RU2786630C1 - CLASS AB BUFFER AMPLIFIER ON n-p-n BIPOLAR TRANSISTORS - Google Patents

CLASS AB BUFFER AMPLIFIER ON n-p-n BIPOLAR TRANSISTORS Download PDF

Info

Publication number
RU2786630C1
RU2786630C1 RU2022124666A RU2022124666A RU2786630C1 RU 2786630 C1 RU2786630 C1 RU 2786630C1 RU 2022124666 A RU2022124666 A RU 2022124666A RU 2022124666 A RU2022124666 A RU 2022124666A RU 2786630 C1 RU2786630 C1 RU 2786630C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
transistor
auxiliary
input
power supply
Prior art date
Application number
RU2022124666A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Алексей Андреевич Жук
Николай Николаевич Прокопенко
Илья Викторович Пахомов
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Application granted granted Critical
Publication of RU2786630C1 publication Critical patent/RU2786630C1/en

Links

Images

Abstract

FIELD: microelectronics.
SUBSTANCE: invention relates to the field of microelectronics. To achieve the effect, a class AB buffer amplifier based on n-p-n bipolar transistors is proposed, which contains an input (1) and an output (2) of the device, an input transistor (3), the first (4) power supply bus, the first (5) current-stabilizing two-terminal, the second (6) power supply bus, first (7) output transistor, second (8) current-stabilizing two-pole, second (10) output transistor, auxiliary transistor (11), third (12) current-stabilizing two-terminal, auxiliary p-n junction (13) and auxiliary resistor (14).
EFFECT: creation of an amplifier based on the same type of n-p-n bipolar transistors, which provides the output of the device with an input voltage relative to a common bus with a gain close to unity and with load resistances that vary over a wide range.
1 cl, 6 dwg

Description

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в качестве двухтактного выходного каскада в различных аналоговых устройствах (операционных усилителях, драйверах линий связи и т.п.).The invention relates to the field of microelectronics and can be used as a push-pull output stage in various analog devices (operational amplifiers, communication line drivers, etc.).

Известно значительное количество схем двухтактных буферных усилителей (БУ), которые реализуются на комплементарных биполярных (BJT) или полевых (JFet, КМОП, КНИ, КНС и др.) транзисторах [1-28], а также при их совместном включении. Вышеназванные схемотехнические решения БУ наиболее популярны как в зарубежных, так и в российских аналоговых микросхемах, реализуемых на основе типовых технологических процессов [1-28]. A significant number of push-pull buffer amplifier (BU) circuits are known, which are implemented on complementary bipolar (BJT) or field-effect (JFet, CMOS, SOI, SOS, etc.) transistors [1-28], as well as when they are connected together. The above-mentioned CU circuit solutions are the most popular both in foreign and Russian analog microcircuits implemented on the basis of standard technological processes [1-28].

Особое место среди известных БУ занимают буферные усилители, реализация которых возможна только на n-p-n биполярных транзисторах [29-33], применение которых оказывает положительное влияние на себестоимость, например, операционных усилителей и их динамические параметры. Данное схемотехническое решение используется в серийных операционных усилителях OP27 и OP37 [30] фирмы Texas Instruments (США), а также в российских операционных усилителях 140УД30 [31], СВЧ интегральных усилителях с управляемым коэффициентом усиления [33]. Заявляемый БУ относится к данному классу устройств. Buffer amplifiers occupy a special place among the known CUs, the implementation of which is possible only on n-p-n bipolar transistors [29-33], the use of which has a positive effect on the cost of, for example, operational amplifiers and their dynamic parameters. This circuit solution is used in serial operational amplifiers OP27 and OP37 [30] from Texas Instruments (USA), as well as in Russian operational amplifiers 140UD30 [31], microwave integrated amplifiers with controlled gain [33]. The claimed CU belongs to this class of devices.

