Claims (22)
1. Способ измерения параметров внешнего воздействия на среду или объект, включающий задание контрольных зависимостей сигнала отклика от внешнего воздействия на эталонную чувствительную среду, воздействие на одну из сторон структуры, выполненной из металлической пленки, нанесенной на подложку, потоком электромагнитного излучения с расположением упомянутой среды со стороны металлической пленки упомянутой структуры, возбуждение в металлической пленке поверхностной электромагнитной волны и формирование сигнала отклика от данной структуры, по сравнению которого с контрольными зависимостями судят об измеряемых параметрах, отличающийся тем, что в качестве подложки используют слой полупроводника, регистрируют электрический сигнал в цепи между металлической пленкой и слоем полупроводника, при этом данный электрический сигнал используют в качестве сигнала отклика от упомянутой структуры.1. A method of measuring the parameters of external influence on a medium or an object, including setting control dependences of the response signal from external influence on a reference sensitive medium, exposure to one of the sides of a structure made of a metal film deposited on a substrate, by a stream of electromagnetic radiation with the location of the above medium with side of the metal film of the above structure, the excitation in the metal film of a surface electromagnetic wave and the formation of a response signal from this structure rounds, in comparison with which the control dependencies are judged on the measured parameters, characterized in that a semiconductor layer is used as a substrate, an electrical signal is recorded in the circuit between the metal film and the semiconductor layer, and this electrical signal is used as a response signal from the mentioned structure.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между металлической пленкой и слоем полупроводника располагают промежуточный слой, удельное сопротивление которого превышает удельное сопротивление упомянутой металлической пленки. 2. The method according to p. 1, characterized in that between the metal film and the semiconductor layer have an intermediate layer, the resistivity of which exceeds the resistivity of said metal film.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что изменяют одну из угловых координат направления потока электромагнитного излучения относительно указанной структуры. 3. The method according to p. 1, characterized in that they change one of the angular coordinates of the direction of flow of electromagnetic radiation relative to the specified structure.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что изменяют частоту электромагнитного излучения. 4. The method according to p. 1, characterized in that the frequency of the electromagnetic radiation is changed.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что электрический сигнал регистрируют на склоне резонансной кривой зависимости величины упомянутого сигнала от по крайней мере одной из координат направления и/или частоты электромагнитного излучения. 5. The method according to p. 1, characterized in that the electrical signal is recorded on the slope of the resonance curve of the dependence of the magnitude of the said signal on at least one of the coordinates of the direction and / or frequency of electromagnetic radiation.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют расходящийся или сходящийся поток электромагнитного излучения. 6. The method according to p. 1, characterized in that they use a diverging or converging stream of electromagnetic radiation.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют коллимированный поток электромагнитного излучения. 7. The method according to p. 1, characterized in that they use a collimated flow of electromagnetic radiation.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют поток монохроматического электромагнитного излучения. 8. The method according to p. 1, characterized in that the flow of monochromatic electromagnetic radiation is used.
9. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют поток немонохроматического электромагнитного излучения. 9. The method according to p. 1, characterized in that use the flow of non-monochromatic electromagnetic radiation.
10. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют поток линейно поляризованного электромагнитного излучения. 10. The method according to p. 1, characterized in that they use a stream of linearly polarized electromagnetic radiation.
11. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подачу потока электромагнитного излучения к среде осуществляют через оптическое волокно. 11. The method according to p. 1, characterized in that the flow of electromagnetic radiation to the medium is carried out through an optical fiber.
12. Устройство для измерения параметров внешнего воздействия на среду или объект, содержащее источник электромагнитного излучения, твердотельную структуру, состоящую из нанесенной на подложку металлической пленки для возбуждения в последней поверхностной электромагнитной волны, объем с эталонной чувствительной средой, расположенный со стороны металлической пленки упомянутой структуры, и блок обработки информации, отличающееся тем, что подложка выполнена из полупроводникового материала, а входы блока обработки информации связаны с металлической пленкой и подложкой. 12. A device for measuring the parameters of external influence on a medium or an object containing a source of electromagnetic radiation, a solid-state structure consisting of a metal film deposited on a substrate for excitation in the last surface electromagnetic wave, a volume with a reference sensitive medium located on the side of the metal film of the said structure, and an information processing unit, characterized in that the substrate is made of semiconductor material, and the inputs of the information processing unit are connected to metal film and substrate.
13. Устройство по п. 12, отличающееся тем, что поверхность раздела металлической пленки и полупроводникового материала выполнена частично или полностью пространственно модулированной. 13. The device according to p. 12, characterized in that the interface between the metal film and the semiconductor material is partially or fully spatially modulated.
14. Устройство по п. 12, отличающееся тем, что между металлической пленкой и полупроводниковым материалом расположен промежуточный слой, удельное сопротивление которого превышает удельное сопротивление упомянутой металлической пленки. 14. The device according to p. 12, characterized in that between the metal film and the semiconductor material there is an intermediate layer, the resistivity of which exceeds the resistivity of said metal film.
15. Устройство по пп. 12 и 14, отличающееся тем, что по крайней мере одна из поверхностей упомянутого промежуточного слоя является частично или полностью пространственно модулированной. 15. The device according to paragraphs. 12 and 14, characterized in that at least one of the surfaces of said intermediate layer is partially or fully spatially modulated.
16. Устройство по п. 12, отличающееся тем, что источник электромагнитного излучения выполнен с возможностью перестройки по частоте излучения. 16. The device according to p. 12, characterized in that the electromagnetic radiation source is configured to be tuned in terms of the radiation frequency.
17. Устройство по п. 12, отличающееся тем, что оно выполнено с возможностью изменения положения упомянутой твердотельной структуры относительно направления распространения электромагнитной волны от источника электромагнитного излучения. 17. The device according to p. 12, characterized in that it is made with the possibility of changing the position of the said solid-state structure relative to the direction of propagation of the electromagnetic wave from the source of electromagnetic radiation.
18. Устройство по п. 12, отличающееся тем, что поверхность металлической пленки со стороны, противоположной расположению слоя полупроводника, пространственно модулирована. 18. The device according to p. 12, characterized in that the surface of the metal film from the side opposite to the location of the semiconductor layer is spatially modulated.
19. Устройство по п. 12, отличающееся тем, что оно снабжено средством для обеспечения полного внутреннего отражения от его выходной грани. 19. The device according to p. 12, characterized in that it is equipped with a means to ensure complete internal reflection from its output face.
20. Устройство по пп. 12 и 19, отличающееся тем, что выходная грань упомянутого средства образует зазор с поверхностью металлической пленки, в котором расположен слой вещества, чей показатель преломления меньше показателя преломления среды упомянутого средства. 20. The device according to paragraphs. 12 and 19, characterized in that the output face of the said means forms a gap with the surface of the metal film in which the layer of the substance is located, whose refractive index is less than the refractive index of the medium of the said means.
21. Устройство по п. 12, отличающееся тем, что оно снабжено средством для поляризации потока электромагнитного излучения. 21. The device according to p. 12, characterized in that it is equipped with a means for polarizing the flow of electromagnetic radiation.
22. Устройство по п. 12, отличающееся тем, что оно снабжено оптическим волокном для подачи потока электромагнитного излучения. 22. The device according to p. 12, characterized in that it is equipped with an optical fiber for supplying a stream of electromagnetic radiation.