Claims (1)
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности, к полупроводниковым детекторам ионизирующего излучения и может быть использовано при производстве средств измерения ионизирующего излучения. Полупроводниковый детектор содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости и сформированные в ней две области второго типа проводимости и область первого типа проводимости с высокой концентрацией примеси, а также область первого типа проводимости с высокой концентрацией примеси, сформированную в виде сплошного слоя на обратной стороне подложки. На поверхности областей второго типа проводимости, а также на области первого типа проводимости, расположенной на обратной стороне подложки, сформированы электроды. Детектор обладает повышенной чувствительностью к ионизирующему излучению.The invention relates to microelectronics, in particular, to semiconductor detectors of ionizing radiation and can be used in the manufacture of measuring instruments for ionizing radiation. The semiconductor detector contains a semiconductor substrate of the first conductivity type and two regions of the second conductivity type formed therein and a region of the first conductivity type with a high impurity concentration, as well as a region of the first conductivity type with a high impurity concentration, formed as a continuous layer on the back side of the substrate. On the surface of the regions of the second type of conductivity, as well as on the region of the first type of conductivity located on the reverse side of the substrate, electrodes are formed. The detector has a high sensitivity to ionizing radiation.