Ближайшим прототипом заявляемого устройства является буферный усилитель (фиг. 1) , представленный в патенте US 6.417.733, fig.1, 2002 г. Он содержит вход 1 и выход 2 устройства, входной транзистор 3, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания через первый 5 токостабилизирующий двухполюсник, коллектор подключен ко второй 6 шине источника питания, а база соединена со входом устройства 1, первый 7 выходной транзистор, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания, коллектор соединен с выходом 2 устройства, а база связана с первой 4 шиной источника питания через второй 8 токостабилизирующий двухполюсник, второй 10 выходной транзистор, эмиттер которого соединен с выходом 2 устройства, а коллектор связан со второй 6 шиной источника питания, вспомогательный транзистор 11, коллектор которого соединен со второй 6 шиной источника питания, третий 12 токостабилизирующий двухполюсник, вспомогательный p-n переход 13 и вспомогательный резистор 14.The closest prototype of the proposed device is a buffer amplifier (Fig. 1), presented in US patent 6.417.733, fig.1, 2002. It contains an input 1 and an output 2 of the device, the input transistor 3, the emitter of which is connected to the first 4 power supply bus through the first 5 current-stabilizing two-pole, the collector is connected to the second 6 bus of the power source, and the base is connected to the input of device 1, the first 7 output transistor, the emitter of which is connected to the first 4 bus of the power source, the collector is connected to the output 2 of the device, and the base is connected to the first 4 power supply bus through the second 8 current-stabilizing two-pole, the second 10 output transistor, the emitter of which is connected to the output 2 of the device, and the collector is connected to the second 6 power supply bus, the auxiliary transistor 11, the collector of which is connected to the second 6 power supply bus, the third 12 current-stabilizing two-pole, auxiliary p-n junction 13 and auxiliary resistor 14.

Основная особенность БУ-прототипа состоит в том, что он перспективен для аналоговых микросхем, реализуемых на однотипных n-p-n биполярных транзисторах. За счет применения SiGe технологий это позволяет получить предельные параметры по частотному диапазону операционных усилителей и других аналоговых устройств [33]. The main feature of the CU prototype is that it is promising for analog microcircuits implemented on the same type of n-p-n bipolar transistors. Due to the use of SiGe technologies, this makes it possible to obtain the limiting parameters for the frequency range of operational amplifiers and other analog devices [33].

Существенный недостаток известного БУ состоит в том, что его вход должен быть «привязан» к первой 4 отрицательной шине источника питания. Схема БУ не работоспособна, если входной сигнал подается относительно общей шины первого 4 и второго 6 источников питания. Это существенно сужает области его практического использования, так как во многих случаях (например, в классических операционных усилителях) необходимы БУ, вход которых согласован с общей шиной источника питания.A significant drawback of the known BU is that its input must be "tied" to the first 4 negative bus of the power source. The BU circuit is not operational if the input signal is applied relative to the common bus of the first 4 and second 6 power supplies. This significantly narrows the scope of its practical use, since in many cases (for example, in classical operational amplifiers) CUs are required, the input of which is coordinated with the common power supply bus.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в создании БУ на однотипных n-p-n биполярных транзисторах, например, SiGe, который обеспечивает передачу на выход устройства 2 входного напряжения относительно общей шины с близким к единице коэффициентом усиления и при сопротивлениях нагрузки, изменяющихся в широком диапазоне. По имеющимся сведениям, подобные схемы не существуют – в известных БУ статический потенциал входа должен быть согласован либо со второй 6 положительной, либо с первой 4 отрицательной шинами источников питания. The main objective of the invention is to create a control unit based on the same type of n-p-n bipolar transistors, for example, SiGe, which provides the output of the device 2 with an input voltage relative to a common bus with a gain close to unity and with load resistances varying over a wide range. According to available information, such schemes do not exist - in known control units, the static potential of the input must be matched either with the second 6 positive or with the first 4 negative power supply rails.

