RU208111U1 - ANALOG SIGNAL SWITCH - Google Patents

ANALOG SIGNAL SWITCH Download PDF

Info

Publication number
RU208111U1
RU208111U1 RU2021122676U RU2021122676U RU208111U1 RU 208111 U1 RU208111 U1 RU 208111U1 RU 2021122676 U RU2021122676 U RU 2021122676U RU 2021122676 U RU2021122676 U RU 2021122676U RU 208111 U1 RU208111 U1 RU 208111U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
control
field
junction
gate
voltage
Prior art date
Application number
RU2021122676U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Артем Владимирович Васильев
Алексей Владимирович Аверин
Ольга Валерьевна Федотова
Надежда Валерьевна Федотова
Дмитрий Алексеевич Моршин
Александр Александрович Шаров
Original Assignee
Публичное акционерное общество "Красногорский завод им. С.А. Зверева", ПАО КМЗ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Публичное акционерное общество "Красногорский завод им. С.А. Зверева", ПАО КМЗ filed Critical Публичное акционерное общество "Красногорский завод им. С.А. Зверева", ПАО КМЗ
Priority to RU2021122676U priority Critical patent/RU208111U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU208111U1 publication Critical patent/RU208111U1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H01L29/749—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action with turn-on by field effect
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/722—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/735—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors

Abstract

Полезная модель относится к области электроники и может быть использована для построения электронных устройств управления. Технический результат - снижение минимально допустимого управляющего напряжения коммутатора в открытом состоянии. Коммутатор аналогового сигнала содержит полевой транзистор с управляющим p-n переходом, затворный резистор. Для достижения технического результата введены источник напряжения смещения, биполярный n-p-n транзистор, токоограничивающий резистор, шунтирующий диод. Технический результат - снижение минимального допустимого для открытия коммутатора управляющего напряжения обеспечен за счет уменьшения тока через затворный резистор при низких значениях управляющего напряжения. 1з.п. ф-лы, 2 ил.The utility model relates to the field of electronics and can be used to build electronic control devices. EFFECT: lowering the minimum allowable control voltage of the switch in the open state. The analog signal switch contains a field effect transistor with a control p-n junction, a gate resistor. To achieve a technical result, a bias voltage source, a bipolar n-p-n transistor, a current-limiting resistor, and a shunt diode are introduced. EFFECT: lowering the minimum allowable control voltage for opening the switch is achieved by reducing the current through the gate resistor at low values of the control voltage. 1z.p. f-ly, 2 ill.

Description

Полезная модель относится к области электроники и может быть использована для построения электронных устройств управления.The utility model relates to the field of electronics and can be used to build electronic control devices.

Известен коммутатор аналоговых сигналов на МДП транзисторе (А.Л. Булычев, В.И. Галкин, В.А. Прохоренко, Аналоговые интегральные схемы, Справочник 2-е издание, переработанное и дополненное. Минск "БЕЛАРУСЬ", 1993, рис. 1.134 с. 129). У данного коммутатора управляющее напряжение в закрытом состоянии должно быть Uупр ≥ Uвх - Uп, а в открытом Uупр ≤ Uвх - Uп, где Uвх - значение входного напряжения, a Uп - пороговое напряжение. При этом существенным недостатком такого ключа является глубокая зависимость проводимости в открытом состоянии от Uвх.Known switch for analog signals on the MDP transistor (AL Bulychev, VI Galkin, VA Prokhorenko, Analog integrated circuits, Handbook 2nd edition, revised and supplemented. Minsk "BELARUS", 1993, Fig. 1.134 p. 129). For this switch, the control voltage in the closed state should be Ucont ≥ Uin - Uп, and in the open Ucontr ≤ Uin - Uп, where Uпр is the value of the input voltage, and Uп is the threshold voltage. At the same time, a significant drawback of such a switch is the deep dependence of the open state conductivity on Uin.

