RU2786630C1 - CLASS AB BUFFER AMPLIFIER ON n-p-n BIPOLAR TRANSISTORS - Google Patents
CLASS AB BUFFER AMPLIFIER ON n-p-n BIPOLAR TRANSISTORS Download PDFInfo
- Publication number
- RU2786630C1 RU2786630C1 RU2022124666A RU2022124666A RU2786630C1 RU 2786630 C1 RU2786630 C1 RU 2786630C1 RU 2022124666 A RU2022124666 A RU 2022124666A RU 2022124666 A RU2022124666 A RU 2022124666A RU 2786630 C1 RU2786630 C1 RU 2786630C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- output
- transistor
- auxiliary
- input
- power supply
- Prior art date
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в качестве двухтактного выходного каскада в различных аналоговых устройствах (операционных усилителях, драйверах линий связи и т.п.).The invention relates to the field of microelectronics and can be used as a push-pull output stage in various analog devices (operational amplifiers, communication line drivers, etc.).
Известно значительное количество схем двухтактных буферных усилителей (БУ), которые реализуются на комплементарных биполярных (BJT) или полевых (JFet, КМОП, КНИ, КНС и др.) транзисторах [1-28], а также при их совместном включении. Вышеназванные схемотехнические решения БУ наиболее популярны как в зарубежных, так и в российских аналоговых микросхемах, реализуемых на основе типовых технологических процессов [1-28]. A significant number of push-pull buffer amplifier (BU) circuits are known, which are implemented on complementary bipolar (BJT) or field-effect (JFet, CMOS, SOI, SOS, etc.) transistors [1-28], as well as when they are connected together. The above-mentioned CU circuit solutions are the most popular both in foreign and Russian analog microcircuits implemented on the basis of standard technological processes [1-28].
Особое место среди известных БУ занимают буферные усилители, реализация которых возможна только на n-p-n биполярных транзисторах [29-33], применение которых оказывает положительное влияние на себестоимость, например, операционных усилителей и их динамические параметры. Данное схемотехническое решение используется в серийных операционных усилителях OP27 и OP37 [30] фирмы Texas Instruments (США), а также в российских операционных усилителях 140УД30 [31], СВЧ интегральных усилителях с управляемым коэффициентом усиления [33]. Заявляемый БУ относится к данному классу устройств. Buffer amplifiers occupy a special place among the known CUs, the implementation of which is possible only on n-p-n bipolar transistors [29-33], the use of which has a positive effect on the cost of, for example, operational amplifiers and their dynamic parameters. This circuit solution is used in serial operational amplifiers OP27 and OP37 [30] from Texas Instruments (USA), as well as in Russian operational amplifiers 140UD30 [31], microwave integrated amplifiers with controlled gain [33]. The claimed CU belongs to this class of devices.
Ближайшим прототипом заявляемого устройства является буферный усилитель (фиг. 1) , представленный в патенте US 6.417.733, fig.1, 2002 г. Он содержит вход 1 и выход 2 устройства, входной транзистор 3, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания через первый 5 токостабилизирующий двухполюсник, коллектор подключен ко второй 6 шине источника питания, а база соединена со входом устройства 1, первый 7 выходной транзистор, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания, коллектор соединен с выходом 2 устройства, а база связана с первой 4 шиной источника питания через второй 8 токостабилизирующий двухполюсник, второй 10 выходной транзистор, эмиттер которого соединен с выходом 2 устройства, а коллектор связан со второй 6 шиной источника питания, вспомогательный транзистор 11, коллектор которого соединен со второй 6 шиной источника питания, третий 12 токостабилизирующий двухполюсник, вспомогательный p-n переход 13 и вспомогательный резистор 14.The closest prototype of the proposed device is a buffer amplifier (Fig. 1), presented in US patent 6.417.733, fig.1, 2002. It contains an
Основная особенность БУ-прототипа состоит в том, что он перспективен для аналоговых микросхем, реализуемых на однотипных n-p-n биполярных транзисторах. За счет применения SiGe технологий это позволяет получить предельные параметры по частотному диапазону операционных усилителей и других аналоговых устройств [33]. The main feature of the CU prototype is that it is promising for analog microcircuits implemented on the same type of n-p-n bipolar transistors. Due to the use of SiGe technologies, this makes it possible to obtain the limiting parameters for the frequency range of operational amplifiers and other analog devices [33].