Поставленная задача достигается тем, что в буферном усилителе фиг. 1, содержащем вход 1 и выход 2 устройства, входной транзистор 3, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания через первый 5 токостабилизирующий двухполюсник, коллектор подключен ко второй 6 шине источника питания, а база соединена со входом устройства 1, первый 7 выходной транзистор, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания, коллектор соединен с выходом 2 устройства, а база связана с первой 4 шиной источника питания через второй 8 токостабилизирующий двухполюсник, второй 10 выходной транзистор, эмиттер которого соединен с выходом 2 устройства, а коллектор связан со второй 6 шиной источника питания, вспомогательный транзистор 11, коллектор которого соединен со второй 6 шиной источника питания, третий 12 токостабилизирующий двухполюсник, вспомогательный p-n переход 13 и вспомогательный резистор 14, предусмотрены новые элементы и связи - коллектор второго 10 выходного транзистора связан со второй 6 шиной источника питания через третий 12 токостабилизирующий двухполюсник и подключен к базе вспомогательного транзистора 11, эмиттер которого связан с базой первого 7 выходного транзистора через цепь смещения потенциалов 16, причем база второго 10 выходного транзистора связана с эмиттером входного транзистора 3 через вспомогательный резистор 14, а эмиттер входного транзистора 3 связан с выходом 2 устройства через вспомогательный p-n переход 13.The task is achieved by the fact that in the buffer amplifier of Fig. 1, containing input 1 and output 2 of the device, input transistor 3, the emitter of which is connected to the first 4 bus of the power source through the first 5 current-stabilizing two-pole, the collector is connected to the second 6 bus of the power source, and the base is connected to the input of device 1, the first 7 output transistor , the emitter of which is connected to the first 4 bus of the power source, the collector is connected to the output 2 of the device, and the base is connected to the first 4 bus of the power source through the second 8 current-stabilizing two-pole, the second 10 output transistor, the emitter of which is connected to the output 2 of the device, and the collector is connected to the second 6 power supply bus, the auxiliary transistor 11, the collector of which is connected to the second 6 power supply bus, the third 12 current-stabilizing two-terminal network, the auxiliary pn junction 13 and the auxiliary resistor 14, new elements and connections are provided - the collector of the second 10 output transistor is connected to the second 6 bus power supply through the third 12 current-stabilizing two-pole and connected to the base of the auxiliary transistor 11, the emitter of which is connected to the base of the first 7 output transistor through a potential bias circuit 16, and the base of the second 10 output transistor is connected to the emitter of the input transistor 3 through an auxiliary resistor 14, and the emitter of the input transistor 3 is connected to the output 2 devices through an auxiliary pn junction 13.

На чертеже фиг. 1 приведена схема высоковольтного буферного усилителя–прототипа на n-p-n транзисторах по патенту US 6.417.733, fig.1, 2002 г.In the drawing of FIG. Figure 1 shows a prototype high-voltage buffer amplifier circuit based on n-p-n transistors according to US patent 6.417.733, fig.1, 2002.

На чертеже фиг. 2 показана схема заявляемого БУ в соответствии с формулой изобретения.In the drawing of FIG. 2 shows a diagram of the claimed CU in accordance with the claims.

На чертеже фиг. 3 представлена схема для моделирования БУ фиг. 2 в среде LTspice при t=27oC, +Vcc=-Vee=10 В, I1=I2=100 мкА, I3=200 мкА, R1=1 кОм, Rload=1 МОм, R2=162.5 кОм на моделях транзисторов базовых матричных кристаллов АО «Интеграл» (г. Минск) [34].In the drawing of FIG. 3 is a diagram for simulating the control unit of FIG. 2 in LTspice environment at t=27 o C, +Vcc=-Vee=10 V, I 1 =I 2 =100 μA, I 3 =200 μA, R1=1 kOhm, Rload=1 MΩ, R2=162.5 kΩ per models of transistors of basic matrix crystals JSC "Integral" (Minsk) [34].

