RU98117319A - AVALANCHE RECEIVER - Google Patents

AVALANCHE RECEIVER

Info

Publication number
RU98117319A
RU98117319A RU98117319/25A RU98117319A RU98117319A RU 98117319 A RU98117319 A RU 98117319A RU 98117319/25 A RU98117319/25 A RU 98117319/25A RU 98117319 A RU98117319 A RU 98117319A RU 98117319 A RU98117319 A RU 98117319A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
buffer layer
semiconductor substrate
avalanche photodetector
photodetector according
avalanche
Prior art date
Application number
RU98117319/25A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2142175C1 (en
Inventor
В.М. Головин
М.Л. Тарасов
Г.Б. Бондаренко
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Центр перспективных технологий и аппаратур"
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Центр перспективных технологий и аппаратур" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Центр перспективных технологий и аппаратур"
Priority to RU98117319A priority Critical patent/RU2142175C1/en
Priority claimed from RU98117319A external-priority patent/RU2142175C1/en
Publication of RU98117319A publication Critical patent/RU98117319A/en
Priority to PCT/RU1999/000337 priority patent/WO2000017940A1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2142175C1 publication Critical patent/RU2142175C1/en

Links

Claims (4)

1. Лавинный фотоприемник, содержащий полупроводниковую подложку, буферный слой и полевой электрод, а также области с повышенной по отношению к подложке концентрацией легирующих примесей, сформированные на поверхности полупроводниковой подложки под буферным слоем, отличающийся тем, что в полупроводниковой подложке между упомянутыми областями выполнены выемки на глубину, не меньшую глубины упомянутых областей.1. An avalanche photodetector containing a semiconductor substrate, a buffer layer and a field electrode, as well as regions with an increased concentration of doping impurities relative to the substrate, formed on the surface of the semiconductor substrate under the buffer layer, characterized in that the recesses are made between said regions in the semiconductor substrate depth not less than the depth of the mentioned areas. 2. Лавинный фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что участки буферного слоя, размещенные над упомянутыми областями, выполнены с большей проводимостью, чем участки буферного слоя между ними. 2. The avalanche photodetector according to claim 1, characterized in that the portions of the buffer layer located above said areas are made with greater conductivity than the portions of the buffer layer between them. 3. Лавинный фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что выемки заполнены светоизолирующим материалом. 3. The avalanche photodetector according to claim 1, characterized in that the recesses are filled with light-insulating material. 4. Лавинный фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что в него дополнительно введен слой, граничащий с полупроводниковой подложкой по ее другой, свободной, поверхности и имеющий большую, чем подложка, концентрацию носителей. 4. The avalanche photodetector according to claim 1, characterized in that an additional layer is introduced therein adjacent to the semiconductor substrate along its other free surface and having a carrier concentration higher than the substrate.
RU98117319A 1998-09-18 1998-09-18 Avalanche photodetector RU2142175C1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU98117319A RU2142175C1 (en) 1998-09-18 1998-09-18 Avalanche photodetector
PCT/RU1999/000337 WO2000017940A1 (en) 1998-09-18 1999-09-17 Avalanche photodetector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU98117319A RU2142175C1 (en) 1998-09-18 1998-09-18 Avalanche photodetector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98117319A true RU98117319A (en) 1999-03-27
RU2142175C1 RU2142175C1 (en) 1999-11-27

Family

ID=20210539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98117319A RU2142175C1 (en) 1998-09-18 1998-09-18 Avalanche photodetector

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU2142175C1 (en)
WO (1) WO2000017940A1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2316848C1 (en) * 2006-06-01 2008-02-10 Садыгов Зираддин Якуб-оглы Microchannel avalanche photodiode
US8742543B2 (en) 2007-02-20 2014-06-03 Ziraddin Yagub-Ogly Sadygov Microchannel avalanche photodiode (variants)
RU2468474C2 (en) * 2007-04-24 2012-11-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Photodiodes and manufacture thereof
KR101648023B1 (en) 2010-12-21 2016-08-12 한국전자통신연구원 Silicon photomultiplier with trench isolation
CN110021617A (en) * 2019-03-29 2019-07-16 中国科学院上海技术物理研究所 A kind of clutter reduction structure of InGaAs snowslide focus planar detector

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02202071A (en) * 1989-01-31 1990-08-10 Toshiba Corp Semiconductor photodetector and manufacture thereof
SU1702831A1 (en) * 1989-10-11 1997-06-27 Институт ядерных исследований АН СССР Avalanche optical detector
RU2105388C1 (en) * 1996-04-10 1998-02-20 Виктор Михайлович Горловин Avalanche photodetector
RU2086047C1 (en) * 1996-05-30 1997-07-27 Зираддин Ягуб-оглы Садыгов Cumulative photodetector

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2000075965A3 (en) Power mosfet and method of making the same
KR970060515A (en) Photodetection Semiconductor Device
ATE231288T1 (en) SILICON CARBIDE METAL INSULATOR SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
WO2002019432A3 (en) Trench mosfet with structure having low gate charge
EP1988579A3 (en) Power MOSFET having a trench gate electrode
TW354430B (en) Photodiode and method for fabricating the same
EP0794575A3 (en) Structure and method of manufacture for CMOS semiconductor device against latch-up effect
KR850700186A (en) Photo detector
CA2050435A1 (en) Photo-sensing device
RU98117319A (en) AVALANCHE RECEIVER
EP0353665A3 (en) Ccd imager
KR940006395A (en) Solid state imaging device and manufacturing method thereof
US4649409A (en) Photoelectric transducer element
RU96119670A (en) Avalanche Photodiode
RU96106491A (en) AVALANCHE RECEIVER
KR910010732A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
RU2001104483A (en) AVALANCHE RECEIVER
KR970067916A (en) Low stress photodiode with low junction leakage
RU96110910A (en) AVALANCHE RECEIVER
JPS6453582A (en) Variable capacitance diode device
KR900008704A (en) Semiconductor devices
JPS6461964A (en) Semiconductor device
KR880010510A (en) Photosensitive device
KR840005930A (en) Semiconductor device
JPS52124887A (en) Solar battery