RU94044397A - Transistor switch - Google Patents

Transistor switch

Info

Publication number
RU94044397A
RU94044397A RU94044397/07A RU94044397A RU94044397A RU 94044397 A RU94044397 A RU 94044397A RU 94044397/07 A RU94044397/07 A RU 94044397/07A RU 94044397 A RU94044397 A RU 94044397A RU 94044397 A RU94044397 A RU 94044397A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
field
source
capacitor
effect transistor
Prior art date
Application number
RU94044397/07A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2076441C1 (en
Inventor
В.А. Соловьев
В.К. Лозенко
А.Н. Панарин
Original Assignee
Московская государственная текстильная академия им.А.Н.Косыгина
Московский энергетический институт (Технический университет)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московская государственная текстильная академия им.А.Н.Косыгина, Московский энергетический институт (Технический университет) filed Critical Московская государственная текстильная академия им.А.Н.Косыгина
Priority to RU94044397A priority Critical patent/RU2076441C1/en
Publication of RU94044397A publication Critical patent/RU94044397A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2076441C1 publication Critical patent/RU2076441C1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

FIELD: DC circuit switching devices. SUBSTANCE: transistor switch is built around field-effect transistors with isolated gate and universal control circuit enabling turn-on and turn-off of loaded field-effect transistor both in drain and source circuit; control circuit is supplied with power from single power source for each simultaneously used version of similar-type or different-type operation of switch. switch control circuit incorporates two bipolar transistors; emitter of first transistor is connected to collector of second transistor and to gate of field-effect transistor; it also has diode, capacitor, two resistors, and voltage regulator diode one of whose electrodes, capacitor lead, and emitter of second bipolar transistor are connected to source of field-effect transistor; second lead of capacitor that functions as pulsed DC supply for charging input capacitor of field-effect transistor is connected to collector of first bipolar transistor; introduced in addition is diode or transistor optocoupler for electric isolation of control signal supply and load circuits. Second electrode of voltage regulator diode is connected to collector of first bipolar transistor and, through one of additional resistors, to one of poles of control circuit power supply whose second pole is connected to unlike-polarity pole of load power supply. EFFECT: enlarged functional capabilities.

Claims (1)

Изобретение относится к устройствам для коммутации электрических цепей постоянного тока. Решаемая в нем задача состоит в расширении функциональных возможностей транзисторного ключа на полевом транзисторе с изолированным затвором за счет универсальной схемы управления, позволяющей включать и выключать полевой транзистор с нагрузкой как в цепи стока, так и в цепи истока, и питаемой в каждом из одновременно используемых однотипных или разнотипных вариантов включения ключа только от одного источника питания. Для этого в схему управления ключом, состоящую из двух биполярных транзисторов, эмиттер первого из которых соединен с коллектором второго и подключен к затвору полевого транзистора, диода, конденсатора, двух резисторов и стабилитрона, один из электродов которого, вывод конденсатора и эмиттер второго биполярного транзистора соединены с истоком полевого транзистора, а второй вывод конденсатора, выполняющего функцию импульсного источника постоянного тока для заряда входной емкости полевого транзистора, присоединен к коллектору первого биполярного транзистора, дополнительно введен диодный или транзисторный оптрон, осуществляющий электрическую развязку цепей источника сигнала управления и нагрузки. Второй электрод стабилитрона соединен с коллектором первого биполярного транзистора и через один из дополнительных резисторов подключен к одному из полюсов источника питания схемы управления, второй полюс которого соединен с разноименным полюсом источника питания нагрузки.The invention relates to a device for switching DC electrical circuits. The task it solves is to expand the functionality of the transistor switch on a field-effect transistor with an isolated gate due to a universal control circuit that allows you to turn on and off a field-effect transistor with a load both in the drain circuit and in the source circuit, and fed in each of the same type used or different types of options for turning on the key from only one power source. To this end, a key management circuit consisting of two bipolar transistors, the emitter of the first of which is connected to the collector of the second and connected to the gate of the field-effect transistor, diode, capacitor, two resistors and a zener diode, one of the electrodes of which, the capacitor output and the emitter of the second bipolar transistor are connected with the source of the field-effect transistor, and the second output of the capacitor, which performs the function of a pulsed DC source for charging the input capacitance of the field-effect transistor, is connected to the collector of the first ipolyarnogo transistor additionally introduced diode or transistor optocoupler circuits performing electrical isolation source and load control signal. The second zener diode electrode is connected to the collector of the first bipolar transistor and is connected through one of the additional resistors to one of the poles of the power supply of the control circuit, the second pole of which is connected to the opposite pole of the load power source.
RU94044397A 1994-12-19 1994-12-19 Transistor gate RU2076441C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94044397A RU2076441C1 (en) 1994-12-19 1994-12-19 Transistor gate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94044397A RU2076441C1 (en) 1994-12-19 1994-12-19 Transistor gate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94044397A true RU94044397A (en) 1996-06-10
RU2076441C1 RU2076441C1 (en) 1997-03-27

Family

ID=20163232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94044397A RU2076441C1 (en) 1994-12-19 1994-12-19 Transistor gate

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2076441C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU174898U1 (en) * 2017-07-06 2017-11-09 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) Independent semiconductor switch n-p-n type transistor

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2465686C1 (en) * 2011-04-11 2012-10-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) Transistor bipolar switch on source of ac supply
RU2523598C2 (en) * 2011-12-15 2014-07-20 Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) Method and apparatus for controlling insulated-gate bipolar or field-effect transistor gates (versions)
RU2553099C1 (en) * 2014-08-26 2015-06-10 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" Transistor key with short-circuit protection
RU208111U1 (en) * 2021-07-29 2021-12-02 Публичное акционерное общество "Красногорский завод им. С.А. Зверева", ПАО КМЗ ANALOG SIGNAL SWITCH

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU174898U1 (en) * 2017-07-06 2017-11-09 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) Independent semiconductor switch n-p-n type transistor

Also Published As

Publication number Publication date
RU2076441C1 (en) 1997-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4736121A (en) Charge pump circuit for driving N-channel MOS transistors
US4430586A (en) Switch with an MIS-FET operated as a source follower
KR920010900A (en) Semiconductor delay circuit
KR970056052A (en) Semiconductor switch
KR840006895A (en) Interface circuit
JPH054849B2 (en)
GB2195506A (en) Cascode bimos driving circuit
KR960032836A (en) Reverse battery protection circuit
KR880013251A (en) Monolithic Integrated Circuit Devices
KR880012094A (en) Power supply
KR840004835A (en) Integrated Semiconductor Circuits
KR910008953A (en) CMOS Integrated Circuits for Capacitance Device Driving
KR940003156A (en) Power supply circuits and electrical devices with them
KR880001109A (en) Integrated Logic Circuit
KR870009549A (en) Fast Switch-Off Circuit of Conductivity Modulated Field Effect Transistor
KR970067329A (en) Power switching circuit
US6531895B1 (en) Isolated gate drive circuit having a switched input capacitor
RU94044397A (en) Transistor switch
KR840007325A (en) Switch circuit
ATE243384T1 (en) ELECTRONIC SWITCHING POWER SUPPLY
JPS57192128A (en) Analog switch circuit
JP2001251846A (en) Power semiconductor device
KR900015430A (en) Current measurement and control circuit of inductive electric load
JP4112747B2 (en) Switching switching means
SU1598152A1 (en) Transistor relay