На чертеже фиг. 4 приведена амплитудная характеристика БУ фиг. 3 в среде LTspice при разных значениях сопротивлений нагрузки (Rload=1кОм/50кОм/100 кОм).In the drawing of FIG. 4 shows the amplitude characteristic of the control unit of FIG. 3 in LTspice environment with different values of load resistances (Rload=1kOhm/50kOhm/100kOhm).

На чертеже фиг. 5 показана схема для моделирования БУ фиг. 2 в среде LTspice при t=27oC, +Vcc=-Vee=10 В, I1=I2=100 мкА, I3=200 мкА, R1=6 кОм, Rload=1 МОм, источнике опорного напряжения V1=16.8 В, выполняющего функцию цепи смещения потенциала 16 (фиг. 2).In the drawing of FIG. 5 shows a diagram for simulating the VU of FIG. 2 in LTspice environment at t=27 o C, +Vcc=-Vee=10 V, I 1 =I 2 =100 μA, I 3 =200 μA, R1=6 kΩ, Rload=1 MΩ, reference voltage V1= 16.8 V, which performs the function of the potential bias circuit 16 (Fig. 2).

На чертеже фиг. 6 представлена амплитудная характеристика БУ фиг. 5 в среде LTspice при разных значениях сопротивлений нагрузки (Rload=2кОм/5кОм/10кОм/1МОм).In the drawing of FIG. 6 shows the amplitude characteristic of the control unit of FIG. 5 in LTspice environment with different load resistances (Rload=2kOhm/5kOhm/10kOhm/1MΩ).

Буферный усилитель класса АВ на n-p-n биполярных транзисторах фиг. 2 содержит вход 1 и выход 2 устройства, входной транзистор 3, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания через первый 5 токостабилизирующий двухполюсник, коллектор подключен ко второй 6 шине источника питания, а база соединена со входом устройства 1, первый 7 выходной транзистор, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания, коллектор соединен с выходом 2 устройства, а база связана с первой 4 шиной источника питания через второй 8 токостабилизирующий двухполюсник, второй 10 выходной транзистор, эмиттер которого соединен с выходом 2 устройства, а коллектор связан со второй 6 шиной источника питания, вспомогательный транзистор 11, коллектор которого соединен со второй 6 шиной источника питания, третий 12 токостабилизирующий двухполюсник, вспомогательный p-n переход 13 и вспомогательный резистор 14. Коллектор второго 10 выходного транзистора связан со второй 6 шиной источника питания через третий 12 токостабилизирующий двухполюсник и подключен к базе вспомогательного транзистора 11, эмиттер которого связан с базой первого 7 выходного транзистора через цепь смещения потенциалов 16, причем база второго 10 выходного транзистора связана с эмиттером входного транзистора 3 через вспомогательный резистор 14, а эмиттер входного транзистора 3 связан с выходом 2 устройства через вспомогательный p-n переход 13, который на практике (фиг. 3) реализуется на основе n-p-n биполярного транзистора. Двухполюсник Rн в схеме фиг. 2 моделирует свойства нагрузки.Buffer amplifier class AB on npn bipolar transistors Fig. 2 contains input 1 and output 2 of the device, input transistor 3, the emitter of which is connected to the first 4 bus of the power source through the first 5 current-stabilizing two-pole, the collector is connected to the second 6 bus of the power source, and the base is connected to the input of device 1, the first 7 output transistor, the emitter of which is connected to the first 4 bus of the power source, the collector is connected to the output 2 of the device, and the base is connected to the first 4 bus of the power source through the second 8 current-stabilizing two-pole, the second 10 output transistor, the emitter of which is connected to the output 2 of the device, and the collector is connected to the second 6 power supply bus, an auxiliary transistor 11, the collector of which is connected to the second 6 power supply bus, the third 12 current-stabilizing two-terminal network, the auxiliary pn junction 13 and the auxiliary resistor 14. The collector of the second 10 output transistor is connected to the second 6 power supply bus through the third 12 current-stabilizing two-terminal network and connected to the base solid transistor 11, the emitter of which is connected to the base of the first 7 output transistor through a potential bias circuit 16, and the base of the second 10 output transistor is connected to the emitter of the input transistor 3 through an auxiliary resistor 14, and the emitter of the input transistor 3 is connected to the output 2 of the device through an auxiliary pn junction 13, which in practice (Fig. 3) is implemented on the basis of npn bipolar transistor. The two-terminal network R n in the circuit of Fig. 2 models the load properties.

