RU94029163A - Варикап - Google Patents
ВарикапInfo
- Publication number
- RU94029163A RU94029163A RU94029163/25A RU94029163A RU94029163A RU 94029163 A RU94029163 A RU 94029163A RU 94029163/25 A RU94029163/25 A RU 94029163/25A RU 94029163 A RU94029163 A RU 94029163A RU 94029163 A RU94029163 A RU 94029163A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- film
- voltage
- shape
- depth
- working
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к варикапам (варакторам), полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения. Варикап состоит из полупроводниковой пленки с омическим контактом, размещенной на подложке противоположного с пленкой типа проводимости или на металлической подложке, образующей с пленкой барьер Шоттки, с другим контактом. На рабочем участке пленки создан либо неоднородный профиль распределения примеси, либо неоднородный профиль толщины пленки, либо неоднородный профиль распределения примеси и толщины пленки, выбор профиля легирования и толщины пленки ограничены условием полного обеднения рабочего участка пленки основными носителями заряда до пробоя р-n перехода или барьера Шоттки при подаче на него внешнего смещения, рассчитываемого по формуле, приведенной в описании. Изобретение позволяет повысить добротность варикапов, коэффициент перекрытия по емкости которых не лимитируется напряжением пробоя. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.
Claims (1)
- Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к варикапам (варакторам), полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения. Варикап состоит из полупроводниковой пленки с омическим контактом, размещенной на подложке противоположного с пленкой типа проводимости или на металлической подложке, образующей с пленкой барьер Шоттки, с другим контактом. На рабочем участке пленки создан либо неоднородный профиль распределения примеси, либо неоднородный профиль толщины пленки, либо неоднородный профиль распределения примеси и толщины пленки, выбор профиля легирования и толщины пленки ограничены условием полного обеднения рабочего участка пленки основными носителями заряда до пробоя р-n перехода или барьера Шоттки при подаче на него внешнего смещения, рассчитываемого по формуле, приведенной в описании. Изобретение позволяет повысить добротность варикапов, коэффициент перекрытия по емкости которых не лимитируется напряжением пробоя. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU94029163/25A RU2086045C1 (ru) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | Варикап |
| PCT/RU1994/000269 WO1995031010A1 (en) | 1994-05-10 | 1994-12-07 | Varicap |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU94029163/25A RU2086045C1 (ru) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | Варикап |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU94029163A true RU94029163A (ru) | 1996-07-10 |
| RU2086045C1 RU2086045C1 (ru) | 1997-07-27 |
Family
ID=20159368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU94029163/25A RU2086045C1 (ru) | 1994-05-10 | 1994-08-03 | Варикап |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2086045C1 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2447541C1 (ru) * | 2010-12-03 | 2012-04-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт микроприборов-К" | Мдп-варикап |
-
1994
- 1994-08-03 RU RU94029163/25A patent/RU2086045C1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2086045C1 (ru) | 1997-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5075739A (en) | High voltage planar edge termination using a punch-through retarding implant and floating field plates | |
| US5032878A (en) | High voltage planar edge termination using a punch-through retarding implant | |
| CN105655402B (zh) | 低压超结mosfet终端结构及其制造方法 | |
| CN109037204A (zh) | 一种功率器件及其制作方法 | |
| GB2388470A (en) | Low capacitance bidirectional protection device | |
| US3648340A (en) | Hybrid solid-state voltage-variable tuning capacitor | |
| US3906539A (en) | Capacitance diode having a large capacitance ratio | |
| GB2028582A (en) | Field effect structure | |
| GB1438045A (en) | High frequency voltage-variable capacitor | |
| El-Badry et al. | Experimental studies of switching in metal semi-insulating n-p+ silicon devices | |
| RU94029163A (ru) | Варикап | |
| US3483443A (en) | Diode having large capacitance change related to minimal applied voltage | |
| US5144389A (en) | Insulated gate field effect transistor with high breakdown voltage | |
| RU94036362A (ru) | Варикап | |
| RU2119698C1 (ru) | Варикап | |
| US5077589A (en) | MESFET structure having a shielding region | |
| US4665416A (en) | Semiconductor device having a protection breakdown diode on a semi-insulative substrate | |
| RU2117360C1 (ru) | Полупроводниковый прибор | |
| RU95119346A (ru) | Варикап | |
| RU95100940A (ru) | Варикап | |
| RU2102819C1 (ru) | Варактор | |
| JP2712098B2 (ja) | 半導体装置 | |
| RU94017290A (ru) | Варактор | |
| JPH0475657B2 (ru) | ||
| RU2279736C2 (ru) | Полупроводниковый прибор |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20050804 |