RU2806270C1 - Method for manufacturing blade type field emission cathode - Google Patents

Method for manufacturing blade type field emission cathode Download PDF

Info

Publication number
RU2806270C1
RU2806270C1 RU2022130939A RU2022130939A RU2806270C1 RU 2806270 C1 RU2806270 C1 RU 2806270C1 RU 2022130939 A RU2022130939 A RU 2022130939A RU 2022130939 A RU2022130939 A RU 2022130939A RU 2806270 C1 RU2806270 C1 RU 2806270C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
field emission
emission cathode
blade
layer
type field
Prior art date
Application number
RU2022130939A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Алексеевич Дюжев
Максим Александрович Махиборода
Татьяна Алексеевна Грязнева
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
Application granted granted Critical
Publication of RU2806270C1 publication Critical patent/RU2806270C1/en

Links

Abstract

FIELD: electronic equipment.
SUBSTANCE: method for manufacturing a blade-type field emission cathode includes the operations of sequential application of a relief film, a film of cathode material acting as etching masks, and formation of the emitting surface of the field emission cathode - blade-shaped ribs. The edge of the emitting surface is formed by liquid anisotropic etching of silicon until the etch front reaches the stop layer - a relief film consisting of a combination of two layers: one SiO2 layer and one Si3N4 layer.
EFFECT: improved stability of emissivity of cathodes.
1 cl

Description

Изобретение относится к электронной технике, к изготовлению катодов электронных приборов СВЧ-типа, например, в лампах бегущей волны (ЛБВ).The invention relates to electronic technology, to the manufacture of cathodes for microwave-type electronic devices, for example, in traveling wave lamps (TWTs).

Известен катод для ламп бегущей волны и ламп обратной волны, имеющий корпус, выполненный из тугоплавкого металла, в торцевой части которого погружена пропитанная активным веществом и покрытая снаружи слоем металла платиновой группы вольфрамовая губка, у которой по внешней обращенной наружу торцевой части эмитирующей поверхности равномерно распределены микроотверстия, отличающийся тем, что микроотверстия выполнены идентичными лазерной микрогравировкой /1/. Главными недостатками тугоплавких термокатодов являются невысокие экономичность и долговечность, что связанно с большими затратами мощности на подогрев и испарения материала.A known cathode for traveling wave lamps and backward wave lamps has a housing made of refractory metal, in the end part of which a tungsten sponge impregnated with the active substance and coated on the outside with a layer of platinum group metal is immersed, in which microholes are evenly distributed along the outer outward end part of the emitting surface. , characterized in that the microholes are made identical to laser microengraving /1/. The main disadvantages of refractory thermal cathodes are their low efficiency and durability, which is associated with high power consumption for heating and evaporating the material.

Известен способ изготовления замедляющей системы для лампы бегущей волны, в состав которой входит лезвийный катод, так как предполагается использование ленточных электронных пучков /2/. Но, так же как и в предыдущем варианте, катод является термоэмиссионным. Недостатком данного вида катодов является высокая температура, необходимая для эффективной эмиссии электронов, приводящая к увеличению энергопотребления, снижению ресурса устройства, увеличению габаритных размеров и других нежелательных эффектов.There is a known method for manufacturing a slow-wave system for a traveling wave lamp, which includes a blade cathode, since the use of ribbon electron beams /2/ is assumed. But, just like in the previous version, the cathode is thermionic. The disadvantage of this type of cathode is the high temperature required for effective electron emission, which leads to increased energy consumption, reduced device life, increased overall dimensions and other undesirable effects.

Наиболее близким техническим решением является формирование автоэлектронных катодов лезвийного типа, который представляет собой последовательное нанесение на подложку рельефной пленки, имеющей отверстия с отвесными стенками, и пленки материала катода, после удаления пленки рельефа снимают верхнюю часть всех слоев катодной пленки кроме одной /3/. При этом толщина ребра будет порядка 0,1-0,2 мкм. Недостатком данного способа является относительно большая толщина эмитирующей части, в связи с этим для инициирования эмиссии необходимо прикладывать высокие напряжения.The closest technical solution is the formation of blade-type field-electronic cathodes, which consists of sequentially applying a relief film on a substrate, which has holes with steep walls, and a film of cathode material; after removing the relief film, the upper part of all layers of the cathode film except one is removed /3/. In this case, the thickness of the fin will be about 0.1-0.2 microns. The disadvantage of this method is the relatively large thickness of the emitting part; therefore, high voltages must be applied to initiate emission.

Задачей настоящего изобретения является повышение стабильности эмиссионной способности катодов за счет повышения точности воспроизведения геометрии лезвийной эмитирующей части, и возможной замены термоэмиссионных катодов в составе электронных приборов СВЧ-типа для улучшения их технологических характеристик.The objective of the present invention is to increase the stability of the emissive ability of cathodes by increasing the accuracy of reproducing the geometry of the blade emitting part, and the possible replacement of thermionic cathodes as part of microwave-type electronic devices to improve their technological characteristics.

Предложен способ изготовления автоэмиссионного катода лезвийного типа, включающий операции последовательного нанесения рельефной пленки, пленки материала катода, выступающих в роли масок травления и формирование эмитирующей поверхности автоэмиссионного катода - ребра лезвийной формы, отличающийся тем, что ребро эмитирующей поверхности формируется жидкостным анизотропным травлением кремния.A method for manufacturing a blade-type field emission cathode is proposed, which includes the operations of sequential application of a relief film, a film of cathode material acting as etching masks and the formation of the emitting surface of the field emission cathode - a blade-shaped edge, characterized in that the edge of the emitting surface is formed by liquid anisotropic etching of silicon.

Описанный выше способ позволяет формировать лезвия с хорошо воспроизводимой геометрией, поскольку угол при вершине определяется взаимным расположением кристаллографических плоскостей 111 и 100 монокристаллического кремния, и в теории равен 54,75°. При выходе фронта растрава на стоп-слой, состоящий из комбинации слоев SiO2 и Si3N4, формируется клиновидная кромка, на краю которой остается лишь нескольких атомных слоев.The method described above makes it possible to form blades with a highly reproducible geometry, since the apex angle is determined by the relative position of the crystallographic planes 111 and 100 of monocrystalline silicon, and in theory is equal to 54.75°. When the etch front reaches the stop layer, consisting of a combination of SiO 2 and Si 3 N 4 layers, a wedge-shaped edge is formed, at the edge of which only a few atomic layers remain.

Использование анизотропных травителей позволяет получать хорошо воспроизводимую геометрию микроструктур, что объясняется различием влияния травителей на кристаллографические плоскости кремния. В начале травления канавка плоская, далее, по мере углубления она принимает V-образную форму. Глубина канавки определяется размерами отверстия в диэлектрической маске. Останавливающим слоем выступают слои оксид кремния и нитрида кремния. В связи с этим концентрация и температура травителя подбирается с учетом минимальной скорости травления оксида кремния.The use of anisotropic etchants makes it possible to obtain a well-reproducible geometry of microstructures, which is explained by the difference in the influence of etchants on the crystallographic planes of silicon. At the beginning of etching, the groove is flat, then, as it deepens, it takes on a V-shape. The depth of the groove is determined by the size of the hole in the dielectric mask. The stopping layer is layers of silicon oxide and silicon nitride. In this regard, the concentration and temperature of the etchant are selected taking into account the minimum etching rate of silicon oxide.

Возможность изготовления автоэмиссионных катодов лезвийного типа по предлагаемой технологии была подтверждена экспериментально. Формирование катодов лезвийного типа проводилось в объеме подложки монокристаллического кремния КДБ (100). В роли маски травления выступала комбинация слоев: SiO2 толщиной 0,6 мкм и Si3N4 толщиной 0,13 мкм. В работе лезвия получали анизотропным травлением кремния в растворе гидроокиси, был применен мягкий режим травления кремния 10% КОН температура - 800°С). Радиус скругления эмитирующей кромки составил 3-5 атомных слоев.The possibility of manufacturing blade-type field emission cathodes using the proposed technology was confirmed experimentally. The formation of blade-type cathodes was carried out in the volume of a monocrystalline silicon substrate KDB (100). The etching mask was a combination of layers: SiO 2 0.6 μm thick and Si 3 N 4 0.13 μm thick. In this work, the blades were obtained by anisotropic etching of silicon in a hydroxide solution; a soft silicon etching mode was used (10% KOH temperature - 800°C). The rounding radius of the emitting edge was 3-5 atomic layers.

Однородность поверхности и атомарные размеры эмитирующей части позволяют обеспечить высокий уровень эмиссионного тока порядка 104 А/см2, и, следовательно, улучшить технические характеристики работы устройства, в состав которого входит автоэмиссионный катод.The homogeneity of the surface and the atomic dimensions of the emitting part make it possible to provide a high level of emission current of the order of 10 4 A/cm 2 , and, consequently, to improve the technical characteristics of the device, which includes a field emission cathode.

Источники информации:Information sources:

1. Патент РФ №106440.1. RF Patent No. 106440.

2. Патент РФ №183912.2. RF Patent No. 183912.

3. Патент СССР №346766 - прототип.3. USSR patent No. 346766 - prototype.

Claims (1)

Способ изготовления автоэмиссионного катода лезвийного типа, включающий последовательное нанесение рельефной пленки, пленки материала катода, выступающих в роли масок травления, и формирование эмитирующей поверхности автоэмиссионного катода - ребра лезвийной формы, отличающийся тем, что ребро эмитирующей поверхности формируется жидкостным анизотропным травлением кремния до выхода фронта растрава на стоп-слой - рельефную пленку, состоящую из комбинации двух слоев: одного слоя SiO2 и одного слоя Si3N4.A method for manufacturing a blade-type field emission cathode, including sequential application of a relief film, a film of cathode material acting as etching masks, and the formation of the emitting surface of the field emission cathode - a blade-shaped edge, characterized in that the edge of the emitting surface is formed by liquid anisotropic etching of silicon before the etch front emerges on the stop layer - a relief film consisting of a combination of two layers: one layer of SiO 2 and one layer of Si 3 N 4 .
RU2022130939A 2022-11-29 Method for manufacturing blade type field emission cathode RU2806270C1 (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2806270C1 true RU2806270C1 (en) 2023-10-30

Family

ID=

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU346766A1 (en) * В. В. Чесноков METHOD OF MANUFACTURE OF AUTO ELECTRONIC CATHODE
US5248621A (en) * 1990-10-23 1993-09-28 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing solar cell devices of crystalline material
JP2009105306A (en) * 2007-10-25 2009-05-14 Mitsubishi Gas Chem Co Inc Silicon etching liquid, and etching method
US8562855B2 (en) * 2008-05-09 2013-10-22 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Silicon etching liquid and etching method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU346766A1 (en) * В. В. Чесноков METHOD OF MANUFACTURE OF AUTO ELECTRONIC CATHODE
US5248621A (en) * 1990-10-23 1993-09-28 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing solar cell devices of crystalline material
JP2009105306A (en) * 2007-10-25 2009-05-14 Mitsubishi Gas Chem Co Inc Silicon etching liquid, and etching method
US8562855B2 (en) * 2008-05-09 2013-10-22 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Silicon etching liquid and etching method

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
кол.3, стр.3-29. *
перевод на анг. в Espacenet. *
реферат. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3970887A (en) Micro-structure field emission electron source
KR100362377B1 (en) Field emission devices using carbon nanotubes and method thereof
JP2550798B2 (en) Micro cold cathode manufacturing method
KR100287271B1 (en) How to sharpen emitter sites using low temperature oxidation process
KR100367282B1 (en) Field emission-type electron source and manufacturing method thereof
KR20020067686A (en) Field emission electron source, method of producing the same, and use of the same
JP2002117801A (en) Multi-channel plate and its manufacturing method
RU2806270C1 (en) Method for manufacturing blade type field emission cathode
US8159119B2 (en) Vacuum channel transistor and manufacturing method thereof
CN1539152A (en) Tunneling emitter
US5857885A (en) Methods of forming field emission devices with self-aligned gate structure
KR960026078A (en) Manufacturing method of low voltage driven field emission array
JP2728813B2 (en) Field emission type electron source and method of manufacturing the same
JPH07254370A (en) Fine triode and manufacture thereof
US6777169B2 (en) Method of forming emitter tips for use in a field emission display
JP3012517B2 (en) Electron emitting device and method of manufacturing the same
KR0174126B1 (en) Method for making a field emission type electron gun
JP2009158108A (en) Field emission electron source, and manufacturing method thereof
JP3587156B2 (en) Field emission type electron source and method of manufacturing the same
JPH05182583A (en) Field emission type element and manufacture thereof
JP2009252689A (en) Manufacturing method of emitter for field emission element
JP2006216804A (en) Semiconductor substrate and its manufactuing method
JPH0817332A (en) Field emission electronic device and its manufacture
JP3539305B2 (en) Field emission type electron source and method of manufacturing the same
JP2004306184A (en) METHOD FOR FORMING HOLE OR GROOVE ON p-TYPE SILICON SUBSTRATE