Рассмотрим работу предлагаемого БУ фиг. 2.Let us consider the operation of the proposed control unit of Fig. 2.

Особенность схемы БУ фиг. 2 состоит в том, что она имеет два разных канала передачи положительных и отрицательных приращений входного напряжения uвх. Положительные приращения uвх передаются на выход устройства 2 по цепи эмиттера входного транзистора 3 через прямосмещенный вспомогательный p-n переход 13. При этом второй 10 выходной транзистор может входить в режим, близкий к режиму насыщения, а его влияние на передачу сигнала на выход 2 минимизируется вспомогательным резистором 14. При этом напряжение на базе вспомогательного транзистора 11 уменьшается, что передается через цепь смещения потенциалов 16 на базу первого 7 выходного транзистора, который в этом режиме запирается. A feature of the CU circuit of Fig. 2 is that it has two different channels for transmitting positive and negative increments of the input voltage u in . Positive increments u in are transmitted to the output of device 2 through the emitter circuit of the input transistor 3 through a forward-biased auxiliary pn junction 13. In this case, the second 10 output transistor can enter a mode close to the saturation mode, and its effect on signal transmission to output 2 is minimized by an auxiliary resistor 14. In this case, the voltage at the base of the auxiliary transistor 11 decreases, which is transmitted through the potential bias circuit 16 to the base of the first 7 output transistor, which is locked in this mode.

Если на вход 1 БУ подается отрицательное приращение входного напряжения, то это вызывает уменьшение тока коллектора второго 10 выходного транзистора и увеличение напряжения на базе вспомогательного транзистора 11, которое через цепь смещения потенциалов 16 поступает на базу первого 7 выходного транзистора. Как следствие, первый 7 выходной транзистор переходит в активный режим и создает отрицательное приращение тока

Figure 00000001
в нагрузке Rн.If a negative increment of the input voltage is applied to the input 1 of the control unit, this causes a decrease in the collector current of the second 10 output transistor and an increase in the voltage at the base of the auxiliary transistor 11, which is fed through the potential bias circuit 16 to the base of the first 7 output transistor. As a result, the first 7th output transistor goes into active mode and creates a negative current increment
Figure 00000001
in the load R n .

Работу БУ иллюстрируют графики на чертежах фиг. 4, фиг. 6, которые показывают, что при разных сопротивлениях нагрузки, в т.ч. Rн=1 КОм, максимальные выходные напряжения БУ близки к соответствующим напряжениям на второй 6 и первой 4 шинах источников питания.The operation of the BU is illustrated by the graphs in the drawings of Fig. 4, fig. 6, which show that at different load resistances, incl. R n \u003d 1 KΩ, the maximum output voltages of the BU are close to the corresponding voltages on the second 6 and first 4 buses of power supplies.

