RU2802302C1 - Способ изготовления высококристаллических неорганических перовскитных тонких пленок CsPbBr3 - Google Patents
Способ изготовления высококристаллических неорганических перовскитных тонких пленок CsPbBr3 Download PDFInfo
- Publication number
- RU2802302C1 RU2802302C1 RU2022133535A RU2022133535A RU2802302C1 RU 2802302 C1 RU2802302 C1 RU 2802302C1 RU 2022133535 A RU2022133535 A RU 2022133535A RU 2022133535 A RU2022133535 A RU 2022133535A RU 2802302 C1 RU2802302 C1 RU 2802302C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- perovskite
- films
- cspbbr
- minutes
- film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 12
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Inorganic materials [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 8
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOAIGCHJWKDIPJ-UHFFFAOYSA-M caesium acetate Chemical compound [Cs+].CC([O-])=O ZOAIGCHJWKDIPJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000005473 octanoic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
Изобретение относится к области синтеза неорганических материалов, в частности получению высококристаллических тонких пленок перовскита CsPbBr3 с высоким показателем коэффициента оптического усиления, которые могут применяться в оптоэлектронике. Способ изготовления неорганических перовскитных пленок CsPbBr3 включает приготовление раствора прекурсоров перовскита - бромида цезия и бромида свинца в соотношении 1:1,6 в диметилсульфоксиде, центрифугирование раствора на две стеклянные подложки с последующим отжигом с повышением температуры на 5°С через каждые 1,5 минуты до 130°С. Затем совмещают полученные подложки с пленками пленочной стороной и зажимают в горизонтальном положении с нагревом до 510°С в течение 10 минут и охлаждением в течение 3 часов. В результате формируется высококристаллическая тонкая пленка перовскита CsPbBr3 без разрывов с шероховатостью не более 5 нм, средним размером зерна не менее 10 мкм, толщиной в пределах 100 нм. Обеспечивается высокая кристалличность полученных тонких пленок перовскита CsPbBr3 и увеличение однородных участков пленки. 2 ил., 1 пр.
Description
Изобретение относится к области синтеза неорганических материалов, в частности получению высококристаллических тонких пленок перовскита состава CsPbBr3 с высоким значением коэффициента оптического усиления, которые могут применяться в оптоэлектронике.
Известен способ получения неорганических перовскитных пленок методом дроп-кастинга (Заявка на патент US 20210340021, МПК C01G 21/00 (20060101); H01L 31/0352 (20060101); H01L 31/032 (20060101); H01L 31/18 (20060101), опубликовано 04.11.2021). В данной работе представлен метод «двойное испарение растворителя, вызывающее самоструктурирование», который используется для самособирающихся массивов нанокристаллов CsPbBr3. Для этого изначально готовился раствор нанокристаллов CsPbBr3 следующим способом – раствор прекурсора цезия (Cs) изготавливался путем растворения 32 мг ацетата цезия (CsAc) в 1 мл 1-пропанола перемешивая при комнатной температуре, с последующим добавлением 6 мл гексана и 2 мл 1-пропанола; раствор прекурсора бромида свинца (PbBr2) путем растворения 245 мг бромида свинца в смешанном растворе 0,45 мл 1-пропанола, октановой кислоты и октиламина при интенсивном перемешивании и температуре нагрева 90°С.После чего полученные растворы смешивали путем добавления раствора бромида свинца в раствор цезия при непрерывном перемешивании при комнатной температуре. Итоговый раствор центрифугировался при 7000 об/мин для выделения нанокристаллов CsPbBr3, полученный осадок после центрифугирования диспергировали в смеси растворителей гексан/толуол в соотношение 1:2. Использование смеси растворителей объясняется их различной скоростью испарения. Затем раствор наносили каплями на подложку и оставляли сушиться. После полного испарения гексана и толуола образуется пленка, состоящая из нанокристаллов CsPbBr3. Недостатками данного метода является: толщина полученной перовскитной пленки находится в пределах 4 мкм, присутствие следовых количеств остатков октиламина и октановой кислоты после высыхания раствора на поверхности подложки.