Существенный недостаток известного БУ состоит в том, что его вход должен быть «привязан» к первой 4 отрицательной шине источника питания. Схема БУ не работоспособна, если входной сигнал подается относительно общей шины первого 4 и второго 6 источников питания. Это существенно сужает области его практического использования, так как во многих случаях (например, в классических операционных усилителях) необходимы БУ, вход которых согласован с общей шиной источника питания.A significant drawback of the known BU is that its input must be "tied" to the first 4 negative bus of the power source. The BU circuit is not operational if the input signal is applied relative to the common bus of the first 4 and second 6 power supplies. This significantly narrows the scope of its practical use, since in many cases (for example, in classical operational amplifiers) CUs are required, the input of which is coordinated with the common power supply bus.
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в создании БУ на однотипных n-p-n биполярных транзисторах, например, SiGe, который обеспечивает передачу на выход устройства 2 входного напряжения относительно общей шины с близким к единице коэффициентом усиления и при сопротивлениях нагрузки, изменяющихся в широком диапазоне. По имеющимся сведениям, подобные схемы не существуют – в известных БУ статический потенциал входа должен быть согласован либо со второй 6 положительной, либо с первой 4 отрицательной шинами источников питания. The main objective of the invention is to create a control unit based on the same type of n-p-n bipolar transistors, for example, SiGe, which provides the output of the
Поставленная задача достигается тем, что в буферном усилителе фиг. 1, содержащем вход 1 и выход 2 устройства, входной транзистор 3, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания через первый 5 токостабилизирующий двухполюсник, коллектор подключен ко второй 6 шине источника питания, а база соединена со входом устройства 1, первый 7 выходной транзистор, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания, коллектор соединен с выходом 2 устройства, а база связана с первой 4 шиной источника питания через второй 8 токостабилизирующий двухполюсник, второй 10 выходной транзистор, эмиттер которого соединен с выходом 2 устройства, а коллектор связан со второй 6 шиной источника питания, вспомогательный транзистор 11, коллектор которого соединен со второй 6 шиной источника питания, третий 12 токостабилизирующий двухполюсник, вспомогательный p-n переход 13 и вспомогательный резистор 14, предусмотрены новые элементы и связи - коллектор второго 10 выходного транзистора связан со второй 6 шиной источника питания через третий 12 токостабилизирующий двухполюсник и подключен к базе вспомогательного транзистора 11, эмиттер которого связан с базой первого 7 выходного транзистора через цепь смещения потенциалов 16, причем база второго 10 выходного транзистора связана с эмиттером входного транзистора 3 через вспомогательный резистор 14, а эмиттер входного транзистора 3 связан с выходом 2 устройства через вспомогательный p-n переход 13.The task is achieved by the fact that in the buffer amplifier of Fig. 1, containing
На чертеже фиг. 1 приведена схема высоковольтного буферного усилителя–прототипа на n-p-n транзисторах по патенту US 6.417.733, fig.1, 2002 г.In the drawing of FIG. Figure 1 shows a prototype high-voltage buffer amplifier circuit based on n-p-n transistors according to US patent 6.417.733, fig.1, 2002.
На чертеже фиг. 2 показана схема заявляемого БУ в соответствии с формулой изобретения.In the drawing of FIG. 2 shows a diagram of the claimed CU in accordance with the claims.
На чертеже фиг. 3 представлена схема для моделирования БУ фиг. 2 в среде LTspice при t=27oC, +Vcc=-Vee=10 В, I1=I2=100 мкА, I3=200 мкА, R1=1 кОм, Rload=1 МОм, R2=162.5 кОм на моделях транзисторов базовых матричных кристаллов АО «Интеграл» (г. Минск) [34].In the drawing of FIG. 3 is a diagram for simulating the control unit of FIG. 2 in LTspice environment at t=27 o C, +Vcc=-Vee=10 V, I 1 =I 2 =100 μA, I 3 =200 μA, R1=1 kOhm, Rload=1 MΩ, R2=162.5 kΩ per models of transistors of basic matrix crystals JSC "Integral" (Minsk) [34].
На чертеже фиг. 4 приведена амплитудная характеристика БУ фиг. 3 в среде LTspice при разных значениях сопротивлений нагрузки (Rload=1кОм/50кОм/100 кОм).In the drawing of FIG. 4 shows the amplitude characteristic of the control unit of FIG. 3 in LTspice environment with different values of load resistances (Rload=1kOhm/50kOhm/100kOhm).