Таким образом, предлагаемый буферный усилитель имеет существенные достоинства в сравнении с известным БУ-прототипом и может использоваться в различных аналоговых устройствах, в т.ч. операционных усилителях.Thus, the proposed buffer amplifier has significant advantages in comparison with the known CU prototype and can be used in various analog devices, incl. operational amplifiers.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКREFERENCES

1. Патент US 6.215.357, fig. 3, 2001 г.1. Patent US 6.215.357, fig. 3, 2001

2. Патент US 5.351.012, 1994 г. 2. Patent US 5.351.012, 1994

3. Патент US 5.973.534, 1999 г.3. Patent US 5.973.534, 1999

4. Патент US 5.197.124, fig. 25, 1993 г.4. Patent US 5.197.124, fig. 25, 1993

5. Патент US 7.764.123, fig. 3, 2010 г.5. Patent US 7.764.123, fig. 3, 2010

6. Патент US № 6.268.769 fig.3, 2001 г. 6. US patent No. 6.268.769 fig.3, 2001

7. Патент US № 6.420.933, 2002 г.7. US patent No. 6.420.933, 2002

8. Патент US № 5.223.122, 1993 г.8. US Patent No. 5.223.122, 1993

9. Патентная заявка US № 2004/0196101, 2004 г.9. Patent Application US No. 2004/0196101, 2004

10. Патентная заявка US № 2005/0264358 fig.1, 2005 г.10. Patent application US No. 2005/0264358 fig.1, 2005

11. Патентная заявка US № 2002/0175759, 2002 г.11. Patent Application US No. 2002/0175759, 2002

12. Патент US № 5.049.653 fig.8, 1991 г.12. US patent No. 5.049.653 fig.8, 1991

13. Патент US № 4.837.523, 1989 г.13. US patent No. 4.837.523, 1989

14. Патент US № 5.179.355, 1993 г.14. US patent No. 5.179.355, 1993

15. Патент Японии JP 10.163.763, 1991 г.15. Japanese patent JP 10.163.763, 1991

16. Патент Японии JP 10.270.954, 1992 г.16. Japanese patent JP 10.270.954, 1992

17. Патент US № 5.170.134 fig.6, 1992 г.17. US patent No. 5.170.134 fig.6, 1992

18. Патент US № 4.540.950, 1985 г.18. US patent No. 4.540.950, 1985

19. Патент US № 4.424.493, 1984 г.19. US patent No. 4.424.493, 1984

20. Патент Японии JP 6310950, 2018 г. 20. Japanese patent JP 6310950, 2018

21. Патент US № 5.378.938, 1995 г.21. US patent No. 5.378.938, 1995

22. Патент US № 4.827.223, 1989 г.22. US patent No. 4.827.223, 1989

23. Патент US № 6.160.451, 2000 г.23. US patent No. 6.160.451, 2000

24. Патент US № 4.639.685, 1987 г.24. US patent No. 4.639.685, 1987

25. А.св. СССР 1506512, 1986 г.25. A. St. USSR 1506512, 1986

26. Патент US № 5.399.991, 1995 г.26. US patent No. 5.399.991, 1995

27. Патент US № 6.542.032, 2003 г.27. US patent No. 6.542.032, 2003

28. M. Djebbi, A. Assi and M. Sawan. An offset-compensated wide-bandwidth CMOS current-feedback operational amplifier // CCECE 2003 - Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering. Toward a Caring and Humane Technology (Cat. No.03CH37436), 2003, pp. 73-76 vol.1. DOI: 10.1109/CCECE.2003.122634728. M. Djebbi, A. Assi and M. Sawan. An offset-compensated wide-bandwidth CMOS current-feedback operational amplifier // CCECE 2003 - Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering. Toward a Caring and Humane Technology (Cat. No.03CH37436), 2003, pp. 73-76 vol.1. DOI: 10.1109/CCECE.2003.1226347

29. Патент US 6.417.733, fig. 1, 2002 г.29 US Patent 6,417,733, fig. 1, 2002

30. Low-noise high-speed precision operational amplifier OP037A Datasheet. Режим доступа: https://www.chipfind.ru/datasheet/ti/op37a.htm 30. Low-noise high-speed precision operational amplifier OP037A Datasheet. Access mode: https://www.chipfind.ru/datasheet/ti/op37a.htm

31. Быстродействующий операционный усилитель 140УД30. Режим доступа: http://ic-info.ru/upload/iblock/449/140%D0%A3%D0%9430.pdf 31. High-speed operational amplifier 140UD30. Access mode: http://ic-info.ru/upload/iblock/449/140%D0%A3%D0%9430.pdf

32. I.M. Filanovsky, V.V. Ivanov, “Operational Amplifier Speed and Accuracy Improvement: Analog Circuit Design with Structural Methodology,” Kluwer Academiv Publishers, New York, Boston, Dordrecht, London, 2004. P. 123, fig. 7-4.32.I.M. Filanovsky, V.V. Ivanov, “Operational Amplifier Speed and Accuracy Improvement: Analog Circuit Design with Structural Methodology,” Kluwer Academiv Publishers, New York, Boston, Dordrecht, London, 2004. P. 123, fig. 7-4.

33. Savchenko Е.М., Budyakov А.S., Budyakov P.S., Prokopenko N.N. “The Method of Bandwidth Extension of SiGe BiCMOS Microwave Variable-Gain Amplifier Integrated Circuit”, Visnyk NTUU KPI Seriia – Radiotekhnica Radioaparatobuduvannia, 2017. Iss. 69, pp. 5–10, fig. 3 33. Savchenko E.M., Budyakov A.S., Budyakov P.S., Prokopenko N.N. “The Method of Bandwidth Extension of SiGe BiCMOS Microwave Variable-Gain Amplifier Integrated Circuit”, Visnyk NTUU KPI Seriia – Radiotekhnica Radioaparatobuduvannia, 2017. Iss. 69, pp. 5–10, fig. 3

34. Проектирование низкотемпературных и радиационно-стойких аналоговых микросхем для обработки сигналов датчиков: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, А.В. Бугакова. – М.: СОЛОН-Пресс, 2021. – 200 с.34. Design of low-temperature and radiation-resistant analog microcircuits for sensor signal processing: monograph / N.N. Prokopenko, O.V. Dvornikov, A.V. Bugakov. – M.: SOLON-Press, 2021. – 200 p.

Claims (1)

Буферный усилитель класса АВ на n-p-n биполярных транзисторах, содержащий вход (1) и выход (2) устройства, входной транзистор (3), эмиттер которого связан с первой (4) шиной источника питания через первый (5) токостабилизирующий двухполюсник, коллектор подключен ко второй (6) шине источника питания, а база соединена с входом устройства (1), первый (7) выходной транзистор, эмиттер которого связан с первой (4) шиной источника питания, коллектор соединен с выходом (2) устройства, а база связана с первой (4) шиной источника питания через второй (8) токостабилизирующий двухполюсник, второй (10) выходной транзистор, эмиттер которого соединен с выходом (2) устройства, а коллектор связан со второй (6) шиной источника питания, вспомогательный транзистор (11), коллектор которого соединен со второй (6) шиной источника питания, третий (12) токостабилизирующий двухполюсник, вспомогательный p-n переход (13) и вспомогательный резистор (14), отличающийся тем, что коллектор второго (10) выходного транзистора связан со второй (6) шиной источника питания через третий (12) токостабилизирующий двухполюсник и подключен к базе вспомогательного транзистора (11), эмиттер которого связан с базой первого (7) выходного транзистора через цепь смещения потенциалов (16), причем база второго (10) выходного транзистора связана с эмиттером входного транзистора (3) через вспомогательный резистор (14), а эмиттер входного транзистора (3) связан с выходом (2) устройства через вспомогательный p-n переход (13).Class AB buffer amplifier on n-p-n bipolar transistors, containing the input (1) and output (2) of the device, the input transistor (3), the emitter of which is connected to the first (4) power supply bus through the first (5) current-stabilizing bipolar, the collector is connected to the second (6) power supply bus, and the base is connected to the input of the device (1), the first (7) output transistor, the emitter of which is connected to the first (4) power supply bus, the collector is connected to the output (2) of the device, and the base is connected to the first (4) power supply bus through the second (8) current-stabilizing two-pole, second (10) output transistor, the emitter of which is connected to the output (2) of the device, and the collector is connected to the second (6) power supply bus, auxiliary transistor (11), collector which is connected to the second (6) power supply bus, the third (12) current-stabilizing two-pole, auxiliary p-n junction (13) and auxiliary resistor (14), characterized in that the collector of the second (10) output trans the histor is connected to the second (6) power supply bus through the third (12) current-stabilizing two-pole and is connected to the base of the auxiliary transistor (11), the emitter of which is connected to the base of the first (7) output transistor through the potential bias circuit (16), and the base of the second ( 10) of the output transistor is connected to the emitter of the input transistor (3) through an auxiliary resistor (14), and the emitter of the input transistor (3) is connected to the output (2) of the device through an auxiliary p-n junction (13).
RU2022124666A 2022-09-19 CLASS AB BUFFER AMPLIFIER ON n-p-n BIPOLAR TRANSISTORS RU2786630C1 (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2786630C1 true RU2786630C1 (en) 2022-12-23