Известен способ получения неорганической перовскитной пленки методом химического осаждения из паровой фазы (Zhong Y. et al. Large-Scale Thin CsPbBr3 Single-Crystal Film Grown on Sapphire via Chemical Vapor Deposition: Toward Laser Array Application// ACS Nano. - 2020. - T. 14. - №. 11. - C. 15605-15615). Неорганические монокристаллические пленки CsPbBr3 в данном методе были изготовлены с помощью химического осаждения из паровой фазы с использованием системы однотемпературных зонных трубчатых печей Thermo Scientific. Смесь порошков бромида цезия (CsBr 5 мг) и бромида свинца (PbBr2 7 мг) помещали в нагревательный центр трубчатой печи, сапфировые подложки на которые производилось напыление слоя перовскита располагаются в 12 см по направлению потока от источника нагрева. Перед запуском процесса осаждения перовскитного слоя, кварцевую трубку откачивали и очищали аргоном, после чего в трубку вводили 60 см3/мин высокочистого аргона и поддерживали давление на уровне 600 Торр. Реакционную зону нагревали до 600°С, после достижения данной температуры смесь порошка перемещалась в реакционную зону и выдерживалась в течение 10 минут, затем система естественным образом охлаждалась до комнатной температуры. Недостатками данного метода является сложность контроля роста неорганической перовскитной пленки в зависимости от положения внутри кварцевой трубки, минимальное значение по толщине полученной пленки составляет 350 нм, максимальное значение коэффициента оптического усиления составляет 1255 см-1.
Известен способ получения неорганических перовскитных пленок (Заявка на патент CN 105679942A, МПК H01L51/0003, опубликовано 15.06.2016), выбранный в качестве способа-прототипа. В данном методе использовался раствор нанокристаллов CsPbX3, где в качестве аниона Х используется Cl, Br, I или их комбинация, в качестве растворителя использовался толуол, а концентрация составляет 1,27х10-4 моль/л. Полученный раствор неорганического перовскита наносился на подготовленные стеклянные подложки методом центрифугирования при скорости 6000 об/мин. После чего пленки отжигаются при 100°С в течение 10 минут.Толщина результирующих пленок перовскита CsPbX3 находится в диапазоне от 80 нм до 100 нм. Недостатком данного метода является наличие разрывов и ограниченности размеров однородных участков пленки, нанокристаллы образуют «домены» между которыми наблюдается пустота, в следствии чего низкие значения коэффициента оптического усиления.
Решается задача повышения коэффициента оптического усиления в перовскитных пленках.
Поставленная задача решается достижением технического результата, заключающегося в достижении высокой кристалличности неорганической пленки перовскита CsPbBr3 и увеличении размеров однородных участков пленки.
Данный технический результат достигается за счет того, что для получения высококристаллической тонкой пленки неорганического перовскита CsPbBr3 предварительно подготовленные образцы поликристаллических тонких пленок CsPbBr3 на стекле накладывают друг на друга пленочной стороной и зажимают до образования интерференционных цветов тонких пленок, затем нагреваются до 510°С в течение 20 минут и после достижения заданной температуры охлаждаются в течение 3 часов. После охлаждения до комнатной температуры стеклянные подложки разъединяются, и полученная высококристаллическая перовскитная пленка остается на верхнем стекле. После проверки на отсутствие разрывов, измерения среднего размера зерна не менее 10 мкм, шероховатости не более 5 нм, толщины в пределах 100 нм и кристаллографической ориентации делают заключение о готовности устройства.
Для осуществления предложенного способа изначально необходимо получить две поликристаллические тонкие пленки CsPbBr3. Для получения раствора прекурсора перовскита порошок бромида цезия (CsBr) и бромида свинца II (PbBr2) смешивают в соотношении 1 к 1,6 в безводном диметилсульфоксиде. После чего данный раствор фильтруют, наносят на предварительно подготовленную подложку и центрифугируют при режиме 3000 оборотов в минуту в течение 5 минут. Полученный образец постепенно отжигают от 50 °С до 130 °С с шагом 5 °С в 1,5 минуты для равномерного испарения остатка растворителя диметилсульфоксида.