На чертеже фиг. 5 показана схема для моделирования БУ фиг. 2 в среде LTspice при t=27oC, +Vcc=-Vee=10 В, I1=I2=100 мкА, I3=200 мкА, R1=6 кОм, Rload=1 МОм, источнике опорного напряжения V1=16.8 В, выполняющего функцию цепи смещения потенциала 16 (фиг. 2).In the drawing of FIG. 5 shows a diagram for simulating the VU of FIG. 2 in LTspice environment at t=27 o C, +Vcc=-Vee=10 V, I 1 =I 2 =100 μA, I 3 =200 μA, R1=6 kΩ, Rload=1 MΩ, reference voltage V1= 16.8 V, which performs the function of the potential bias circuit 16 (Fig. 2).
На чертеже фиг. 6 представлена амплитудная характеристика БУ фиг. 5 в среде LTspice при разных значениях сопротивлений нагрузки (Rload=2кОм/5кОм/10кОм/1МОм).In the drawing of FIG. 6 shows the amplitude characteristic of the control unit of FIG. 5 in LTspice environment with different load resistances (Rload=2kOhm/5kOhm/10kOhm/1MΩ).
Буферный усилитель класса АВ на n-p-n биполярных транзисторах фиг. 2 содержит вход 1 и выход 2 устройства, входной транзистор 3, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания через первый 5 токостабилизирующий двухполюсник, коллектор подключен ко второй 6 шине источника питания, а база соединена со входом устройства 1, первый 7 выходной транзистор, эмиттер которого связан с первой 4 шиной источника питания, коллектор соединен с выходом 2 устройства, а база связана с первой 4 шиной источника питания через второй 8 токостабилизирующий двухполюсник, второй 10 выходной транзистор, эмиттер которого соединен с выходом 2 устройства, а коллектор связан со второй 6 шиной источника питания, вспомогательный транзистор 11, коллектор которого соединен со второй 6 шиной источника питания, третий 12 токостабилизирующий двухполюсник, вспомогательный p-n переход 13 и вспомогательный резистор 14. Коллектор второго 10 выходного транзистора связан со второй 6 шиной источника питания через третий 12 токостабилизирующий двухполюсник и подключен к базе вспомогательного транзистора 11, эмиттер которого связан с базой первого 7 выходного транзистора через цепь смещения потенциалов 16, причем база второго 10 выходного транзистора связана с эмиттером входного транзистора 3 через вспомогательный резистор 14, а эмиттер входного транзистора 3 связан с выходом 2 устройства через вспомогательный p-n переход 13, который на практике (фиг. 3) реализуется на основе n-p-n биполярного транзистора. Двухполюсник Rн в схеме фиг. 2 моделирует свойства нагрузки.Buffer amplifier class AB on npn bipolar transistors Fig. 2 contains
Рассмотрим работу предлагаемого БУ фиг. 2.Let us consider the operation of the proposed control unit of Fig. 2.
Особенность схемы БУ фиг. 2 состоит в том, что она имеет два разных канала передачи положительных и отрицательных приращений входного напряжения uвх. Положительные приращения uвх передаются на выход устройства 2 по цепи эмиттера входного транзистора 3 через прямосмещенный вспомогательный p-n переход 13. При этом второй 10 выходной транзистор может входить в режим, близкий к режиму насыщения, а его влияние на передачу сигнала на выход 2 минимизируется вспомогательным резистором 14. При этом напряжение на базе вспомогательного транзистора 11 уменьшается, что передается через цепь смещения потенциалов 16 на базу первого 7 выходного транзистора, который в этом режиме запирается. A feature of the CU circuit of Fig. 2 is that it has two different channels for transmitting positive and negative increments of the input voltage u in . Positive increments u in are transmitted to the output of
Если на вход 1 БУ подается отрицательное приращение входного напряжения, то это вызывает уменьшение тока коллектора второго 10 выходного транзистора и увеличение напряжения на базе вспомогательного транзистора 11, которое через цепь смещения потенциалов 16 поступает на базу первого 7 выходного транзистора. Как следствие, первый 7 выходной транзистор переходит в активный режим и создает отрицательное приращение тока в нагрузке Rн.If a negative increment of the input voltage is applied to the
Работу БУ иллюстрируют графики на чертежах фиг. 4, фиг. 6, которые показывают, что при разных сопротивлениях нагрузки, в т.ч. Rн=1 КОм, максимальные выходные напряжения БУ близки к соответствующим напряжениям на второй 6 и первой 4 шинах источников питания.The operation of the BU is illustrated by the graphs in the drawings of Fig. 4, fig. 6, which show that at different load resistances, incl. R n \
Таким образом, предлагаемый буферный усилитель имеет существенные достоинства в сравнении с известным БУ-прототипом и может использоваться в различных аналоговых устройствах, в т.ч. операционных усилителях.Thus, the proposed buffer amplifier has significant advantages in comparison with the known CU prototype and can be used in various analog devices, incl. operational amplifiers.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКREFERENCES
1. Патент US 6.215.357, fig. 3, 2001 г.1. Patent US 6.215.357, fig. 3, 2001
2. Патент US 5.351.012, 1994 г. 2. Patent US 5.351.012, 1994
3. Патент US 5.973.534, 1999 г.3. Patent US 5.973.534, 1999
4. Патент US 5.197.124, fig. 25, 1993 г.4. Patent US 5.197.124, fig. 25, 1993
5. Патент US 7.764.123, fig. 3, 2010 г.5. Patent US 7.764.123, fig. 3, 2010
6. Патент US № 6.268.769 fig.3, 2001 г. 6. US patent No. 6.268.769 fig.3, 2001
7. Патент US № 6.420.933, 2002 г.7. US patent No. 6.420.933, 2002
8. Патент US № 5.223.122, 1993 г.8. US Patent No. 5.223.122, 1993
9. Патентная заявка US № 2004/0196101, 2004 г.9. Patent Application US No. 2004/0196101, 2004
10. Патентная заявка US № 2005/0264358 fig.1, 2005 г.10. Patent application US No. 2005/0264358 fig.1, 2005
11. Патентная заявка US № 2002/0175759, 2002 г.11. Patent Application US No. 2002/0175759, 2002
12. Патент US № 5.049.653 fig.8, 1991 г.12. US patent No. 5.049.653 fig.8, 1991
13. Патент US № 4.837.523, 1989 г.13. US patent No. 4.837.523, 1989
14. Патент US № 5.179.355, 1993 г.14. US patent No. 5.179.355, 1993
15. Патент Японии JP 10.163.763, 1991 г.15. Japanese patent JP 10.163.763, 1991
16. Патент Японии JP 10.270.954, 1992 г.16. Japanese patent JP 10.270.954, 1992
17. Патент US № 5.170.134 fig.6, 1992 г.17. US patent No. 5.170.134 fig.6, 1992
18. Патент US № 4.540.950, 1985 г.18. US patent No. 4.540.950, 1985
19. Патент US № 4.424.493, 1984 г.19. US patent No. 4.424.493, 1984
20. Патент Японии JP 6310950, 2018 г. 20. Japanese patent JP 6310950, 2018
21. Патент US № 5.378.938, 1995 г.21. US patent No. 5.378.938, 1995
22. Патент US № 4.827.223, 1989 г.22. US patent No. 4.827.223, 1989
23. Патент US № 6.160.451, 2000 г.23. US patent No. 6.160.451, 2000
24. Патент US № 4.639.685, 1987 г.24. US patent No. 4.639.685, 1987
25. А.св. СССР 1506512, 1986 г.25. A. St. USSR 1506512, 1986
26. Патент US № 5.399.991, 1995 г.26. US patent No. 5.399.991, 1995
27. Патент US № 6.542.032, 2003 г.27. US patent No. 6.542.032, 2003
28. M. Djebbi, A. Assi and M. Sawan. An offset-compensated wide-bandwidth CMOS current-feedback operational amplifier // CCECE 2003 - Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering. Toward a Caring and Humane Technology (Cat. No.03CH37436), 2003, pp. 73-76 vol.1. DOI: 10.1109/CCECE.2003.122634728. M. Djebbi, A. Assi and M. Sawan. An offset-compensated wide-bandwidth CMOS current-feedback operational amplifier // CCECE 2003 - Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering. Toward a Caring and Humane Technology (Cat. No.03CH37436), 2003, pp. 73-76 vol.1. DOI: 10.1109/CCECE.2003.1226347
29. Патент US 6.417.733, fig. 1, 2002 г.29 US Patent 6,417,733, fig. 1, 2002
30. Low-noise high-speed precision operational amplifier OP037A Datasheet. Режим доступа: https://www.chipfind.ru/datasheet/ti/op37a.htm 30. Low-noise high-speed precision operational amplifier OP037A Datasheet. Access mode: https://www.chipfind.ru/datasheet/ti/op37a.htm
31. Быстродействующий операционный усилитель 140УД30. Режим доступа: http://ic-info.ru/upload/iblock/449/140%D0%A3%D0%9430.pdf 31. High-speed operational amplifier 140UD30. Access mode: http://ic-info.ru/upload/iblock/449/140%D0%A3%D0%9430.pdf
32. I.M. Filanovsky, V.V. Ivanov, “Operational Amplifier Speed and Accuracy Improvement: Analog Circuit Design with Structural Methodology,” Kluwer Academiv Publishers, New York, Boston, Dordrecht, London, 2004. P. 123, fig. 7-4.32.I.M. Filanovsky, V.V. Ivanov, “Operational Amplifier Speed and Accuracy Improvement: Analog Circuit Design with Structural Methodology,” Kluwer Academiv Publishers, New York, Boston, Dordrecht, London, 2004. P. 123, fig. 7-4.
33. Savchenko Е.М., Budyakov А.S., Budyakov P.S., Prokopenko N.N. “The Method of Bandwidth Extension of SiGe BiCMOS Microwave Variable-Gain Amplifier Integrated Circuit”, Visnyk NTUU KPI Seriia – Radiotekhnica Radioaparatobuduvannia, 2017. Iss. 69, pp. 5–10, fig. 3 33. Savchenko E.M., Budyakov A.S., Budyakov P.S., Prokopenko N.N. “The Method of Bandwidth Extension of SiGe BiCMOS Microwave Variable-Gain Amplifier Integrated Circuit”, Visnyk NTUU KPI Seriia – Radiotekhnica Radioaparatobuduvannia, 2017. Iss. 69, pp. 5–10, fig. 3
34. Проектирование низкотемпературных и радиационно-стойких аналоговых микросхем для обработки сигналов датчиков: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, А.В. Бугакова. – М.: СОЛОН-Пресс, 2021. – 200 с.34. Design of low-temperature and radiation-resistant analog microcircuits for sensor signal processing: monograph / N.N. Prokopenko, O.V. Dvornikov, A.V. Bugakov. – M.: SOLON-Press, 2021. – 200 p.
Claims (1)
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2786630C1 true RU2786630C1 (en) | 2022-12-23 |
Family
ID=
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6417733B1 (en) * | 1999-07-06 | 2002-07-09 | Texas Instruments Incorporated | High output voltage swing class AB operational amplifier output stage |
RU2384934C2 (en) * | 2008-03-12 | 2010-03-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential amplifier with low power supply voltage |
RU2419197C1 (en) * | 2010-02-02 | 2011-05-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential amplifier with increased amplification factor as to voltage |
RU2684489C1 (en) * | 2018-06-08 | 2019-04-09 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures |
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6417733B1 (en) * | 1999-07-06 | 2002-07-09 | Texas Instruments Incorporated | High output voltage swing class AB operational amplifier output stage |
RU2384934C2 (en) * | 2008-03-12 | 2010-03-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential amplifier with low power supply voltage |
RU2419197C1 (en) * | 2010-02-02 | 2011-05-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential amplifier with increased amplification factor as to voltage |
RU2684489C1 (en) * | 2018-06-08 | 2019-04-09 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6864751B1 (en) | Transimpedance amplifier with adjustable output amplitude and wide input dynamic-range | |
JPH02104113A (en) | Voltage-current converter | |
RU2677401C1 (en) | Bipolar-field buffer amplifier | |
JP4997730B2 (en) | Variable gain amplifier and AC power supply apparatus using the same | |
JPH11511933A (en) | Variable gain amplifier using pseudo-logarithmic gain control | |
RU2786630C1 (en) | CLASS AB BUFFER AMPLIFIER ON n-p-n BIPOLAR TRANSISTORS | |
US7414474B2 (en) | Operational amplifier | |
US4187472A (en) | Amplifier employing matched transistors to provide linear current feedback | |
KR940011386B1 (en) | Push-pull amplifier | |
JPH0590851A (en) | Integrated circuit device having differential amplifier | |
RU2786191C1 (en) | Pull-pull buffer amplifier on complementary bipolar transistors | |
RU2321159C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
US5534813A (en) | Anti-logarithmic converter with temperature compensation | |
RU2711725C1 (en) | High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures | |
RU2687161C1 (en) | Buffer amplifier for operation at low temperatures | |
RU2621289C1 (en) | Two-stage differential operational amplifier with higher gain | |
RU2670777C1 (en) | Bipolar-field buffer amplifier for operating at low temperatures | |
RU2789482C1 (en) | Push-pull gallium arsenide buffer amplifier with a small dead zone of the amplitude characteristic | |
RU2771316C1 (en) | Gallium buffer amplifier | |
RU2788498C1 (en) | Gallium arsenide buffer amplifier on field-effect and bipolar p-n-p transistors | |
RU2780220C1 (en) | Operational amplifier based on two-stroke "inverse" cascode and complementary fet-steristors with control pn-junction | |
US6278324B1 (en) | Analog amplifier with monotonic transfer function | |
JPS5857814A (en) | Electronic impedance device | |
RU2710923C1 (en) | Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures | |
RU2770912C1 (en) | Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors |