RU2796239C9 - Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление - Google Patents
Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление Download PDFInfo
- Publication number
- RU2796239C9 RU2796239C9 RU2022129841A RU2022129841A RU2796239C9 RU 2796239 C9 RU2796239 C9 RU 2796239C9 RU 2022129841 A RU2022129841 A RU 2022129841A RU 2022129841 A RU2022129841 A RU 2022129841A RU 2796239 C9 RU2796239 C9 RU 2796239C9
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- etching
- silicon
- plasma
- passivation
- created
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 61
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 59
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 title claims abstract description 10
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000006388 chemical passivation reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 4
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния. Способ анизотропного плазменного травления кремния включает циклический двухшаговый процесс травления, состоящий из чередующихся шагов анизотропного плазмохимического травления и пассивации, в котором на шаге травления проводят травление кремния в плазме SF6, а на шаге пассивации на поверхностях формируемой микроструктуры создают пассивирующую пленку, при этом на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на вскрытых поверхностях кремния формируют либо слой SiNx, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме N2, либо слой SiOxNy, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме смеси O2/N2 с процентным содержанием азота в диапазоне 10-100%. Изобретение обеспечивает возможность анизотропного травления кремния при температуре, близкой по значению к комнатной, поскольку отсутствует необходимость глубокого охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах. 1 з.п. ф-лы.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния.
С 1990-х годов возникла необходимость формирования высокоаспектных структур для изготовления изделий микроэлектроники и микромеханики на основе кремния. Для создания таких структур были разработаны процессы глубокого плазменного травления кремния. Наибольшее распространение получили технологические процессы в реакторах с ВЧ-источниками индуктивно-связанной плазмы, ВЧ-источниками на геликонном резонансе и микроволновыми источниками на электрон-циклотронном резонансе, с независимой регулировкой потенциала смещения на обрабатываемой кремниевой пластине. Глубина травления кремния может достигать сотен микрометров при аспектном отношении ~30 и более [1]. Известны следующие процессы глубокого травления в кремнии:
1. Способ травления кремния в плазме в двухшаговом циклическом режиме при термостабилизации обрабатываемой пластины при температурах +10-+50°С (запатентованный "Bosch-процесс") [2].
2. Способ травления кремния в плазме в непрерывном режиме при криогенных температурах пластины до -120°С (криогенный процесс травления) [3].
3. Способ травления кремния в плазме в двухшаговом циклическом режиме при криогенных температурах пластины до -120°С (STiGER-процесс, запатентованный компанией ST Microelectronics, Франция) [4].
4. Способ глубокого травления кремния, основанный на циклическом чередовании шагов окисления и травления при температурах +10-+50°С (запатентованный процесс "Окисление-Травление" [5]).
Во всех указанных способах в качестве основного плазмообразующего газа для травления кремния применяется гексафторид серы SF6, молекула которого содержит 6 атомов фтора, что позволяет достичь максимальной плотности атомарного фтора в плазме, по сравнению с другими фторсодержащими газами, и максимальной скорости травления кремния, соответственно. Однако атомарный фтор в условиях комнатной и умеренно пониженной температуры пластины вступает в реакцию с кремнием спонтанно, что приводит к изотропному травлению боковых стенок формируемой структуры и отклонению от заданных топологических размеров. Для устранения этого недостатка в способах (1)-(4) предпринимаются различные меры.
Способ глубокого анизотропного травления (1), называемый "Bosch-процесс" и являющийся самым распространенным, имеет в своей основе пассивацию стенок фторуглеродным полимером, устойчивым к травлению при температурах, близких к комнатной, и поэтому лишен недостатков плазменного криогенного травления кремния. Данный способ основан на чередовании шагов пассивации поверхности и стенок структуры кремния с помощью осаждения полимерного слоя из фторуглеродсодержащей плазмы и последующего шага травления в плазме SF6. В оригинале патента [2] в качестве полимеробразующей плазмы использовалась смесь газов CHF3 и аргона. В дальнейшем в качестве источника для осаждения таких слоев было предложено использовать C3F8, C4F8, C4F4 и другие газы [6] с высоким процентным содержанием углерода, что увеличивает скорость образования полимерного слоя на поверхности кремния. Во время шага пассивации на текущий рельеф микроструктуры кремния осаждается фтор-полимерная пленка, удаление которой со дна структуры происходит за счет ионной бомбардировки при приложении потенциала смещения к пластине на следующем шаге травления. В каждом шаге травления области дна микроструктуры плазмой SF6, кремний травится в режиме, близком к изотропному. К достоинствам метода следует отнести высокую селективность по отношению к маскирующему покрытию, как фоторезисту, так и маскам из неорганических материалов (SiO2, металлы), температуру обрабатываемой пластины, близкую нормальным условиям +10-+50°С, что обеспечивает снижение стоимости оборудования. Недостатком метода являются высокая степень загрязнения стенок профиля фторуглеродным покрытием и характерная шероховатость стенок канавки в виде повторяющихся гребней на профиле структур травления.
Способ (2) криогенного глубокого анизотропного травления кремния в непрерывном режиме реализуется при температурах -80 - -120°С в плотной плазме при давлениях 1-20 мторр в смеси плазмообразующих газов SF6 и O2 [3]. Анизотропию процесса обеспечивает снижение скорости спонтанной реакции кремния с атомарным фтором при криогенных температурах одновременно с образованием на боковых стенках структуры травления защитной пассивирующей пленки состава SixFyOz, устойчивой к травлению при температурах ниже -75°С. Со дна структуры травления пассивирующий слой удаляется ионами плазмы, ускоренными нормально к поверхности электрическим полем потенциала смещения, приложенным к кремниевой пластине. Таким образом, дно формируемой структуры остается свободным для доступа радикалов фтора, что приводит к травлению кремния анизотропно в направлении нормально к поверхности. При нагреве кремниевой пластины до комнатной температуры защитная пленка испаряется со стенок канавки и сформированная структура не имеет каких-либо полимерных загрязнений. Недостатком метода является необходимость проведения процесса травления при криогенных температурах, чувствительность толщины ультратонкой пассивирующей пленки к температуре пластины и высокие требования к термостабилизации пластины в пределах 1°С. Это ограничивает промышленное внедрение криогенных процессов травления кремния. Кроме того, использование кислорода в плазменном процессе травления приводит к низкой селективности травления по отношению к фоторезистным маскам, или любым маскирующим покрытиям с органическими компонентами, из-за высокой скорости травления фоторезиста кислородсодержащей плазмой.
Известен другой способ (3) анизотропного плазменного криогенного травления кремния - STiGER-процесс [4], в котором шаги пассивации стенок и шаги травления кремния разделены во времени и чередуются последовательно в ходе процесса. Независимый шаг пассивации стенок структуры из плазмы газов SiF4 и О2 позволяет формировать более устойчивую пассивирующую пленку SixFyOz заданной толщины; состав плазмы на шаге травления аналогичен способу (2) в непрерывном режиме травления. После проведения процесса пассивирующая пленка также испаряется при нагреве пластины до комнатной температуры. В данном способе частично исключаются недостатки, связанные с отсутствием независимого контроля толщины пассивирующей пленки, но возникает новый недостаток - характерная шероховатость стенок, имеющая вид кольцевых гребней, причина которой в дискретности шагов пассивации и травления. Также применение кислородной плазмы сокращает возможность использования фоторезистных масок.
Процесс (4) травления кремния "Окисление-Травление" [5] так же, как и Bosch-процесс является двухшаговым циклическим процессом и основан на пассивации боковых стенок структур с помощью образования SiO2 на поверхности кремния путем реакции окисления в плазме О2 при давлении в камере 1-100 мторр и температуре пластины +10-+50°С. Последующий шаг травления осуществляется за счет плазменного травления в плазме SF6. Анизотропия процесса достигается за счет преимущественного удаления пассивирующей пленки ускоренными ионами с нормальных потоку ионов участков поверхности. Пассивирующая пленка SiO2, сформированная на боковой стенке формируемой кремниевой структуры, из-за анизотропии ионного потока является устойчивой к травлению. Для лучшего разделения во времени стадий травления и пассивации и предотвращения образования в объеме реактора смеси элегаза и кислорода, в которой не происходит эффективная пассивация поверхности слоем оксида кремния, между шагами процесса добавляется шаг откачки длительностью от 0.5 до 10 с. Преимуществом данного способа является отсутствие необходимости охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах, что отличает его от способов (2) и (3), а также отсутствие загрязнений микроструктуры фтор-полимерными пленками, в отличие от способа (1). Так же, как и у рассмотренных выше способов (2) и (3) недостатком данного способа является невысокая селективность травления по отношению к фоторезистным маскам из-за использования кислородной плазмы. Способы (2), (3), (4) предполагают использование масок с заданной топологией на основе оксида и нитрида кремния, металлических слоев и других покрытий, так называемых жестких масок, устойчивых к воздействию плазмы кислорода.
Указанные способы (1)-(4) являются прототипами предлагаемого изобретения, причем процесс “Окисление-Травление” (4) наиболее близок к предлагаемому для патентования способу. Способ представляет собой циклический двухшаговый процесс анизотропного травления, отличающийся тем, что в качестве пассивирующей пленки, формируемой на поверхности микроструктуры, используется либо слой SiNx, создаваемый на шаге пассивации реакцией нитридизации поверхности кремния в плазме N2 при давлении в камере 1-100 мТорр либо слой SiOxNy, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме смеси O2/N2 с процентным содержанием азота в диапазоне 10-100%. Продуктами диссоциации азота являются, в том числе, и химически активные радикалы N*. Эти частицы обладают высокой химической активностью и диффузионной способностью, обеспечивающей транспорт к границе SiNx/Si, что позволяет за 1-10 с сформировать на поверхности кремния пассивирующий слой, близкий по составу к SiNx толщиной 2-4 нм. В качестве плазмообразующего газа на последующем шаге травления, аналогично прототипам (1)-(4) используется плазма SF6, что позволяет достигать высокой скорости вертикального травления. Давление в камере на этом шаге может варьироваться в пределах 1-100 мТорр. Удаление пассивирующей пленки со дна микроструктуры осуществляется ионной бомбардировкой анизотропного ионного потока за счет приложенного потенциала смещения на шаге травления. В отличие от пассивации поверхности структуры в плазме кислорода, при пассивации в плазме азота менее выражены химические реакции деструкции органических фоторезистных масок, что увеличивает селективность травления кремния по отношению к фоторезисту, а также уменьшает уход критического размера за счет отсутствия анизотропного травления боковой стенки маски.
Предложенный способ анизотропного плазменного травления кремния в двухшаговом циклическом плазменном процессе был реализован на технологическом оборудовании для плазмохимического травления микроэлектронных структур, оснащенном удаленным ВЧ-источником сильно ионизованной плазмы низкого давления с генератором мощностью 3000 Вт на частоте 2 МГц и независимым генератором ВЧ-смещения, позволяющим подавать на обрабатываемую кремниевую пластину отрицательный потенциал смещения в диапазоне 20 - 200 В, при температуре пластины +10-+50°С. В результате достигнута селективность травления кремния по отношению к фоторезистной маске равная 10:1, что в 2 раза превышает селективность травления, получаемую в процессе (4) при сравнимых параметрах. Кроме того, исследовалась разновидность предлагаемого процесса, в котором в качестве плазмообразующего газа использовалась смесь кислорода и азота, в которой за счет улучшенных пассивирующих свойств достигались меньшие значения подтрава под маску.
Уход горизонтального критического размера в проведенных экспериментах с оптимизированным составом плазмы N2+O2 не превышал 2 нм за цикл при использовании фоторезистивной маски.
Следует отметить, что оказывается полезным акцентированное разделение стадий травления и пассивации за счет уменьшения скоростей реакций в плазменной смеси между фторсодержащими частицами с кислород и азотсодержащими радикалами. Для этого используются паузы между шагами длительностью от 0,5 до 10 с, во время которых мощность, вкладываемая ВЧ-источником в плазму, уменьшается.
Преимуществом предложенного способа является отсутствие необходимости охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах, отличающих его от прототипов (2) и (3), а также отсутствие загрязнений кремниевой микроструктуры фтор-полимерными пленками, в отличие от прототипа (1). Предложенный способ не требует технологических операций очистки боковых стенок сформированных кремниевых микроструктур от загрязнений полимерами. В отличие от прототипов (2), (3) и (4), способ предполагает использование фоторезистных масок с заданной топологией, что упрощает технологический процесс.
Технические результаты изобретения. Способ обеспечивает анизотропное травление кремния при температуре, близкой по значению к комнатной. Преимуществами данного способа является отсутствие необходимости глубокого охлаждения и термостабилизации пластины в технологической камере при криогенных температурах, отсутствие загрязнений микроструктуры фтор-полимерными пленками, что позволяет исключить технологические операции очистки сформированных кремниевых микроструктур от загрязнений полимерами. Отсутствие кислорода в плазме, или его сниженная концентрация, существенно улучшают плазмостойкость фоторезистивных масок травления, или любых маскирующих покрытий с органическими компонентами, за счет чего повышается селективность травления по отношению к маске и снижается уход критического размера. Также применение азотсодержащей плазмы обеспечивает увеличение плазмостойкости пассивирующей пленки и увеличивает анизотропию на шаге травления.
Источники информации
1. В. Wu, A. Kumar, and S. Pamarthy/High aspect ratio silicon etch: A review // Journal of Applied Physics 108, 051101 (2010).
2. Патент США US 5501893, 1996, (Method of anisotropically etching silicon, Franz Laermer et al.)
3. T. Tillocher, R. Dussart, X. Mellhaoui, P. Lefaucheux, M. Boufnichel, P. Ranson / Silicon cryo-etching of deep holes // Microelectronic Engineering Volume 84, Issues 5-8, May-August 2007, Pages 1120-1123.
4. Dussart R, Tillocher T, Lefaucheux P, Ranson P, Mellhaoui X, Boufiiichel M and Overzet L J 2008 Deep anisotropic silicon etch method France Patent 2914782-A1 (assigned to STMicroelectronics, CNRS and University of Orleans).
5. Патент РФ RU 2691758 C1, 2019, (Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом двухшаговом процессе окисление-травление, Аверкин С.Н. и др.).
6. Rangelow I.W. Critical tasks in high aspect ratio silicon dry etching for micro-electromechanical systems // J. Vac. Sci. Technol. 2003. V. A21. <4. P. 1550-1562.
Claims (2)
1. Способ анизотропного плазменного травления кремния, представляющий собой циклический двухшаговый процесс, состоящий из чередующихся шагов анизотропного плазмохимического травления и пассивации, в котором на шаге травления проводят травление кремния в плазме SF6, а на шаге пассивации на поверхностях формируемой микроструктуры создают пассивирующую пленку, отличающийся тем, что на шаге пассивации в качестве пассивирующей пленки на вскрытых поверхностях кремния формируют либо слой SiNx, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме N2, либо слой SiOxNy, создаваемый реакцией нитридизации кремния в плазме смеси O2/N2 с процентным содержанием азота в диапазоне 10-100%.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что между шагами процесса добавляют шаг откачки длительностью от 0,5 до 10 с, что обеспечивает лучшее разделение во времени шагов травления и пассивации и предотвращает изменение состава пассивирующей пленки за счет образования при переключении на следующий шаг в объеме реактора смеси травящего газа и пассивирующих газов, которая препятствует эффективной пассивации вскрытых поверхностей кремния.
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2796239C1 RU2796239C1 (ru) | 2023-05-18 |
| RU2796239C9 true RU2796239C9 (ru) | 2023-07-12 |
Family
ID=
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5501893A (en) * | 1992-12-05 | 1996-03-26 | Robert Bosch Gmbh | Method of anisotropically etching silicon |
| US6235214B1 (en) * | 1998-12-03 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching of silicon using fluorinated gas mixtures |
| US6780337B2 (en) * | 2001-12-17 | 2004-08-24 | Infineon Technologies Ag | Method for trench etching |
| RU2691758C1 (ru) * | 2018-08-17 | 2019-06-18 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им К.А. Валиева РАН) | Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом двухшаговом процессе окисление-травление |
| US20220189783A1 (en) * | 2020-12-15 | 2022-06-16 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5501893A (en) * | 1992-12-05 | 1996-03-26 | Robert Bosch Gmbh | Method of anisotropically etching silicon |
| US6235214B1 (en) * | 1998-12-03 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching of silicon using fluorinated gas mixtures |
| US6780337B2 (en) * | 2001-12-17 | 2004-08-24 | Infineon Technologies Ag | Method for trench etching |
| RU2691758C1 (ru) * | 2018-08-17 | 2019-06-18 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им К.А. Валиева РАН) | Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом двухшаговом процессе окисление-травление |
| US20220189783A1 (en) * | 2020-12-15 | 2022-06-16 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6303512B1 (en) | Anisotropic, fluorine-based plasma etching method for silicon | |
| EP1099244B1 (en) | Method for anisotropic etching | |
| TWI392014B (zh) | Plasma processing method and plasma etching method | |
| US7618548B2 (en) | Silicon-containing structure with deep etched features, and method of manufacture | |
| JP4796965B2 (ja) | エッチング方法及び装置 | |
| KR20090068204A (ko) | 플라즈마에 의한 기판 식각 방법 및 장치 | |
| CN100521111C (zh) | 等离子体蚀刻方法 | |
| JP2010283362A (ja) | 実質的にアンダカットのないシリコンを絶縁体構造上に作製するエッチング工程 | |
| GB2290413A (en) | Processing silicon in a plasma etch system | |
| Schwarzenbach et al. | High mass positive ions and molecules in capacitively-coupled radio-frequency CF 4 plasmas | |
| US20250183053A1 (en) | Metal oxide directional removal | |
| CN111819669A (zh) | 形成气隙的系统及方法 | |
| KR20230056722A (ko) | 가스 클러스터 지원 플라즈마 처리 | |
| JPWO2003056617A1 (ja) | エッチング方法及びプラズマエッチング処理装置 | |
| RU2796239C9 (ru) | Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление | |
| JP2007531280A (ja) | 最少スカラップ基板の処理方法 | |
| RU2796239C1 (ru) | Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление | |
| RU2691758C1 (ru) | Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом двухшаговом процессе окисление-травление | |
| Paraszczak et al. | Comparison of CF4/O2 and CF2Cl2/O2 plasmas used for the reactive ion etching of single crystal silicon | |
| Miakonkikh et al. | Anisotropic plasma etching of Silicon in gas chopping process by alternating steps of oxidation and etching | |
| RU2824746C1 (ru) | Способ глубокого анизотропного плазменного травления кремниевых структур | |
| RU2843894C1 (ru) | Способ атомно-слоевого травления диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью с использованием ионов благородных газов с высокой атомной массой | |
| Fukumoto et al. | Effects of mask pattern geometry on plasma etching profiles | |
| Zhang et al. | Study on the Transformation of Si Trench Profile With Low Pressure of SF₆/O₂ Containing Plasmas | |
| Golishnikov et al. | Research and development of deep anisotropic plasma silicon etching process to form MEMS structures |