Пример конкретной реализации способа заключается в следующем:
Раствор перовскита CsPbBr3 получали в азотной атмосфере перчаточного бокса путем смешивания 69 мг порошка бромида цезия (CsBr, 99,999%, Sigma-Aldrich) и 110 мг бромида свинца (II) (PbBr2, 99,999%, TCI) с последующим растворением в 1 мл безводного диметилсульфоксида (ДМСО, безводный, 99,8%, Sigma-Aldrich). Один из возможных методов подготовки стеклянных подложек заключается в очистке при помощи ультразвуковой ванны в растворе соды, деионизованной воде, ацетоне и изопропиловом спирте в течение 5 минут. Перед нанесением раствора перовскита стеклянные подложки обрабатывались ультрафиолетовым излучением в течение 10 мин для улучшения смачиваемости поверхности и распределения раствора. Непосредственно перед нанесением раствора на подготовленные подложки, раствор перовскита CsPbBr3 фильтровался через фильтр (0,45 мкм) с мембраной из ПТФЭ. Раствор перовскита (25 мкл) наносили на две стеклянные подложки в инертной атмосфере с помощью метода центрифугирования при режиме 3000 оборотов в минуту в течение 5 минут. Полученные образцы помещались на нагретую плитку при 50 °С и постепенно отжигались до 130 °С с увеличением температуры на 5 градусов каждые 1,5 минуты, после чего полученные подложки с пленками остужались до комнатной температуры естественным путем. Затем полученные образцы накладываются друг на друга пленочной стороной в воздушной среде и зажимаются в горизонтальном положении до возникновения визуально наблюдаемого эффекта интерференционных цветов тонких пленок. Горизонтальное расположение образцов необходимо для обеспечения равномерного прогрева. После чего совмещенные подложки с пленками нагреваются до 510°С в течение 20 минут, а затем постепенно остужаются до комнатной температуры в течение 3 часов. После остужения стеклянные подложки разъединяются, и полученная высококристаллическая пленка остается на верхнем стекле. Это объясняется тем, что при достижении значений температуры свыше 440°С перовскит возгоняется и осаждается на верхней подложке. В результате чего получается высококристаллическая пленка неорганического перовскита CsPbBr3. Исследование характеристик полученной пленки с помощью метода сканирующей электронной микроскопии (фиг. 1а) показывает отсутствие разрывов и средний размер зерна 18,5 мкм, методом атомно-силовой микроскопии (фиг. 1б) показывает шероховатость поверхности не более 5 нм, рентгенодифракционный анализ (фиг. 2) показывает высокую кристалличность, что удовлетворяет техническому результату. Коэффициент оптического усиления полученных тонких пленок составляет 12900 см-1.
Преимуществами данного способа являются: высокая кристалличность неорганических перовскитных пленок CsPbBr3, увеличенные размеры однородных участков пленки.
Claims (1)
- Способ изготовления высококристаллических неорганических перовскитных тонких пленок CsPbBr3, включающий размещение раствора прекурсоров перовскита – бромида цезия и бромида свинца - в растворителе на стеклянную подложку, центрифугирование и отжиг полученной пленки, отличающийся тем, что соотношение бромида цезия и бромида свинца в растворителе составляет 1:1.6, в качестве растворителя используется диметилсульфоксид, раствор перовскита размещают на две стеклянные подложки, которые центрифугируют в течение 5 минут со скоростью 3000 об/мин, отжиг полученных пленок производят последовательным повышением температуры на 5°С через каждые 1,5 минуты до 130°С, остудив подложки с пленками до комнатной температуры, накладывают их в воздушной среде друг на друга пленочной стороной и, установив горизонтально, сжимают до возникновения интерференционных цветов тонких пленок, наблюдаемых визуально, совмещенные подложки с пленками нагревают до 510°С в течение 20 минут, а затем постепенно остужают до комнатной температуры в течение 3 часов, после разъединения, проверив полученную на верхней подложке пленку на отсутствие разрывов, соответствие среднего размера зерна не менее 10 мкм, шероховатости не более 5 нм, толщины в пределах 100 нм, кристаллографической ориентации, делают заключение о готовности изделия.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2802302C1 true RU2802302C1 (ru) | 2023-08-24 |
Family
ID=
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119287513A (zh) * | 2024-12-09 | 2025-01-10 | 西北工业大学 | 一种溴铅铯晶体的室温悬浮制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105679942A (zh) * | 2016-01-22 | 2016-06-15 | 南京理工大学 | 高性能垂直结构全无机钙钛矿CsPbX3纳米晶可见光探测器 |
| WO2019091357A1 (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-16 | 华侨大学 | 一种混合钙钛矿薄膜的制备方法及其于led的应用 |
| RU2719167C1 (ru) * | 2019-09-27 | 2020-04-17 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) | Способ изготовления неорганических хлорсодержащих перовскитных тонких пленок |
| CN111106244A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-05-05 | 五邑大学 | CsPbBr3薄膜及其制备方法和器件 |
| RU2737774C1 (ru) * | 2019-12-25 | 2020-12-02 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ химического осаждения перовскитов из газовой фазы для производства фотовольтаических устройств, светодиодов и фотодетекторов |
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105679942A (zh) * | 2016-01-22 | 2016-06-15 | 南京理工大学 | 高性能垂直结构全无机钙钛矿CsPbX3纳米晶可见光探测器 |
| WO2019091357A1 (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-16 | 华侨大学 | 一种混合钙钛矿薄膜的制备方法及其于led的应用 |
| RU2719167C1 (ru) * | 2019-09-27 | 2020-04-17 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) | Способ изготовления неорганических хлорсодержащих перовскитных тонких пленок |
| CN111106244A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-05-05 | 五邑大学 | CsPbBr3薄膜及其制备方法和器件 |
| RU2737774C1 (ru) * | 2019-12-25 | 2020-12-02 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ химического осаждения перовскитов из газовой фазы для производства фотовольтаических устройств, светодиодов и фотодетекторов |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119287513A (zh) * | 2024-12-09 | 2025-01-10 | 西北工业大学 | 一种溴铅铯晶体的室温悬浮制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100468661C (zh) | Ⅳ-ⅵ族半导体单晶薄膜和其异质结构的制备方法 | |
| Dang et al. | Recent progress in the synthesis of hybrid halide perovskite single crystals | |
| US9196482B2 (en) | Solution-based synthesis of CsSnI3 | |
| CN107287578B (zh) | 一种大范围均匀双层二硫化钼薄膜的化学气相沉积制备方法 | |
| CN115012029B (zh) | 一种二维硒化铟晶体材料的制备方法 | |
| CN112397649A (zh) | 一种大面积钙钛矿半导体单晶薄膜的制备方法 | |
| RU2802302C1 (ru) | Способ изготовления высококристаллических неорганических перовскитных тонких пленок CsPbBr3 | |
| CN113718227A (zh) | 一类二维层状三元化合物及其制备方法 | |
| US7537659B2 (en) | Method of obtaining a CdTe or CdZnTe single crystal and the single crystal thus obtained | |
| Hur et al. | Effect of substrates on the growth and properties of LiNbO 3 films by the sol-gel method | |
| JP7429687B2 (ja) | ペロブスカイト様材料の膜を形成するための方法 | |
| Tse et al. | ZnO thin films produced by filtered cathodic vacuum arc technique | |
| Ghosh et al. | Preparation and electrical properties of thin films of antimony sulphur iodide (SbSI) | |
| Nuriyev et al. | Growth of epitaxial Cd 1–x Mn x Te films | |
| CN115558980B (zh) | 一种加热与旋涂同步进行结合退火工艺制备氧化镓薄膜的方法 | |
| US7351283B2 (en) | System and method for fabricating a crystalline thin structure | |
| CN115537920B (zh) | 一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用 | |
| RU2507317C1 (ru) | Способ создания на подложках монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма | |
| Hertz et al. | Pure and mixed evaporated dye layers of a merocyanine: Structural and spectroscopic characterization | |
| CN117082950A (zh) | 基于溶液法定向组装毫米级纳米线的方法及纳米线和应用 | |
| TWI385117B (zh) | Production Method of ZnO Nanometer Structure by Liquid Chromatography | |
| JPH02184594A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| RU2330350C2 (ru) | Способ получения эпитаксиальных пленок | |
| CN119591153A (zh) | 一种大尺寸单斜相vo2纳米片或薄膜及其制备方法与应用 | |
| Abdi et al. | Visible photoluminescence from a nanocrystalline porous silicon structure fabricated by a plasma hydrogenation and annealing method |