Известен коммутатор аналоговых сигналов с плавающим затвором (Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. М. Высшая школа, 1991, с. 527-528), выбранный в качестве наиболее близкого аналога, содержащий полевой транзистор, на сток которого подается коммутируемый сигнал, а к истоку подключается нагрузка. На затвор транзистора, через запирающий диод, подается управляющее напряжение, при этом к затвору и стоку транзистора подключен затворный резистор. Такой коммутатор обладает малым током утечки в закрытом состоянии, а также у него отсутствует остаточное напряжение в открытом состоянии. Для правильной работы коммутатора в открытом состоянии управляющее напряжение Uупр должно бытьKnown switch of analog signals with a floating gate (Gusev V.G., Gusev Yu.M. Electronics. M. Higher School, 1991, pp. 527-528), selected as the closest analogue, containing a field-effect transistor, the drain of which is fed the switched signal, and the load is connected to the source. A control voltage is applied to the gate of the transistor through a blocking diode, while a gate resistor is connected to the gate and drain of the transistor. Such a switch has a low leakage current in the off-state, and also has no residual voltage in the open state. For correct operation of the switch in the open state, the control voltage Ucontrol must be

Figure 00000001
Figure 00000001

где Uвх - значение входного напряжения, Uотс - напряжение отсечки полевого транзистора. В случае если управляющее напряжение не соответствует неравенству (1), через резистор затвора и открытый запирающий диод потечет ток, который создаст падение напряжения на резисторе затвора, что, в свою очередь, приведет к нежелательному закрытию полевого транзистора. Например, в случае применения полевого транзистора типа КП303В, Uотс может лежать в интервале 0,1 - 0,4 В, таким образом, при максимальном напряжении Uвх равном 1B, Uупр должно быть не менее 0,9 В.where Uin is the value of the input voltage, Uotc is the cutoff voltage of the field-effect transistor. If the control voltage does not correspond to inequality (1), a current will flow through the gate resistor and the open blocking diode, which will create a voltage drop across the gate resistor, which, in turn, will lead to an unwanted closure of the field-effect transistor. For example, in the case of using a field-effect transistor of the KP303V type, Uotc can be in the range of 0.1 - 0.4 V, thus, with a maximum voltage Uin equal to 1B, Ucont must be at least 0.9 V.

Задачей предлагаемой полезной модели является повышение эксплуатационных характеристик.The task of the proposed utility model is to improve performance.

Технический результат - снижение минимального допустимого для открытия коммутатора аналогового сигнала управляющего напряжения за счет уменьшения тока через затворный резистор при низких значениях управляющего напряжения.The technical result is to reduce the minimum allowable for opening the switch analog control voltage signal by reducing the current through the gate resistor at low values of the control voltage.

Это достигается тем, что коммутатор аналогового сигнала, содержащий полевой транзистор с управляющим p-n переходом, сток которого соединен с источником коммутируемого сигнала, а исток с нагрузкой, затворный резистор, первый вывод которого подключен к стоку, а второй к затвору полевого транзистора с управляющим p-n переходом, запирающий элемент, первый вывод которого подключен к затвору полевого транзистора с управляющим p-n переходом, а второй вывод подключен к источнику управляющего напряжения, вотличие от известного, в качестве запирающего элемента выбран биполярный транзистор, коллектор которого подключен к затвору полевого транзистора с управляющим p-n переходом, кроме того, коммутатор аналогового сигнала дополнительно снабжен источником напряжения смещения, положительный вывод которого подключен к общему проводу с источником коммутируемого сигнала, а отрицательный вывод подключен к базе биполярного транзистора, а источник управляющего напряжения подключен к эмиттеру биполярного транзистора, через токоограничивающий резистор.This is achieved by the fact that an analog signal switch containing a field-effect transistor with a control pn junction, the drain of which is connected to the source of the switched signal, and the source to the load, a gate resistor, the first terminal of which is connected to the drain, and the second to the gate of the field-effect transistor with a control pn junction , a blocking element, the first terminal of which is connected to the gate of a field-effect transistor with a control pn junction, and the second terminal is connected to a source of control voltage, unlike the known one, a bipolar transistor is selected as a blocking element, the collector of which is connected to the gate of a field-effect transistor with a control pn junction, in addition, the analog signal switch is additionally equipped with a bias voltage source, the positive terminal of which is connected to the common wire with the source of the switched signal, and the negative terminal is connected to the base of the bipolar transistor, and the control voltage source is connected to the emitter of the bipolar transistor Anzistor through a current-limiting resistor.

