measurements of an accelerated positive ion beam
Walther Characterization of a Bernas ion source for multiply charged ion implantation
Miura et al. Characteristics of negative ion current by control of bias voltage to second anode in Cs-free negative ion source using TPDSheet-U
JPS63301455A (ja) イオンビ−ム照射装置
Crow et al. High Performance, Low Energy Ion Source
Bugaev et al. Technological ion sources based on a vacuum arc discharge
Keller High-current ion sources for ion implantation
Bugaev et al. Producing of gas and metal ion beams with vacuum arc ion sources
SU669982A1 (ru) Способ получени отрицательных ионов
WO2013096519A1 (en) Method and apparatus for surface plasma source (sps) with anode layer plasma accelerator
MARTEV et al. BROAD-BEAM LOW-ENERGY ION SOURCE FOR RESEARCH AND TECHNOLOGY APPLICATIONS
Benveniste et al. ULE beamline optics