Claims (14)
1. Способ измерения параметров состояния среды, включающий задание контрольных зависимостей сигнала отклика от параметров состояния среды, воздействие на одну из сторон структуры, выполненной из металлической пленки, нанесенной на подложку, потоком электромагнитного излучения с расположением упомянутой среды со стороны металлической пленки упомянутой структуры, возбуждение в металлической пленке поверхностной электромагнитной волны и формирование сигнала отклика от данной структуры, по сравнению которого с контрольными зависимостями судят об измеряемых параметрах, отличающийся тем, что в качестве подложки используют слой полупроводника, регистрируют электрический сигнал в цепи между металлической пленкой и слоем полупроводника, при этом данный электрический сигнал используют в качестве сигнала отклика от упомянутой структуры.1. The method of measuring the parameters of the state of the medium, including setting control dependences of the response signal on the parameters of the state of the medium, exposure to one side of a structure made of a metal film deposited on a substrate by electromagnetic radiation with the location of the medium on the side of the metal film of the structure, excitation in a metal film of a surface electromagnetic wave and the formation of a response signal from this structure, compared with the control dependencies We judge the measured parameters, characterized in that a semiconductor layer is used as a substrate, an electrical signal is recorded in the circuit between the metal film and the semiconductor layer, and this electrical signal is used as a response signal from the above structure.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между металлической пленкой и слоем полупроводника располагают промежуточный слой, удельное сопротивление которого превышает удельное сопротивление упомянутой металлической пленки. 2. The method according to p. 1, characterized in that between the metal film and the semiconductor layer have an intermediate layer, the resistivity of which exceeds the resistivity of said metal film.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхности или над поверхностью металлической пленки со стороны, противоположной расположению слоя полупроводника, размещают слой вещества с заданными зависимостями его параметров от величины и типа внешнего воздействия, которое прикладывают к данному слою вещества. 3. The method according to p. 1, characterized in that on the surface or above the surface of the metal film from the side opposite to the location of the semiconductor layer, a layer of substance is placed with predetermined dependences of its parameters on the magnitude and type of external influence that is applied to this layer of substance.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что изменяют одну из угловых координат направления потока электромагнитного излучения относительно указанной структуры. 4. The method according to p. 1, characterized in that they change one of the angular coordinates of the direction of flow of electromagnetic radiation relative to the specified structure.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что изменяют частоту электромагнитного излучения. 5. The method according to p. 1, characterized in that they change the frequency of electromagnetic radiation.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что электрический сигнал регистрируют на склоне резонансной кривой зависимости величины упомянутого сигнала от по крайней мере одной из координат направления и/или частоты потока электромагнитного излучения. 6. The method according to p. 1, characterized in that the electrical signal is recorded on the slope of the resonance curve of the magnitude of the aforementioned signal from at least one of the coordinates of the direction and / or frequency of the electromagnetic radiation flux.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют расходящийся или сходящийся поток электромагнитного излучения. 7. The method according to p. 1, characterized in that they use a diverging or converging stream of electromagnetic radiation.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют коллимированный поток электромагнитного излучения. 8. The method according to p. 1, characterized in that they use a collimated flow of electromagnetic radiation.
9. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют поток монохроматического электромагнитного излучения. 9. The method according to p. 1, characterized in that the flow of monochromatic electromagnetic radiation is used.
10. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют поток немонохроматического электромагнитного излучения. 10. The method according to p. 1, characterized in that they use a stream of non-monochromatic electromagnetic radiation.
11. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют поток линейно поляризованного электромагнитного излучения. 11. The method according to p. 1, characterized in that they use a stream of linearly polarized electromagnetic radiation.
12. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подачу потока электромагнитного излучения к среде осуществляют через оптическое волокно. 12. The method according to p. 1, characterized in that the flow of electromagnetic radiation to the medium is carried out through an optical fiber.
13. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на или над поверхностью металлической пленки располагают по крайней мере один слой вещества для связывания, по крайней мере, одного компонента среды. 13. The method according to p. 1, characterized in that on or above the surface of the metal film have at least one layer of substance for binding at least one component of the medium.
14. Способ по п. 1, отличающийся тем, что поверхность металлической пленки со стороны, противоположной расположению слоя полупроводника, выполняют пространственно модулированной. 14. The method according to p. 1, characterized in that the surface of the metal film from the side opposite to the location of the semiconductor layer is spatially modulated.