В частном случае выполнения коммутатор аналогового сигнала может содержать шунтирующий диод, катод которого подключен к базе биполярного транзистора, а анод подключен к эмиттеру биполярного транзистора.In a particular embodiment, the analog signal switch may contain a shunt diode, the cathode of which is connected to the base of the bipolar transistor, and the anode is connected to the emitter of the bipolar transistor.

Изобретение поясняется чертежами, где на фиг.1 приведена электрическая схема варианта исполнения предлагаемого коммутатора аналогового сигнала, на фиг.2 приведена электрическая схема варианта исполнения предлагаемого коммутатора аналогового сигнала содержащего шунтирующий диод.The invention is illustrated by drawings, where figure 1 shows an electrical diagram of an embodiment of the proposed switch of an analog signal, figure 2 shows an electrical diagram of an embodiment of the proposed switch of an analog signal containing a shunt diode.

На фиг.1 приведена электрическая схема варианта исполнения предлагаемого коммутатора аналогового сигнала. Электрическая схема содержит источник коммутируемого сигнала 1, полевой транзистор 2 с управляющим p-n переходом, нагрузку 3, затворный резистор 4, источник напряжения смещения 5, биполярный транзистор 6, токоограничивающий резистор 7, источник управляющего напряжения 8. Выход источника коммутируемого сигнала 1 подключен к стоку полевого транзистора 2 с управляющим p-n переходом, исток полевого транзистора 2 с управляющим p-n переходом подключен к нагрузке 3, первый вывод затворного резистора 4 подключен к стоку полевого транзистора 2 с управляющим p-n переходом, второй вывод затворного резистора 4 подключен к затвору полевого транзистора 2 с управляющим p-n переходом, коллектор биполярного транзистора 6 подключен к затвору полевого транзистора 2 с управляющим p-n переходом, база биполярного транзистора 6 подключена к отрицательному выводу источника напряжения смещения 5, эмиттер биполярного транзистора 6 подключен к первому выводу токоограничивающего резистора 7, второй вывод токоограничивающего резистора 7 подключен к источнику управляющего напряжения 8.Figure 1 shows an electrical diagram of an embodiment of the proposed analog signal switch. The electrical circuit contains a source of a commutated signal 1, a field-effect transistor 2 with a control pn junction, a load 3, a gate resistor 4, a bias voltage source 5, a bipolar transistor 6, a current-limiting resistor 7, a control voltage source 8. The output of a source of a commutated signal 1 is connected to the field-effect drain transistor 2 with a control pn junction, the source of the field-effect transistor 2 with a control pn junction is connected to the load 3, the first terminal of the gate resistor 4 is connected to the drain of the field-effect transistor 2 with a control pn junction, the second terminal of the gate resistor 4 is connected to the gate of the field-effect transistor 2 with a control pn junction, the collector of the bipolar transistor 6 is connected to the gate of the field-effect transistor 2 with a control pn junction, the base of the bipolar transistor 6 is connected to the negative terminal of the bias voltage source 5, the emitter of the bipolar transistor 6 is connected to the first terminal of the current-limiting resistor 7, the second terminal of the currentogram The pulling resistor 7 is connected to the control voltage source 8.

На фиг.2 приведена электрическая схема варианта исполнения предлагаемого коммутатора аналогового сигнала содержащего все вышеперечисленные элементы на фиг.1, и, кроме того, шунтирующий диод 9.Figure 2 shows an electrical diagram of an embodiment of the proposed switch of an analog signal containing all of the above elements in figure 1, and, in addition, a shunt diode 9.

Принцип действия коммутатора аналогового сигнала (фиг.1) основан на том, что в закрытом состоянии биполярный транзистор 6 имеет очень большое выходное сопротивление, которое мало зависит от напряжения на его коллекторе. В случае, когда для напряжения Uупр на источнике управляющего напряжения 8 имеет место неравенствоThe principle of operation of the analog signal switch (Fig. 1) is based on the fact that in the closed state the bipolar transistor 6 has a very high output impedance, which depends little on the voltage across its collector. In the case when for the voltage Ucontrol on the control voltage source 8 the inequality takes place

Figure 00000002
Figure 00000002

где Uсм - величина напряжения источника напряжения смещения 5, через токоограничивающий резистор 7 будет протекать ток Irwhere Ucm is the voltage value of the bias voltage source 5, current Ir will flow through the current-limiting resistor 7

Figure 00000003
Figure 00000003

где Ue - напряжение источника управляющего напряжения 8, a R - сопротивление токоограничивающего резистора 7. Если принять ток базы пренебрежимо малым, то ток коллектора биполярного транзистора 6 будет примерно равен току эмиттера, который, в свою очередь, равен току через токоограничивающий резистор 7 - Ir. Ток коллектора, протекая через затворный резистор 4, создает на нем падение напряжения, равноеwhere Ue is the voltage of the control voltage source 8, and R is the resistance of the current-limiting resistor 7. If we take the base current to be negligible, then the collector current of the bipolar transistor 6 will be approximately equal to the emitter current, which, in turn, is equal to the current through the current-limiting resistor 7 - Ir ... The collector current, flowing through the gate resistor 4, creates a voltage drop across it equal to

Figure 00000004
Figure 00000004

где Rз - сопротивление затворного резистора 4. Если сопротивление Rз выбрано из соотношенияwhere Rz is the resistance of the gate resistor 4. If the resistance Rz is selected from the ratio

Figure 00000005
Figure 00000005

где Uвх max - максимальное значение коммутируемого напряжения, а напряжение источника напряжения смещения 5 выбрано из соотношения: -Uсм < Uвх min - Uoтc, где Uвх min - минимальное напряжение коммутируемого сигнала, то биполярный транзистор 6 перейдет в режим насыщения и на затворе полевого транзистора 2 с управляющим р-n переходом будет присутствовать постоянное запирающее напряжение U равноеwhere Uin max is the maximum value of the switched voltage, and the voltage of the bias voltage source 5 is selected from the ratio: -Ucm <Uin min - Uotc, where Uin min is the minimum voltage of the switched signal, then the bipolar transistor 6 will go into saturation mode and at the gate of the field-effect transistor 2 with a control pn junction, there will be a constant blocking voltage U equal to

Figure 00000006
Figure 00000006

которое не зависит от величины входного напряжения. В таком состоянии коммутатор закрыт и коммутируемое напряжение не подается на нагрузку. В случае, когда напряжение на источнике управляющего напряжения 8which does not depend on the magnitude of the input voltage. In this state, the switch is closed and the switched voltage is not supplied to the load. In the case when the voltage at the control voltage source is 8

Figure 00000007
Figure 00000007

то эмиттерный переход биполярного транзистора 6 смещается в обратном направлении, биполярный транзистор 6 закрывается и падение напряжения U на затворном резисторе 4 будет равноthen the emitter junction of the bipolar transistor 6 is biased in the opposite direction, the bipolar transistor 6 closes and the voltage drop U across the gate resistor 4 will be equal to

Figure 00000008
Figure 00000008

где: Iкбо - обратный ток коллектора биполярного транзистора 6. Поскольку величина Iкбо у большинства современных биполярных транзисторов очень мала, то напряжение на затворе полевого транзистора 2 с управляющим p-n переходом будет приблизительно равно напряжению коммутируемого сигнала и не будет зависеть от величины напряжения источника управляющего напряжения 8. В таком состоянии полевой транзистор 2 с управляющим p-n переходом, открыт и коммутируемое напряжение подается на нагрузку 3.where: Ikbo is the reverse collector current of the bipolar transistor 6. Since the value of Ikbo in most modern bipolar transistors is very small, the voltage at the gate of the field-effect transistor 2 with a control pn junction will be approximately equal to the voltage of the switched signal and will not depend on the voltage of the control voltage source 8 In this state, the field-effect transistor 2 with a control pn junction is open and the switched voltage is supplied to the load 3.

Коммутатор аналогового сигнала, изображенный на фиг.2 это возможная электрическая схема варианта исполнения предлагаемого коммутатора аналогового сигнала содержащая все вышеперечисленные элементы, изображенные на фиг.1, и, кроме того, шунтирующий диод 9, катод которого подключен к базе биполярного транзистора 6, анод подключен к эмиттеру биполярного транзистора 6. Шунтирующий диод 9 предохраняет обратно смещенный эмиттерный переход биполярного транзистора 6 от пробоя при больших напряжениях источника управляющего напряжения 8.The analog signal switch shown in Fig. 2 is a possible electrical diagram of an embodiment of the proposed analog signal switch containing all of the above elements shown in Fig. 1, and, in addition, a shunt diode 9, the cathode of which is connected to the base of the bipolar transistor 6, the anode is connected to the emitter of the bipolar transistor 6. The shunt diode 9 protects the reverse biased emitter junction of the bipolar transistor 6 from breakdown at high voltages of the control voltage source 8.

Таким образом, наличие источника напряжения смещения, биполярного транзистора, токоограничивающего резистора и шунтирующего диода позволяет достичь технического результата - снизить минимально допустимое управляющее напряжение в открытом состоянии коммутатора аналогового сигнала до величиныThus, the presence of a bias voltage source, a bipolar transistor, a current-limiting resistor and a shunt diode makes it possible to achieve the technical result - to reduce the minimum permissible control voltage in the open state of the analog signal switch to the value

U = -(Uсм + 0,6B).U = - (Ucm + 0.6B).

Например, если Uсм выбрать равным 9 В, то минимально допустимое управляющее напряжение будет равным -9,6 В.For example, if Ucm is chosen equal to 9 V, then the minimum allowable control voltage will be -9.6 V.

Claims (2)

1. Коммутатор аналогового сигнала, содержащий полевой транзистор с управляющим p-n переходом, сток которого соединен с источником коммутируемого сигнала, а исток с нагрузкой, затворный резистор, первый вывод которого подключен к стоку, а второй - к затвору полевого транзистора с управляющим p-n переходом, запирающий элемент, первый вывод которого подключен к затвору полевого транзистора с управляющим p-n переходом, а второй вывод подключен к источнику управляющего напряжения, отличающийся тем, что в качестве запирающего элемента выбран биполярный транзистор, коллектор которого подключен к затвору полевого транзистора с управляющим p-n переходом, кроме того, коммутатор аналогового сигнала дополнительно снабжен источником напряжения смещения, положительный вывод которого подключен к общему проводу с источником коммутируемого сигнала, а отрицательный вывод подключен к базе биполярного транзистора, а источник управляющего напряжения подключен к эмиттеру биполярного транзистора через токоограничивающий резистор.1. An analog signal switch containing a field-effect transistor with a control pn junction, the drain of which is connected to the source of the switched signal, and the source to the load, a gate resistor, the first terminal of which is connected to the drain, and the second - to the gate of the field-effect transistor with a control pn junction, blocking an element, the first terminal of which is connected to the gate of a field-effect transistor with a control pn junction, and the second terminal is connected to a control voltage source, characterized in that a bipolar transistor is selected as a blocking element, the collector of which is connected to the gate of a field-effect transistor with a control pn junction, in addition , the analog signal switch is additionally equipped with a bias voltage source, the positive terminal of which is connected to the common wire with the source of the switched signal, and the negative terminal is connected to the base of the bipolar transistor, and the control voltage source is connected to the emitter of the bipolar transistor through a current terminating resistor. 2. Коммутатор аналогового сигнала по п. 1, отличающийся тем, что он снабжен шунтирующим диодом, катод которого подключен к базе, а анод к эмиттеру биполярного транзистора.2. An analog signal switch according to claim 1, characterized in that it is equipped with a shunt diode, the cathode of which is connected to the base, and the anode to the emitter of the bipolar transistor.
RU2021122676U 2021-07-29 2021-07-29 ANALOG SIGNAL SWITCH RU208111U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021122676U RU208111U1 (en) 2021-07-29 2021-07-29 ANALOG SIGNAL SWITCH

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021122676U RU208111U1 (en) 2021-07-29 2021-07-29 ANALOG SIGNAL SWITCH

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU208111U1 true RU208111U1 (en) 2021-12-02

Family

ID=79174831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021122676U RU208111U1 (en) 2021-07-29 2021-07-29 ANALOG SIGNAL SWITCH

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU208111U1 (en)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU762188A1 (en) * 1978-11-01 1980-09-07 Vladimir L Gajdukov On-off logical module
RU2076441C1 (en) * 1994-12-19 1997-03-27 Московская государственная текстильная академия им.А.Н.Косыгина Transistor gate
US5719411A (en) * 1994-07-28 1998-02-17 International Rectifier Corporation Three-terminal MOS-gate controlled thyristor structures with current saturation characteristics
RU2199795C2 (en) * 2001-04-05 2003-02-27 Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И.Ленина" Semiconductor key device with field control
US7215200B1 (en) * 2005-04-28 2007-05-08 Linear Technology Corporation High-linearity differential amplifier with flexible common-mode range
RU74533U1 (en) * 2008-03-21 2008-06-27 Открытое Акционерное Общество Научно-Производственное Объединение "Энергомодуль" (Оао Нпо "Энергомодуль") KEY SEMICONDUCTOR DEVICE
RU2617930C1 (en) * 2016-04-11 2017-04-28 Евгений Леонидович Пущин Cascode amplifier of type general drain - general base
RU2642337C1 (en) * 2016-11-30 2018-01-24 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Bipolar-field operating amplifier
RU2677401C1 (en) * 2018-03-02 2019-01-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Bipolar-field buffer amplifier
RU189075U1 (en) * 2019-02-04 2019-05-08 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет" Backup Power Device
RU2712411C1 (en) * 2019-10-11 2020-01-28 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Operational amplifier cjfet intermediate stage with paraphase current output

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU762188A1 (en) * 1978-11-01 1980-09-07 Vladimir L Gajdukov On-off logical module
US5719411A (en) * 1994-07-28 1998-02-17 International Rectifier Corporation Three-terminal MOS-gate controlled thyristor structures with current saturation characteristics
RU2076441C1 (en) * 1994-12-19 1997-03-27 Московская государственная текстильная академия им.А.Н.Косыгина Transistor gate
RU2199795C2 (en) * 2001-04-05 2003-02-27 Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И.Ленина" Semiconductor key device with field control
US7215200B1 (en) * 2005-04-28 2007-05-08 Linear Technology Corporation High-linearity differential amplifier with flexible common-mode range
RU74533U1 (en) * 2008-03-21 2008-06-27 Открытое Акционерное Общество Научно-Производственное Объединение "Энергомодуль" (Оао Нпо "Энергомодуль") KEY SEMICONDUCTOR DEVICE
RU2617930C1 (en) * 2016-04-11 2017-04-28 Евгений Леонидович Пущин Cascode amplifier of type general drain - general base
RU2642337C1 (en) * 2016-11-30 2018-01-24 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Bipolar-field operating amplifier
RU2677401C1 (en) * 2018-03-02 2019-01-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Bipolar-field buffer amplifier
RU189075U1 (en) * 2019-02-04 2019-05-08 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет" Backup Power Device
RU2712411C1 (en) * 2019-10-11 2020-01-28 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Operational amplifier cjfet intermediate stage with paraphase current output

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9755639B2 (en) Device and method for an electronic circuit having a driver and rectifier
US8466735B2 (en) High temperature gate drivers for wide bandgap semiconductor power JFETs and integrated circuits including the same
US20140091852A1 (en) Switch Circuit with a First Transistor Device and a Second Transistor Device Connected in Series
WO2001046768A1 (en) Voltage regulator provided with a current limiter
US6927617B2 (en) Integrated circuit
US20170033556A1 (en) Over voltage protection circuit
US20240056071A1 (en) Semiconductor device
US10454479B2 (en) Inverter with balanced voltages across internal transistors
RU208111U1 (en) ANALOG SIGNAL SWITCH
CN107395183B (en) Pulse high-current ignition switch circuit
US4118640A (en) JFET base junction transistor clamp
US20030179021A1 (en) Drive control circuit for a junction field-effect transistor
US6870417B2 (en) Circuit for loss-less diode equivalent
RU2690838C1 (en) Protective device
US11177650B2 (en) Overvoltage protection circuit
US6051993A (en) Level shift circuit compensating for circuit element characteristic variations
US20230085390A1 (en) Electronic circuitry, electronic system, and driving method
KR20050026870A (en) Semiconductor integrated circuit device
US20230110867A1 (en) Gate bias circuit for a driver monolithically integrated with a gan power fet
KR19980034554A (en) Internal power supply voltage generation circuit of semiconductor memory device
EP4274074A1 (en) Isolation connections for high-voltage power stage
US20240106432A1 (en) Gate Drive Apparatus and Control Method
US20210203320A1 (en) Input circuit
SU1633486A1 (en) Field-effect-transistor switch
US20210211128A1 (en) Gate Drive Apparatus and Control Method