RU94008630A - Варактор - Google Patents

Варактор

Info

Publication number
RU94008630A
RU94008630A RU94008630/25A RU94008630A RU94008630A RU 94008630 A RU94008630 A RU 94008630A RU 94008630/25 A RU94008630/25 A RU 94008630/25A RU 94008630 A RU94008630 A RU 94008630A RU 94008630 A RU94008630 A RU 94008630A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
junction
thickness
varactor
working area
voltage
Prior art date
Application number
RU94008630/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2102819C1 (ru
Inventor
В.М. Иоффе
С.И. Чикичев
Original Assignee
Институт физики полупроводников СО РАН
В.М. Иоффе
Чикачев С.И.
Filing date
Publication date
Application filed by Институт физики полупроводников СО РАН, В.М. Иоффе, Чикачев С.И. filed Critical Институт физики полупроводников СО РАН
Priority to RU94008630A priority Critical patent/RU2102819C1/ru
Priority claimed from RU94008630A external-priority patent/RU2102819C1/ru
Publication of RU94008630A publication Critical patent/RU94008630A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2102819C1 publication Critical patent/RU2102819C1/ru

Links

Claims (1)

  1. Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, реактивностью которых управляют с помощью напряжения, а именно - к варакторам. В варакторе, состоящем из рабочей области с омическим контактом, на которой сформирован p-n переход или барьер Шоттки с другим контактом, рабочая область выполнена в виде плоскопараллельной пластины из полупроводника, в котором вдоль поверхности в направлении x создан неоднородный профиль распределения примеси Ni(x)(Nmax < Ni(x) < Nmin). P-n переход сформирован с двух сторон пластины на участке, содержащем этот профиль, а толщина пластины t удовлетворяет условию: 2R(O,Nmin)<t≤2R(U min пр ), где R(U min пр ) - толщина области пространственного заряда при минимальном напряжении пробоя Uпр, R(О,Nmin) - толщина области пространственного заряда при нулевом смещении. Заданный закон изменения емкости варактора от напряжения обеспечивают выбором функциональной зависимости y(x), размера p-n перехода в направлении y. Рабочая область варактора также может быть полупроводниковой пленкой толщиной d на подложке, p-n переход сформирован на одной стороне, а толщина пленки удовлетворяет условию: R(0,Nmin)<d≤ R(U min пр ). Получены варакторы с наперед заданной убывающей зависимостью C(U), в том числе и линейной, с большими коэффициентами перекрытия по емкости, которые не лимитируются напряжением пробоя. Существенно упрощена технология изготовления приборов.
RU94008630A 1994-03-14 1994-03-14 Варактор RU2102819C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94008630A RU2102819C1 (ru) 1994-03-14 1994-03-14 Варактор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94008630A RU2102819C1 (ru) 1994-03-14 1994-03-14 Варактор

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94008630A true RU94008630A (ru) 1995-11-10
RU2102819C1 RU2102819C1 (ru) 1998-01-20

Family

ID=20153430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94008630A RU2102819C1 (ru) 1994-03-14 1994-03-14 Варактор

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2102819C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997018590A1 (fr) * 1995-11-15 1997-05-22 Valery Moiseevich Ioffe Condensateur a tension commandee

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997018590A1 (fr) * 1995-11-15 1997-05-22 Valery Moiseevich Ioffe Condensateur a tension commandee

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5777373A (en) Semiconductor structure with field-limiting rings and method for making
EP0436171A1 (en) High voltage planar edge termination using a punch-through retarding implant
ES8206917A1 (es) Un dispositivo semiconductor perfeccionado
GB2137412A (en) Semiconductor device
US5311052A (en) Planar semiconductor component with stepped channel stopper electrode
RU94008630A (ru) Варактор
CA1234225A (en) Low capacitance transistor cell element and transistor array
KR950015809A (ko) 에피택셜 과성장 방법 및 디바이스
KR970008558A (ko) 반도체 메모리장치의 모오스 캐패시터의 크랙 방지구조
KR900005461A (ko) 차단된 전하축적 구조체
US3483443A (en) Diode having large capacitance change related to minimal applied voltage
GB1504592A (en) Resonance circuits using variable capacitance semiconductor elements
JPS5348487A (en) Semiconductor device
FR2356276A1 (fr) Dispositif semi-conducteur a tension de rupture elevee
RU2119698C1 (ru) Варикап
US4665416A (en) Semiconductor device having a protection breakdown diode on a semi-insulative substrate
RU95119346A (ru) Варикап
RU2117360C1 (ru) Полупроводниковый прибор
RU94008629A (ru) Варактор
JPH0145747B2 (ru)
RU2083029C1 (ru) Варактор
RU94029163A (ru) Варикап
RU94036362A (ru) Варикап
RU94017290A (ru) Варактор
RU94007366A (ru) Варактор