Claims (1)
Изобретение относится к конструкции интегрального силового полупроводникового прибора - тиристора, проводящего в обратном направлении, и может быть использовано при создании новых типов тиристоров. Цель: повышение нагрузочной способности тиристора и его помехоустойчивости по цепи управления за счет увеличения активной площади прибора. Для этого в силовом тиристоре, проводящем в обратном направлении и содержащем зоны основного тиристора и диода, которые образуют две смежные области полупроводниковой структуры прибора и разделены между собой по своим смежным границам изолирующей зоной, зону вспомогательного тиристора, которая расположена между зоной основного тиристора и центральным управляющим электродом, и снабженного металлизациями всех зон за исключением поверхности p-слоя изолирующей зоны, изолирующая зона в проекции на плоскость, параллельную плоскостям p-n-переходов, выполнена в виде двух одинаковых радиально направленных участков, а зона вспомогательного тиристора выполнена с зазором, который обращен в сторону диодной зоны.The invention relates to the design of an integrated power semiconductor device - a thyristor, conducting in the opposite direction, and can be used to create new types of thyristors. Purpose: to increase the load capacity of the thyristor and its noise immunity along the control circuit by increasing the active area of the device. To do this, in the power thyristor, conducting in the opposite direction and containing the zones of the main thyristor and the diode, which form two adjacent areas of the semiconductor structure of the device and separated by their adjacent boundaries by the insulating zone, the zone of the auxiliary thyristor, which is located between the zone of the main thyristor and the central control electrode, and equipped with metallization of all zones except the surface of the p-layer of the insulating zone, the insulating zone in projection onto a plane parallel to the planes of pn-ne ehodov is formed as a radially directed two identical portions, and an auxiliary thyristor zone is formed with a gap, which faces the diode zone.