Family

ID=

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6417733B1 (en) * 1999-07-06 2002-07-09 Texas Instruments Incorporated High output voltage swing class AB operational amplifier output stage
RU2384934C2 (en) * 2008-03-12 2010-03-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Differential amplifier with low power supply voltage
RU2419197C1 (en) * 2010-02-02 2011-05-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Differential amplifier with increased amplification factor as to voltage
RU2684489C1 (en) * 2018-06-08 2019-04-09 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6417733B1 (en) * 1999-07-06 2002-07-09 Texas Instruments Incorporated High output voltage swing class AB operational amplifier output stage
RU2384934C2 (en) * 2008-03-12 2010-03-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Differential amplifier with low power supply voltage
RU2419197C1 (en) * 2010-02-02 2011-05-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Differential amplifier with increased amplification factor as to voltage
RU2684489C1 (en) * 2018-06-08 2019-04-09 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6864751B1 (en) Transimpedance amplifier with adjustable output amplitude and wide input dynamic-range
JPH02104113A (en) Voltage-current converter
RU2677401C1 (en) Bipolar-field buffer amplifier
JP4997730B2 (en) Variable gain amplifier and AC power supply apparatus using the same
JPH11511933A (en) Variable gain amplifier using pseudo-logarithmic gain control
RU2786630C1 (en) CLASS AB BUFFER AMPLIFIER ON n-p-n BIPOLAR TRANSISTORS
US7414474B2 (en) Operational amplifier
US4187472A (en) Amplifier employing matched transistors to provide linear current feedback
KR940011386B1 (en) Push-pull amplifier
JPH0590851A (en) Integrated circuit device having differential amplifier
RU2786191C1 (en) Pull-pull buffer amplifier on complementary bipolar transistors
RU2321159C1 (en) Cascode differential amplifier
US5534813A (en) Anti-logarithmic converter with temperature compensation
RU2711725C1 (en) High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures
RU2687161C1 (en) Buffer amplifier for operation at low temperatures
RU2621289C1 (en) Two-stage differential operational amplifier with higher gain
RU2670777C1 (en) Bipolar-field buffer amplifier for operating at low temperatures
RU2789482C1 (en) Push-pull gallium arsenide buffer amplifier with a small dead zone of the amplitude characteristic
RU2771316C1 (en) Gallium buffer amplifier
RU2788498C1 (en) Gallium arsenide buffer amplifier on field-effect and bipolar p-n-p transistors
RU2780220C1 (en) Operational amplifier based on two-stroke "inverse" cascode and complementary fet-steristors with control pn-junction
US6278324B1 (en) Analog amplifier with monotonic transfer function
JPS5857814A (en) Electronic impedance device
RU2710923C1 (en) Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures
RU2770912C1 (en) Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors